模拟电子技术基础(第四版)期末复习资料
模拟电子技术期末考试复习要点
模拟电子技术期末考试复习要点第一章晶体二极管1、杂质半导体P型半导体：多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子；N型半导体：多数载流子是自由电子，少数载流子是孔穴；2、PN结形成的物理过程；伏安特性：正向特性：外加正向电压即正偏，空间电荷区变窄（或变薄），形成较大的正向扩散电流。
反向特性：外加反向电压即反偏，空间电荷区变宽（或变厚），形成很小的反向漂移电流；击穿特性：稳压二极管；3、晶体二极管主要特性：单向导电性。
当外加电压大于导通电压时，晶体二极管导通；当外加电压小于导通电压时，晶体二极管截止。
模型：简化电路模型（理想模型、恒压降模型）；电路分析方法：简化分析法（估算法、画输出信号波形方法）；应用：整流电路、限幅电路；（重点）作业：P45：1-15、1-18、1-22第二章晶体三极管1、类型：NPN和PNP；2、基本结构三个区：基区、发射区、集电区；三个极：基极、发射极、集电极；两个结：发射结、集电结；3、工作模式放大模式：发射结正偏，集电结反偏——正向受控特性；饱和模式：发射结正偏，集电结正偏——受控开关特性；截止模式：发射结反偏，集电结反偏——受控开关特性；4、放大模式下的工作原理内部载流子传输过程；直流电流传输方程；直流简化电路模型；5、伏安特性曲线输入特性曲线族；输出特性曲线族：分为四个区——放大区、饱和区、截止区、击穿区；6、小信号电路模型：简化小信号电路模型；7、电路分析方法直流分析法：工程近似分析法——估算法；（P78-80：2-3-3 分压式偏置电路）交流分析法：小信号等效电路分析法；第四章放大器基础1、偏置电路和耦合方式偏置电路要求：提供合适的静态工作点，保证器件工作在放大模式；当环境温度等因素变化时，能稳定电路的静态工作点；分压式偏置电路；（重点）耦合方式：电容耦合、直接耦合（级间直流电平配置问题、零点漂移问题）；2、基本组态放大器（共发、共集）（重点）直流通路、直流等效电路、交流通路、交流等效电路、静态工作点的计算（I BQ 、I CQ 、V CEQ ）、性能指标（输入电阻、输出电阻、电压增益）的计算、三种组态放大器的性能比较（P189）；3、 差分放大器（重点）差模信号和共模性号：大小相等、极性相反；大小相等、极性相同；（P192：例4-3-1和4-3-2）差模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路差模交流通路、差模性能指标（差模输入电阻、差模输出电阻、差模电压增益）计算；共模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路共模交流通路、共模性能指标（共模输入电阻、共模输出电阻、共模电压增益）计算；共模抑制比；作业：P254：4-1（a ）（b ）、4-11、4-16、4-18、4-38第五章 放大器中的负反馈1、 正反馈和负反馈正反馈：使净输入量增大；负反馈：使净输入量减小；2、 反馈极性与类型的判别判断反馈类型：短路法；判断极性：瞬时极性法；3、 负反馈对放大器性能的影响：降低增益、减小增益灵敏度（提高增益稳定性）、改变输入、输出电阻（如何改变的？）；4、 引入负反馈的原则：要稳定直流量（如静态工作点）：引入直流负反馈；要稳定交流量（如电压放大倍数）：引入交流负反馈；要稳定输出电压：引入电压负反馈；要稳定输出电流：引入电流负反馈；要增大输入电阻：引入串联负反馈；要减小输入电阻：引入并联负反馈；要增大输出电阻：引入电流负反馈；要减小输出电阻：引入电压负反馈； 作业：第5章课件 例3第六章 集成运算放大器及其应用电路1、 理想条件下的两条重要法则：虚短：v v +-=、虚断：0i i +-==； 2、 基本应用电路：反相放大器（虚地：0v v +-==）、同相放大器（同相跟随器）； 3、 运算电路：反相加法器、同相加法器、减法器、积分器、微分器；4、 三运放仪器放大器；作业：P382：6-1、6-4。
模拟电子技术基础(第四版)
U I 35V 时， U O
0.1 (2)当负载开路时， I Z
1.7 在图 Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 UD =1.5V ，正向电流在 5~15mA 时才能正常工作。 试问：(1)开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？ (2)R 的取值范围是多少？ 解：(1)S 闭合。 (2) R 的范围为:
1.15 电路如图 P1.15 所示，T 的输出特性如图 Pl.14 所示,分析当 u I =4V、8V 、12V 三种情况下场效应 管分别工作在什么区域。 解：根据图 P1.14 所示 T 的输出特性可知，其开启电压为 5V ，根据图 Pl.15 所示电路可知 uGS uI 。 当 u I =4V 时， uGS 小于开启电压，故 T 截止。 当 u I =8V 时，设 T 工作在恒流区，根据输出 特性可知 iD 0.6mA ，管压降 uDS VDD iD Rd 10V ， 因此， uGD uGS uDS 2V ，小于开启电压， 说明假设成立，即 T 工作在恒流区。 当 u I =12V 时，由于 VDD 12V ，必然使 T 工作在可变电阻区。 l.16 分别判断图 Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。 图 Pl.15
I BQ
VBB U BEQ Rb
60 A
ICQ I BQ 3mA uO VCC ICQ Rc 9V
所以 T 处于放大状态。 (3)当 VBB 3V 时，因为 I BQ 图 P1.10
VBB U BEQ Rb
460 A ，
I CQ I BQ 23mA
(a) 图 Pl.8
(b)
(a) 解图 Pl.8
(b)
4
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
模拟电子技术基础(第四版)期末复习资料
该复习资料，不一定适用于本校，但有比没有要好。
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管，锗管。
*开启电压------硅管，锗管。
分析方法------ ----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路或压降;若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
三、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)CBO CEO B CBC)(1I I i iIIβββ+=∆∆==其中I CEO是穿透电流（越小越好），I CBO是集电极反向电流。
模拟电子技术基础-总复习最终版
R1 R2 R3
Rf
ui3 i2 R3 i3
N
_
+ +
uo
uo
Rf
ui1 R1
ui2 R2
ui3 R3
R4
实际应用时, 可适当增加或减少输入端的个数, 以适应不同的需要。
2.同相求和运算
节点P的电流方程： i1 i2 i3 i4
Rf
ui1 uP ui2 uP ui3 uP uP
R1
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
2.共发射极放大电路中，由于电路参数不同，在信号源电压 为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产生 了什么失真，如何消除。
3.试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。 设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
4.画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交 流信号均可视为短路。
虚短路
u-= u+= ui
虚开路
uo ui ui
Rf
R
uo
(1
Rf R
)ui
Au
uo ui
1
Rf R
反馈方式: 电压串联负反馈。输入电阻高。
一、求和运算电路 ui1 R1
1.反相求和运算
uN uP 0
ui2 i1 R2
iF Rf
i1 i2 i3 iF
ui1 ui2 ui3 uo
（c）
第二章 基本放大电路
知识点： 1、 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2、静态工作点的定义及设置合适的静态工作点
的必要性。 3、常见电路的静态工作点的估算。 4、放大电路的直流通路和交流通路。 5、能画出基本放大电路的交流等效电路，并计
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《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详波形的发生器和信号的转换)【圣才出
第8章 波形的发生器和信号的转换8.1 复习笔记一、正弦波振荡电路1．产生正弦波振荡的条件（1）振幅平衡条件：（2）相位平衡条件：（3）起振条件：2．正弦波振荡电路的组成（1）放大电路：保证电路有从起振到动态平衡的过程，使电路获得一定幅值的输出量，实现能量的控制。
（2）选频网络：确定电路的振荡频率，使电路产生单一频率的振荡，即保证电路产生正弦波振荡。
（3）正反馈网络：引入正反馈，使放大电路的输入信号等于反馈信号。
（4）稳幅环节：也是非线性环节，使输出信号幅值稳定。
在不少实用电路中，常将选频网络和正反馈网络“合二而一”，且对于分立元件放大电路，也不再另加稳幅环节，而依靠晶体管特性的非线性来起到稳幅作用。
3．判断电路能否震荡的方法（1）观察电路是否包含了放大电路、选频网络、正反馈网络和稳幅环节四个组成部分。
（2）判断电路是否有合适的静态工作点且动态信号是否能够输入、输出和放大。
（3）判断电路是否满足振荡的相位条件、幅值条件。
3．RC 正弦波振荡电路（1）振荡条件：反馈系数，电压放大倍数。
（2）起振条件：，即。
12f R R （3）振荡频率：。
（4）典型的RC 正弦波振荡电路：文氏电桥正弦波振荡电路，如图8.1所示。
图8.1 RC 文氏电桥正弦波振荡电路4．LC正弦波振荡电路（1）谐振时，回路等效阻抗为纯阻性，阻值最大，值为：其中，为品质因数；为谐振频率。
（2）如图8.2所示，LC并联谐振回路等效阻抗为：图8.2 LC 并联网络（3）变压器反馈式振荡电路的振荡频率为：（4）三点式LC 正弦波振荡器（1MHz 以上频率），典型电路如图8.3所示。
(a)电感三点式振荡器(b)电容三点式振荡器图8.3 典型三点式LC正弦波振荡器①组成原则：与晶体管发射极相联的电抗是相反性质的，不与发射极相联的另一电抗是相同性质的。
②振荡频率：计算振荡频率时，只需分离出LC总回路求谐振频率即可。
电容式：电感式：5．石英晶体振荡器（1）石英晶体等效电路：R、C、L串联后与Co并联，如图8.4所示。
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该复习资料，不一定适用于本校，但有比没有要好。
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.7V，锗管0.2V。
*开启电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
分析方法------ ----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路或压降0.7V);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
三、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章 三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN 和PNP 两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)其中I CEO 是穿透电流（越小越好），I CBO 是集电极反向电流。
3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线(饱和管压降，用U CES 表示)放大区---发射结正偏，集电结反偏。
饱和区---发射结正偏，集电结正偏 截止区---发射结反偏，集电结反偏。
根据电位如何判断管子是否处于放大状态：CBOCEO BCB C )(1I I i i I I βββ+=∆∆==对NPN 管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP 管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。
温度升高I CBO 、 I CEO 、 I C 以及β均增加。
5.三极管的极限参数I CM 最大集电极电流 P CM最大的集电极耗散功率U（BR ）CEOC-E 间的击穿电压三. 低频小信号等效模型h ie ---输出端交流短路时的输入电阻， 常用r be 表示；h fe ---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；微变等效模型用于分析晶体管在小信号输入时的 动态情况，不能用于静态分析。
四. 基本放大电路组成及其原则 1. VT 、 V CC 、 R b 、 R c 、C 1、C 2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点*直流负载线---由 确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响1）改变R c ：Q 点在I BQ 所在的那条输出特性曲线上移动。
2）改变V CC ：直流负载线平移，Q 点发生移动。
c C CC CE R i V u -=交流负载线2. 交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q 点和V CC ’点 V CC ’= U CEQ +I CQ R L ’的直线。
3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因---Q 点设置过低*失真现象---NPN 管削顶，PNP 管削底。
*消除方法---提高Q 。
（2） 饱和失真*产生原因---Q 点设置过高*失真现象---NPN 管削底，PNP 管削顶。
*消除方法---增大R b 、减小R c 、增大V CC ，降低Q 点。
六. 阻容耦合共射放大电路的等效电路法1. 静态分析2.放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻beb i r R R ∥* 输出电阻七. 稳定工作点共射放大电路的等效电路法 1．静态分析2．动态分析 *有旁路电容* 无旁路电容八. 共集电极基本放大电路 1．静态分析2．动态分析c o R R =eEQ CC CEQBQEQ e b BEQBB BQ )1()1(R I V U I I R R U V I -=+=++-=ββββββ++=+++=++++=1)//)(1()1()1(be b e o L e be b i ebe b er R R R R R r R R R r R R A u ∥3. 电路特点* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器。
* 输入电阻高，输出电阻低（带载能力强）。
* 有电流放大能力。
八. 共基电极基本放大电路（高频特性好，展宽频带）九．复合管的判定：不同类型的管子复合后，其类型取决于第一个管子。
第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（ JFET）1.结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。
结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS 的转移特性曲线式中，I DO 是U GS =2U T 时所对应的i D 值。
三. 场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流I DSS 2.夹断电压U p 3.开启电压U T 4.直流输入电阻R GS5.低频跨导g m (表明场效应管是电压控制器件)四. 场效应管的低频小信号等效模型五. 共源基本放大电路 分压式偏置放大电路 * 动态分析213i R R R R ∥+=4O R R =第四章 多级放大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。
但不便于集成，低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。
体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。
各级静态工作点不独立，互相有影响。
存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使u o 偏离初始值“零点”而作随机变动。
二. 多级放大电路的动态分析 1. 电压放大倍数 2. 输入电阻3. 输出电阻三. 长尾差放电路（抑制直接耦合电路中的温漂）的原理与特点 1.静态分析2. 动态分析eBEQEE EQ 2R U V I -≈BEQc CQ CC EQ CQ CEQ U R I V U U U +-≈-=β+=1EQ BQ I I ∏==⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅==n j uj nu A U U U U U U U U A 1i o i2o2i o1i o i1i R R =nR R o o =eEQ BEQ BQ EE 2R I U R I V b ++=通常，R b 较小，且I BQ 很小，co CMR c be b Lc d 2 0 )2(R R K A r R R R A =∞==+=∥双端输出：βco be b ebe b CMR ebe b L c c be b L c d )(2)1(2 )1(2)( )(2)(R R r R R r R K R r R R R A r R R R A =++++=+++=+=ββββ∥∥单端输出：四. 共模信号与差模信号的计算 共模信号：两输入信号的平均值 差模信号：两输入信号的差五．差分放大电路的改进2)1(Wbe b cd R r R R A ββ+++-=Wbe b i )1()(2R r R R β+++=Ic c Id d Ou A u A u ⋅+⋅=第五章集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。
3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。
二. 集成运放的电压传输特性当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：三．理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数A od→∞；* 差模输入电阻R id→∞；* 输出电阻R o→0；* 共模抑制比K CMR→∞；2. 理想集成运放的分析方法1) 运放工作在线性区:* 电路特征——引入负反馈* 电路特点——“虚短”和“虚断”:“虚短”---“虚断” ---2) 运放工作在非线性区* 电路特征——开环或引入正反馈* 电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时，u o=+U om当u+<u-时，u o=-U om四．集成运放的读图第六章放大电路中的反馈一．反馈概念的建立＊开环放大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ＊环路增益－－－ＡＦ：1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。
2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。
3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。
4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。
放大器处于“自激振荡”状态。
二．反馈的形式和判断1. 反馈的范围----局部或级间。
2.有无反馈的判断---看输出回路与输入回路是否有联系，有则有反馈，无则没有反馈。
3. 反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
4.反馈的类型----正反馈：反馈的结果使输出量的变化增大的反馈；负反馈：反馈的结果使输出量的变化减小的反馈。
对于单个集成运放，若反馈线引至同相端，则为正反馈；反之为负反馈。
反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示）。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性。
（3）确定反馈信号的极性。
（4）根据X i与X f的极性，确定净输入信号的大小。