材料物理导(熊兆贤着)课后习题答案第四章习题参考解答

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高中物理选择性必修第三册课后习题 第四章 原子结构和波粒二象性 光电效应方程、图像及其应用

高中物理选择性必修第三册课后习题 第四章 原子结构和波粒二象性 光电效应方程、图像及其应用

专题练习(五) 光电效应方程、图像及其应用课后篇素养形成必备知识基础练1.用氢原子发出的光照射某种金属进行光电效应实验,当用频率为ν1的光照射时,遏止电压的大小为U1,当用频率为ν2的光照射时,遏止电压的大小为U2。

已知电子电荷量的大小为e,则下列表示普朗克常量和该种金属的逸出功正确的是( )A.h=e(U1-U2)ν2-ν1B.h=e(U1+U2)ν1-ν2C.W0=eU1ν1-eU2ν2ν1-ν2D.W0=eU2ν1-eU1ν2ν2-ν1eU c1=hν1-W0,eU c2=hν2-W0,解得h=e(U1-U2)ν1-ν2,W0=eU2ν1-eU1ν2ν2-ν1,故D正确,A、B、C错误。

2.分别用波长为λ和34λ的单色光照射同一金属,发出的光电子的最大初动能之比为1∶2,以h表示普朗克常量,c表示真空中的光速,则此金属板的逸出功正确的是( )A.5hc3λB.2hc3λC.5hλ3cD.2hλ3cε=hcλ和爱因斯坦光电效应方程有E k1=hcλ-W0,E k2=4hc3λ-W0,又E k1∶E k2=1∶2,化简即得逸出功W0=2hc3λ,选项B正确。

3.(多选)如图是某金属在光的照射下,光电子的最大初动能E k与入射光频率ν的关系图像。

由图像可知( )A.该金属的逸出功等于hνcB.从金属表面逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率成正比C.入射光的频率为2νc时,产生的光电子的最大初动能为ED.相同频率的光照射到不同的金属上,逸出功越大,出射的光电子最大初动能越小E k=hν-W0得,金属的截止频率等于νc,纵轴截距的绝对值等于金属的逸出功,逸出功等于E,则E=W0=hνc,故A正确;根据E k=hν-W0,可知从金属表面逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率不是成正比关系,故B错误;当入射光的频率为2νc时,根据E k'=2hνc-W0,而E=W0=hνc,故E k'=hνc=E,故C正确;根据E k=hν-W0,可知相同频率的光照射到不同的金属上,逸出功越大,出射的光电子最大初动能越小,故D正确。

半导体物理学(第7版)第四章习题及答案

半导体物理学(第7版)第四章习题及答案

第四章习题及答案1. 300K 时,Ge 的本征电阻率为47Ωcm ,如电子和空穴迁移率分别为3900cm 2/( V.S)和1900cm 2/( V.S)。

试求Ge 的载流子浓度。

解:在本征情况下,i n p n ==,由)(/p n i p n u u q n pqu nqu +=+==111σρ知 3131910292190039001060214711--⨯=+⨯⨯⨯=+=cm u u q n p n i .)(.)(ρ 2. 试计算本征Si 在室温时的电导率,设电子和空穴迁移率分别为1350cm 2/( V.S)和500cm 2/( V.S)。

当掺入百万分之一的As 后,设杂质全部电离,试计算其电导率。

比本征Si 的电导率增大了多少倍? 解:300K 时,)/(),/(S V cm u S V cm u p n ⋅=⋅=225001350,查表3-2或图3-7可知,室温下Si 的本征载流子浓度约为3101001-⨯=cm n i .。

本征情况下,cm S +.u u q n pqu nqu -p n i p n /.)()(6191010035001350106021101-⨯=⨯⨯⨯⨯=+=+=σ金钢石结构一个原胞内的等效原子个数为84216818=+⨯+⨯个,查看附录B 知Si 的晶格常数为0.543102nm ,则其原子密度为322371051054310208--⨯=⨯cm ).(。

掺入百万分之一的As,杂质的浓度为3162210510000001105-⨯=⨯⨯=cm N D ,杂质全部电离后,i D n N >>,这种情况下,查图4-14(a )可知其多子的迁移率为800 cm 2/( V.S)cm S .qu N -n D /.''468001060211051916=⨯⨯⨯⨯=≈σ比本征情况下增大了66101210346⨯=⨯=-..'σσ倍 3. 电阻率为10Ω.m 的p 型Si 样品,试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。

材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第三章习题参考解答

材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第三章习题参考解答

材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第三章习题参考解答第三章 材料的电学3112319/)(/1006.4)3001038.1106.122.0exp(211211)(22.005.029.0212.1)(,12.1.1cm e N E f N n eV E E E E E E E E E E E E eV E Si kT E E D D D D F D i F D i c F D D c D g F D ⨯=⨯⨯⨯⨯+=+=⋅==-=-∴--∆--=--=∆=⊗---的查解:⎪⎩⎪⎨⎧⨯==⨯==∴〈〈⊗。

少子;多子解:)(/1013.1)(/105.1.239203150cm N n p cm N n N n D i D D i ΘeV22.0J 1053.3E E cm /102N cm /100.1N N Nln kT E E P cm /1045.8102)103.1(p n n cm /102109101.1N N p T N P ,N N .320V F 315A 319V AVV F 34152102i 3151516D A A D =⨯=-⨯⨯=-⎪⎩⎪⎨⎧⨯=⨯⨯==⨯=⨯-⨯=-=⇒∴∴〈⊗-代入可得取,取型半导体,有对于杂质几乎完全电离在室温,较少且又型半导体补偿后解:ΘΘ时可保持强电离。

则有令,仅考虑杂质电离有低温区,忽略本征激发解:318D 318DD D 2/1kT /E CD DD0cm /1032.1N cm /1032.1N N 9.0n )e N N 8(1N 2n n .4D ⨯〈⨯〈⇒≥⋅+==⊗+∆+mE s q m m q n n n d s n n n n n n 181********311048.11048.110101.01048.1106.110101.926.01.0.9-------**⨯=⨯⨯⨯⨯=⋅⋅=⋅=⨯=⨯⨯⨯⨯⨯==∴=τμτυλμττμΘ解:Ω=⨯=⋅ρ=⋅Ω=⨯⨯⨯=μ=σ=ρ⊗-3.16.01781.0S l R cm 781.08000106.1101nq 11.101915nΘ解:225112251123312319193103.421023.412.4400)2(5.361065.3365.3)1010/(101.926.03001038.13106.110/33,,)1(101.926.026.0.11------------⋅=⋅⨯==⋅Ω=⋅=⋅⨯===⋅Ω=⋅⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯=⋅⋅=∴===⨯⨯==⊗cm A m A i m K cm A m A m kTqN E i mE m kTq N m kT V E V nq kg m m Si dnA dnA dn dn σσσμμσ时,同理,(电子有效质量),对解:Θcm 045.0)1350106.1103.10()pq (s V cm 1350cm /103.10100.1101103.1n )3(cm34.4)480106.1103.0()pq (cm /103.0100.1103.1N N p)2(cm34.4)480106.1103()pq (s V cm 480cm /103N p ,n n )1(.12119161112n 3161617161191613161616D A 119151112p315A A i ⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⋅⋅=μ⨯=⨯-⨯+⨯=⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⨯=⨯-⨯=-=⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⋅⋅=μ⨯=≈∴〈〈⊗-------------ΘΘ又又查得解:为最大。

材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第四章习题参考解答

材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第四章习题参考解答

第四章材料的磁学 1. 垂直于板面方向磁化,则为垂直于磁场方向 J =μ0M = 1Wb/m 2 退磁场Hd = - NM大薄片材料,退磁因子Na = Nb = 0, Nc = 1所以Hd = - M = -0μJ =m H m Wb /104/172-⨯π=7.96×105A/m 2. 试证明拉莫进动频率W L = 002H m e eμ 证明:由于逆磁体中自旋磁矩相互抵消,只须考虑在磁场H 中电子轨道运动的变化,按照动量矩定理,电子轨道动量l 的变化等于作用在磁矩μl 的力矩,即:dtdl = μl ()00B H l ⨯=⨯μμ,式中B 0 = μ0H 为磁场在真空中的磁感应强度. 而 μl = - l me 2 上式改写成: l B m e dt dl ⨯=02,又因为L V dtdl ϖ==线 所以,在磁场B 0电子的轨道角动量l 和轨道磁矩均绕磁场旋转,这种旋转运动称为拉莫运动,拉莫运动的频率为00022H m e m eB W l μ==3. 答: 退磁因子,无量纲,与磁体的几何形状有关.对于旋转椭圆体的三个主轴方向退磁因子之和,存在下面简单的关系:Na + Nb +Nc = 1 (a,b,c 分别是旋转椭圆体的三个半主轴,它们分别与坐标轴x,y,z 方向一致)根据上式,很容易求得其三种极限情况下的退磁因子:1) 球形体:因为其三个等轴, Na = Nb = Nc 31=∴N 2) 细长圆柱体: 其为a,b 等轴,而c>>a,b Nb Na =∴ 而0=Nc 3) 薄圆板体: b=a>>c 0=∴Na 0=Nb 4. 何谓轨道角动量猝灭现象?由于晶体场导致简并能级分裂,可能出现最低轨道能级单态.当单态是最低能级轨道时,总轨道角动量的绝对值L 2虽然保持不变,但轨道角动量的分量L z 不再是常量. 当L z 的平均值为0,即0=⎰*τϕϕd L z 时,称其为轨道角动量猝灭. 5. 推导居里-外斯定律cT T C -=χ,说明磁化率与温度的关系0证明: 铁磁体中作用于本征磁矩的有效磁感应场M B B eff λ+=0其中M 为磁化强度,则M λ为内场,顺磁体磁化强度表达式:⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=T k JB g JB Ng M B B J B 0μμ 把B 0用B eff 代替,则得到铁磁体磁化强度:()⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=T k M B J g JB Ng M B B J B B )(00λμμ……………….(1) 当T>T c 时,自发磁化强度消失,只有在外磁场B 0作用下产生磁化强度当T>>T c 时,可令1)(0<<+T k M B J g B B λμ,则(1)式变为: )(3)1(022M B Tk J J Ng M B B λμ++=………………..(2) 又B B k J J Ng Tc 3/)1(22λμ+= 代入(2)式有 T M B T M c λλ)(0+=解得λ)(0c c T T B T M -= 令λc T C =' 则得c c cc T T C T T C H H T T C T T B C M -=-=∴=-=-='''000μχχμ当T c T ≤时,0<χ为铁磁性当T > T c 时,0>χ为顺磁性6. 自发磁化的物理本质是什么?材料具有铁磁性的充要条件是什么?答: 铁磁体自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用材料具有铁磁性的充要条件为:1) 必要条件:材料原子中具有未充满的电子壳层,即原子磁矩2) 充分条件:交换积分A > 07.超交换作用有哪些类型? 为什么A-B 型的作用最强?答: 具有三种超交换类型: A-A, B-B 和A-B因为金属分布在A 位和B 位,且A 位和B 位上的离子磁矩取向是反平行排列的.超交换作用的强弱取决于两个主要的因素: 1)两离子之间的距离以及金属离子之间通过氧离子所组成的键角ψi 2) 金属离子3d 电子数目及轨道组态.A-B 型ψ1=125°9’ ; ψ2=150°34’A-A 型ψ3=79°38’B-B 型ψ4=90°; ψ5=125°2’因为ψi 越大,超交换作用就越强,所以A-B 型的交换作用最强.8. 论述各类磁性χ-T 的相互关系1) 抗磁性.d χ 与温度无关,d χ<0 2) 顺磁性:c T T C -=χ,T c 为临界温度,成为顺磁居里温度,T>T c 时显顺磁性 3) 反铁磁性:当温度达到某个临界值T N 以上,服从居里-外斯定律4) 铁磁性: χf >0, T< T c ,否则将转变为顺磁性,并服从居里-外斯定律5) 亚铁磁性: 是未抵消的反铁磁性结构的铁磁性9. 比较铁磁体中五种能量的下列关系:答:铁磁材料的五种相互作用能分别为: 交换能F ex ,磁晶各向异性能F x ,磁弹性能F σ,退磁场能F d 和外磁场能F H1) 相邻原子电子自旋的单位体积内的交换能A>0时,电子自旋不平行,则会引起系统交换能的增加, F ex >0,只有当不考虑自旋轨道耦合时,交换能F ex 是各向同性的.2) 磁晶各向异性能F x ,是饱和磁化强度矢量在铁磁材料中取不同方向时随时间而改变的能量,仅与磁化强度矢量在晶体中的相对晶轴的取向有关磁晶各向异性来源于电子自旋与轨道的相互耦合作用以及晶体电场效应.这种原子或离子的自旋与轨道的耦合作用,会导致铁磁体的长度和体积的大小发生变化,出现所谓的磁致伸缩3) 铁磁体在受到应力作用时会发生相应的应变,从而引起磁弹性能F σ,包括由于自发形变而引起的磁应力能,包括外加应力和内应力4) 铁磁体在外磁场中具有位能成为外磁场能F H ,外磁场能是铁磁体磁化的动力5) 有限尺寸的铁磁体材料,受到外加磁场H 的变化,会在两端面上分别出现正负磁荷,从而产生减弱外磁场的磁场H d ,均匀磁化材料的退磁场能F d 为:10. 用能量的观点说明铁磁体内形成磁畴的原因答:根据热力学定律,稳定的磁状态一定是对应于铁磁材料内总自由能极小值的状态.磁畴的形成和稳定的结构状态,也是对应于满足总的自由能为极小值的条件.对于铁材料来说,分成磁畴后比分成磁畴前能量缩小,故铁磁材料自发磁化后必然分成小区域的磁畴,使总自由能为最低,从而满足能量最低原理.可见,退磁场能是形成磁畴的原因11. 解:单位面积的畴壁能量231/1098.32m J aA k S -⨯==πγ S 为自旋量子数=1 磁畴宽度m L M D s 641095.80.1710-⨯==γ L=10-2m 12 解:此题通过内应力分布为l x πσσ2sin0=,可见为90°畴壁位移,其为位移磁方程为σλμs s H M 230=,当外磁场变化H ∆,畴壁位移x ∆平衡时 H x M x x xH M s s s s ∆∂∂=∆∴∆∂∂=∇σλμσλμ232300 此时沿外磁场方向上磁矩将增加⊥∆=∆⊥S x S M s H (μ为单位体积90°畴壁的面积) 设磁畴宽度2l D =,在单位体积内将有2/D 个畴和畴壁数目,因而单位体积内畴壁面积应为)3....(....................442)11(l S l D =∴=⨯⨯⊥ 将(2)(3)代入(1),可得:0209034σλμπχs s i M =- 13. 证明: 用单弛豫来描述,磁场为交变磁场强度t i m e H H ω=作用下磁感应强度为)(c t i m e B B δω-=由t i m e H i H B ωμμμμμ)'''(00-==所以为半圆形14.15.讨论动态磁化过程中,磁损耗与频率的关系。

高中物理选择性必修第三册课后习题 第4章 原子结构和波粒二象性 3 原子的核式结构模型 (2)

高中物理选择性必修第三册课后习题 第4章 原子结构和波粒二象性 3 原子的核式结构模型 (2)

3 原子的核式结构模型课后·训练提升基础巩固一、单项选择题1.下列事例能说明原子具有核式结构的是( )A.光电效应现象的发现B.汤姆孙研究阴极射线时发现了电子C.卢瑟福的α粒子散射实验发现有少数α粒子发生大角度偏转D.康普顿效应答案:C解析:光电效应现象和康普顿效应的发现都说明光的粒子性,选项A、D错误;汤姆孙研究阴极射线时发现了电子,说明原子还可以再分,选项B错误;卢瑟福的α粒子散射实验发现有少数α粒子发生大角度偏转,从而说明了原子具有核式结构,选项C正确。

2.卢瑟福利用镭源所放出的α粒子作为炮弹去轰击金箔原子,测量α粒子的偏转情况。

下列叙述符合卢瑟福的α粒子散射实验的现象的是( )A.大多数α粒子在穿过金箔后发生明显的偏转B.少数α粒子在穿过金箔后几乎没有偏转C.大多数α粒子在撞到金箔时被弹回D.极个别α粒子在撞到金箔时被弹回答案:D解析:根据α粒子散射实验规律,大多数α粒子在穿过金箔后没有偏转,少部分发生了偏转,极少数几乎原路返回,故选项D正确,A、B、C错误。

3.在卢瑟福的α粒子散射实验中,有少数α粒子发生大角度偏转,其原因是( )A.原子的正电荷和绝大部分质量集中在一个很小的核上B.正电荷在原子中是均匀分布的C.原子中存在着带负电的电子D.金箔中的金原子间存在很大的空隙,只有极少数碰到金原子答案:A解析:原子核集中了原子的全部正电荷和绝大部分质量,当α粒子十分接近原子核时,就会受到很大的库仑斥力,发生大角度偏转,由于原子核很小,α粒子穿过金箔时接近原子核的机会很少,所以只有少数α粒子发生大角度偏转,选项A正确;若原子的正电荷是均匀分布的,α粒子穿过原子时,它受到原子内部两侧正电荷的斥力大部分互相抵消,使α粒子偏转的力不会很大,不会产生大角度的偏转现象,选项B错误;原子中有电子,但电子的质量很小,不到α粒子的七千分之一,α粒子碰到它,就像飞行的子弹碰到一粒尘埃一样,运动方向不会发生明显的改变,选项C错误;实验中所使用的金箔尽管很薄,但也有上万层原子,由此可知,少数α粒子发生大角度偏转显然不是碰到金原子,选项D错误。

高中物理选修3-4第四章学案4习题 课后作业,有详细解答

高中物理选修3-4第四章学案4习题 课后作业,有详细解答

学案4章末总结一、光的折射定律、全反射规律的应用几何光学是以光线为工具研究光的传播规律,所以解决几何光学问题的关键是根据“光的传播规律”画出光路图,然后再利用几何学知识,寻找相应的边角关系.(1)几何光学主要包括四条原理:①光的直线传播规律;②光的反射定律;③光的折射定律;④光路可逆原理.其中折射定律、不同色光的折射率、全反射现象是高考的重点和热点.解题时常用的三个公式:①折射定律公式:n=sin isin r;②折射率与速度的关系:n=cv;③全反射的临界角:sin C=1n.(2)注意法线的画法:法线画成虚线;法线垂直于界面,如果界面是圆面,那应该垂直于圆的切线,即法线沿半径指向圆心.例1(2012·山东·37(2))如图1所示,一玻璃球体的半径为R,O为球心,AB为直径.来自B点的光线BM在M点射出,出射光线平行于AB,另一光线BN恰好在N点发生全反射.已知∠ABM=30°,求:图1①玻璃的折射率;②球心O到BN的距离.解析 ①设光线BM 在M 点的入射角为i ,折射角为r ,由几何知识可知i =30°,r =60°,根据折射定律得n =sin rsin i代入数据得n = 3②光线BN 恰好在N 点发生全反射,则∠BNO 为临界角C ,sin C =1n设球心到BN 的距离为d ,由几何知识可知:d =R sin C联立解得d =33R .答案 ①3 ②33R例2 如图2所示,某种透明物质制成的直角三棱镜ABC ,∠A 等于30°.一束光线在纸面内垂直AB 面射入棱镜,如图2所示,发现光线刚好不能从BC 面射出,而是最后从AC 面射出.求:图2(1)透明物质的折射率n .(2)光线从AC 面射出时的折射角α.(结果可以用α的三角函数表示)解析 (1)由题意可知,光线从AB 面垂直射入,恰好在BC 面发生全反射,光线最后从AC 面射出,光路图如图所示.设该透明物质的临界角为C ,由几何关系可知C =θ1=θ2=60°,sin C =1n解得:n =233(2)由几何关系知:β=30°由折射定律知n =sin αsin β解得:sin α=33,α=arcsin 33 答案 (1)233 (2)arcsin 33二、测折射率的方法测折射率常见的方法有成像法、插针法及全反射法,不管哪种方法其实质相同,由折射定律知n =sin θ1sin θ2,只要确定出入射角θ1及折射角θ2即可测出介质的折射率,下面以测定水的折射率为例对上述方法举例说明. (1)成像法原理:利用水面的反射成像和水的折射成像.图3方法举例:如图3所示,在一盛满水的烧杯中,紧挨杯口竖直插一直尺,在直尺的对面观察水面,能同时看到直尺在水中的部分和露出水面部分的像,若从P 点看到直尺在水下最低点的刻度B 的像B ′(折射成像)恰好跟直尺在水面上刻度A 的像A ′(反射成像)重合,读出AC 、BC 的长,量出烧杯内径d ,即可求出水的折射率 n =(BC 2+d 2)/(AC 2+d 2). (2)插针法原理:光的折射定律.图4方法举例:如图4所示,取一方木板,在板上画出互相垂直的两条线AB 、MN ,从它们的交点O 处画直线OP (使∠PON <45°),在直线OP 上的P 、Q 两点垂直插两枚大头针.把木板放入水中,使AB 与水面相平,MN 与水面垂直.在水面上观察,调整视线使P 的像被Q 的像挡住,再在木板S 、T 处各插一枚大头针,使S 挡住Q 、P 的像,T 挡住S 及Q 、P 的像.从水中取出木板,画出直线ST ,量出图中的角θ1、θ2,则水的折射率n =sin θ1/sin θ2. (3)全反射法 原理:全反射现象.图5方法举例:在一盛满水的大玻璃缸下面放一发光电珠,如图5所示.在水面上观察,看到一圆的发光面,量出发光面直径D 及水深h ,则水的折射率n =D 2+4h 2D .例3 某同学利用“插针法”测定玻璃的折射率,所用的玻璃砖两面平行.正确操作后,作出的光路图及测出的相关角度如图6所示.(1)此玻璃的折射率计算式为n =________(用图中的θ1、θ2表示);(2)如果有几块宽度大小不同的平行玻璃砖可供选择,为了减小误差,应选用宽度________(填“大”或“小”)的玻璃砖来测量.图6解析 据题意可知入射角为(90°-θ1),折射角为(90°-θ2),则玻璃的折射率为n =sin (90°-θ1)sin (90°-θ2)=cos θ1cos θ2;玻璃砖越宽,光线在玻璃砖内的传播方向越容易确定,测量结果越准确.故应选用宽度大的玻璃砖来测量.答案 (1)cos θ1cos θ2⎣⎢⎡⎦⎥⎤或sin (90°-θ1)sin (90°-θ2) (2)大 三、光的波速、折射率与频率的综合应用例4 半圆形玻璃砖横截面如图7所示,AB 为直径,O 点为圆心.在该界面内有a 、b 两束单色可见光从空气垂直于AB 射入玻璃砖,两入射点到O 点的距离相等.两束光在半圆边界上反射和折射的情况如图4所示,则a 、b 两束光( )图7A .在同种均匀介质中传播,a 光的传播速度大B .以相同的入射角从空气斜射入水中,b 光的折射角大C .从同一介质以相同的入射角射向空气,若a 光不能进入空气,则b 光也不能进入空气D .a 光的频率大于b 光的频率解析由于两束光的入射点到O点的距离相等,因此它们在半圆边界上的入射角相同,由于b光发生全反射,而a光能够折射,说明b光的全反射临界角小于a光的全反射临界角,由n=1sin C可知,b光在介质中的折射率大于a光在介质中的折射率,所以b光的频率比a光的频率高,由v=cn可知,在同种介质中a光的传播速度大,A项正确,D项错误;以相同的入射角从空气斜射入水中,b光的折射程度大,折射角小,B项错误;由于b光全反射临界角小,所以C项正确.答案AC1.(光的折射定律)一束复色光由空气射向一块平行平面玻璃砖,经折射分成两束单色光a、b.已知a光的频率小于b光的频率.下列光路图中可能正确的是()答案 B解析由于a光的频率小于b光的频率,a光在玻璃中的折射率小于b光在玻璃中的折射率,由两种单色光进入玻璃后偏折程度不同且玻璃砖两平面平行,可判定B正确.2.(光的折射定律)如图8所示,一束复色光从空气中沿半圆形玻璃砖半径方向射入,从玻璃砖射出后分成a、b两束单色光.则()图8A.玻璃砖对a光的折射率为 2B.玻璃砖对a光的折射率为1.5C.b光的频率比a光的频率大D.b光在玻璃中的传播速度比a在玻璃中的传播速度大答案AC解析 a 光的折射率n =sin45°sin30°=2,故A 对,B 错.由题图可知,a 光的偏折程度比b 光的小,所以a 光的频率小,折射率也小,由n =c v 可得v =cn ,a 光在玻璃中的传播速度比b 光的大,故C 对,D 错.3.(对全反射的理解)如图9所示,扇形AOB 为透明柱状介质的横截面,圆心角∠AOB =60°.一束平行于角平分线OM 的单色光由OA 射入介质,经OA 折射的光线恰平行于OB .图9(1)求该介质的折射率.(2)折射光线中恰好射到M 点的光线________(填“能”或“不能”)发生全反射. 答案 (1)3 (2)不能 解析 依题意作出光路图.(1)由几何知识可知, 入射角i =60°,折射角r =30°根据折射定律得n =sin isin r代入数据解得n = 3(2)不能.由图中几何关系可知,射到M 点的光线的入射角θ=30°,sin30°=12<13,故不能发生全反射.4.(2014·新课标Ⅱ·34(2))一厚度为h 的大平板玻璃水平放置,其下表面贴有一半径为r 的圆形发光面.在玻璃板上表面放置一半径为R 的圆纸片,圆纸片与圆形发光面的中心在同一竖直线上.已知圆纸片恰好能完全遮挡住从圆形发光面发出的光线(不考虑反射),求平板玻璃的折射率. 答案 1+(h R -r)2解析根据全反射定律,圆形发光面边缘发出的光线射到玻璃板上表面时入射角为临界角(如图所示)设为θ,且sin θ=1n根据几何关系得:sin θ=Lh 2+L 2而L =R -r联立以上各式,解得n =1+(h R -r )2。

材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第二章习题参考解答

材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第二章习题参考解答

第二章 材料的热学92319S P ,T 1042.1)15.2731038.1106.148.0exp(N n ,N n N n )KT E exp(n N n 0n n N ln KT E 0)n F (n ]n ln n )n N ln()n N (N ln N [KT E F ,N N ln N !N ln N Stirling ]!n ln )!n N ln(!N [ln KT E S T E F ]!n )!n N (!N ln[K W ln K S .1---⨯=⨯⨯⨯⨯-=≈--=-⇒=--⇒=∂∆∂-----∆=∆-=----∆=∆-∆=∆⋅-==∆⊗则不大时,当引起的自由焓的变化小值,由于热缺陷平衡时,自由能具有最将上式整理得很大时,公式:当根据:解%67.00067.010693.610693.610738.61e 11e 1e 11e 1f e 1e A f Boltzman .2333k T /)E E (k T /)E E (k T /)E E (k T /)E E (k T /)E E (k T /E F F F F F ==⨯⨯-⨯=++-+=-=⋅=⊗---------因而相对误差为狄拉克统计分布函数为同时费米分布有解:根据定律所得的计算值。

趋近按,可见,随着温度的升高)的摩尔热容为:定律,莫来石(根据时,时,。

可解得对于莫来石有解:根据经验公式Petit Dulong C k mol /J 74.52394.2421SiO 2O Al 3Petit Dulong k mol /J 6.445C K 1273T k mol /J 6.384C K 298T 1068.26c ,1096.14b ,55.87a T 'C bT a C .3m ,P 232m ,P m ,P 532m ,P -⋅=⨯⋅-⋅==⋅==⨯-=⨯==++=⊗---112233h V 113233h V 3D 4h V K mol J 1055.1108.3310230K 5C NaCl K mol J 1043.2108.352K 2C KCl )T (Nk 512C 0T .4--------⋅⋅⨯=⨯⨯=⋅⋅⨯=⨯⨯=θπ≈→⊗)(有,对于)(有,对于)时有(容量理论,当温度很低解:根据德拜模型的热。

材料物理课后答案+第二版+(熊兆贤+著)+科学出版社

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l1
ε1
ε1
1-5 一陶瓷含体积百分比为 95%的 Al2O3 (E = 380 GPa)和 5%的玻璃相(E = 84
GPa),试计算其上限和下限弹性模量。若该陶瓷含有 5 %的气孔,再估算其上限
和下限弹性模量。
解:令 E1=380GPa,E2=84GPa,V1=0.95,V2=0.05。则有
上限弹性模量EH = E1V1 + E2V2 = 380 × 0.95 + 84 × 0.05 = 365.2(GPa)
5
《材料物理性能》 习题解答
解:⎪⎧C1
Q
⎪ ⎨
⎪⎪⎩C2
= =
B 2.303 fg = Bf
= 17.44(B是常数, fg 51.6(B f 是自由体积在
f g是Tg时的自由体积百分数 Tg以上的热膨胀系数 )
)
101.6 又有f = f g + B f (T − Tg ) ⇒ f g+50 = f g + 50B f = 51.6 f g

ε
2=1.0E×210
4
(1-e
−10
)
=
0.01,∴ E2
= 1.0 ×106 Pa,η2
=
E2τ
=
3.6 ×109 Pa ⋅ s
1-10 当取 Tg 为参考温度时 logαT
=
− c2
c1 +
(T (T
− Ts ) − Ts )
中的
C1=17.44,C2=51.6,求以
Tg+50℃为参考温度时 WLF 方程中的常数 C1 和 C2。
3
×
4 ×10−3 6.02 ×1023
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第四章 材料的磁学1. 垂直于板面方向磁化,则为垂直于磁场方向J =μ0M = 1Wb/m 2退磁场Hd = - NM大薄片材料,退磁因子Na = Nb = 0, Nc = 1所以Hd = - M = -0μJ=mH m Wb /104/172-⨯π=7.96×105A/m 2.试证明拉莫进动频率W L =002H m e eμ 证明:由于逆磁体中自旋磁矩相互抵消,只须考虑在磁场H 中电子轨道运动的变化,按照动量矩定理,电子轨道动量l 的变化等于作用在磁矩μl 的力矩,即:dtdl= μl ()00B H l ⨯=⨯μμ,式中B 0 = μ0H 为磁场在真空中的磁感应强度. 而 μl = - l me2上式改写成: l B m e dt dl ⨯=02,又因为L V dtdlρρϖ==线所以,在磁场B 0电子的轨道角动量l 和轨道磁矩均绕磁场旋转,这种旋转运动称为拉莫运动,拉莫运动的频率为00022H mem eB W l μ==3.答: 退磁因子,无量纲,与磁体的几何形状有关.对于旋转椭圆体的三个主轴方向退磁因子之和,存在下面简单的关系:Na + Nb +Nc = 1 (a,b,c 分别是旋转椭圆体的三个半主轴,它们分别与坐标轴x,y,z 方向一致)根据上式,很容易求得其三种极限情况下的退磁因子: 1) 球形体:因为其三个等轴, Na = Nb = Nc 31=∴N 2) 细长圆柱体: 其为a,b 等轴,而c>>a,b Nb Na =∴ 而0=Nc211==∴=++Nb Na Nc Nb Na Θ 3) 薄圆板体: b=a>>c 0=∴Na 0=Nb11=∴=++Nc Nc Nb Na Θ4.何谓轨道角动量猝灭现象?由于晶体场导致简并能级分裂,可能出现最低轨道能级单态.当单态是最低能级轨道时,总轨道角动量的绝对值L 2虽然保持不变,但轨道角动量的分量L z 不再是常量. 当L z 的平均值为0,即0=⎰*τϕϕd L z 时,称其为轨道角动量猝灭.5.推导居里-外斯定律cT T C-=χ,说明磁化率与温度的关系0证明: 铁磁体中作用于本征磁矩的有效磁感应场M B B eff λ+=0其中M 为磁化强度,则M λ为内场,顺磁体磁化强度表达式:⎪⎪⎭⎫⎝⎛=T k JB g JB Ng M B B J B 0μμ 把B 0用B eff 代替,则得到铁磁体磁化强度:()⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=T k M B J g JB Ng M B BJ B B )(00λμμ……………….(1) 当T>T c 时,自发磁化强度消失,只有在外磁场B 0作用下产生磁化强度 当T>>T c 时,可令1)(0<<+Tk M B J g B B λμ,则(1)式变为:)(3)1(022M B Tk J J Ng M B B λμ++= (2)又B B k J J Ng Tc 3/)1(22λμ+=Θ代入(2)式有 TM B T M c λλ)(0+=解得λ)(0c c T T B T M -=令λc TC ='则得cccc T T C T T C H H T T C T T B C M -=-=∴=-=-='''000μχχμ当T c T ≤时,0<χ为铁磁性 当T > T c 时,0>χ为顺磁性6.自发磁化的物理本质是什么?材料具有铁磁性的充要条件是什么? 答: 铁磁体自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用材料具有铁磁性的充要条件为:1) 必要条件:材料原子中具有未充满的电子壳层,即原子磁矩 2) 充分条件:交换积分A > 0 7.超交换作用有哪些类型? 为什么A-B 型的作用最强? 答: 具有三种超交换类型: A-A, B-B 和A-B因为金属分布在A 位和B 位,且A 位和B 位上的离子磁矩取向是反平行排列的. 超交换作用的强弱取决于两个主要的因素: 1)两离子之间的距离以及金属离子之间通过氧离子所组成的键角ψi 2) 金属离子3d 电子数目及轨道组态.A-B 型ψ1=125°9’ ; ψ2=150°34’ A-A 型ψ3=79°38’B-B 型ψ4=90°; ψ5=125°2’因为ψi 越大,超交换作用就越强,所以A-B 型的交换作用最强.8.论述各类磁性χ-T 的相互关系 1) 抗磁性.d χ 与温度无关, d χ<02) 顺磁性: cT T C-=χ,T c 为临界温度,成为顺磁居里温度,T>T c 时显顺磁性3) 反铁磁性:当温度达到某个临界值T N 以上,服从居里-外斯定律4) 铁磁性: χf >0, T< T c ,否则将转变为顺磁性,并服从居里-外斯定律5) 亚铁磁性: 是未抵消的反铁磁性结构的铁磁性9.比较铁磁体中五种能量的下列关系:答:铁磁材料的五种相互作用能分别为: 交换能F ex ,磁晶各向异性能F x ,磁弹性能F σ,退磁场能F d 和外磁场能F H1) 相邻原子电子自旋的单位体积内的交换能[]2322212)()()(αααε∇+∇+∇==aAS V E F ex exA>0时,电子自旋不平行,则会引起系统交换能的增加, F ex >0,只有当不考虑自旋轨道耦合时,交换能F ex 是各向同性的.2) 磁晶各向异性能F x ,是饱和磁化强度矢量在铁磁材料中取不同方向时随时间而改变的能量,仅与磁化强度矢量在晶体中的相对晶轴的取向有关[][]⎪⎭⎫ ⎝⎛-=⎰⎰ss M M x HdM HdM V F 111010001磁晶各向异性来源于电子自旋与轨道的相互耦合作用以及晶体电场效应.这种原子或离子的自旋与轨道的耦合作用,会导致铁磁体的长度和体积的大小发生变化,出现所谓的磁致伸缩3) 铁磁体在受到应力作用时会发生相应的应变,从而引起磁弹性能F σ,包括由于自发形变而引起的磁应力能,包括外加应力和内应力4) 铁磁体在外磁场中具有位能成为外磁场能F H ,外磁场能是铁磁体磁化的动力θμμcos 00H M HM F s s H -=-=5) 有限尺寸的铁磁体材料,受到外加磁场H 的变化,会在两端面上分别出现正负磁荷,从而产生减弱外磁场的磁场H d ,均匀磁化材料的退磁场能F d 为: 20000021NM NMdM dM H F MMd d μμμ==-=⎰⎰10. 用能量的观点说明铁磁体内形成磁畴的原因答:根据热力学定律,稳定的磁状态一定是对应于铁磁材料内总自由能极小值的状态.磁畴的形成和稳定的结构状态,也是对应于满足总的自由能为极小值的条件.对于铁材料来说,分成磁畴后比分成磁畴前能量缩小,故铁磁材料自发磁化后必然分成小区域的磁畴,使总自由能为最低,从而满足能量最低原理.可见,退磁场能是形成磁畴的原因11. 解:单位面积的畴壁能量231/1098.32m J aAk S-⨯==πγ S 为自旋量子数=1 磁畴宽度m LM D s 641095.80.1710-⨯==γ L=10-2m12 解:此题通过内应力分布为lxπσσ2sin0=,可见为90°畴壁位移,其为位移磁方程为σλμs s H M 230=,当外磁场变化H ∆,畴壁位移x ∆ 平衡时 HxMx x xH M s s s s ∆∂∂=∆∴∆∂∂=∇σλμσλμ232300 此时沿外磁场方向上磁矩将增加⊥∆=∆⊥S x S M s H (μ为单位体积90°畴壁的面积))1........(. (2)32090⊥-∂∂=S xM ss i σλμχ)2(....................2)(2cos 22sin0000)(l x x ll x lx x x πσσππσσπσσ=∂∂=∂∂∴==Θ 设磁畴宽度2lD =,在单位体积内将有2/D 个畴和畴壁数目,因而单位体积内畴壁面积应为)3....(.. (4)42)11(lS lD =∴=⨯⨯⊥将(2)(3)代入(1),可得:0209034σλμπχs si M =- 0022000209090334/13411σπλσλπμμμμμσλμπχμμχs s s s si r r i M M +=∴=+=+=∴-=∴--13. 证明: 用单弛豫来描述,磁场为交变磁场强度ti m e H H ω=作用下 磁感应强度为)(c t i m e B B δω-=20000)(1)1(1)1()(1ωτωτμμωτμμμμμμττωωτωωω+-=+====+∴=-=∴ti m i t i m i ti m i i m m m e H i i e H B e H H B B B i B i B B dt dB Θ由ti m e H i H B ωμμμμμ)'''(00-==0 '')(1''')(1)()(1''1)(1'22222222>+=+∴+=+=⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=+=∴μωωμμμωωωωμωτμμωωμωτμμrirriirii所以为半圆形14. 静态磁化与动态磁化特点比较15.讨论动态磁化过程中,磁损耗与频率的关系。

1)低频区域(f < 104Hz)'μ和''μ随频率f的变化较小,引起损耗''μ的机理主要是由于不可逆磁化过程产生的磁滞和磁化状态滞后于磁场变化的磁后效;2)中频区域(f = 104---106Hz),损耗''μ会出现峰值;3)高频区域(f = 106—108Hz), 'μ急剧下降,损耗''μ迅速增加。

交变磁场的频率与畴壁振动的本征频率或弛豫频率相同时,发生畴壁共振或畴壁弛豫而吸收大量引起损耗增大4)超高频区域(f = 108—1010Hz)'μ继续下降,'μ-1可能出现负值,而''μ出现自然共振引起的峰值,这是由于外加磁场频率与磁矩进动固有频率相等时产生共振现象引起的;5)极高频区域(f > 1010Hz)对应为自然交换共振区域。

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