DDR3基础知识介绍PPT
【精品博文】DDR扫盲——DDR3基础知识
【精品博文】DDR扫盲——DDR3基础知识Burst Length为固定的BC4和BL8，它们在“on the fly”能够和读命令或者写命令通过A12/BC引脚进行选择。
RL为总的读取潜伏期，其被定义为Additive Latency(AL)+CAS Latency(CL)；CAS Latency为读取潜伏，为内部读命令和第一个bit有效数据输出之间的时钟周期；Additive Latency为附加潜伏期，它的作用为使命令和数据总线更有效，即允许读或者写命令紧跟有效命令；CAS Write Latency（CWL）列写潜伏期，被定义为内部写命令和第一个bit有效数据输入之间的时钟周期延时；DDR3 SDRAM 不支持半周期潜伏，总的写潜伏为Write Latency(WL)=Additive Latency(AL)+CAS·tDQSCK是差分时钟的交叉点到数据选通脉冲的交叉点的时间；·tQSH是DQS的差分输出高电平时间；·tQSL是DQS的差分输出低电平时间；·tDQSQ是最近数据选通脉冲到数据有效的时间；·tQH是数据选通脉冲到最早的无效数据无法正确判断数据是否为1的时间；读时序ODT（On-Termination）提供打开和关闭终结电阻的功能，该功能只为DQ、DQS、/DQS和DM管脚开放；地址/命令建立时间、保持时间和降额tis(total setup time)=tis(base)+ ∆tistih(total setup time)=tih(base)+ ∆tih数据建立时间、保持时间和降额tDS(total setup time)=tDS(base)+ ∆tDStDH(total hold time)=tDH(base)+ ∆tDH。
DDR3介绍
DDR3在DDR2基础上采用的新型设 计
• 1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这 样DRAM内核的频率只有等效数据频率的 1/8，DDR[1]3-800的核心工作频率（内核 频率）只有100MHz。 • 2．采用点对点的拓扑架构，以减轻地 址/命令与控制总线的负担。 • 3．采用100nm以下的生产工艺，将工 作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置 （Reset）与ZQ校准功能。
DDR3
• DDR3是一种电脑内存规格。它属于 是一种电脑内存规格。 是一种电脑内存规格 SDRAM家族的内存产品，提供了相较于 家族的内存产品， 家族的内存产品 DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电 更高的运行效能与更低的电 压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动 （ 态随机存取内存）的后继者（ 态随机存取内存）的后继者（增加至八 ），也是现时流行的内存产品 也是现时流行的内存产品。 倍1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减 小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。 • (2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率， 在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之 一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 • (3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭 配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多 为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此 一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少 后，显存功耗也能进一步降低。 • (4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容 性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和 公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大 有好处。 • 目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应 用。 现在许多低端的显卡也有采用DDR3显存的
DDR3基础知识介绍PPT
P-3DDR DDR DDR相關概念相關概念DDR差分时钟的作用:CK 反相的CK#保证了触发时机的准确性1 2 3 4 5 6 7 8 901. 內存總容量P-6 邏輯邏輯BANK (Logical Bank,簡稱(SPD中也有)Spec中会有如下表示,就说明每个单元格中的数据为8bit.芯片位寬内存芯片一次传输的数据量就是芯片位宽(單位bit).一个L-bank的總单元数=芯片初始化充电/刷新/模式寄存器(MR，Mode Register)的设置，简称MRS 片选/L-bank 选址/行地址CL(CAS Latency CL(CAS Latency，，CAS CAS 潜伏期潜伏期潜伏期):):CAS 与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间,被定义为CL 的单位与tRCD一样,为时钟周期数,可用BIOS在MRS阶段设置,也需在spec 范围内.列地址/读写命令 读 写在发出写入命令后,DQS 与\写入数据要等一段时间才会送达,这个周期被称为DQS 相对于写入命令的延迟时间(tDQSS , WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS)突发(Burst)是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到存储单元(列)的数量就是突发长度(Burst Lengths ，简称BL) ,Spec 中标识如下:8bit pre-fetch 技术PC3L-12800DDR3L 16008bit pre-fetchP-1414108 BankMR 时钟行/列有效片选写有效RST 行/列地址Bank 地址648DQ[7:0]CLK EA测试表P-16CLK EA测试表1.Vix 定义:差分输入交叉点电压相对于VDD/2 之间的电压差.2.Jitter 定义:Period Jitter是多个周期内对时钟周期的变化进行统计与测量的结果.CLK EA测试表3. Slew Rate (V/ns):单位时间内(这里是指1ns),上升或下降的电压值.DDRDDR--EAName\ Spec.Vmax.(v)Rising slewrate(0.925v ~0.75v)Vmin.(v)Falling slewrate(0.75v ~0.575v)Vih(Ringback)Vil(Ringback)Setup Time Hold Time寻址EA测试表寻址EA测试表1.Vih /VilVihVilDDR--EADDR寻址EA测试表2. Setup/Hold Time:保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后,数据稳定不变的时间.Data测试表说明芯片密度数据速率P-231.容量增加的原因:3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术,的允许下,堆叠封装能够大大实现产品小型化.在DDR4上,堆叠封装主要用TSV 4GB 1Rx8 PC3L-12800S-11-13-B34GB 1Rx8 512M x 64-Bit DDR3L-1600CL11 204-Pin SODIMM DDR3DDR3與與DDR43.芯片区组DDR3 1颗内存芯片Bank 数量一般为8,4.延迟锁定回路(DLL)DDR SDRAM 有两个时钟,一个是外部的总线时钟,一个是内部的工作时钟,在理时钟频率测量法CFM时钟比较法CC5.片内终结（ODT，On-Die Termination）所谓的终结,就是让信号被电路的终端被吸收掉,而不会在电路上形成反射,主要由一排终结电阻构成,可有效減小反射/信噪比,ODT 就是将电阻移植到了芯片内部.P-25 SPD : Serial Presence Detect,内存内部讯号检测装置Byte Number 0Byte Number 16Byte Number32注1.SPD字节数通常为128或176字节。
DDR3基本知识
DDR3基本知识一、DDR3简介DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。
DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。
同时，DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。
此外，DDR3的工作电压降低为1.5V，比采用1.8V的DDR2省电30%左右。
说到底，这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小，从而带来更快、更密、更省电的技术提升。
DDR3的发展实在不能说是顺利，虽然在2005年就已经有最初的标准发布并于2007年应用于Intel P35 “Bearlake”芯片组上，但并没有像业界预想的那样很快替代DDR2，这中间还经历了对SDRAM业界影响深远的金融危机，不但使DDR3占领市场的速度更加减慢，还使DDR3在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭，实在是让人惋惜。
虽然如此，DDR3现今是并行SDRAM家族中速度最快的成熟标准，JEDEC标准规定的DDR3最高速度可达1600MT/s（注，1MT/s即为每秒钟一百万次传输）。
不仅如此，内存厂商还可以生产速度高于JEDEC标准的DDR3产品，如速度为2000MT/s的DDR3产品，甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。
二、DDR存储器特性1) 时钟的上升和下降沿同时传输数据DDR存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。
例如，在DDR200器件中，数据传输频率为200 MHz，而总线速度则为100 MHz。
2) 工作电压低DDR1、DDR2和DDR3存储器的电压分别为2.5、1.8和1.5V，因此与采用3.3V的正常SDRAM芯片组相比，它们在电源管理中产生的热量更少，效率更高。
ddr3芯片手册
ddr3芯片手册使用手册概述：欢迎阅读DDR3芯片手册。
本手册旨在向读者介绍DDR3芯片的基本知识，以及如何正确使用和优化DDR3芯片的性能。
1. DDR3芯片简介DDR3（Double Data Rate 3）是一种高速动态随机存取存储器（DRAM）标准，用于计算机系统内存。
本节将介绍DDR3芯片的特点和优势，包括其速度、密度和功耗等方面的信息。
2. DDR3芯片规格本节将详细介绍DDR3芯片的规格，包括存储容量、总线宽度、时序要求等。
通过了解这些规格，读者将能更好地了解如何选择和配置适合自己需求的DDR3芯片。
3. DDR3芯片安装和连接本节将详细介绍DDR3芯片的安装和连接方法。
包括如何正确插入芯片到主板的插槽，以及与其他硬件组件如处理器和电源的正确连接方式。
4. DDR3芯片时序配置DDR3芯片的性能和稳定性与其时序配置密切相关。
本节将教您如何正确地配置DDR3芯片的时序参数，以获得最佳的性能和稳定性。
5. DDR3芯片的测试和诊断本节将介绍如何对DDR3芯片进行测试和诊断，以确保其正常工作。
包括使用测试工具和软件进行芯片测试，以及识别和排除常见的故障。
6. DDR3芯片的优化技巧本节将分享一些优化DDR3芯片性能的技巧。
通过正确的优化，读者将能够最大限度地提升DDR3芯片的速度和稳定性，以满足各种应用需求。
7. DDR3芯片的故障排除当DDR3芯片出现故障时，本节将提供一些故障排除的方法。
通过正确识别和解决故障，读者将能够恢复DDR3芯片的正常工作状态。
8. DDR3芯片的未来发展趋势本节将展望DDR3芯片的未来发展趋势，包括新的技术和标准的出现。
读者将了解到DDR3芯片行业的最新动态，以及可能对其应用产生影响的因素。
总结：本手册旨在为读者提供全面的DDR3芯片指南。
通过阅读本手册，读者将能够更好地了解和利用DDR3芯片的潜力，以提升计算机系统的性能和稳定性。
同时也希望读者能不断关注DDR3芯片领域的新进展，以跟随技术的发展潮流。
内存条的结构 PPT
9
SPD
是一个八脚的小芯片，实际上是一个EEPROM，可擦写
存储器。有256字节的容数和厂家信息。
常见内存介绍
金士顿（KINGSTON） 现代（HY/HYUNDAI） KINGMAX 三星（SAMSUNG） 创见（JETRAM） 金邦（WINBOND） 美凯龙/美光（MICRON）
说明
内存颗粒的物理载体，多为绿色，4层或6层的电路板，层数越多， 成本越高，但干扰越少，工作越稳定。内部有金属布线，6层设计要 比4层的电气性能好，性能更稳定，名牌内存多采用6层设计。
金黄色的触点，与主板连接的部分，数据通过“金手指”传输。 2 金手指 金手指是采用金、锡等金属材料制成的导电触片导线，易氧化，要
定期清理表面的氧化物。
是内存的灵魂所在，决定着内存的性能、速度、容量等，也叫
3
内存芯 内存颗粒。市场上内存种类很多，但内存颗粒的型号却并不多，常
片
见的有HY、KINGMAX、WINBOND、TOSHIBA、SEC、MT、
Apacer等几种品牌。不同品牌的内存颗粒，速度、性能不尽相同。
内存颗
4
粒位
预留的一片内存芯片位置，供其他采用这种封装模式的内存条 使用。此处预留的是一个ECC校验模块位置。
金士顿（KINGSTON）
金士顿（KINGSTON）
现代（HY/HYUNDAI）
现代（HY/HYUNDAI）
KINGMAX
KINGMAX
三星（SAMSUNG）
三星（SAMSUNG）
创见（JETRAM）
创见（JETRAM）
金邦（WINBOND）
金邦（WINBOND）
美光（MICRON）
美凯龙/美光（MICRON）
《内存条知识培训》课件
04
内存颗粒的品质和性能 对整个内存条的性能有 很大影响。
电路板
01
02
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04
电路板是内存条的基板，负责 连接和固定各个部件。
电路板上的布线要尽可能地短 、直，以减小信号延迟和干扰
。
电路板上通常会有一些电容和 电感等元件，用于滤波和稳压
。
电路板的品质和工艺也会影响 内存条的性能和稳定性。
金手指
更低功耗
更广泛的应用领域
随着云计算、物联网等技术的普及， 未来内存条的应用领域将更加广泛。
未来内存条将更加注重节能环保，降 低功耗，减少能源消耗。
THANKS
感谢观看
稳定性
总结词
稳定性是衡量内存条可靠性的重要指 标，稳定性越高，内存条越不容易出 错。
详细描述
稳定性通常通过长时间运行测试和压 力测试来评估，稳定性高的内存条可 以保证计算机长时间稳定运行。
04
内存条的选购与使用
选购注意事项
01
02
03
04
品牌信誉
选择知名品牌，确保产品质量 和售后服务的可靠性。
避免频繁插拔
尽量避免频繁插拔内存条，以免造成接触不 良或损坏。
检查内存容量与速度
定期检查内存容量与速度是否正常，如有异 常及时处理。
05
内存条常见问题与解决方案
兼容性问题
总结词
内存条与主板或其他硬件不匹配导致的问题
详细描述
当内存条与主板或其他硬件不兼容时，可能会出现电脑无法启动、运行缓慢、蓝屏等问题。解决方案 包括检查内存条规格与主板要求是否匹配，确保购买的内存条与原有内存条品牌、型号、容量相同。
金手指是内存条与主板连接的部分， 用于传输数据和控制信号。
[转]DDR3基础知识介绍
![[转]DDR3基础知识介绍](https://img.taocdn.com/s3/m/dc8e1a3eb5daa58da0116c175f0e7cd1842518ef.png)
[转]DDR3基础知识介绍本⽂转⾃：1，DDR3基本内容介绍1.1，DDR3简介DDR3全称double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代双倍速率同步动态随机存储器。
所谓同步，是指DDR3数据的读取写⼊是按时钟同步的；所谓动态，是指DDR3中的数据掉电⽆法保存，且需要周期性的刷新，才能保持数据；所谓随机存取，即可以随机操作任⼀地址的数据；所谓double-data-rate，即时钟的上升沿和下降沿都发⽣数据传输。
DDR3读取速度是SDRAM的8倍，为什么呢？这⾥不是太懂，也⼀直没懂，因为感觉⽹上的资料都有问题，官⽅的DDR3⼿册也没有介绍这点。
不过官⽅⼿册讲到DDR3采⽤8n prefetch技术，数据在存储矩阵和IO⼝之间有⼀个类似于FIFO的缓存结构。
以16bit位宽的ddr3来说，存储矩阵与这个fifo的接⼝就为8*16bit = 124bit。
那么问题来了，要实现最终的8倍传输，由于上下沿都采样，时钟可以扩展为原来的2倍；那么剩下的4倍就需要IO⼝频率来提⾼了；那么对于存储矩阵与fifo的接⼝的时钟是多少呢？这就不知道了，按照⽹上说的核⼼频率（为IO频率的1/4）的说法，那就需要数据线128根，这可能吗？不过这会不会也是单⽚ddr3位宽不能太⾼的原因？问题先留在这⾥，以后懂了在来解答。
以micron的MT41K256M16TW-107为例，MT41K为型号，256M16表⽰⼤⼩为256M*16 = 4Gb，TW为96pin BGA封装，-107为速度等级（时钟1.07ns，933Mhz，速度1866MT/s），平常说的DDR3 1333也就是指1s内传输1333次数据。
该DDR3是8Bank配置，即BA[2:0]；数据位宽配置为16bit；⾏地址A[14:0]，列地址A[9:0]，那么算下来正好4Gb。
不过需要注意，由于8n prefetch，列地址A[2:0]实际上并不使⽤，因为存储矩阵中⼀个单元（CELL）为128bit，即⼀个Bank内是按32768*128*128划分的，如下图所⽰。
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P-3
DDR DDR DDR相關概念相關概念
DDR差分时钟的作用:CK 反相的CK#保证了触发时机的准确性
1 2 3 4 5 6 7 8 90
1. 內存總容量P-6 邏輯邏輯BANK (Logical Bank,簡稱(SPD中也有)
Spec中会有如下表示,就说明每个单元格中的数据为8bit.
芯片位寬
内存芯片一次传输的数据量就是芯片位宽(單位bit).一个L-bank的總单元数=
芯片初始化
充电/刷新/模式寄存器(MR，Mode Register)的设置，简称MRS 片选/L-bank 选址/行地址
CL(CAS Latency CL(CAS Latency，，CAS CAS 潜伏期潜伏期潜伏期):):CAS 与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间,被定义为CL 的单位与tRCD一样,为时钟周期数,可用BIOS在MRS阶段设置,也需在spec 范围内.
列地址/读写命令 读 写
在发出写入命令后,DQS 与\写入数据要等一段时间才会送达,这个周期被称为DQS 相对于写入命令的延迟时间(tDQSS , WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS)
突发(Burst)是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到存储单元(列)的数量就是突发长度(Burst Lengths ，简称BL) ,Spec 中标识如下:
8bit pre-fetch 技术
PC3L-12800
DDR3L 1600
8bit pre-fetch
P-141410
8 Bank
MR 时钟
行/列有效
片选写有效RST 行/列地址
Bank 地址
648
DQ[7:0]
CLK EA测试表
P-16
CLK EA测试表1.Vix 定义:差分输入交叉点电压相对于VDD/2 之间的电压差.
2.Jitter 定义:Period Jitter是多个周期内对时钟周期的变化进行统计与测量的结果.
CLK EA测试表
3. Slew Rate (V/ns):单位时间内(这里是指1ns),上升或下降的电压值.
DDR
DDR--EA
Name\ Spec.Vmax.(v)
Rising slew
rate
(0.925v ~
0.75v)
Vmin.(v)
Falling slew
rate
(0.75v ~
0.575v)
Vih
(Ringback)
Vil
(Ringback)
Setup Time Hold Time
寻址EA测试表
寻址EA测试表
1.Vih /Vil
Vih
Vil
DDR--EA
DDR
寻址EA测试表
2. Setup/Hold Time:
保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后,数据稳定不变的时间.
Data测试表
说明
芯片密度
数据速率
P-23
1.容量增加的原因:3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术,的允许下,堆叠封装能够大大实现产品小型化.在DDR4上,堆叠封装主要用TSV 4GB 1Rx8 PC3L-12800S-11-13-B3
4GB 1Rx8 512M x 64-Bit DDR3L-1600CL11 204-Pin SODIMM DDR3DDR3與與DDR4
3.芯片区组DDR3 1颗内存芯片Bank 数量一般为8,
4.延迟锁定回路(DLL)
DDR SDRAM 有两个时钟,一个是外部的总线时钟,一个是内部的工作时钟,在理时钟频率测量法CFM时钟比较法CC
5.片内终结（ODT，On-Die Termination）
所谓的终结,就是让信号被电路的终端被吸收掉,而不会在电路上形成反射,主要由一排终结电阻构成,可有效減小反射/信噪比,ODT 就是将电阻移植到了芯片内部.
P-25 SPD : Serial Presence Detect,内存内部讯号检测装置
Byte Number 0
Byte Number 16
Byte Number
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注
1.SPD字节数通常为128或176字节。
字节0 :Number of Serial PD Bytes Written / SPD Device Size / CRC Coverage
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