场效应管参数大全
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解场效应管的参数对于正确选用和应用场效应管非常重要。
下面是一些常用的场效应管参数的介绍：1.电荷参数：- 输入电容（Ciss）：指在恒定的源极电压下，栅源电压从0V变化到开启电压时，输入的电荷。
一般情况下，输入电容越小，开关速度越快。
- 输出电容（Coss）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压从0V变化到开启电压时，可以作用在漏极电容上的输出电荷。
输出电容越小，开关性能越好。
2.静态电流参数：-偏置电流（IDSS）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压为零时，漏极的电流。
偏置电流越大，MOSFET的放大能力越强。
- 截止电流（ID(off)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极开路时，导通电流的下限。
3.动态电流参数：- 开关时间（ton和toff）：指从栅源电压达到开启电压到漏源电压达到截止电压的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
- 开关过渡时间（tr和tf）：指从栅源电压从10%到90%或90%到10%的转换时间。
开关过渡时间越短，场效应管的切换速度越快。
4.饱和区电流参数：- 饱和漏源电流（ID(on)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极电压达到饱和时，漏极的电流。
- 饱和压降（VDSat）：指在饱和状态下，漏极电压和源极电压之间的电压降。
5.开关特性参数：- 截止电压（VGS(off)）：指在恒定的源极电压下，栅源电压为零时，漏源电压的电压降。
- 开启电压（VGS(th)）：指在恒定的源极电压下，漏源电压达到截止电压时的栅源电压。
6.热特性参数：-热阻（θJA）：指导热回路中的芯片与环境之间的热阻，表示芯片散热的能力。
- 最大结温（TJmax）：指芯片能够承受的最高结温。
超过最大结温可能会损坏场效应管。
以上是一些常用的场效应管参数的介绍。
了解这些参数可以帮助我们选择和应用场效应管。
在实际应用中，我们通常根据具体的需求和电路要求来选择合适的场效应管，以保证电路性能的稳定和高效。
用场效应管参数大全
用场效应管参数大全场效应管是一种常用的半导体器件，也被称为FET（Field Effect Transistor）。
它是由三个电极组成的，分别是栅极、漏极和源极。
场效应管的工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流。
以下是场效应管的一些重要参数的详细介绍：1. 负极限电压（VDSmax）：它是场效应管允许的最大漏极与源极之间的电压。
超过此电压会使管子损坏。
2. 正极限电压（VGSmax）：它表示了场效应管允许的最大栅极与源极之间的电压。
超过此电压会引起栅极结击穿。
3. 最大漏极电流（IDmax）：它是场效应管允许的最大漏极电流。
超过此电流会使管子损坏。
4.静态工作点（Q点）：它是场效应管的直流偏置点，通常用IDQ和VGSQ来表示。
正确的偏置点有助于管子的稳定工作。
5. 漏极饱和电压（VDSsat）：它是在饱和状态下，漏极电压与源极电压之间的最小差值。
当漏极电压小于这个值时，管子进入饱和状态。
6. 开启电压（Vth）：它是栅极电压与源极电压之间的最小差值，使场效应管开始导通。
7.电流增益（μ）：它是漏极电流与栅极电流之间的比值。
它表示了栅极电流对漏极电流的放大能力。
8. 输入电阻（Rin）：它是场效应管输入端的电阻。
它表示了输入信号对管子的负载能力。
9. 输出电阻（Rout）：它是场效应管输出端的电阻。
它表示了管子输出信号对负载的影响。
10. 控制转移函数（gfs）：它是栅极电流和源极电流之间的比值。
它表示了控制信号对输出信号的调节能力。
11.反射损耗（RL）：它是输出端与负载之间的阻抗差异引起的信号反射损耗。
12.噪声系数（NF）：它是场效应管的噪声输出与输入之比，描述了场效应管对噪声的放大能力。
这些是场效应管的一些重要参数，它们对于正确选择和应用场效应管至关重要。
不同的场合需要考虑不同的参数，以确保电路的正常工作和性能优化。
场效应管参数大全
场效应管参数大全百度空间无限的未知真心真诚理解真情永恒K2645: 600V,1.2Ω,9A,50WK2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。
代K1404, K2101, 2SK2118。
K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k214107N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
场效应管系列参数
场效应管系列参数场效应管是一种被广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有很多重要的参数。
本文将详细介绍场效应管的系列参数，包括栅极电压(Vgs)、漏极电流(Id)、漏极电压(Vd)、传导电阻(Rds)、增益(Gm)、饱和电流(Idss)、漏极电流温度系数(Idss Temp Coefficient)、漏极电流失调(Drain Current Mismatch)等参数。
1. 栅极电压(Vgs)：栅极电压是控制场效应管工作的重要参数，它决定了栅极与漏极之间的电场强度。
通过调节栅极电压，可以改变漏极电流的大小。
2.漏极电流(Id)：漏极电流是场效应管主要的输出电流，它决定了场效应管能够输出的电流大小。
漏极电流的大小与栅极电压及其他工作条件相关。
3.漏极电压(Vd)：漏极电压是场效应管工作时的主要参考电压，它决定了场效应管的工作状态。
通常情况下，漏极电压要保持在一定的范围内，过高或过低都可能导致失效。
4. 传导电阻(Rds)：传导电阻是场效应管导通状态时产生的电阻，它会对电路的功率损耗产生影响。
传导电阻的大小与场效应管的结构和工艺有关，一般来说，传导电阻越小，导通时的功率损耗越小。
5.增益(Gm)：增益是场效应管的重要参数之一，它表示了场效应管输出电流与输入电压之间的关系。
增益的大小与场效应管的工作状态有关，一般来说，增益越大，表示场效应管具有更好的放大能力。
6. 饱和电流(Idss)：饱和电流是场效应管在栅极电压为零时的最大漏极电流。
它是指场效应管工作在饱和区时，漏极电流的最大可接受值。
饱和电流的大小与场效应管的类型和工作状态有关。
7.漏极电流温度系数：漏极电流温度系数表示了场效应管漏极电流随温度变化的情况。
漏极电流温度系数的大小与场效应管的材料和结构有关，一般来说，漏极电流温度系数越小，表示场效应管对温度的变化越不敏感。
8.漏极电流失调：漏极电流失调是指多个场效应管在相同工作条件下漏极电流的差异。
由于制造工艺和器件本身的不完美性，不同场效应管之间的漏极电流会存在一定的差异。
场效应管参数用途大全
场效应管参数用途大全场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种主要用于放大、开关和调节信号的电子器件。
它是一种三端器件，由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。
场效应管具有很多参数，下面将详细介绍这些参数的用途。
1.漏极电流（ID）：漏极电流是指通过场效应管的漏极-源极电路的电流。
它可以用来测量和控制场效应管的放大增益和工作状态。
2.栅-源电压（VGS）：栅电压与源电压之间的差值，用于控制场效应管的导通与截止状态。
当VGS小于场效应管的阈值电压时，管子截止；当VGS大于阈值电压时，管子导通。
3.漏-源电压（VDS）：漏电压与源电压之间的差值，用于测量场效应管的电压增益和功耗。
它还用于确定场效应管的工作状态，如饱和区、线性区和截止区。
4. 率定电压（VGS-off）：当栅电压小于阈值电压时，场效应管处于关断状态。
率定电压是指栅电压，使得场效应管完全截止，漏极电流为零。
5.漏极电阻（RD）：漏极电阻是指场效应管的漏极电压和漏极电流之间的比率。
它用于测量和控制场效应管的输出阻抗和信号衰减。
6.栅-漏电流（IGS）：栅-漏电流是指栅极和源极之间的电流。
它表示在截止区域时，栅极上的电流，即零漏极电压条件下的漏极电流。
7.漏极电容（CDS）：漏极电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
8.栅电流（IG）：栅电流是指通过场效应管的栅极-源极电路的电流。
栅电流用于测量和控制场效应管的输入阻抗和信号增益。
9.输入电容（CGS）：输入电容是指场效应管的栅极电压和变化的栅极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
10.输出电容（CDS）：输出电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
11. 开关速度（Switching Speed）：开关速度是指场效应管在从截止状态到导通状态或从导通状态到截止状态的转换时间。
常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管全参数大全1.常用场效应管参数：(1)静态参数：a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为零的栅极-源极电压。
b. 饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的最大值。
c. 调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间的电流。
d. 输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e. 输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f. 反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间的电容。
(2)动态参数：a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源极电压之比。
b. 输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c. 输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极电压之比。
d. 输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e. 转封闭电压（Breakdown Voltage）：指在栅极-源极电压为零时，输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：(1)静态参数：a. 饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c. 漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的漏电流。
d. 输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e. 输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：a. 横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b. 纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d. 纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。
此参数指示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。
不同的型号和规格的场效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管是一种晶体管，也称为FET（Field Effect Transistor）。
与双极晶体管（BJT）相比，场效应管具有许多优点，例如高输入阻抗，低噪声，以及高分辨率输入电压等。
主要参数：1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是场效应管工作的一个关键参数。
它表示当输入电压小于该值时，场效应管处于截止区，不导电。
当输入电压大于阈值电压时，场效应管进入饱和区或线性区，开始导通。
2. 饱和电流（Idsat）：饱和电流是指当场效应管工作在饱和区时，通过漏极-源极的电流。
饱和电流取决于场效应管的尺寸和工作电压。
3. 负漏极导纳（Yfs）：负漏极导纳是指场效应管的输入导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
负漏极导纳可以决定输出电流与输入电压的比例关系。
4. 输入电阻（Rin）：输入电阻是指场效应管的输入端电压与输入端电流之间的比值。
由于场效应管的输入电流很小，因此输入电阻较高，可以使得场效应管适用于高阻抗输入的电路。
5. 输出电导（Gds）：输出电导是指场效应管的输出导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
输出电导可以决定输出电流与漏极-源极电压的比例关系。
6.噪声系数（NF）：噪声系数表示场效应管引入的噪声对输入信号的影响程度。
一般来说，噪声系数越低，性能越好。
7. 压控电阻（rDS(on)）：压控电阻表示当场效应管处于线性区时，漏极-源极电阻的大小。
压控电阻越小，漏极-源极电压对漏极-源极电流的影响就越小。
压控电阻与输入电压有关，可以在一定范围内调节。
8.带宽（BW）：带宽是指场效应管工作的频率范围。
带宽可以决定场效应管在不同频率下工作的能力。
9.温度稳定性：温度稳定性是指场效应管在不同温度下的性能变化。
温度稳定性越好，场效应管在不同温度下的性能变化越小。
总结：。
常用功率场效应管参数大全
常用功率场效应管参数大全功率场效应管（Power MOSFET）是常用的功率驱动器件之一，具有高效率、低开关损耗、低驱动电流等优点，广泛应用于功率放大、开关、驱动等领域。
下面将介绍功率场效应管的常用参数。
1.静态参数静态参数用于描述功率场效应管在静止状态下的性能。
(1) 雅功耗（Drain Power Dissipation，Pd）：指功率场效应管在规定条件下最大允许的耗散功率。
(2) 雅耗（Gate Efficacy，η）：指单位面积底板的立体角功率。
(3) 雅-换算导热阻（Outlet Thermal Resistance，Rth,j-ch）：指从场效应管的结到环境之间的温度差与单位功率热流之比。
(4) 输入电容（Input Capacitance，Ciss）：指场效应管的栅结与源结之间的电容。
(5) 输出电容（Output Capacitance，Coss）：指场效应管的漏结与栅结之间的电容。
(6) 反馈电容（Feedback Capacitance，Crss）：指栅结与源结之间的电容。
(7) 静态栅极电压（Gate-Source Voltage，Vgs(th)）：指场效应管在截止与导通之间的栅极电压。
(8) 静态漏极电流（Drain Current，Idss）：指场效应管在最大栅极电压下的静态漏极电流。
2.动态参数动态参数用于描述功率场效应管在动态工作状态下的性能。
(1) 开启时间（Turn-on Time，ton）：指从场效应管的栅极电压上升到90%的开启电平所需的时间。
(2) 关断时间（Turn-off Time，toff）：指从场效应管的栅极电压下降到90%的关断电平所需的时间。
(3) 正向传导电阻（Forward Transconductance，Gfs）：指场效应管在导通状态下，输出电流与栅极电压之间的比值。
(4) 带宽（Bandwidth）：指场效应管在特定条件下能够放大信号的频率范围。
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N W052 A02 V005 05AN02W 一各管 SOM 道沟 N,道沟 P 含内 1048CPT 一各管 SOM 道沟 N,道沟 P 含内 3M8PS P W321 A6.8 V052 4469PFS N W68 A54 V03 30N54PHP W051 A57 V52 30N57PTM
N W54 A21 V051 5301K W03 A5.6 V052 585J P W52 A5.4 V052 485J P W03 A5 V003 965J P W53 A5.6 V052 615J P W03 A5 V052 215J P W1 A4 V03 305J P W53 A6 V052 944J P W03 A6 V052 703J P W52 A3 V052 603J N W521 A81 V002 G046ILRI 片贴个小 A4。2 V005 024UFRI 管动推行做以可 W52 A7.1 V004 A013UFRI 管动推行做以可 W52 A6.2 V002 B012UFRI W091 A1.6 V0001 05GPFRI W051 A7.4 V009 04FPERI N W051 A4.5 V008 04EPFRI N W081 A01 V006 05CPFRI W04 A9.4 V054 447IFRI N W521 A3 V006 04CBFRI P A11 V002 0469FRI P W47 A3.4 V052 4369FRI P W57 A5.6 V002 0369FRI N W521 A0.8 V005 048FRI N W5214 A9.5 V005 038FRI N W521 A01 V004 047FRI N W47 A5。5 V004 037FRI N W521 A41 V052 446FRI N W521 A81 V002 046FRI N W57 A8 V052 436FRI N W57 A9 V002 036FRI N W04 A5 V002 026FRI N W051 A82 V001 045FRI W002 A08 V006 101J08TG N W002 A52 V0021 101Q52TC N W051 A51 V0021 101Q51TC 道沟 P A11 V55 直�4209UF N W521 A7 V006 21MU7SF N A7 V006 21MT7SF V009 A7 81MK7SF N W04 A7 V008 61MK7SF N W03 A7 V007 41MK7SF N W04 A7 006 21MK7SF
A5 V051 3-JSA5SF N W03 A3 V009 81MK3SF N W03 A3 V008 61MK3SF N W051 A01 V006 21MU01SF N W002 A01 V009 81MS01SF N W002 A01 V008 A61MS01SF
W49 A46 V03 S3013L N W051 A9 V008 659K N W08 A3 V008 409K N W04 A3 V008 309K N W57 A01 V002 098K N W521 A5 V009 727K N W53 A5 V001 307K N W05 A5 V005 355K 道沟 N W54 A01, V006 9653K N W06 A7 V008 4623K N W05 A5 V054 023K N W54 A01 V006 6992K W521 A6 V009 0582K N W58 A8 V009 7482K N W54 A01 V006 3482K N A01 V053 9972K N W05 A9 V006 1672K N W04 A5.2 V009 8172K N W54 A5 V009 7172K N W051 A9 V008 8462K N W05 A8 V006 5462K N W54 A5 V008 5062K N W04 A6 V006 5452K N W041 8 V009 7842K N A6 V007 3332K N W52 A9 V002 1612K N W04 A6 V006 1412K N W53 A5 V006 9312K N W07 A7 V002 4312K N W051 A9 V009 2802K N W051 A9 V008 8702K 全大数参管应效场 W051 A7 V008 N W521 A5 V008 N W07 A6 V006 N W05 A01 V052 N W051 A01 V009 N W052 A04 V005 N W05 A9 V006 N W021 A7 V009 N W08 A8 V009 N W53 A5 V006 N W09 A8 V009 N W521 A5 V0001 N W001 A8 V009 N W001 A6 V009 N W03 A9 V001 N W54 A6 V006 N W001 A6 V006 7702K 8302K 4291K 7191K 6971K 7251K 7051K 2051K 4641K 4041K 3631K 9531K 2431K 1431K 6811K 8111K 7111K
V007 A9 07N9 V006 A9 06N9 新全�片贴小 W85 A53 V81 H6199 W521 A57 V52 30N59 436FRI 同, A8, V052 52N8 20L58 V007 A7 07N7 铁,N A7 V006 06N7 W521 V06 A07 60N07 20L07 A6 V052 52P6 N A6 V007 07N6 N A6 V006 06A6 SOM 片贴小 道沟 N W06 A52 V03 LA306 N W24 A25 V03 XL0306 A5 V052 52P5 V009 A5 09N5 W301 A55 V52 30N55 SOM 片贴小 道沟 N W05 A74 V03 DS(L30N05 ,一各管 SOM 道沟 N,道沟 P 含内 M2354 ,一各管 SOM 道沟 N,道沟 P 含内 2324 N A04 V03 H30N04 N W53.0 A2.0 V06 0007N2 N W53.0 A2.0 V06 0007N2 N W38 A24 V03 L30N51 道沟 N V006 A31 06N31 插直 道沟 P A4.9 V06 60P11 W651 V008 A11 08N11 V006 A01 06N01 管 SOM 道沟 N V002 A01 02N01 N W051 A08 V03 L30N70