石英晶体振荡电路石英谐振器
石英晶体振荡电路设计

石英晶体振荡电路设计摘要:不同的制造商提供各种形状与大小的石英晶体,其性能指标也各不一样。
这些指标包括谐振频率、谐振模式、负载电容、串联阻抗、管壳电容以及驱动电平。
本应用笔记帮助读者理解这些指标参数,并允许用户根据应用选择合适的晶体以及在MAX1470超外差接收机电路应用中获得最佳效果。
不同的制造商提供各种形状与大小的石英晶体,其性能指标也各不一样。
这些指标包括谐振频率、谐振模式、负载电容、串联阻抗、管壳电容以及驱动电平。
本篇应用笔记帮助读者理解这些指标参数,并允许用户根据应用选择合适的晶体以及在MAX1470超外差接收机电路应用中获得最佳效果。
晶体的等效电路见图1。
图中包括了动态元件:电阻Rs、电感Lm、电容Cm和并联电容Co。
这些动态元件决定了晶体的串联谐振频率和谐振器的Q值。
并联电容Co是晶体电极、管壳和引腿作用的结果。
图1. 晶体模型以下详细给出主要的性能指标。
谐振频率晶体频率可以根据接收频率指定。
由于MAX1470使用低端注入的中频,晶体频率可由下式给出(单位为MHz):对于315MHz应用,晶体的频率可为,而在应用时需要晶体。
仅基频模式的晶体需要指定(无需泛音)。
谐振模式晶体具有两种谐振模式:串联(两个频率中的低频率)和并联(反谐振,两个频率中的高频率)。
所有在振荡电路中呈现纯阻性时的晶体都表现出两种谐振模式。
在串联谐振模式中,动态电容的容抗Cm、感抗Lm相等且极性相反,阻抗最小。
在反谐振点。
阻抗却是最大的,电流是最小的。
在振荡器应用中不使用反谐振点。
通过添加外部元件(通常是电容),石英晶体可振荡在串联与反谐振频率之间的任何频率上。
在晶体工业中,这就是并联频率或者并联模式。
这个频率高于串联谐振频率低于晶体真正的并联谐振频率(反谐振点)。
图2给出了典型的晶体阻抗与频率关系的特性图。
图2. 晶体阻抗相对频率负载电容和可牵引性在使用并联谐振模式时负载电容是晶体一个重要的指标。
在该模式当中,晶体的总电抗呈现感性,与振荡器的负载电容并联,形成了LC谐振回路,决定了振荡器的频率。
06_03 第14讲 石英晶体振荡器

电气与信息工程学院
1
频率准确度和频率稳定度 评价振荡频率的主要指标是频率准确度和稳定度。
频率准确度表明实际工作频率偏离标称频率的程度。 它可以分为绝对频率准确度和相对频率准确度。
绝对频率准确度 相对频率准确度
College of Electrical and Information Engineering
电气与信息工程学院
College of Electrical and Information Engineering
电气与信息工程学院
6.8
6.8.1
6.8.2 6.8.3
石英晶体振荡器
并联谐振型晶体振荡器
串联谐振型晶体振荡器 泛音晶体振荡器
电气与信息工程学院
College of Electrical and Information Engineering
电气与信息工程学院
6.7
振荡器的频率稳定问题
尽管电容三端式振荡器较电感三端式振荡器的稳定性好, 但是它是以较大的电容 C1和 C2,即以下降最高工作频率上限为 代价。此外,输入、输出电阻的界入也会降低谐振回路的 Q值, 降低选频特性,造成输出波形偏离正弦波。
1. 克拉泼电路
调频不太方便
由于一般 C1,C2 取值较大, 即 C1,C2>>C3 所以有: C C3
fo
时间间隔
频率稳定度按时间间隔分为: 长期频率稳定度——数月或一年内的相对频率准确度;
(有源器件、电路元件和石英晶体等老化特性)
短期频率稳定度——一天内的相对频率稳定度;(温度变
石英晶体谐振器和振荡器的区别

其实很多人都知道分为有源晶振和无源晶振,Realgiant了解到部分人仍然分不清楚他们到底有何区别,甚至有的客户这样问过,为什么两种晶振体积都是一样的,一个只要几毛钱,而另一个却要几块钱,为什么会相差那么大?Realgiant在此教大家如何区分石英晶体谐振器和石英晶体振荡器。
石英晶体谐振器(quartz crystal unit或quartz crystal resonator,常简写成Xtal),简称石英晶体或晶振,它是利用石英晶体的压电效应,用来产生高精度振荡频率的一种电子元件。
需搭配外加电路才会产生振荡。
是被动(无源)元件,我们又称它无源晶振。
该元件主要由石英晶片、基座、外壳、银胶、银等成分组成。
根据引线状况我们把石英晶振分为直插(有引线)与表面贴装(无引线)两种类型。
无源晶振通常是两支接引的电子元件。
石英晶体振荡器(crystal oscillator,简写 OSC 或 XO)是指内含石英晶体与振荡电路的模组,它需要电源,可直接产生振荡讯号输出。
因内含主动(有源)电子元件,整个模组也属主动元件,因此,我们又称它有源晶振。
石英振荡器通常是四支接脚的电子元件,其中两支为电源,一支为振荡讯号输出,另一支为空脚或控制用。
相比石英晶体谐振器,石英晶体振荡器非常的复杂,这不仅体现在它的参数上,同时也体现在它的种类上。
在上一篇有关温补晶振的文章中我们已经了解到温补晶振是一种石英晶体振荡器。
在晶振行业中,通常我们将石英晶体振荡器分为以下几类:SPXO普通振荡器、TCXO温补振荡器、VCXO压控晶体振荡器、OCXO恒温振荡器以及VC-TCXO压控温补振荡器。
下面我们来逐步了解这几种石英晶体振荡器。
普通石英晶体振荡(SPXO),也有人叫它XO、OSC振荡器,SPXO可以产生10^(-5)~10^(-4)量级的频率精度,标准频率1~100MHZ,频率稳定度是±100ppm.SPXO没有采用任何温度频率补偿措施,价格低廉,通常用作微处理器的时钟器件。
石英晶体谐振器参数

石英晶体谐振器的振动实质上是一种机械振动。
实际上,石英晶体谐振器可以被一个具有电子转换性能的两端网络测出。
这个回路包括L1、C1,同时C0作为一个石英晶体的绝缘体的电容被并入回路,与弹性振动有关的阻抗R1是在谐振频率时石英晶体谐振器的谐振阻抗。
(见图1)石英晶体作为谐振器在使用时,要求其谐振频率在温度发生变化时保持稳定。
温频特性与切割角有关,每个石英晶体具有结晶轴,晶体切割是按其振动模式沿垂直于结晶轴的角度切割的。
典型的晶体切割和温频特性。
(见图2)AT型石英晶体谐振器的温度特性目前大多用三次曲线表示(见图3)。
一个石英晶片在所需要的频率范围已满足的情况下在某一角度被切割,以达到要求的工作温度范围。
当然,实际上,即使在成功的操作中,也会有一些由于切割和磨光精确性不够而造成的角度散布,由此,操作的精确度需要提高。
在图4中可以看到频率公差和生产难度等级的关系。
所有石英谐振器均有寄生(在主频率之外的不期望出现的)振荡响应。
他们在等效电路图中表现为附加的以R1、L1、C1形成的响应回路。
寄生响应的阻抗R NW与主谐振波的阻抗Rr的比例通常以衰减常数dB来表示,并被定义为寄生衰减a NW=-20 · lg对于振荡用晶体,3至6dB是完全足够的.对于滤波用晶体,通常的要求是超过40dB. 这一规格要求只有通过特殊设计工艺并使用数值非常小的动态电容方能达到.可达到的衰减随着频率的上升和泛音次数的增加而减小. 通常的平面石英晶片谐振器比平凸或双面凸晶片谐振器的寄生衰减要良好. 在确定寄生响应参数时,应同时确定一个可接受的寄生衰减水平以及寄生频率与主振频率的相对关系.在AT切型中,对于平面晶片,"不和谐的响应"只存在于主响应的+40至+150KHZ之间,对于平凸或双面凸的晶片,寄生则在+200至+400KHZ之间.在以上的测量方法中,寄生响应衰减至20至30dB时是可以测量的,对于再高一些的衰减.C0的补偿是必需的.石英振荡器的机械振动的振幅会随着电流的振幅成正比例地上升. 功率与响应阻抗的关系为Pc=12q R1, 高激励功率会导致共振的破坏或蒸镀电极的蒸发,最高允许的功率不应超过10mV.由于L1和C1电抗性的功率振荡,存在Q c=Q x P c. 若P c=1mV, Q=100.000, Q c则相当于100W. 由于低的Pc功率会导致振荡幅度的超过,最终导致晶体的频率上移.随着晶体泛音次数的增加, 对于激励功率的依赖性更加显著.上图显示了典型的结果, 但是精确的预期结果还是要受到包括晶体设计和加工,机械性晶片参数,电极大小,点胶情况等的影响.可以看出, 激励功率必须被谨慎地确定,以使晶体在生产中和使用中保持良好的关系.当今,一个半导体振荡回路的激励功率一般为0.1mV,故在生产晶体时也一般按0.1mV进行.一个品质良好的晶体可以容易地起振,其频率在自1nW逐步增加时均能保持稳定.现在, 晶体两端的功率很低的半导体回路也可以在很低的功率的情况下工作良好.上图显示了一个对激励功率有或无依赖性的晶体的工作曲线的比较.晶体存在蒸镀电极不良,晶片表面洁净度不足, 都会存在如图所示的在低功率时出现高阻抗的情况, 这一影响称为激励功率依赖性(DLD). 通常生产中测试DLD是用1~10mV测试后再用1mV 测试, 发生的阻抗变化可作为测试的标准. 很显然, 在增加测试内容会相当大的提高晶体生产的成本.利用适当的测试仪器可以很快地进行DLD极限值的测定,但是只能进行合格/不合格的测试.IEC草案248覆盖了根4结构特性解剖日本生产的这种石英谐振器可见,外壳为干净、无凹隐、无污渍的HC-49/U型锌铂铜外壳,印字清晰完整。
石英晶体正弦振荡器电路图

石英晶体正弦振荡器电路图
石英晶体正弦振荡器电路图
如图所示电路是由石英谐振晶体SJT和六反相器集成电路CD4069的1个门A构成的正弦波振荡器。
与普通的RC移相振荡器相比,晶体振荡器的频率稳定度可高达10-5或更高。
这是RC移相振荡器无法达到的高指标(RC移相振荡器的频率稳定度只能达到10-2的量级)。
CMOS非门与负反馈偏置电阻Rl构成反相放大电路。
石英晶体SJT与Cl、C2构成7c型正反馈支路。
石英晶体在其固有谐振频率的附近,自身呈感性,此电感与电容Cl、C2构成谐振回路,形成选频移相反馈网络反馈到放大器输入端,产生振荡。
调整电容C2可微调振荡频率。
元器件选择:
六反相器集成块A:CD4069。
电容Cl:20pF,C2:3~22pF,C3:1000pF。
电阻Rl:10MΩ。
石英晶体SJT:32.768kHz。
电路连接方法:
六反相器集成电路CD4069只用了1/6个门,剩余门若无它用可将输入端接VDD或VSS,输出端悬空。
14脚(VDD)接正电源,7脚(VSS)接地。
石英晶体振荡电路

石英晶体振荡电路石英晶体谐振器, 简称石英晶体, 具有非常稳定的固有频率。
对于振荡频率的稳定性要求高的电路, 应选用石英晶体作选频网络。
一、石英晶体的特点将二氧化硅(SiO2)结晶体按一定的方向切割成很薄的晶片, 再将晶片两个对应的表面抛光和涂敷银层, 并作为两个极引出管脚, 加以封装, 就构成石英晶体谐振器。
其结构示意图和符号如右图所示。
1.压电效应和压电振荡在石英晶体两个管脚加交变电场时, 它将会产有利于一定频率的机械变形, 而这种机械振动又会产生交变电场, 上述物理现象称为压电效应。
一般情况下, 无论是机械振动的振幅, 还是交变电场的振幅都非常小。
但是, 当交变电场的频率为某一特定值时, 振幅骤然增大, 产生共振, 称之为压电振荡。
这一特定频率就是石英晶体的固有频率, 也称谐振频率。
2.石英晶体的等效电路和振荡频率石英晶体的等效电路如下图(a)所示。
当石英晶体不振动时, 可等效为一个平板电容C0, 称为静态电容;其值决定于晶片的几何尺寸和电极面积, 一般约为几到几十皮法。
当晶片产生振动时, 机械振动的惯性等效为电感L, 其值为几毫亨。
晶片的弹性等效为电容C, 其值仅为0.01到0.1pF, 因此, C<<C0。
晶片的磨擦损耗等效为电阻R, 其值约为100Ω, 理想情况下R=0。
当等效电路中的L、C、R支路产生串联谐振时, 该支路呈纯阻性, 等效电阻为R, 谐振频率谐振频率下整个网络的电抗等于R并联C0的容抗, 因R<<ω0C0, 故可近似认为石英晶体也呈纯阻性, 等效电阻为R。
当f<fs时, C0和C电抗较大, 起主导作用, 石英晶体呈容性。
当f>fs 时, L、C、R支路呈感性, 将与C0产生并联谐振, 石英晶体又呈纯阻性, 谐振频率石英晶体基础知识1、石英晶体的应用:a、石英钟 b、温度计 c、压力指示器(频率与应力)d、加速度计2、晶体的自然面及解理面平行于原子面3、石英的机械、电气、化学和温度等综合性能,都满足需要电气通讯领域。
高频振荡器实验-石英晶体振荡器

实
调整RW1电位器,使IC=2mA
验
调整时采用间接测量法。 :即用直流电压表测量晶体管发射极对
数
地电压,并将测量结果记录于表中。
据
BG1
Re=1K
记
Vb
Ve
Vce
Ic计算值
录
四、实验应会技能
实验内容二: 振荡器的频率与幅度调测
实验准备
SW1“右”(LC振荡) SW2“左”(RL=110K)
SW3“左”(C2=330Pf)
fo 1
2 LC
三、实验应知知识
6与.3考毕串兹联电型路相改进电容三端式振荡器(克拉泼电路)
比,电在路电组感成L如上图串示:
联特一点个是电在容考。毕但兹电路的基础上,
它用有一以电下容特C点3与:原电路中的电感L相 1可串、不。振影功荡响用频反主率馈要改系是变以增加回路总电 数容。和减小管子与回路间的耦合来
三点式
三点电容(考毕兹) 三点电感(哈特莱)
改进三 点式
电容串联改进(克拉泼) 电容并联改进(西勒)
串联型
皮尔斯
并联型
密勒
① 放大网络 三、实验应知知识 以有源器件为主体,起能量转换作用,将直流电源提供的能量,通过振荡系统转
换§成4固反定频馈率型的交正流能弦量波,即振构荡成驱器动的系统电。路构成与工作原理
-
•
Vo
正反馈网络
•
Vf
-
-
-
•
Vf
谐振放大+ 器输出的信号电压经反馈网络产生回授电压uf,作为正回授反馈 到基极。且uf>ui。经放大后再输出,再回授。
振荡器只要满足A*F>1,振荡器则周而复始形成对某单一频率信号放大—回 授,且有uin>ui2>ui1.从而形成振荡过程,实现将直流能量转换成交流信号。
石英晶体振荡电路

学科 课题
模拟电子
班 级
12 秋机电
日
期
授课教师 课 型
李翔宇 新授
石英晶体振荡电路 1. 掌握石英晶片的压电效应。
课时数
教学 目标
2. 掌握石英晶体谐振器的工作原理。 3. 掌握石英晶体振荡电路的组成及其工作原理
教学 重点 难点 教具
石英晶体振荡电路的工作原理及电路调试
内容、步骤、方法 首先, 我们通过实物来认识一下石英晶体振荡器, 如图 6.4.1 所示:
1)并联型石英晶体振荡电路 如图 6.4.4
+VCC
Rc Rb1
VT
C1
X Cb Rb2 Re C2
图 6.4.4 并联型石英晶体的振荡电路
内容、步骤、方法
附
记
教
学
过
程
内容、步骤、方法
附
记
教
学
过
程
内容、步骤、方法 2)串联型石英晶体振荡电路 如图 6.4.5 所示
+VCC Rb1 Rc VT2 VT1 C
电极 镀银层
附
记
晶片
教
X
学
结构示意
图形符号
图 6.4.1 石英晶体振荡器的结构图 过
一、 石英晶体的压电效应
如果在石英晶片两个极板间加一个交变电压(电场) ,晶片
程
就会产生与该交变电压频率相似的机械振动。而晶片的机械振 动, 又会在其两个电极之间产生一个交变电场,这种现象称为压 电效应。
二、 石英晶体的等效电路
+
附
记
教
Cb
Rb2 Re1
R
X
uo Re2
-
学
图 6.4.5 串联型石英晶体振荡电路
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6.8 k
C1 120 p 200 (a )
C4为微调电容, 用来改变振荡 频率,不过频 率调节范围是 很小的。
37
石英谐振器
2.串联型晶体振荡电路
电路结构
等效电路
注:晶体相当于短路元件,常串接在正反馈支路中。
29
石英谐振器
二、石英晶体振荡电路
石英晶体在电路中可以起三种作用:
一是充当等效电感,晶体工作在接近于并联谐振频率 fp
的狭窄的感性区域内, 这类振荡器称为并联谐振型石英晶体 振荡器;
二是石英晶体充当短路元件,并将它串接在反馈支路内, 用以控制反馈系数,它工作在石英晶体的串联谐振频率fq上, 称为串联谐振型石英晶体振荡器; 三是充当等效电容,使用较少。
12
石英谐振器
(4)恒温控制式晶体谐振器(OCXO):将晶体和振荡电路置 于恒温槽中,以消除环境温度变化对频率的影响。OCXO频 率精度是10-7~10-8量级,对某些特殊应用甚至达到更高。主 要用于移动通信基地站、国防、导航、频率计数器、频谱和 网络分析仪等设备、仪表中。
13
石英谐振器
目前发展中的还有数字补偿 式晶体振荡器(DCXO)微机补偿
电 感 三点式
电 容 三点式 石英晶 体
10-2~10-4
10-3~10-4 10-5~10-11
差
好 好
几千赫~几十兆 赫
几兆赫~几百兆 赫 几百千赫~一百 兆赫
可在较宽范围内调节频率
只能在小范围内调节频率 (适用于固定频率) 只能在极小范围内微调频 率(适用于固定频率)
易起振,输出振 幅大
常采用改进电路 用在精密仪器设 备中
在典型的VCXO中,通常是通过调谐电压改变变容二极管
的电容量来“牵引”石英晶体振子频率的。通常用于锁相 环路。
11
石英谐振器
(3)温度补偿式晶体谐振器(TCXO):采用温度敏感器件
进行温度频率补偿,频率精度达到10-7~10-6量级,频率 范围1~60MHz,频率稳定度为±1~±2.5ppm,频率温 度特性在所有类型晶振中是最好的。这类晶振主要用于 各种类型的通信设备。
任务3.3 石英晶体振荡器
1
2
教学重点:
石英谐振器的特点
石英晶体振荡电路的分析判断方法
教学难点:
石英晶体振荡电路的分析判断方法
3
3.3.1 石英晶体振荡器
4
石英谐振器
任务目标
(1)掌握石英晶体振荡器的特性。 (2)掌握石英晶体振荡器主要特性参数。 (3)掌握石英晶体振荡器电路结构形式。 (4)掌握并联型、串联型晶体振荡电路各自的特点。
6
石英谐振器
石英晶体振荡器应用:
石英晶体振荡器是一种高精度和高稳定度的振荡器,
已被广泛应用于无线电通讯、广播电视、卫星通讯、原 子钟、雷达、导航系统、声纳浮标、天文学、空间跟踪 等领域。
7
石英谐振器
常用石英晶体谐振器外形图片如图7.20所示。
( a)
(b)
( c)
(d)
(e)
(f)
图7.20 石英晶体谐振器外形
适当的晶振。
18
石英谐振器
3.石英晶体的等效电路与频率特性
石英晶体谐振器在电路中的符号如图7.21(a)所示,其等效电路
如图7.21(b)所示。由等效电路可知,石英晶体振荡器应有两个谐 振频率。
L1、C1、R1分别为石英晶体的
模拟动态等效电感、等效电容和损 耗电阻,C0为静态电容,它是以石 英为介质在两极板间所形成的电容。 一般石英谐振器的参数范围约为: R1=10~140Ω;L1=0.01~ 10H;C1=0.004~0.1PF;C0= 2~4PF。
度极高,稳频作用就极强。实际上,由于晶体被当作
一个电感元件来使用,则其工作频率被限制在fq<f<fp 内,外界因素对振荡频率的影响再大,也不能使它超 出这个很窄的频率范围,因此,振荡频率的变化很小, 它的频率稳定度就很高 。
28
石英谐振器
4. 石英谐振器的接入系数极小,使振荡器中振荡回路
与管子之间的耦合非常弱,于是,外电路中不稳定因 素对回路的影响将大大减小,其频率稳定度就很高。
35
石英谐振器
皮尔斯电路的频率稳定度高,电路又不需外接线圈, 固应用最为广泛。 总结:在并联型晶体振荡电路中,石英晶体工作在 感性区,相当于一个电感元件,当在频率fq<f<fp 之间 时满足振荡条件,产生正弦波,因为fq和fp非常接近, 所以振荡频率稳定度高。
36
石英谐振器
改进型皮尔斯电路(改进型电容三点式振荡器)
目前常用的并联型晶体振荡电路:
皮尔斯电路(电容三点式振荡器)
密勒电路(电感三点式振荡器)
33
石英谐振器
并联型晶体振荡电路
皮尔斯电路
等效电路
34
石英谐振器
其中 LC 为高频扼流圈, Cb为基极旁路电容,Cc为 集电极耦合电容。可以看 出,它的晶体接在管子的 C-B极间,属于电容三点 式振荡器。但是调节频率 会改变反馈系数.为此,可 采用改进型皮尔斯电路。
(a)符号 (b)等效电路 图7.21 石英晶体谐振器
19
石英谐振器
4.石英谐振器的特点
1)高Q值
1 L1 Q R1 C1
其Q值很高,可达104~106, 这是普通LC电路无法相比的。 说明其选频作用非常好。
20
石英谐振器
2) 石英谐振器的两个谐振频率 有两个谐振频率fq和fp
串联谐振频率: f q
39
石英谐振器
因此,这个电路的振荡频率和频率稳定度,都
是由晶体决定的,而不是由振荡回路决定的。由于 经过 晶体和 输出波形好。 频率稳定度完全取决于晶体的稳定度。谐振回路 回路的两次选项,所以这个振荡器的
的频率为f0=fq
40
寄生振荡和间歇振荡
寄生振荡和间歇振荡简介
一. 寄生振荡
寄生振荡波形
41
44
本讲小结
1.石英晶体振荡器有串联型和并联型两种电路,石英晶 体振荡器具有高频率稳定度的原因是由于晶体的Q 值极高、接入系数小和它相当于一特殊电感等。 2.振荡电路中存在寄生振荡和间歇振荡。
45
本讲作业
1、练习:教材P89 5-5、5-6;P90 5-7; 2、思考:教材P90 5-8、5-9。
46
石英晶振实验电路
47
石英晶振实验电路
48
1 2 L1C1
在低频时,由于C0很小,它 的容抗比R大很多,可把静 态电容C0看作开路。若f=fs 时,L、R、C串联支路发生 揩振
21
石英谐振器
并联谐振频率
fp 2 L1 1 COC1 CO C1 fq 1 C1 CO
C1 f p f q (1 ) 2CO
C1 f p fq fq 2C0
5
石英谐振器
一、工程中对振荡器要求比较高。如要求频率稳定性 好、变化小、准确性好、精度高而且功耗小。而一般振
荡器是不能满足要求,需然LC振荡器的频率稳定度能
达到10-3~10-5,但在工作中要求频率稳定度超过10-5。 晶振有很高的频率稳定度,约在10-4~10-12的范围。因 此需采用石英晶体作为振荡器。
晶体振荡器(MCXO)等。
14
石英谐振器
2.石英晶体谐振器的主要参数 晶振的主要参数有标称频率,负载电容、频 率精度、频率稳定度等。
15
石英谐振器
(1)标称频率。振荡器输出的中心频率或频率的标称 值。标称频率大都标明在晶振外壳上,如常用普通晶振 标称频率有:48KHz、500KHz、503.5KHz、1MHz~
26
石英谐振器
稳频原理
石英谐振器作为振荡回路中的电感元件,它能使振
荡器的频率稳定度大大提高,其原因在于:
1. 石英晶体的物理化学性能十分稳定,外界因素 对其性能影响很小。 2.石英谐振器的Q器在 fq<f<fp 的相当窄的频率范围内,其 感抗从零变到无穷大,因此它相当于一特殊电感,极 其陡峭的电抗特性使晶体对频率变化的自动调整灵敏
40.50MHz等。
16
石英谐振器
(2)负载电容(CL)。负载电容是指晶振的两条引线
连接IC块内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振 片在电路中串接电容。
17
石英谐振器
(3)频率精度和频率稳定。这要根据具体的设备需要 而选择合适的晶振,如通信网络就需要更高要求的石英 晶体谐振器。因此,在实际应用中要根据具体要求选择
容性区 f
器充当一个等效电感。不
过此电感是一个特殊的电 感,它仅存在于fq与fp之 间,且随频率f的变化而 变化。
25
石英谐振器
4)接入系数很小
C1 p C0
一般为10-3~10-4数量级.
石英晶体与外电路的耦合是很弱的,这样就削弱了外电 路与石英谐振器之间的相互不良影响,从而保证了石英 谐振器的高Q值,因此,石英晶体振荡器振荡频率的稳 定度和标准性都很高。
当频率高于fs时,XL>XC, L、R、C支路呈感性,当与 C0发生并联谐振时
且有fq略小于fp (小于几十赫兹到几百赫兹)
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石英谐振器
3)石英谐振器的电抗特性曲线
X
O
容性区 fq fp 感 性 区 串并 联联 谐谐 振振
容性区 f
当信号频率 f < fq 时, 石英晶体相当于一个 电容;当f = fq时,石 英晶体相当于短路; 当fq <f < fp时,石英 晶体相当于一个特殊 电感;当f = fp时,石 英晶体相当于开路; 当f > fp时石英晶体又 相当于一个电容。