极管MOS管复习题
VLSI,CMOS考试重点题目
练习题1.简述集成电路制造工艺2. NMOS(或PMOS)管的工作原理3.根据参与导电的载流子的类型，MOS 器件可以分为NMOS 和PMOS 两种；根据工作机制MOS 又可以分为增强型和耗尽型。
CMOS ：增强型NMOS 和PMOSMOS 器件有四个端可以连接电极，分别为源，漏，栅和衬底MOS 在纵深方向是M －O －S 三层结构，在横向是源－沟道－漏的结构MOS 器件是一个夹层结构； M ：是metal ，金属； O ：是oxide ，氧化物 S ：是semiconductor ，半导体。
MOS 管所有pn 结必须反偏:N-SUB 必须接最高电位VDD ；P-SUB 必须接最低电位VSS 。
为防止源/漏区与衬底出现正偏置，通常p 型衬底应接电路中最低的电位，n 型衬底应接电路中最正的电位.Vtn ：阈值电压，使源端半导体表面达到强反型的栅压，是区分MOS 器件导通和截止的分界点。
Vgs<Vtn 晶体管截止，截至区；Vgs>Vtn ，晶体管导通。
简单的可以把mos 管看作是一个电压控制的开关，当控制电压高于阈值电压，开关闭合，低于阈值电压，开关断开结构参数：沟道的长度（L ）、宽度（W ）和栅氧化层的厚度（tox ）直接影响着沟道电流的大小。
栅氧化层厚度是由工艺决定的，MOS 器件的主要设计参数就是沟道长度和宽度。
栅长是决定器件尺寸的关键，也是区分不同半导体加工技术换代的标志，是半导体集成度的标志，因此也称为关键尺寸 线性区：Vgs-Vtn>Vds ：I D 饱和区：Vgs-Vtn<Vds ：I DMOS 器件的衬底偏置效应:如果衬底和源端之间有电压，阈值电压会发生变化，也称为衬偏效应二阶效应\沟道调制效应μ2n ox D GS TH DS DS C W I =[2(V -V )V -V ]2L μ2n ox D GS TH C W I =(V -V )2L 2n ox D GS TH DS μC W I =(V -V )(1+λV )2L2. 背栅效应 背栅极：VBS<0,这个负电压使沟道电阻增大，iD 减小；其对沟道的影响与VGS 有类似的作用，所以称衬底为被栅极 MOS 器件的跨导gm （NMOS ） 跨导gm 是衡量MOS 器件的栅源对漏源电流的控制能力的参数 非饱和区 饱和区 MOS 器件的直流导通电阻 非饱和区 饱和区 线性区 MOS 器件的交流电阻 DS mb BS I g V ∂=∂22mb m F SB g g V γηφ==+,n ox DS ox DS BS n ox GS TN ox W V t L DS m V V C W V V GS t L I g V μεμε=-⎧∂⎪==⎨∂⎪⎩212()ox on n ox GS TN t L R W V V με=-2212()212()ox n ox GS TN DS ox n ox GS TN t L W V V V DS on t L DS W V V V R I μεμε---⎧⎪==⎨⎪⎩,1GS BS DS ds V V C DS ds V r I g =∂==∂111()[]GSQ D A ds V DS DQ DQ i V r V I I λ--∂==≈=∂2n GSQ TH λK (V -V )。
电子技术基础(一)期末复习提要
《电子技术基础》（一）期末复习提要第一章半导体二极管、三极管和MOS管一、重点掌握内容1．半导体二极管的单向导电特性，伏安特性曲线，开关应用时开关条件及开头状态的特点。
2．半导体三极管（NPN）的输入特性和输出特性，截止、放大、饱和三种工作状态下的特点。
3．NMOS管开关应用时开关条件及开关工作状态下的特点，MOS管的使用特点。
二、一般掌握的内容1．PN结形成的原因，扩散和漂移的概念，PN结外加两种不同极性电压时的导电性能。
2．二极管的主要参数，几种常用的特殊二极管及它们的工作原理和特点。
3．三极管的工作原理和主要参数，α、β、I CBO、I CＥO的物理意义，它们之间的关系及对三极管性能的影响，三极管极限工作区的物理意义和划分。
4．增强型MOS管的工作原理、输出特性和转移特性，MOS管的工作特点及主要参数。
三、一般了解的内容1．三极管的内部载流子运动过程，三极管的开关时间、类型和型号。
2．耗尽型MOS管的工作原理，特性曲线和主要参数，MOS管的开关时间。
第二章数字逻辑基础一、重点掌握的内容1．二进制数的计数规律，二进制数、八进制数、十六进制数与十进制数之间的转换方法（整数）2.逻辑代数的三种基本运算，逻辑代数的基本公式和常用公式。
3．逻辑函数的公式化简法和卡诺图化简法。
4．逻辑函数的五种表示方法及其相互转换。
二、一般掌握的内容1．几种常用的复合函数（与非、或非、异或、同或、与或非）的定义及其表示方法。
2．逻辑函数中约束的概念，约束条件的表示方法，具有约束的逻辑函数的化简方法。
3．逻辑代数的三个基本规则。
三、一般了解的内容几种常用的二进制码及其特点：第三章门电路一、重点掌握的内容1．CMOS反相器的组成、工作原理及CMOS与非门、或非门、传输门、三态门、异或门的电路符号、逻辑功能和性能特点。
2．TTL反相器的电路组成、工作原理及TTL与非门、或非门、OC门、三态门、与或非门、异或门的电路符号、逻辑功能和性能特点。
三极管MOS管复习题
习题3客观检测题一、填空题2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。
5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。
6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 100 。
8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。
9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。
11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极 组态的放大电路。
12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。
由此可以得出：（1）电源电压CC V = 6V ；（2）静态集电极电流CQ I = 1mA ；集电极电压CEQ U = 3V ； （3）集电极电阻C R = 3kΩ ；负载电阻L R = 3kΩ ；（4）晶体管的电流放大系数β= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数v A = －50 ；（'bb r 取200Ω）；（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。
13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极－基极偏置电路 。
14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻 小 。
15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化。
16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。
18. 共射极、共基极、共集电极 放大电路有功率放大作用； 19. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用； 20. 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用；21. 射极输出器的输入电阻较 大 ，输出电阻较 小 。
模拟集成CMOS考试题
1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。
2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。
3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。
4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。
5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。
6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。
7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。
8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。
9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。
10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。
二．名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。
2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS<V TH时，I D 也并非是无限小，而是与V GS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。
3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L实际上是V DS的函数，这种效应称为沟道长度调制。
4、等效跨导Gm解：对于某种具体的电路结构，定义inD V I ∂∂为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力 5、米勒定理 解：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1)，其中A V =V Y /V X 。
CMOS复习题
CMOS1、假设MOS 管的λ≠0，(1)分别写出NMOS 与PMOS 工作在线性区与饱和区的条件;(2)NMOS与PMOS 管工作在线性区及饱和区的I D 公式；(3) NMOS 与PMOS 管工作在线性区及饱和区的跨导。
2、MOS 管的λ≠0以及V SB ≠0： (1) 画出MOS 管工作在饱和区的完整小信号模型；(2) 写出NMOS 管工作在饱和区的C GS ；(3) 写出NMOS 管工作在饱和区的跨导。
3、对于图1所示电路，其宽长为W/L ，单位面积的栅-氧层电容为C ox ，源/漏单位宽度的交叠电容为C OV ，源/漏单位面积的纵向结电容为C j ，源/漏单位长度的侧壁电容为C jsw 。
(1) 讨论其栅源电容C GS 随栅源电压V GS 的关系；(2) 对给定的V D 电压，画出其栅源电容C GS 随栅源电压V GS 的变化曲线。
DV Ggnd图14、在放大器设计中，应考虑哪些性能参数5、“环形”MOS 结构如图2所示，解释器件是如何工作的，并估算其等效宽度。
比较这种结构与图3中所示结构的漏结电容(a) (b)图2 图36、画出NMOS 晶体管的I D ~V GS 曲线，并在特性曲线中标出夹断点：（1）以V DS 作为参数；（2）以V BS 为参数。
7、对于图4所示NMOS 器件，若V G =且V S =0 ：(1) 解释如果将V D 不断减小到低于0V ，将发生什么情况 (2) 将V sub 不断增大到0V 以上，将会发生什么情况8、已知MOS 器件工作在饱和区，且λ≠0及γ=0。
(1) 推导MOS 器件工作在饱和区的本征增益与栅-源电压的关系式。
(2) I D 恒定，画出其本征增益与栅-源电压的函数曲线。
(3)跨导g m 恒定，画出其本征增益与栅-源电压的函数曲线。
9、图5所示电路中，(W/L)1=20μm/μm ， I 1=1mA ，I S =，假设λ=0： (1) 计算使M 1工作在线性区边缘的(W/L)2；(2) 求出M 1工作在线性区边缘的小信号增益。
模电复习题
第一章复习题一、填空1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（五）价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为（自由电子）。
2、PN结正向偏置时，内、外电场方向（相反）。
3、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的（R×1k）档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的（阴）极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
4、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有（发射）结和 ( 集电)结及向外引出的三个铝电极。
5、二极管的伏安特性曲线上可分为 ( 死)区、正向导通区、 (反向截止)区和（反向击穿）区四个工作区。
6、双极型三极管简称晶体管，属于（电流）控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于（电压）控制型器件。
MOS管只有（多数）流子构成导通电流。
二、判断1、P型半导体中空穴多于自由电子，说明P型半导体带正电.。
（×）2、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。
（×）3、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。
（×）4、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。
（×）5、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（×）三、单选1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、正向死区状态。
3、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
4、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。
最新1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放
1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
mos练习题
一、选择题1. 下列哪个选项不属于MOS的五大类？A. 氮化物B. 氧化物C. 硅酸盐D. 碳化物2. MOS晶体管的栅极材料通常采用哪种材料？A. 铝B. 镁C. 钨D. 铂3. MOS晶体管的源极和漏极通常采用哪种材料？A. 硅B. 锗C. 铟D. 铊4. MOS晶体管的阈值电压Vth是指什么？A. 栅极电压达到一定值时，源极和漏极之间的电流开始显著增加的电压B. 栅极电压达到一定值时，源极和漏极之间的电流开始显著减少的电压C. 栅极电压达到一定值时，源极和漏极之间的电流保持不变的电压D. 栅极电压达到一定值时，源极和漏极之间的电流为零的电压5. MOS晶体管的亚阈值斜率S表示什么？A. 栅极电压每增加1V，漏极电流增加的百分比B. 栅极电压每增加1V，漏极电流减少的百分比C. 栅极电压每增加1V，源极电流增加的百分比D. 栅极电压每增加1V，源极电流减少的百分比二、填空题1. MOS晶体管的基本结构包括______、______、______、______和______。
2. MOS晶体管的栅极氧化层厚度通常在______nm到______nm之间。
3. MOS晶体管的阈值电压Vth与______、______和______有关。
4. MOS晶体管的亚阈值斜率S与______和______有关。
5. MOS晶体管的漏极电流I_D与______、______和______有关。
三、判断题1. MOS晶体管的栅极氧化层厚度越大，漏极电流越大。
（）2. MOS晶体管的阈值电压Vth越高，漏极电流越大。
（）3. MOS晶体管的亚阈值斜率S越大，漏极电流越大。
（）4. MOS晶体管的漏极电流I_D与栅极电压Vgs无关。
（）5. MOS晶体管的漏极电流I_D与漏极电压Vds无关。
（）四、简答题1. 简述MOS晶体管的基本工作原理。
2. 简述MOS晶体管的阈值电压Vth与哪些因素有关。
3. 简述MOS晶体管的亚阈值斜率S与哪些因素有关。
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极管M O S管复习题--------------------------------------------------------------------------作者: _____________ --------------------------------------------------------------------------日期: _____________习题3客观检测题一、填空题2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。
5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。
6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 100 。
8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。
9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。
11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入 共集电极 组态的放大电路。
12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。
由此可以得出： （1）电源电压CC V = 6V ；（2）静态集电极电流CQ I = 1mA ；集电极电压CEQ U = 3V ； （3）集电极电阻C R = 3kΩ ；负载电阻L R = 3kΩ ；（4）晶体管的电流放大系数β= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数v A = －50 ；（'bb r 取200Ω）；（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。
13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极－基极偏置电路 。
题图3.0.114. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻小。
15. 三极管的交流等效输入电阻随静态工作点变化。
16. 共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。
17. 放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。
18. 共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用；19. 共射极、共基极放大电路有电压放大作用；20. 共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；21. 射极输出器的输入电阻较大，输出电阻较小。
22. 射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。
23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指“小信号等效电路”适合于微小的变化信号的分析，不适合静态工作点和电流电压的总值的求解，不适合大信号的工作情况分析。
24. 放大器的静态工作点由它的直流通路决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的交流通路决定。
25. 图解法适合于求静态工作Q点；小、大信号工作情况分析，而小信号模型电路分析法则适合于求交变小信号的工作情况分析。
26. 放大器的放大倍数反映放大器放大信号的能力；输入电阻反映放大器索取信号源信号大小的能力；而输出电阻则反映出放大器带负载能力。
27. 对放大器的分析存在静态和动态两种状态，静态值在特性曲线上所对应的点称为 Q点。
28. 在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位关系为反相；当为共集电极电路时，则V O和V I 的相位关系为同相。
29. 在由NPN管组成的单管共射放大电路中，当Q点太高（太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压的波形被削掉波谷；当Q点太低（太高或太低）时，将产生截止失真，其输出电压的波形被削掉波峰。
32. PNP三极管输出电压的顶部部失真都是饱和失真。
33. 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC耦合，直接耦合，变压器耦合。
34. BJT三极管放大电路有共发射极、共集电极、共基极三种组态。
35. 不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。
因此，这种BJT 接入电路时，总要使它的发射结保持 正向 偏置，它的集电结保持 反向 偏置。
36. 某三极管处于放大状态，三个电极A 、B 、C 的电位分别为-9V 、-6V 和-6.2V ，则三极管的集电极是 A ，基极是 C ，发射极是 B 。
该三极管属于 PNP 型，由 锗 半导体材料制成。
37. 电压跟随器指共 集电 极电路，其 电压 的放大倍数为1； 电流跟随器指共 基 极电路，指 电流 的放大倍数为1。
38. 温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，CBO I 增加 ，β 增加 ，正向发射结电压BE U 减小 ，CM P 减小 。
40. 放大器产生非线性失真的原因是 三极管或场效应管工作在非放大区 。
41. 在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，CEQ V 的变化情况（a. 增加，b ，减小，c. 不变，将答案填入相应的空格内）。
（1）b R 增加时，CEQ V 将 增大 。
（2）c R 减小时，CEQ V 将 增大 。
（3）C R 增加时，CEQ V 将 减小 。
（4）s R 增加时，CEQ V 将 不变 。
（5）β减小时（换管子），CEQ V 将 增大 。
（6）环境温度升高时，CEQ V 将 减小 。
42. 在题图3.0.3电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化。
（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。
） （1）若b R 阻值减小，则静态电流I B 将 增大 ，CE V 将 减小 ，电压放大倍数v A 将 增大。
（2）若换一个β值较小的晶体管，则静态的B I 将 不变 ，CE V 将 增大，电压放大倍数v A 将 减小。
（3）若C R 阻值增大，则静态电流B I 将 不变 ， CE V 将 减小 ，电压放大倍数v A 将 增大 。
题图3.0.243. 放大器的频率特性表明放大器对 不同频率信号 适应程度。
表征频率特性的主要指标是 中频电压放大倍数 ， 上限截止频率 和 下限截止频率 。
44. 放大器的频率特性包括 幅频响应 和 相频响应 两个方面，产生频率失真的原因是 放大器对不同频率的信号放大倍数不同 。
45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。
46. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。
二、判断题1. 下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。
（4）5V ，1.2V ，0.5V ；解：硅NPN 型BJT 管；5V 为集电极，1.2V 为基极，0.5V 为发射极 （8）13V ，12.8V ， 17V ；解：锗NPN 型BJT 管，17V 为集电极，13V 为基极，12.8V 为发射极， （9）6.7V ，6V ，9V ；解：硅NPN 型BJT 管，9V 为集电极，6.7V 为基极，6V 为发射极， 2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。
1管：;4,7.2,2V V V V V V C E B =-=-= 答：NPN 管，工作在放大状态。
2管：;5.5,3.5,6V V V V V V C E B === 答：NPN 管，工作在饱和状态。
3管：;V V ,V .V ,V V C E B 7301=-=-= 答：NPN 管，工作在截止状态。
3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？答：题图3.0.4所列三极管中，只有图（D ）所示的三极管处在放大区。
4. 放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5，三极管可能发生的故障是什么？答：题图3.0.5所示的三极管，B 、E 极之间短路，发射结可能烧穿。
5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA ，3.66mA 和3.6mA ，则该管的β 为①。
①为60。
②为61。
③0.98。
④无法确定。
6. 只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是 ②b 极 。
①e 极 ②b 极 ③c 极 9．题图3.0.6所示电路中，用 直流电压表测出V CE ≈0V ，有 可能是因为 C 或D 。
A R b 开路B R c 短路C R b 过小D β过大10. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3.0.7所示。
试判断各三极管的工作状态。
题图3.0.6题图3.0.5题图3.0.4 6V 3V A 6V 2.3V 2.3 C 3V 9.3V 5.7 D 5V 0V 1.9 B1.6V11. 用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图3.0.8示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？主观检测题3.1.3硅三极管的CBO，I50=βa ），要求mA I C 2=，问E R 应为多大？现改接为图(b)，仍要求B C R mA I 问,2=应为多大？题图3.0.7(b)(c)(d)(a)题图3.0.8(a)(b)3.3.13.3.2mA .I211-=，mA.I032=，mA.I2313=，试判断e、b、c三个电极，该晶体管的类型（NPN型还是PNP型）以及该晶体管的电流放大系数β。
3.3.3AICBOμβ4,50==，导通时V.V BE20-=，问当开关分别接在A、B、C三处时，晶体管处于何种工作状态？集电极电流CI为多少？设二极管D具有理想特性。
3.3.4题图3.3.1(a) (b) (c)题图3.3.2题图3.3.33.4.1（不包含加粗线）。
（1）确定CC V 、•b C R R 和的数值（设BE V 可以略去不计）。
（2）若接入Ω=k R L 6，画出交流负载线。
（3）若输入电流)(sin 18A t i b μω=，在保证放大信号不失真的前提下，为尽可能减小直流损耗，应如何调整电路参数？调整后的元件数值可取为多大？ 3.4.3b b c L CC e R k ,R k ,R k ,R k ,V V ,R k ΩΩΩΩΩ======12156233241，晶体管的,200,50'Ω==bb r β饱和压降Ω10070==s CES r ,V .V 。
（1）估算静态工作点Q ； （2）求最大输出电压幅值om V ； (a)(b)题图3.4.1（3）计算放大器的V A 、R i 、R o 和A vs ；（4）若电路其他参数不变，问上偏流电阻2b R 为多大时，?V V CE 4=3.4.43.5.1••b b I I β和的正方向。
（电路中各电容的容抗可不计）。
(a)(b)题图3.4.3(a) (b)题图3.4.4 (a)b I &)d (bR ber b I &βi V &c R LR V &1b I &βb I &)c (1e R 2b R 2be r 2b I &βi V &2c R 1b R LR V &1be r b I &βbI &)e (iV &4R 1R oV &be r 1b I &β2b I &)f (bR 2be r 2b I &βiV &cR V &1be r 1b I &3.5.2Ω===k R R V V L c CC 3,12，晶体管的Ω==300,50'bb r β，在计算BQ I 时可认为0≈BE V ：（1）若Ω=k R b 600，问这时的?V CEQ =（2）在以上情况下，逐渐加大输入正弦信号的幅度，问放大器易出现何种失真？（3）若要求V V CEQ 6=，问这时的?=b R（4）在V V CEQ 6=，加入mV V i 5=•的信号电压，问这时的?V o =•3.6.1ΩΩk R ,k R ,V V b b CC 641021===，Ωk .R e 33=，Ωk R R L c 2==，晶体管V .V ,r ,BE 'bb 7010050==Ωβ为，各电容的容抗均很小。