823电子技术基础
暨南大学2018年《823电子技术基础》考研专业课真题试卷
2.
f / Hz Uo/ V 3.
5 0.1
1k 1
10k R 1
uI
VT100k 1
1
1
1M VT 2 0.7
uO uI V EE
R3 R4 R6 R7 C D 多级放大电路如图 1-1 所示。设电路中所有电容器对交流均可视为短路，试指 出电路中各个放大器件所组成的基本放大电路分别属于哪种组态。
2018 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题
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学科、专业名称：080902 电路与系统、080903 微电子学与固体电子学、081001 通信与信息 系统、081002 信号与信息处理、085208 电子与通信工程（专业学位）、080901 物理电子学 研究方向：各方向 考试科目名称：823 电子技术基础
考生注意：所有答案必须写在答题纸（卷）上，写在本试题上一律不给分。 一、简答题（共 4 小题，每小题 5 分，共 20 分） 1. 简述 RC 正弦波振荡器、LC 正弦波振荡器、石英晶体正弦波振荡器的主要应用 场合。 为测定某单管放大电路（含一个耦合电容）的通频带，在输入电压 U i ＝10mV 不变的条件下，改变输入电压频率 f，测出相应的输出电压 U o ，测试结果列表 如下。试问该放大电路的上限截止频率 fH 和下限截止频率 fL 各为多少？
图 2-4 5.
图 2-5
单端输入、单端输出差分放大电路如图 2-5 所示。设晶体管 T1、T2 参数1＝2 ＝50，rbe1＝rbe2＝2.5k，UBE1＝UBE2＝0.6V。试估算： （1）静态量 ICQ1、ICQ2、UCEQ1 和 UCEQ2； （2）差模电压放大倍数 Au ，差模输入电阻 Rid 和输出电阻 Ro； （3）共模抑制比 KCMR。 6. 推导图 2-6 电路的运算关系式。运放视为理想运放。其中，R=20kΩ, R1=100k Ω,C=0.05μF。已知各电容两端电压的初始值为零。
2017年南京航空航天大学研究生自命题专业课823电子电工学pdf
南京航空航天大学2017年硕士研究生入学考试初试试题（A 卷）科目代码: 823科目名称:电工电子学满分: 150分注意: ①认真阅读答题纸上的注意事项；②所有答案必须写在答题纸上，写在本试题纸或草稿纸上均无效；③本试题纸须随答题纸一起装入试题袋中交回！电工技术部分一、单项选择题：(本大题分10小题,每小题3分，共30分)1、在图1所示电路中，在开关S 闭合后，电压U ab 将（ ）。
(a) 不变 (b) 变大 (c) 变小 (d) 为零1Ω1ΩU s+-I 图22、在图2所示电路中，已知U s =2V ，I s =2A ，则提供电功率的电源是（ ）。
(a) 电压源 (b) 电流源 (c) 电压源和电流源3、正弦交流电路的无功功率是表征该电路中储能元件的（ ）。
(a) 瞬时功率 (b) 储存能量的大小 (c) 瞬时功率的最大值 (d) 视在功率4、R ，L ，C 串联电路原来处于感性状态，现在保持频率不变，欲调节电容使电路发生谐振，则应使电容C 值（ ）。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 保持不变 (d) 须经过试探方能确定增减 5、一台变压器的三相绕组星型联结，每相额定电压为220V 。
出厂时测得U u =U v =U w =220V ，但实际电路测试时发现，线电压却为U uv =U wu =220V ，U vw =380V ，这种现象是（ ）。
(a) U 相接反 (b) V 相接反 (c) W 相接反 (d) 正常 6、电路的过渡过程进行的快慢与时间常数τ有关，τ越大，过渡过程需要的时间（ ）。
(a) 越长 (b) 越短 (c) 需要计算才能确定7、一个铁芯线圈，接在电压不变的直流电源上，当铁芯的横截面积变大而磁路的平均长度不变时，则励磁电流将（ ）。
(a) 增长 (b) 减小 (c) 保持不变 (d) 无法确定8、三相异步电动机的负载增加时，如果定子端电压不变，则定子电流将（ ）。
(a) 增加 (b) 减少 (c) 保持不变 (d) 与负载成反比变化9、在图3所示变压器电路中，已知原副边绕组匝数之比为N 1:N 2=3:1，则ab 端的等效电阻R ab 为（ ）。
823电子技术基础考试大纲.doc
路宏敏等
科学出版社
《微波技术基础》
廖承恩
西电科大出版社
《微机原理与接口技术》
楼顺天等
科学出版社
《天线原理》
魏文元
国防工业出版社
9023电子信息技术综合知识二
《电磁场与电磁波基础》
路宏敏等
科学出版社
《数字信号处理》
奥本海姆
科学出版社
《模拟电子技术基础》
孙肖子等
西电科大出版社
《数字电子技术基础》四版）
吴功宜
电子工业出版社2007
9066会计综合
《财务管理》（四版）
卢家仪
清华大学出版社2011
《会计学原理》（四版）
徐晔等
复旦大学出版社2011
《应用经济统计学》（二版）
李心愉
北京大学出版社2008
9067项目管理基础
《现代项目管理概论》
白思俊
电子工业出版社2006
朴立明
清华大学出版社2009
《商业银行经营学》
戴国强
高等教育出版社2007
9061金融综合
《货币金融学》（七版）
米什金
人民大学出版社2006
《证券投资学》
朴立明
清华大学出版社2009
《应用经济统计学》（二版）
李心愉
北京大学出版社2008
9062管理科学与工程综合
《管理学》
王益峰
西电科大出版社2007
中日合编
人民教育出版社
282二外俄语
大学俄语1.2册（新版）
史铁强
外语教学与研究出版社
新大学俄语综合教程（1）
何红梅
高等教育出版社
283二外德语
2023年暨南大学《823-电子技术基础》考研真题
2023年暨南大学《823 电子技术基础》考研真题四、计算题（共4小题，每小题15分，共60分）1.如图所示电路中，各晶体管的参数相同，其中β=50，U BE=0.7V，r bb’=200Ω，稳压管的稳压值为5V，R p滑动端处于中间位置，其他参数见图。
（1）计算静态工作点参数I CQ1、I CQ2及静态时U OQ的值；（2）计算差模电压放大倍数A d、差模输入电阻R id及差模输出电阻R od的值。
2.如图所示电路中，已知晶体管的U BE=0.7V，β=100，r bb’=100Ω，C ob=0.5pF，fβ=100MHz，R s=100Ω。
（1）估算下限截止频率f L和上限截止频率f H；（2）写出整个频率范围内A us的表达式；（3）画出A us的波特图。
3.如图所示电路中，已知R w1，R w2的滑动端均位于中点，R1=50kΩ，C=0.01μF，稳压管的稳压值为6V。
（1）画出u o1和u o2的波形，标明幅值和周期；（2）当R w1的滑动端向右移时，u o1和u o2的幅值和周期分别如何变化；（3）当R w2的滑动端向右移时，u o1和u o2的幅值和周期分别如何变化；（4）为了仅使u o2的幅值增大，应如何调节电位器？为了仅使u o2的周期增大，应如何调节电位器？为了使u o2的幅值和周期同时增大，应如何调节电位器？为了使u o2的幅值增大而周期减小，应如何调节电位器？4.在图示电路中，已知二极管的导通电压是U D=0.7V，晶体管导通时|U BE|=0.7V，T2管的发射极静态电位U EQ=0V，T2和T4管的饱和管压降|U CES|=2V，试问：（1）T1、T3、T5管基极的静态电位各是多少？（2）R2=10kΩ，R3=100Ω，若T1和T3管基极静态电流可忽略不计，则T5管集电极静态电流为多少？（3）若R3短路会产生什么现象？（4）负载上可能获得的最大输出功率P om和效率η各约为多少？（5）T2和T4管的最大集电极电流、最大管压降和集电极最大功耗各为多少？。
823半导体物理与集成电路基础
823半导体物理与集成电路基础摘要：一、半导体物理与集成电路基础简介1.半导体物理概念2.集成电路基础概念二、半导体物理基本原理1.能带理论2.载流子浓度与迁移率3.PN 结三、集成电路基本结构与工作原理1.基本结构2.工作原理四、半导体材料及其特性1.元素半导体2.化合物半导体3.半导体材料特性五、半导体器件及其应用1.二极管2.晶体管3.场效应晶体管4.光电器件六、集成电路制造工艺1.硅片制备2.掺杂3.薄膜沉积4.光刻技术5.金属化七、集成电路应用领域1.计算机2.通信3.消费电子4.医疗设备5.工业控制八、半导体物理与集成电路发展趋势1.新材料研究2.新型器件开发3.集成度提高4.3D 集成技术5.人工智能与物联网应用正文：半导体物理与集成电路基础在我国科技领域占据举足轻重的地位。
半导体物理是研究半导体材料性质和现象的学科，而集成电路则是半导体物理在实际应用中的重要体现。
本文将介绍半导体物理与集成电路基础的相关知识。
半导体物理基本原理包括能带理论、载流子浓度与迁移率以及PN 结。
能带理论是描述半导体中电子能级分布的理论，它将半导体分为价带和导带，分别对应电子的束缚状态和自由状态。
载流子浓度与迁移率是描述半导体导电性能的两个重要参数，它们与半导体的掺杂、温度等因素密切相关。
PN 结是半导体中一种特殊的结构，由p 型半导体和n 型半导体组成，具有整流、开关等特性。
集成电路基本结构包括输入、输出、电源和信号处理等部分，其工作原理是通过将信号处理电路与输入输出接口电路集成在一起，实现对信号的放大、滤波、模数转换等功能。
半导体材料及其特性对集成电路性能至关重要。
半导体材料主要包括元素半导体如硅、锗等，以及化合物半导体如砷化镓、氮化镓等。
这些材料具有不同的导电性能、光电特性等，为不同应用场景提供了丰富的选择。
半导体器件是集成电路中实现特定功能的基本单元，包括二极管、晶体管、场效应晶体管等。
这些器件具有不同的电流控制方式、输入阻抗等特性，为实现高性能集成电路提供了基础。
暨南大学_823电子技术基础2017年_考研专业课真题试卷
2017年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题******************************************************************************************** 学科、专业名称：080902电路与系统、080903微电子学与固体电子学、081001 通信与信息系统、081002 信号与信息处理、085208电子与通信工程（专业学位）研究方向：各方向考试科目名称：823 电子技术基础一、简答题（共4小题，每小题5分，共20分）1. 电路如图1所示。
（1）电路实现什么功能？（2）以下三种情况下，输出电压的平均值将分别怎样变化？（a）二极管D1开路；（b）二极管D1短路；（c）负载R L开路。
图12. 现有一个输出电阻为R O的放大电路，正常工作情况下，测得负载开路时的输出电压有效值为U O，接上负载R L后，测得其输出电压有效值为0.5U O，则此电路的输出电阻R O与负载R L之间存在怎样的关系？3. 电路如图2所示。
C1为耦合电容，C2、C3为旁路电容。
其中，T1和T2分别构成了什么接法的放大电路？判断电路是否可能产生正弦波振荡，简述原因。
若能产生正弦波振荡，说明石英晶体在电路中呈容性、感性还是纯阻性？A1u OA27VR1R2R3+15V12V10kΩu IR4200Ω10kΩ10kΩR51kΩD1D2D Z图2 图34. 图3电路中，已知A1、A2均为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为±14V。
说明电路实现什么功能？并画出其电压传输特性曲线。
考试科目：823 电子技术基础共 4 页，第 2 页4. 差分放大电路如图7所示。
设晶体管T 1、T 2特性参数相同，且β＝50，r be ＝1 k Ω。
计算：（1）差模电压放大倍数I2I1Ou u u A ud -=；（2）差模输入电阻R id ； （3）输出电阻R od 。
南京理工大学机械学院仪器仪表工程专业课经验分享
南京理工大学机械学院仪器仪表工程专业课经验分享本人普通一本大学非211，今年考研考取了南京理工大学机械工程学院仪器仪表工程专业硕。
以为数学英语政治之类的分数不高就不摆出自己的复习经验了，主要写下专业课的经验吧。
我的初试专业课为823电子技术基础（也就是数字电子技术与模拟电子技术）初试分数120+，今年题目有点难度，具体的后面细说，我本来以为分数不高，后来复试的时候看大家基本都是110左右，120以上的没几个。
但是题目确实出的中规中矩的，都是按照大纲出的，刚刚说它难，是因为最后一个数电的题目，考了一个移位寄存器的设计序列生成器题目，这个题目20多年来就没出现过，在此之前移位寄存器只出现了一次还是两次而且没考设计，所以以后大家复习的时候这个地方要谨慎，复习要全面不要抱有侥幸心理。
下面说一下我的复习专业课的一些经验。
我是从8月底开始专业课复习的，对于大多数同学来说这个时候开始复习可能有些晚了，但是我的数学不好，所以耽搁了太多时间，不过所幸之前大二的时候上过数电模电，而且对此还是很感兴趣的，所以有一定的基础，复习起来还是比较顺利的。
关于教材和参考书。
南京理工823指定了学校自己编的一本书，但是这本书讲得太简洁，虽然内容都讲到了，不过看完了会给人一种云里雾里的感觉，题目大都不会做，所以建议大家不要看指定的书（我是买回来看了的然后一周不到果断扔掉）。
我后来用的是清华大学的童诗白教授编的《模拟电子技术基础-第四版》，然后配合它的习题解答，它的习题解答有两种，建议用《模拟电子技术基础辅导及习题精解》，这本习题指导是我们大纲编写人之前编的一本书，所以你懂得，很多出题的风格都是固定的，而且在之前的年份里就直接用里面的原题的都有，这本书一定要好好用，还有一种是它自己配套的原版解答，也很好，我两本都买了；数电方面用的是南京理工电院的一个教授编的《数字逻辑电路与系统设计》，这本已经有第二版了，我用的是第一版，然后书本上的例题一定要都要会，自己都要做一遍，真题有很多就是来源于例题的，课后习题也可以做下（我只做了课后习题的奇数编号的，因为只找到了奇数号的答案，不过感觉课后习题和真题并没有很多的相似度）。
《暨南大学823电子技术基础历年2010-2018年考研真题及答案解析》
目录Ⅰ历年真题试卷 (2)暨南大学2010年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (2)暨南大学2011年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (8)暨南大学2012年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (12)暨南大学2013年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (17)暨南大学2014年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (22)暨南大学2015年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (26)暨南大学2016年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (31)暨南大学2017年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (35)暨南大学2018年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (40)Ⅱ历年真题试卷答案解析 (45)暨南大学2010年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (45)暨南大学2011年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (57)暨南大学2012年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (66)暨南大学2013年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (79)暨南大学2014年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (93)暨南大学2015年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (104)Ⅰ历年真题试卷暨南大学2010年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题学科、专业名称：信息科学技术学院电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程（专业学位）专业；理工学院物理电子学考试科目名称：823电子技术基础考生注意：所有答案必须写在答题纸（卷）上，写在本试题上一律不给分。
一、判断下列说法是否正确，凡对者打“√”，错者打“×”，（答案必须写在答题纸上）。
（共10小题，每小题2分，共20分）1、一个理想对称的差分放大电路，既能放大差模输入信号，也有可能放大共模输入信号。
2、场效应管依靠电场控制漏极电流，故不能称为电压控制器件。
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西安邮电大学硕士研究生招生考试大纲
科目代码：823
科目名称：《电子技术基础》
一、考试的总体要求
电子技术基础是通信工程、电子信息、电子科学与技术等专业的专业基础课程。
模拟电子技术部分要求考生系统地掌握模拟电子技术的基本概念、各种放大电路的工作原理和基本分析方法，能够运用所学知识正确的分析电路的原理、计算电路的参数，并能灵活的进行应用。
数字电子技术部分要求考生掌握数字电路逻辑设计的基本知识、基本理论，掌握常用数字电路的分析和设计方法，掌握常用中(大)规模数字电路的应用。
二、考试内容与要求
第一部分模拟电子技术部分
（一）半导体器件
1、半导体的基本概念：本征半导体；PN结；
2、半导体二极管：伏安特性、主要参数和半导体二极管电路的分析；
3、稳压二极管：伏安特性、主要参数和稳压二极管电路的分析；
4、半导体三极管：电流放大特性、特性曲线和主要参数；
5、场效应管：（1）结型场效应管的工作原理、伏安特性、主要参数、输出特性曲线和转移特性曲线。
（2）绝缘栅型场效应管的工作原理、伏安特性、主要参数、输出特性曲线和转移特性曲线。
（二）基本放大电路
1.三极管放大电路：固定偏置、分压偏置放大电路的组成和分析；共射、共集放大电路的组成和分析；理解图解分析法，重点掌握小信号模型分析法。
2.场效应管放大电路：微变等效模型、自给偏压电路与分压式偏置电路；基本共源电路的组成、静态和动态分析方法；基本共漏电路及其静态、动态分析。
3.差分放大电路：组成、抑制零漂的原理和信号的三种输入方式；共模、差模电压放大倍数、共模抑制比；差放电路的四种输入输出方式、双端输入双端输
出方式和双端输入单端输出方式；电阻和带恒流两类长尾差分放大电路的静态和动态分析
（三）功率放大电路
1.功率放大电路的特点。
2.功率放大电路的三种工作状态；甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的特点。
3.乙类功率放大电路的组成及分析方法（乙类功率放大电路的工作原理，静态分析，动态分析。
）
4.甲乙类功率放大电路的组成及分析方法（甲乙类功率放大电路的工作原理，静态分析，动态分析。
）
（四）负反馈放大电路
1.反馈的基本概念及有无反馈的判别。
2.反馈的方框图表示法及闭环增益的一般表达式：反馈深度、环路增益的概念。
3.反馈类型和极性的判断：瞬时极性法判断正反馈与负反馈；电压反馈与电流反馈及其判别方法；直流反馈与交流反馈及其判别方法；负反馈的四种组态及其判断方法。
4.负反馈对放大电路性能的影响。
5.深度负反馈放大电路的动态估算。
（五）集成运算放大电路
1.集成运算放大器的线性应用：运放的线性工作区、理想运放模型、理想运放分析法（虚短、虚地、虚断）；信号运算电路：反相、同相输入比例运算；反相、同相求和运算；减法运算；积分、微分、对数、反对数运算电路、有源滤波电路。
2.集成运算放大器的非线性应用：运放工作在非线性区时的特点；电压比较器：过零比较器；单限比较器；比较器电路的一般分析方法；滞回比较器；窗口比较器。
第二部分数字电子技术部分
（一）数字逻辑基础
1、熟练掌握二进制、八进制、十进制、十六进制数及其相互转换规律；
2、掌握数字系统中常用的8421BCD编码，并了解其他几种常用BCD编码。
3、掌握逻辑变量与逻辑函数及与、或、非三种基本逻辑运算的概念；
4、掌握逻辑代数的基本公式和常用公式，逻辑代数的基本规则和基本定理；
5、掌握逻辑函数及其表示方法；
6、掌握逻辑函数的公式化简法和卡诺图化简法；
7、掌握具有无关项的逻辑函数及其化简。
（二）集成逻辑门
1、熟悉晶体管、MOS管开关特性；
2、理解TTL和MOS集成门电路的工作原理；
3、掌握TTL和MOS集成门电路的逻辑功能、外部特性、主要参数和正确使用方法；
4、理解集成门电路标准推拉输出、开路输出、三态输出的特点和应用；
5、理解TTL门电路和CMOS门电路的改进思路和典型措施。
（三）组合逻辑电路
1、掌握组合逻辑电路的基本概念及特点；
2、掌握组合逻辑电路分析方法和步骤；
3、掌握组合逻辑电路的设计方法；
4、熟悉常用中规模组合逻辑器件：编码器、译码器、全加器、数值比较器、数据选择器等器件的逻辑功能及应用；
5、了解组合逻辑电路中的冒险现象及其消除方法。
（四）集成触发器
1、熟悉触发器的逻辑分类、功能和基本特点；
2、了解各类触发器的电路结构、工作原理和动作特点；
3、掌握触发器逻辑功能的描述方法（包含状态转换表、特征方程、状态图、
4、激励表和工作波形图等）；
5、掌握RS触发器、JK触发器、D触发器、T触发器、和T′触发器各自的功能特点。
（五）时序逻辑电路
1、掌握时序逻辑电路的基本概念；
2、掌握时序逻辑电路的分析方法和步骤；由小规模集成电路构成的时序逻辑电路的分析；
3、掌握常用中规模时序逻辑电路的功能及应用；由中规模集成电路构成的时序逻辑电路、寄存器和移位寄存器电路结构和常用集成电路，移位寄存器应用；计数器电路分析；
4、掌握同步时序逻辑电路的设计方法，利用通用集成计数器构成任意进制计数器的设计方法；
5、掌握典型MSI时序逻辑器件上的附加控制端的功能和使用方法，并进行多片级联使用的逻辑设计。
（六）半导体存储器及可编程逻辑器件
1、熟悉存储器的一般结构和工作原理；
2、理解各类ROM的存储原理、读写原理；
3、掌握RAM的特点、种类和SRAM的结构及原理；
4、掌握存储单元、字、位、地址、地址单元等基本概念以及存储器容量扩展的一般方法；
5、熟悉用存储器设计组合逻辑电路的原理和方法；
6、了解PLD的基本特征、分类、每种类型的特点及发展概况；
7、理解用可编程逻辑器件实现各种逻辑功能电路的基本原理；了解CPLD、FPGA等器件的基本原理、特点及设计流程。
三、考试形式及时间
考试形式为笔试，考试时间150分钟，满分为150分。
四、主要参考书目
模拟部分：《电子技术基础》，康华光、陈大钦等编著，高等教育出版社（第五版）。
数字部分：《数字电路逻辑设计》，王毓银等编著，高等教育出版社（第三版）。