意法半导体公司产品导购手册
意法半导体stm32手册
意法半导体stm32手册意法半导体(STM32)是一款广泛应用于嵌入式系统开发的微控制器。
它具有高性能、低功耗、丰富的外设和强大的开发工具链等优点，适合用于各种应用领域，如工业控制、物联网、智能家居、汽车电子等。
本手册将介绍STM32微控制器系列的主要特性、功能模块和应用示例等内容。
一、STM32微控制器系列特性1.高性能：STM32微控制器采用ARM Cortex-M系列内核，具有高性能的运算能力和快速的响应速度，能够满足各种复杂计算和实时任务的需求。
2.低功耗：STM32微控制器采用低功耗设计，能够在满足性能要求的同时最大程度地降低能耗，延长系统的使用时间。
3.丰富的外设：STM32微控制器具有丰富的外设，包括通用IO口、定时器、串口、SPI、I2C、ADC、DAC等，能够满足各种应用的需要。
4.强大的扩展性：STM32微控制器支持多种外部总线接口，如USB、Ethernet、CAN等，可轻松实现与外部设备的通信，并支持灵活的扩展。
5.开发工具链：STM32微控制器采用意法半导体提供的开发工具链，包括开发板、调试工具和软件开发环境等，方便开发者进行嵌入式系统开发。
二、STM32微控制器功能模块1.内核模块：STM32微控制器采用ARM Cortex-M系列内核，支持多种内核版本，如Cortex-M0、Cortex-M3、Cortex-M4等，具有不同的性能和功能特点。
2.外设模块：STM32微控制器的外设模块包括通用IO口、定时器、串口、SPI、I2C、ADC、DAC等，这些外设可以通过寄存器编程或者使用开发工具链提供的API函数进行配置和控制。
3.存储器模块：STM32微控制器拥有多种存储器模块，包括闪存、SRAM、EEPROM等，可以满足不同应用对存储容量和读写速度的需求。
4.时钟模块：STM32微控制器具有丰富的时钟模块，包括主PLL时钟、系统时钟、外设时钟等，可以实现灵活的时钟配置和控制。
意法半导体
意法半导体意法半导体是指法国的意法公司（STMicroelectronics）生产的半导体产品。
在全球半导体市场中，意法半导体是世界第三大半导体制造商，当今全球最大的可控硅半导体制造商之一。
其产品覆盖了微处理器，模拟IC，分立元件，高速门电路，数模转换器，锂电池充电，测量，自动控制，模块，软件，以及其他应用等。
意法半导体公司从1970年开始，就一直专注于半导体技术的发展和应用，其半导体产品从典型的8位微处理器扩展到32位微处理器，以及包括复杂嵌入式控制、数字技术和传感技术在内的多种技术。
其团队遍及世界各地，有在世界级客户的中心位置服务，也有在连接用户的心脏的关键位置服务。
其良好的全球性布局，使其可以随时响应市场需求，减少客户对新产品或系统的落后时期。
意法半导体也生产极端低功耗的半导体产品，其应用场景广泛，有穿戴式设备，物联网，工业控制系统，以及智能手机等。
由于意法半导体基于其极低功耗技术，可以节省电池能源，运行更长的时间。
另外，意法半导体拥有卓越的匹配性，可以为客户提供有效的电路设计，以应对不断变化的客户需求。
意法半导体还提供优质的客户服务，可以为客户提供工程技术支持，以及培训，解答问题，解决项目技术难题等。
除此之外，意法半导体还拥有一支设计革新和质量保证团队，可以为客户提供最佳的产品和服务，以满足客户的定制需求。
从上述内容可以看出，意法半导体为全球客户提供了众多优质的产品和服务，它在全球半导体市场中占据了重要的地位，也为全球客户提供了全面的解决方案，让客户可以更好地满足工业控制，穿戴式设备，物联网，智能手机等应用领域的需求。
随着全球半导体市场的发展，意法半导体公司会继续专注于制造极端低功耗的半导体产品，提供坚实可靠的产品，并不断优化客户满意度。
st意法半导体芯片
st意法半导体芯片1 意法半导体简介意法半导体是一家全球领先的半导体制造公司，总部位于欧洲法国。
公司成立于1987年，专注于设计、研发和生产各种应用广泛的半导体芯片。
意法半导体的产品涵盖了智能手机、汽车电子、工业自动化、安防监控、航空航天等领域，是一家真正的全球化企业。
2 意法半导体的产品意法半导体的产品包括模拟集成电路、数字集成电路、微控制器、RFID、传感器等。
其中，微控制器是公司的主要产品之一，旗下包括STM32系列、STM8系列、STM32MP1系列等，广泛应用于工业、汽车电子、家居控制、嵌入式系统等领域。
RFID和传感器也是意法半导体的重要产品，常见于物流管理、安防监控等场景。
3 意法半导体的创新和技术在半导体技术方面，意法半导体不断推出新产品，提高产品质量和性能，并已成为全球领先的半导体制造商之一。
此外，该公司注重与合作伙伴共同合作，研发最新的芯片技术，以满足客户需求，并提供最优秀的解决方案。
4 意法半导体的可持续发展计划除了重视产品质量和技术创新之外，意法半导体还积极致力于可持续发展。
2019年，公司公布了《可持续发展计划2025》，针对环境、社会和治理三个方面做出了一系列承诺和计划。
其中，在环境方面，意法半导体致力于减少电子废料、提高能源效率和保护生态环境等方面做出贡献。
5 意法半导体的未来作为一家半导体行业的领军者，意法半导体凭借其全球化的优势和创新的技术，正在不断拓展业务范围，不断发展新的业务领域，为客户提供更好的服务和解决方案。
未来，我们有理由相信，意法半导体一定会不断向前，成为全球半导体制造商中的佼佼者。
st意法半导体外箱标签解读
st意法半导体外箱标签解读摘要：1.意法半导体简介2.ST 意法半导体的外箱标签含义3.外箱标签中的重要信息解读4.总结正文：【意法半导体简介】意法半导体（STMicroelectronics）是一家全球领先的半导体公司，成立于1987 年，总部位于瑞士日内瓦。
公司专注于为客户提供创新的半导体解决方案，产品广泛应用于各种电子设备，如智能手机、平板电脑、汽车、工业控制等领域。
意法半导体是全球最大的半导体制造商之一，其产品涵盖了微处理器、传感器、电源管理、模拟器件等多个领域。
【ST 意法半导体的外箱标签含义】在购买ST 意法半导体的产品时，我们常常会看到产品包装上有各种标签，这些标签包含了许多重要信息。
一般来说，这些标签包括产品型号、产地、生产日期、封装类型等。
然而，对于一些特定的产品，如ST 意法半导体的外箱标签，它还有一些特殊的含义。
【外箱标签中的重要信息解读】在ST 意法半导体的外箱标签中，有几个重要的信息需要我们关注。
首先是产品型号。
产品型号通常代表了这个产品的性能、功能和技术参数。
比如，STM32F103 系列，这个型号代表了这款产品的处理器是基于ARM Cortex-M3 内核的，具有32 位运算处理能力，最高可达72MHz 的主频。
其次是产地。
产地代表了这个产品是在哪个国家或地区生产的。
对于一些对产品产地有特定要求的客户，这个信息尤为重要。
ST 意法半导体的产品产地通常会标明是新加坡、马来西亚、法国等国家。
再次是生产日期。
生产日期代表了这个产品的生产时间，可以帮助客户判断产品的新鲜程度。
一般来说，生产日期越近，产品的质量越有保障。
最后是封装类型。
封装类型代表了这个产品的包装形式。
常见的封装类型有管装、散装、卷装等。
不同的封装类型，对应的价格和运输方式也有所不同。
【总结】通过对ST 意法半导体外箱标签的解读，我们可以获取到许多重要的信息，如产品型号、产地、生产日期和封装类型等。
这些信息对于我们选择和购买合适的产品具有很大的帮助。
意法半导体stm32手册
意法半导体stm32手册意法半导体（STMicroelectronics）的STM32系列是一种广泛应用于嵌入式系统开发的32位微控制器。
该系列微控制器具有高性能、低功耗和丰富的外设功能，适用于各种应用领域，如工业自动化、消费电子、汽车电子等。
关于STM32微控制器的手册，意法半导体提供了详尽的技术文档和参考手册，以帮助开发人员了解和使用STM32系列微控制器。
以下是一些常见的手册和文档，供你参考：1. 参考手册（Reference Manual），这些手册提供了关于STM32微控制器系列的详细技术规格和功能描述。
它们通常按照微控制器系列和型号进行分类，涵盖了微控制器的体系结构、外设功能、引脚定义、寄存器配置等内容。
参考手册是开发人员进行硬件设计和软件开发的重要参考资料。
2. 用户手册（User Manual），这些手册提供了关于STM32微控制器的使用指南和应用示例。
它们通常按照应用领域或功能模块进行分类，包括了硬件连接、时钟配置、外设驱动、中断处理、电源管理等方面的内容。
用户手册是开发人员在使用STM32微控制器时的实用指南。
3. 数据手册（Datasheet），这些手册提供了关于具体型号STM32微控制器的详细规格和电特性。
它们包括了微控制器的引脚定义、电气参数、时钟频率、外设功能等详细信息。
数据手册是开发人员在选择和评估STM32微控制器时的重要参考资料。
此外，意法半导体还提供了一系列应用笔记（Application Notes）、固件库（Firmware Libraries）、代码示例和开发工具，以帮助开发人员更好地理解和应用STM32微控制器。
总之，意法半导体的STM32手册提供了全面的技术文档和参考资料，涵盖了硬件和软件开发的各个方面。
开发人员可以根据自己的需求和具体的STM32微控制器型号，选择相应的手册来获取所需的信息。
ST意法半导体产品和技术指南
ＳＴ 的半导体解决方案的应用遍及我们的日常生活。
家庭应用：电视、机顶盒、家庭网关、医疗中心、平板电脑、游戏控制器、个人电脑、电话、安全应用、家电……汽车应用：动力总成系统、安全气囊、收音机、防抱死制动系统、车门控制、车窗升降器、导航、信息娱乐……工作或学习应用：打印机、扫描仪、个人电脑、温度控制、机器人、楼宇自动化、监控……移动应用：平板电脑、智能手机、移动电话、个人掌上助理、ＭＰ３播放器、数码相机、银行卡环境保护：节能解决方案、智能电网、可再生能源、混合电动车……卫生和健康：家用诊疗设备、便捷式医疗器械、医学影像、远程医疗、保健器材、ＤＮＡ分析……意法半导体的广泛产品与技术旨在支持其企业愿景，该愿景基于两大支柱： 成为电源应用和多媒体融合领域无可争辩的全球领导者。
电源应用是指管理工业自动化系统、汽车、照明设备或各类家用电器的电力使用，而多媒体融合则是控制音频、视频和电信数据在互联网时代的传播方式——如今的消费者希望生活在一个完全互联的无线世界，能够通过任何设备随时随地获得信息和进行娱乐。
在此愿景下，意法半导体还非常重视如今的三个关键挑战：节能、可负担和便利的医疗保健以及安全和数据保护。
在这些领域，意法半导体向其客户提供五类产品，包括：功率器件微机电系统和先进模拟集成电路 微控制器专用集成电路／专用标准产品（通过意法半导体－爱立信公司提供）用于数字消费级应用和无线应用的平台。
功率器件意法半导体提供各种分立和智能功率产品，并在该领域稳居世界领先地位。
意法半导体是世界领先分立功率器件供应商之一，提供包括功率晶体管、电磁干扰滤波和信号调节、二极管、保护器件、晶闸管和交流开关等各类产品。
意法半导体提供两个智能功率技术家族：ＶＩＰｏｗｅｒ是一个意法半导体专有技术家族，其中分立功率结构与模拟和数据控制及诊断电路相集成，从而产生一种把分立技术的健壮性与集成的控制和诊断电路相结合的器件。
第二个技术家族是意法半导体的ＢＣＤ（双极－ＣＭＯＳ－ＤＭＯＳ）技术，它结合了双极、ＣＭＯＳ和ＤＭＯＳ工艺，允许将附加的系统功能（如稳压器、通信接口及多负载驱动器）与逻辑电路集成进单个器件。
意法半导体电机控制参考指南说明书
电机控制3 意法半导体电机控制生态系统4 PMSM & BLDC电机8 3相感应电机（ACIM）12 步进电机14 直流有刷电机16 通用电机18 开关磁阻电机19 微控制器25 STM32电机控制生态系统29 电机驱动器IC39 电源模块44 功率MOSFET46 IGBT47 600-650 V IGBT系列48 1200 V IGBT系列49 二极管 & 整流器50 晶闸管、双向可控硅和交流开关 52 MOSFET和IGBT栅极驱动器56 碳化硅和氮化镓栅极驱动器58 信号调理ST对电机控制的承诺推进了环保革命。
在环保革命理念的指引下，电机控制正向着更高效电机和驱动器的方向快速发展。
此外，为了支持新技术的市场占有率，需要以最低成本提高集成度，同时提升安全性和可靠性。
ST致力于电机控制方面的研究已有20余年，是最早意识到这些趋势的公司。
意法半导体正通过一系列的创新突飞猛进，诸如集成式智能功率模块和系统级封装、单片式电机驱动器、快速高效的功率开关、具有电压暂态保护功能的可控硅、以及功能强大且安全的微控制器等。
无论您使用哪种电机技术（从传统的和坚固的，到最现代的和最高效的），ST都能够提供合适的电子器件和完整的生态系统（包括一系列评估板、参考设计、固件和开发工具），以简化和加速设计流程。
保持最新资讯更多信息和最新材料，请访问ST网站的控制应用页面http:///motorcontrol3意法半导体电机控制PMSM &永磁同步电机和直流无刷电机因其更高效、运行更安静、更可靠等优点，正在越来越多的应用中替代直流有刷电机。
尽管结构不同，但所有三相永磁电机（BLDC、PMSM或PMAC）都是由脉冲宽度调制（PWM）的三相桥（三个半桥）驱动，以便采用频率幅度可变的电压和电流为电机供电。
为了提供最高水平设计灵活性，ST的产品组合包括面向高压和低压应用的特定产品，如单片驱动IC、功率MOSFET、IGBT、栅极驱动器、功率模块和专用微控制器，用于满足广泛的应用需求。
Semiconductor Components Industries, LLC 产品数据手册说明书
NL17SZ126Non-Inverting 3-State BufferThe NL17SZ126 is a single non −inverting buffer in tiny footprint packages.Features•Designed for 1.65 V to 5.5 V V CC Operation •2.7 ns t PD at V CC = 5 V (typ)•Inputs/Outputs Overvoltage Tolerant up to 5.5 V •I OFF Supports Partial Power Down Protection •Source/Sink 24 mA at 3.0 V•Available in SC −88A, SC −74A, SOT −553, SOT −953 and UDFN6Packages•Chip Complexity < 100 FETs•NLV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC −Q100Qualified and PPAP Capable•These Devices are Pb −Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS CompliantOUT YFigure 1. Logic SymbolSee detailed ordering, marking and shipping information in the package dimensions section on page 7 of this data sheet.ORDERING INFORMATIONMARKING DIAGRAMSXX = Specific Device Code M = Date Code*G= Pb −Free Package(Note: Microdot may be in either location)*Date Code orientation and/or position may vary depending upon manufacturing location.SC −88A DF SUFFIX CASE 419ASOT −553XV5 SUFFIXCASE 463BXX M GGXX M GGUDFN61.0 x 1.0CASE 517BXX M 1SOT −953P5 SUFFIXCASE 527AE X M1SC −74A DBV SUFFIXCASE 318BQUDFN61.45 x 1.0CASE 517AQFigure 2. Pinout (Top View)(SC −88A/SOT −553/SC −74A)SOT −953V CCOEAYGNDNCUDFN6PIN ASSIGNMENT(SC −88A/SOT −553/SC −74A)Pin 12345Function OE A GND Y V CCInput FUNCTION TABLEA L H XOutput Y L H ZOE H H L PIN ASSIGNMENT (SOT −953)Pin 12345FunctionA GND OE Y V CCX = Don’t CarePIN ASSIGNMENT (UDFN)Pin 12345Function OE A GND Y NC 6V CCMAXIMUM RATINGSSymbol Characteristics Value UnitV CC DC Supply Voltage UDFN6, SOT−553, SC−88A (NLV)SC−74A, SC−88A, SOT−953−0.5 to +7.0−0.5 to +6.5VV IN DC Input Voltage UDFN6, SOT−553, SC−88A (NLV)SC−74A, SC−88A, SOT−953−0.5 to +7.0−0.5 to +6.5VV OUT DC Output Voltage Active−Mode (High or Low State) SC−88A (NLV), Tri−State Mode (Note 1)UDFN6, SOT−553Power−Down Mode (V CC = 0 V)−0.5 to V CC + 0.5−0.5 to +7.0−0.5 to +7.0VDC Output Voltage Active−Mode (High or Low State) SC−74A, SC−88A, SOT−953Tri−State Mode (Note 1)Power−Down Mode (V CC = 0 V)−0.5 to V CC + 0.5−0.5 to +6.5−0.5 to +6.5VI IK DC Input Diode Current V IN < GND−50mAI OK DC Output Diode Current V OUT < GND±50mAI OUT DC Output Source/Sink Current±50mA I CC or I GND DC Supply Current per Supply Pin or Ground Pin±100mAT STG Storage Temperature Range−65 to +150°C T L Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 secs260°C T J Junction Temperature Under Bias+150°Cq JA Thermal Resistance (Note 2)SC−88ASC−74ASOT−553SOT−953UDFN6659555562560382°C/WP D Power Dissipation in Still Air SC−88ASC−74ASOT−553SOT−953UDFN6190225222223327mWMSL Moisture Sensitivity Level 1−F R Flammability Rating Oxygen Index: 28 to 34UL 94 V−*********−V ESD ESD Withstand Voltage (Note 3)Human Body ModelCharged Device Model 20001000VI Latchup Latchup Performance (Note 4)$100mA Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionalityshould not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.1.Applicable to devices with outputs that may be tri−stated.2.Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10mm−by−1inch, 2 ounce copper trace no air flow.3.HBM tested to ANSI/ESDA/JEDEC JS−001−2017. CDM tested to EIA/JESD22−C101−F. JEDEC recommends that ESD qualification toEIA/JESD22−A115−A (Machine Model) be discontinued per JEDEC/JEP172A.4.Tested to EIA/JESD78 Class II.RECOMMENDED OPERATING CONDITIONSSymbol Characteristics Min Max Unit V CC Positive DC Supply Voltage 1.65 5.5V V IN DC Input Voltage0 5.5VV OUT DC Output Voltage Active−Mode (High or Low State)Tri−State Mode (Note 1)Power−Down Mode (V CC = 0 V)0V CC5.55.5T A Operating Temperature Range−55+125°Ct r, t f Input Rise and Fall Time V CC = 3.0 V to 3.6 V (SC−88A (NLV), UDFN6, SOT−553)V CC = 4.5 V to 5.5 V 010020ns/VInput Rise and Fall Time V CC = 1.65 V to 1.95 V (SC−74A, SC−88A, SOT−953)V CC = 2.3 V to 2.7 VV CC = 3.0 V to 3.6 VV CC = 4.5 V to 5.5 V 02020105Functional operation above the stresses listed in the Recommended Operating Ranges is not implied. Extended exposure to stresses beyond the Recommended Operating Ranges limits may affect device reliability.DC ELECTRICAL CHARACTERISTICSSymbol Parameter Condition V CC(V)T A = 255C−555C 3 T A3 1255CUnits Min Typ Max Min MaxV IH High−Level InputVoltage 1.65 to 1.950.65 V CC−−0.65 V CC−V2.3 to 5.50.70 V CC−−0.70 V CC−V IL Low−Level InputVoltage 1.65 to 1.95−−0.35 V CC−0.35 V CC V2.3 to 5.5−−0.30 V CC−0.30 V CCV OH High−Level OutputVoltage V IN = V IH or V ILI OH = −100 m AI OH = −4 mAI OH = −8 mAI OH = −12 mAI OH = −16 mAI OH = −24 mAI OH = −32 mA1.65 to 5.51.652.32.73.03.04.5V CC− 0.11.291.92.22.42.33.8V CC1.42.12.42.72.54.0−−−−−−−V CC− 0.11.291.92.22.42.33.8−−−−−−−VV OL Low−Level OutputVoltage V IN = V IH or V ILI OL = 100 m AI OL = 4 mAI OL = 8 mAI OL = 12 mAI OL = 16 mAI OL = 24 mAI OL = 32 mA1.65 to 5.51.652.32.73.03.04.5−−−−−−−0.080.20.220.280.380.420.10.240.30.40.40.550.55−−−−−−−0.10.240.30.40.40.550.55VI IN Input Leakage Current V IN = 5.5 V or GND 1.65 to 5.5−−±0.1*−±1.0m A I OZ3−State OutputLeakage CurrentV OUT = 0 V to 5.5 V 1.65 to 5.5−−±0.5−±5.0m AI OFF Power Off LeakageCurrent V IN = 5.5 V orV OUT = 5.5 V0−− 1.0−10m AI CC Quiescent SupplyCurrentV IN = V CC or GND 5.5−− 1.0−10m AProduct parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.*Guaranteed by design.AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(t R = t F = 3.0 ns)Symbol Parameter Condition V CC(V)T A = 255C−555C 3 T A3 1255CUnits Min Typ Max Min Maxt PLH t PHL Propagation Delay, A to Y(Figures 3 and 4)R L = 1 M W, C L= 15 pF 1.65 to 1.95− 6.010−10.5nsR L = 1 M W, C L= 15 pF 2.3 to 2.7− 3.47.5−8.0R L = 1 M W, C L= 15 pF 3.0 to 3.6− 2.5 5.2− 5.5R L = 500 W, C L= 50 pF− 2.9 5.7− 6.0R L = 1 M W, C L= 15 pF 4.5to 5.5− 2.0 4.5− 4.8R L = 500 W, C L= 50 pF− 2.3 5.0− 5.3t PZH t PZL Output Enable Time,OE to Y(Figures 3 and 4)1.65 to 1.95− 6.59.5−10ns2.3 to 2.7−3.68.5−9.03.0 to 3.6− 2.8 6.2− 6.54.5to5.5− 2.0 5.5− 5.8t PHZ t PLZ Output Disable Time,OE to Y(Figures 3 and 4)1.65 to 1.95− 5.010−10.5ns2.3 to 2.7−3.38.0−8.53.0 to 3.6− 2.7 5.7− 6.04.5to5.5− 2.6 4.7− 5.0CAPACITIVE CHARACTERISTICS(t R = t F = 3.0 ns)Symbol Parameter Condition Typical UnitsC IN Input Capacitance V CC = 5.5 V, V IN = 0 V or V CC 2.5pF C OUT Output Capacitance V CC = 5.5 V, V IN = 0 V or V CC 2.5pFC PD Power Dissipation Capacitance(Note 5)10 MHz, V CC = 3.3 V, V IN = 0 V or V CC10 MHz, V CC = 5.5 V, V IN = 0 V or V CC911pF5.C PD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.Average operating current can be obtained by the equation: I CC(OPR) = C PD V CC f in + I CC. C PD is used to determine the no−load dynamic power consumption; P D = C PD V CC2 f in + I CC V CC.Figure 3. Test CircuitC L includes probe and jig capacitanceR T is Z OUT of pulse generator (typically 50 W )f = 1 MHzOUTPUTOPENTestSwitch Position C L , pFR L , WR 1, Wt PLH / t PHL Open See AC Characteristics Tablet PLZ / t PZL 2 x V CC 50500500t PHZ / t PZH GND50500500X = Don’t Caret rFigure 4. Switching WaveformsV CCGNDV OHV OLV OHV OL V CC , V V mi , V V mo , VV Y , V t PLH , t PHL t PZL , t PLZ , t PZH , t PHZ1.65 to 1.95V CC /2(V OH − V OL )/2V CC /20.152.3 to 2.7V CC /2(V OH − V OL )/2V CC /20.153.0 to 3.6V CC /2(V OH − V OL )/2V CC /20.34.5 to5.5V CC /2(V OH − V OL )/2V CC /20.3DEVICE ORDERING INFORMATIONDevice Packages Specific Device Code Pin 1 Orientation(See below)Shipping†NL17SZ126DFT2G SC−88A M2Q43000 / T ape & Reel NLV17SZ126DFT2G*SC−88A M2Q43000 / T ape & ReelNL17SZ126DBVT1G(In Development)SC−74A TBD Q43000 / Tape & ReelNL17SZ126XV5T2G SOT−553M2Q43000 / T ape & ReelNL17SZ126P5T5G SOT−953R(Rotated 180° CW)Q24000 / Tape & ReelNL17SZ126MU1TCG(In Development)UDFN6, 1.45 x 1.0 x 0.35P TBD Q43000 / Tape & ReelNL17SZ126MU3TCG(In Development)UDFN6, 1.0 x 1.0 x 0.35P TBD Q43000 / Tape & Reel†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.*NLV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100 Qualified and PPAP Capable.Pin 1 Orientation in Tape and ReelNOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.3.419A −01 OBSOLETE. NEW STANDARD 419A −02.4.DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.DIM A MIN MAX MIN MAX MILLIMETERS1.802.200.0710.087INCHES B 1.15 1.350.0450.053C 0.80 1.100.0310.043D 0.100.300.0040.012G 0.65 BSC 0.026 BSC H ---0.10---0.004J 0.100.250.0040.010K 0.100.300.0040.012N 0.20 REF 0.008 REF S2.00 2.200.0790.087B0.2 (0.008)MMD 5 PL SC −88A (SC−70−5/SOT −353)CASE 419A −02ISSUE L*For additional information on our Pb −Free strategy and solderingdetails, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SC −74A CASE 318BQISSUE B*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE MATERIAL.4.DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS, OR GATE BURRS. MOLDFLASH, PROTRUSIONS, OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15 PER SIDE.DIM MIN MAX MILLIMETERSD E1A 0.90 1.10b 0.250.50e 0.95 BSC A10.010.10c 0.100.26L 0.200.60M0 10 E 2.50 3.00__1.35 1.652.853.150.70RECOMMENDED5XSOT −553, 5 LEADCASE 463B ISSUE Cǒmm inchesǓSCALE 20:1*For additional information on our Pb −Free strategy and solderingdetails, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS3.MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISHTHICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE MATERIAL.DIM A MIN NOM MAX MIN MILLIMETERS0.500.550.600.020INCHES b 0.170.220.270.007c D 1.55 1.60 1.650.061E 1.151.20 1.250.045e 0.50 BSCL 0.100.200.300.0040.0220.0240.0090.0110.0630.0650.0470.0490.0080.012NOM MAX 1.55 1.60 1.650.0610.0630.065H E0.080.130.180.0030.0050.0070.020 BSCSOT −953CASE 527AE ISSUE E*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS3.MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THEMINIMUM THICKNESS OF THE BASE MATERIAL.4.DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.DIM MIN NOM MAX MILLIMETERS A 0.340.370.40b 0.100.150.20C 0.070.120.17D 0.95 1.00 1.05E 0.750.800.85e 0.35 BSC L 0.95 1.00 1.05H E 5X5XL20.050.100.15L3−−−−−−0.150.175 REF TOP VIEWSIDE VIEWDIMENSIONS: MILLIMETERSOUTLINE5XUDFN6, 1.45x1.0, 0.5PCASE 517AQ ISSUE ONOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.DIMENSION b APPLIES TO PLATED TERMINAL AND IS MEASURED BETWEEN 0.15 AND 0.30 mm FROM THE TERMINAL TIP .DIM MIN MAX MILLIMETERS A 0.450.55A10.000.05b 0.200.30D 1.45 BSC E 1.00 BSC e 0.50 BSC L 0.300.40L1−−−0.15DIMENSIONS: MILLIMETERS*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.MOUNTING FOOTPRINTL1DETAIL AL OPTIONAL CONSTRUCTIONSDETAIL BOPTIONALCONSTRUCTIONSA20.07 REF 6XUDFN6, 1x1, 0.35P CASE 517BX ISSUE ONOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.DIMENSION b APPLIES TO PLATEDTERMINAL AND IS MEASURED BETWEEN 0.15 AND 0.20 MM FROM TERMINAL TIP .4.PACKAGE DIMENSIONS EXCLUSIVE OF BURRS AND MOLD FLASH.6X*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*DIMENSION: MILLIMETERSRECOMMENDEDL1DETAIL ALALTERNATE TERMINALCONSTRUCTIONDETAIL BALTERNATE CONSTRUCTIONDIM MIN MAX MILLIMETERS A 0.500.65A10.000.05A30.13 REF b 0.170.23D 1.00 BSC E 1.00 BSC e 0.35L 0.200.40L1−−−0.15L3L30.260.33SEATING PLANE2XON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage may be accessed at ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.PUBLICATION ORDERING INFORMATION。
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意法半导体意法半导体 （ ST ）公司成立于 1987 年，是意大利 SGS 半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业，公司总部设在瑞士日内瓦。
公司创立目标是在亚微米时代挤身于世界一流的半导体公司之列。
新公司采纳并实施一个锐意进取的公司发展战略，将大量的资金投入到产品技术的研发活动中，与业绩优异的客户和享誉全球的学术机构建立战略联盟，在主要的经济地区建立集研发、制造和销售于一体的业务网络，力争成为世界上生产效率最高的制造公司之一。
ST 是世界上最大的半导体公司之一， 2006 年净营业收入 98.5 亿美元。
ST 还是多个领域的市场领导者，例如：据初步的工业数据显示， ST 是世界第五大半导体公司，模拟产品、模拟专用集成电路（ AASIC ）和模拟专用标准产品（ ASSP ）的销售额居市场领先水平。
ST 是第一大手机相机模块供应商和第二大分立器件供应商，第三大 NOR 闪存供应商，在汽车电子、工业用产品和无线应用领域，市场排名居第三。
ST 同时是全球第一大的机顶盒和电源管理芯片制造商。
在中国市场上， ST 是 2005 年第三大半导体供应商。
相关产品•S T7单片机•S TM8单片机•S TM32单片机•I GBT•功率放大器•L DOST7单片机ST7系列单片机的内核是一个8位CPU，CPU中具有6个内部寄存器。
ST7系列单片机内部集成低电压检测器（LVD）、看门狗、高抗干扰的电磁兼容电路。
通过编程可实现读/写保护、多种低功耗模式等，片上外设包括10位多通道A/D转换器、SCI、SPI、I2C、USB和CAN接口，还有各种8位和16位带PWM功能的定时器。
它的复位和时钟电路可以不用任何外部组件，内部的低电压检测器和一个完整的1% RC振荡器就能确保充分安全地启动单片机工作，从而是其应用成本降至最低。
ST7系列单片机都建立在一个满足通用工业标准的8位CPU之上，具有增强的指令集。
ST7系列的闪存具有可逐字节在线编程和在应用中编程的功能。
ST7系列单片机有等待、慢速、暂停、掉电等多种低功耗工作模式。
ST7单片机最新报价产品型号产品描述价格($)ST72F60K1U1TR MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 40-QFN 0.776ST72F60K1U1TR MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 40-QFN 1.903ST7FLITES5Y0M6 MCU 8BIT 1K FLASH 16SOIC 1.452ST72F60E1M1 MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 24SOIC 1.848ST72F63BD6U1TR MCU 8BIT LS USB 32KB FLSH 40-QFN 2.213ST72F63BD6U1TR MCU 8BIT LS USB 32KB FLSH 40-QFN 3.967ST7FLIT19BY1B6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 16DIP 2.555ST7FLIT19BF1M6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 20SOIC 2.705ST7FLIT19BF1B6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 20DIP 2.553ST7FLITE15F1M6 MCU 8BIT 4K FLASH 20SOIC 2.477ST7FLITE20F2B6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20DIP 3.103ST7FLITE19F1M6 IC MCU 8BIT 4K 20-SOIC 3.19ST72F324LJ2T5 IC MCU 8BIT 8K FLASH 44-LQFP 2.652ST7FLITE25F2B6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20DIP 2.867ST72F324BJ2T6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 44-LQFP 2.918ST72F262G1M6 MCU 8BIT 4KB FLASH 28-SOIC 3.229 ST72F324BK2T3 IC MCU 8BIT 8K FLASH 32-LQFP 3.384 ST7FLITE29F2M6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20SOIC 3.133 ST72F324J2T6 MCU 8BIT 8K FLASH 5V 44TQFP 3.056 ST72F260G1M6 MCU 8BIT 4K FLASH ICP 28SOIC 3.282 ST72F324BK4T3 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