二极管及其应用电路--笔记整理
二极管的基本知识点总结
二极管的基本知识点总结一、基本概念1. 什么是二极管二极管是一种由半导体材料制成的电子器件，它由P型半导体和N型半导体组成。
二极管具有正向导通和反向截止的特性，可以用来控制电流的流动。
2. 二极管的符号二极管的符号是一个三角形和一个带箭头的直线组成的图形，三角形代表P型半导体，箭头代表电流方向，直线代表N型半导体。
3. 二极管的工作原理二极管的工作原理主要基于PN结的特性。
当二极管处于正向偏置状态时，电子从N区域向P区域流动，空穴从P区域向N区域流动，形成电流，使二极管导通；当二极管处于反向偏置状态时，电子和空穴被PN结内的电场阻挡，导致电流无法通过，使二极管截止。
二、结构和特性1. 二极管的结构二极管的结构一般由P型半导体和N型半导体组成，通过扩散、合金和外加金属等工艺加工而成。
二极管的外部通常包裹着玻璃或者塑料等绝缘材料。
2. 二极管的特性二极管具有正向导通和反向截止的特性。
在正向导通状态下，二极管具有低电阻，可以导通电流；在反向截止状态下，二极管具有高电阻，不能导通电流。
3. 二极管的电压-电流特性曲线二极管的电压-电流特性曲线是指在正向偏置和反向偏置时，二极管的电压和电流之间的关系曲线。
在正向偏置状态下，二极管的电压随着电流增大而增大；在反向偏置状态下，二极管的电压非常小，电流也非常小。
三、分类和参数1. 二极管的分类根据不同的工作原理和性能要求，二极管可以分为普通二极管、肖特基二极管、肖特基二极管和肖特基二极管等多种类型。
2. 二极管的参数二极管的主要参数包括最大反向工作电压、最大正向工作电流、漏电流、正向压降、反向击穿电压等。
3. 二极管的选择在实际电路设计中，需要根据具体的要求和条件来选择适合的二极管。
例如，对于开关电路，一般会选择反向恢复二极管；对于高频电路，需要选择高频二极管。
四、应用领域1. 电源和稳压器二极管可以作为整流器，将交流电转换为直流电；也可以作为稳压二极管，用来稳定电压。
二极管应用电路，上拉电阻总结
二极管应用电路，上拉电阻总结二极管应用电路，上拉电阻总结(1)限幅电路---利用二极管单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成，将信号限定在某一范围中变化，分为单限幅和双限幅电路。
多用于信号处理电路中。
(2)箝位电路---将输出电压箝位在一定数值上。
(3)开关电路---利用二极管单向导电性以接通和断开电路，广泛用于数字电路中。
(4)整流电路---利用二极管单向导电性，将交流信号变为直流信号，广泛用于直流稳压电源中。
(5)低电压稳压电路---利用二极管导通后两端电压基本不变的特点，采用几只二极管串联，获得3V以下输出电压2、高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u 等，而去耦合电容一般比较大，是10uF或者更大3、上拉电阻总结：1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V)，这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。
2、OC门电路必须加上拉电阻，才能使用。
3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。
管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。
从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;电阻大，电流小。
从确保足够的驱动电流考虑应当足够小;电阻小，电流大。
8、上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平!电阻同时起限流作用!下拉同理!9、旁路电容：产生一个交流分路，从而消去进入易感区的那些不需要的能量。
去耦电容：提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地(他的取值大约为旁路电容的1/100到1/1000)。
(完整版)二极管7种应用电路详解
二极管7种应用电路详解之一许多初学者对二极管很“熟悉”，提起二极管的特性可以脱口而出它的单向导电特性，说到它在电路中的应用第一反应是整流，对二极管的其他特性和应用了解不多，认识上也认为掌握了二极管的单向导电特性，就能分析二极管参与的各种电路，实际上这样的想法是错误的，而且在某种程度上是害了自己，因为这种定向思维影响了对各种二极管电路工作原理的分析，许多二极管电路无法用单向导电特性来解释其工作原理。
二极管除单向导电特性外，还有许多特性，很多的电路中并不是利用单向导电特性就能分析二极管所构成电路的工作原理，而需要掌握二极管更多的特性才能正确分析这些电路，例如二极管构成的简易直流稳压电路，二极管构成的温度补偿电路等。
9.4.1 二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管简易稳压电路主要用于一些局部的直流电压供给电路中，由于电路简单，成本低，所以应用比较广泛。
二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降基本不变特性。
二极管的管压降特性：二极管导通后其管压降基本不变，对硅二极管而言这一管压降是0.6V 左右，对锗二极管而言是0.2V左右。
如图9-40所示是由普通3只二极管构成的简易直流稳压电路。
电路中的VD1、VD2和VD3是普通二极管，它们串联起来后构成一个简易直流电压稳压电路。
图9-40 3只普通二极管构成的简易直流稳压电路1．电路分析思路说明分析一个从没有见过的电路工作原理是困难的，对基础知识不全面的初学者而言就更加困难了。
关于这一电路的分析思路主要说明如下。
（1）从电路中可以看出3只二极管串联，根据串联电路特性可知，这3只二极管如果导通会同时导通，如果截止会同时截止。
（2）根据二极管是否导通的判断原则分析，在二极管的正极接有比负极高得多的电压，无论是直流还是交流的电压，此时二极管均处于导通状态。
从电路中可以看出，在VD1正极通过电阻R1接电路中的直流工作电压+V，VD3的负极接地，这样在3只串联二极管上加有足够大的正向直流电压。
二极管知识点总结
二极管知识点总结二极管通常是由PN结加上电极引线和外壳制成的，基本特性是单向导电性。
按照PN结半导体材料可以分为硅二极管和锗二极管；按照结构可以分为点接触型二极管、面接触型二极管和平面型二极管。
其中，点接触型二极管（一般为锗管）的PN结结面积很小（结电容小），因此不能通过大电流，但是高频特性很好，一般用于小功率、高频率的电路中；面接触型二极管的结面积大，能通过的电流大，但是工作频率低，一般用于整流电路；平面型二极管可以用作大功率整流管和开关管。
一、二极管主要参数1.最大整流电流：二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。
2.反向击穿电压：二极管反向击穿时的电压。
3.反向电流：二极管未击穿时的最大电流，该值越小，二极管的单向导电性越好。
4.极间电容：指PN结处的扩散电容和势垒电容。
低频电路中可以不考虑该参数，但是高频电路中必须考虑。
5.反向恢复时间：二极管从导通到截止状态需要的时间。
结电容越小，该时间越短。
6.最大功率二、二极管的作用：整流、钳位、稳压、限幅、检波、元件保护、开关等三、常用二极管类型1.齐纳二极管又称稳压二极管，顾名思义就是稳定电压的作用。
如图2所示，当Vi在一定范围内波动时，Vo的电压基本保持不变。
2.肖特基二极管（SBD）普通二极管是利用P型半导体和N型半导体接触形成PN结制成的，而肖特基二极管则是利用金属与N型半导体接触形成金属-半导体结制成的。
具有正向导通压降低（0.4V左右）、开关速度快（反向恢复时间仅为几ns）等优点，适用于高频电路中，但是由于耗尽区薄，所以反向电压较低，大多低于60V，最高约为100V，而且漏电流较大，常用于整流电路。
3、变容二极管：即结电容随电压变化的二极管，外加电压越大，结电容越小，常用于调谐、调频等电路中。
4.开关二极管：在电路中起到“开”、“关”作用的二极管，导通时间和截止时间都要比普通二极管短很多，有普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管和高反压开关二极管等。
二极管基础知识及应用电路分析
二极管基础知识及应用电路分析二极管（Diode），是一种只允许电流由单一方向流过的半导体器件。
从二极管内部PN结引出两个接线端子，当外加适当正向电压时，二极管会导通，电流从阳极流向阴极，相反，在外加适当反向电压时，二极管会截止而没有电流通过，这就是单向导电性。
它的原理图符号如下图所示：要理解二极管的单向导电特性，首先了解组成二极管的半导体材料：硅与锗。
物质是由原子组成的，而原子由原子核与电子组成，原子核带正电，电子带负电，在正常情况下，原子核与电子的带电数是一样的，由于正负抵消，整个原子呈现电中性，即对外不显电性。
通常电子以原子核为中心运动，这与太阳系中的行星绕着太阳公转一样，如下图所示：我们也常用下图描述电子与原子核之间的关系：原子核外围的电子排列是有一定的规律，我们以下面这种方式来表达。
虽然看不懂你在说什么，但好像很厉害的样子，好在我们只需要了解最外层电子数，如上图所示，最外层电子数为3材料的稳定性由最外层电子数决定，一般最外层电子数少于4时为金属性，大于4时为非金属性，最外层电子数为8时最稳定，而当最外层电子数为4时，这种材料即容易失去电子，又容易得到电子。
我们的故事就是从最外层电子数为4的材料开始的，它们通常是硅（Si）或锗（Ge），它们的原子结构如下所示：下面我们以硅材料为例进行讲解。
当一大堆的硅元素在一起生活时，由于每个硅元素的最外层电子数都是4，这种状态是很不稳定的，大家虽然财力是一样的，你不喜欢我，我也不是很瞧得起你，但既然要长久地生活在同一片天空，还是要忍辱负重形成一种相对稳定的状态。
前面我们提到最外层电子数为8是比较稳定的，于是它们商量了一下，与周围的每个人共用一个电子，这样每个硅元素的最外层电子数都最是8，达到了相对比较稳定的状态，如下图所示：其中，被两方共用的电子称为价电子，而那一对电子形成共价键连接相邻的两个原子。
如果不出意外的话，这些生活在一起的硅元素必将和平共处相安无事，直到世界的尽头，但是理想很丰满，现实是骨感的，这种共价键的连接方式不是很稳定，它对温度与光线很敏感！如下图所示，当受到温度或光线的挑拨离间时，硅元素之间的共价电子会获得足够的能量从共价键中跳出来，我们将跳出来的电子称为自由电子，而将该电子原来的位置称为空穴（也就是座位了）这些跳出的电子一旦多了起来，相应的空穴也会多起来，在外加电场或其它能源的作用下，邻近价电子就可以填补到这个空位上，而在这个价电子原来的位置上就留下新的空位，以后其它电子又可转移到这个新空位上，这样就使共价键中出现一定的电荷，如下图所示：你可以认为是自由电子移动到了A位置，也可以认为是空穴从A 位置的移动到了B位置，这种运动是相对的。
晶体二极管和三极管 桥式整流电路总结笔记
晶体二极管和三极管桥式整流电路总结笔记一、晶体二极管呀，那可是电路里的小明星呢。
就像一个超级挑剔的守门员，只允许电流从一个方向通过。
比如说手电筒里的电路，二极管就确保电流按照正确方向给灯泡供电，要是没有它，电流到处乱跑，灯泡可能就一闪一闪不正常啦。
二极管的这种单向导电性，可是整个电路正常工作的关键。
二、再说说三极管。
这玩意儿就像是一个电流的指挥官。
它能把小电流变成大电流，就好比一个小小的班长，能指挥很多士兵一样。
在收音机电路里，三极管把接收到的微弱信号放大，这样我们才能听到清晰的广播声音。
如果没有三极管，那微弱的信号根本没办法让喇叭发出正常的声音，我们听到的可能就是“嗡嗡”的杂音，多让人懊恼呀。
三、桥式整流电路呢，就像是一个交通指挥员，让电流走得规规矩矩。
它由四个二极管组成。
想象一下，这四个二极管就像十字路口的交警，各自负责一个方向的交通管制。
比如在给手机充电器供电的电路里，交流电源的电流进入桥式整流电路后，经过这四个二极管的巧妙“指挥”，就变成了直流电。
如果没有这个电路，那给手机充电可就麻烦了，手机电池可能就会被不稳定的电流搞坏，那可就糟心了。
四、晶体二极管在桥式整流电路里的角色特别重要。
它们就像拼图的关键小块。
缺少任何一个二极管，这个桥式整流的“拼图”就无法完成。
就像搭积木一样，少了一块，整个结构就不稳定了。
在一些简单的电子设备的电源电路中，如果二极管坏了，整个设备可能就无法正常工作，这就像一辆汽车没了轮胎，还怎么跑呢？五、三极管和桥式整流电路有时候也会“合作”呢。
三极管可以对经过桥式整流电路后的电流再进行处理。
这就好比一个厨师在食材（电流）经过初步处理（桥式整流）后，再进行精心烹饪（三极管放大等操作）。
在一些音频放大设备里，先经过桥式整流电路把交流变成直流，然后三极管对这个直流进行放大处理，这样才能让我们听到响亮又好听的音乐。
要是少了这个环节，那音乐就会变得又小又难听，简直是一种折磨。
六、在理解桥式整流电路的工作原理时，我们可以把电流想象成水流。
二极管及其应用知识要点
二极管应用的 内容提要一、回顾：半导体的基础知识 1．本征半导体高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。
常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。
本征半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。
自由电子和空穴是成对出现的，称为电子空穴对，它们的浓度相等。
本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大，随着温度的升高，载流子的浓度基本按指数规律增加。
但本征半导体中载流子的浓度很低，导电能力仍然很差， 2．杂质半导体(1) N 型半导体 本征半导体中，掺入微量的五价元素构成N 型半导体，N 型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴。
N 型半导体呈电中性。
(2) P 型半导体 本征半导体中，掺入微量的三价元素构成P 型半导体。
P 型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
P 型半导体呈电中性。
在杂质半导体中，多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度，掺入杂质越多，多子浓度就越大。
而少子由本征激发产生，其浓度主要取决于温度，温度越高，少子浓度越大。
1） PN 结及其特性 1．PN 结的形成在一块本征半导体上，通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体，另一边形成P 型半导体，在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层，称为PN 结。
PN 结是构成其它半导体器件的基础。
2．PN 结的单向导电性PN 结具有单向导电性。
外加正向电压时，电阻很小，正向电流是多子的扩散电流，数值很大，PN 结导通；外加反向电压时，电阻很大，反向电流是少子的漂移电流，数值很小，PN 结几乎截止。
3. PN 结的伏安特性PN 结的伏安特性： )1(TS -=U U eI I式中，U 的参考方向为P 区正，N 区负，I 的参考方向为从P 区指向N 区；I S 在数值上等于反向饱和电流；U T =KT /q ，为温度电压当量，在常温下，U T ≈26mV 。
(1) 正向特性 0>U 的部分称为正向特性，如满足U >>U T ，则TS U U e I I ≈，PN 结的正向电流I 随正向电压U 按指数规律变化。
二极管的基本知识点总结
二极管的基本知识点总结二极管是一种特殊的电子元件，它只允许电流在一个方向上流动。
它是电子学中最简单和最基础的元件之一，被广泛应用于电子设备和电路中。
本文将介绍二极管的基本知识点。
1.二极管的结构二极管有两个电极，分别是正极（阳极）和负极（阴极）。
它由一个PN结构组成，其中P代表正极性材料，N代表负极性材料。
PN结构是由掺杂不同类型的半导体材料形成的。
2.二极管的工作原理当二极管处于正向偏置时，即正极连接到P区，负极连接到N区，它表现出导电特性。
在这种情况下，电流可以沿着PN结从正极流向负极，这被称为正向电流。
当二极管处于反向偏置时，即正极连接到N区，负极连接到P区，它表现出截止特性。
在这种情况下，电流几乎无法通过二极管，这被称为反向电流。
3.二极管的特性曲线二极管的特性曲线是描述二极管电流和电压之间关系的图形。
在正向偏置下，当正向电压增加时，正向电流也随之增加，但增长速度会放缓。
在反向偏置下，当反向电压增加时，反向电流基本上保持很小，直到达到某个临界电压（称为击穿电压），此时反向电流急剧增加。
4.二极管的应用二极管有许多应用，其中最常见的是作为整流器。
由于二极管的正向导通性质，它可以将交流电信号转换为直流电。
因此，二极管常被用于电源电路中。
此外，二极管还可用于电压调节、信号检测、发光二极管（LED）等。
5.二极管的类型根据材料、封装和应用等方面的不同，二极管可以分为多种类型。
最常见的是硅二极管和锗二极管。
硅二极管具有较高的工作温度和较低的反向电流，被广泛应用于各种电子设备和电路中。
锗二极管适用于低功耗应用，但工作温度较低。
总结起来，二极管是一种基础的电子元件，具有将电流限制在一个方向上流动的特性。
它的工作原理和特性曲线表明了它在电路中的应用和功能。
了解二极管的基本知识点对于学习电子学和电路设计非常重要。
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半导体二极管及其应用电路1．半导体的特性自然界中的各种物质,按导电能力划分为:导体、绝缘体、半导体。
半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。
它具有热敏性、光敏性（当守外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化）和掺杂性(往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显变化)。
利用光敏性可制成光电二极管和光电三极管及光敏电阻;利用热敏性可制成各种热敏电阻;利用掺杂性可制成各种不同性能、不同用途的半导体器件,例如二极管、三极管、场效应管等。
2．半导体的共价键结构在电子器件中,用得最多的材料是硅和锗,硅和锗都是四价元素,最外层原子轨道上具有4个电子,称为价电子。
每个原子的4个价电子不仅受自身原子核的束缚,而且还与周围相邻的4个原子发生联系,这些价电子一方面围绕自身的原子核运动,另一方面也时常出现在相邻原子所属的轨道上。
这样,相邻的原子就被共有的价电子联系在一起,称为共价键结构。
当温度升高或受光照时,由于半导体共价键中的价电子并不像绝缘体中束缚得那样紧,价电子从外界获得一定的能量,少数价电子会挣脱共价键的束缚,成为自由电子,同时在原来共价键的相应位置上留下一个空位,这个空位称为空穴, 自由电子和空穴是成对出现的,所以称它们为电子空穴对。
在本征半导体中,电子与空穴的数量总是相等的。
我们把在热或光的作用下,本征半导体中产生电子空穴对的现象,称为本征激发,又称为热激发。
由于共价键中出现了空位,在外电场或其他能源的作用下,邻近的价电子就可填补到这个空穴上,而在这个价电子原来的位置上又留下新的空位,以后其他价电子又可转移到这个新的空位上。
为了区别于自由电子的运动,我们把这种价电子的填补运动称为空穴运动,认为空穴是一种带正电荷的载流子,它所带电荷和电子相等, 符号相反。
由此可见, 本征半导体中存在两种载流子:电子和空穴。
而金属导体中只有一种载流子——电子。
本征半导体在外电场作用下,两种载流子的运动方向相反而形成的电流方向相同。
本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
温度越高，载流子的浓度越高。
因此本征半导体的导电能力越强，温度时影响半导体性能的一个重要的外部因素。
3．杂质半导体1) N型半导体（电子半导体）：在纯净的半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷）后,就可成为N型半导体。
在这种半导体中,自由电子数远大于空穴数,导电以电子为主,故此类半导体亦称电子型半导体。
2) P型半导体（空穴半导体）：在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质,如硼（或铟）等。
硼原子只有3个价电子,它与周围硅原子组成共价键时,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空穴。
这个空穴与本征激发产生的空穴都是载流子,具有导电性能。
在P型半导体中,空穴数远远大于自由电子数,空穴为多数载流子(简称“多子”),自由电子为少数载流子(简称“少子”)。
导电以空穴为主,故此类半导体又称为空穴型半导体。
空穴得到电子带正电。
4. PN结及其单向导电特性4.1. PN 结的形成在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体。
在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层,称为空间电荷区,并产生内电场,其方向是从N区指向P区,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强,多子的扩散运动逐步减弱,直至停止,使交界面形成一个稳定的特殊的薄层,即PN结。
因为在空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层。
4.2. PN结的单向导电特性在PN结两端外加电压,称为给PN结以偏置电压。
4.2.1) PN结正向偏置：给PN结加正向偏置电压,即P区（空穴）接电源正极,N区（电子）接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏),由于外加电源产生的外电场的方向与PN结产生的内电场方向相反,削弱了内电场,使PN结变薄,有利于两区多数载流子向对方扩散,形成正向电流,此时PN结处于正向导通状态。
4.2.2) PN结反向偏置：给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P 区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏), 由于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运动。
在外电场的作用下,只有少数载流子形成的很微弱的电流,称为反向电流。
综上所述,PN结具有单向导电性,即加正向电压时导通,加反向电压时截止。
正偏时是多数载流子载流导电，反偏时是少数载流子载流导电。
所以，正偏电流大，反偏电流小，PN结显示出单向电性。
特别是要重点说明，反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。
为什么呢？大家知道PN结内部存在有一个因多数载流子相互扩散而产生的内电场，而内电场的作用方向（N—P）总是阻碍多数载流子的正向通过，所以，多数载流子正向通过PN结时就需要克服内电场的作用，需要约0.7伏的外加电压，这是PN结正向导通的门电压。
而反偏时，内电场在电源作用下会被加强也就是PN结加厚，少数载流子反向通过PN结时，内电场作用方向和少数载流子通过PN结的方向一致，也就是说此时的内电场对于少数载流子的反向通过不仅不会有阻碍作用，甚至还会有帮助作用。
这就导致了以上我们所说的结论：反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。
这个结论可以很好解释三极管在饱和状态下，集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位，集电结处于零偏置，但仍然会有较大的集电结的反向电流Ic产生。
5. 半导体二极管的结构、符号及类型5.1．结构符号：二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图5.1所示,在图5.1(b)所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。
5.2．类型5.2.1）按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。
5.2.2）按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型（PN结面积小，用于检波和变频等高频电路）、面接触型二极管（PN结面积大，用于工频大电流整流电路）、平面型二极管（用于集成电路制造工艺中，PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中）。
5.2.3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。
5.2.4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管5.2.5）按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管6. 半导体二极管的命名方法半导体器件的型号由五个部分组成,如图5.3所示。
其型号组成部分的符号及其意义如图。
如2AP9,“2”表示电极数为2,“A”表示N型锗材料,“P”表示普通管,“9”表示序号。
7. 半导体二极管的伏安特性半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。
常利用伏（电压）安（电流）特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。
若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如图5.4所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性）。
图7.0下面对二极管伏安特性曲线加以说明。
7.1. 正向特性二极管两端加正向电压时（P区接正，N区接负）,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区如图5.4中OA(OA′)段。
相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。
二极管上的电压也不会再升高了二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。
7.2. 反向特性二极管两端加上反向电压时（N区接正，P区接负）,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。
此时的电流称之为反向饱和电流I R,见图5.4中OC（OC′）段。
7.3. 反向击穿特性二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。
此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图5.4中PN结的反向击穿从机理上说分：齐纳击穿和雪崩击穿，一般对于反压小于4V的击穿称为齐纳击穿，反压大于7V的称为雪崩击穿。
7.4. 二极管的两种模型7.4.1理想模型：做开关管用7.4.2恒压降模型：二极管正偏时两端电压基本固定。
7.5. 半导体二极管的主要参数7.5.1. 最大整流电流I F ：二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
7.5.2. 最大反向工作电压 U BM：二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压U BR ，为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压U BM 一般只按反向击穿电压U BR 的一半计算。
即：正偏电流不能超I F ，反偏电压不能超U BM 。
7.5.3. 反向饱和电流 I R ：硅二极管的反向电流一半在纳安（nA）级；锗二极管在（uA）级。
7.5.4. 正向压降U F ：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。
硅二极管约为0.6~0.8V；锗二极管约为0.2~0.3V。
7.5.5. 动态电阻Rd ：反应了二极管正向特性曲线斜率的倒数。
显然，Rd与工作电流的大小有关，即：Rd=电压的变化Ud除以电流Id的变化。
7.6二极管的温度特性由于二极管的核心是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。
温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加：如硅二极管温度每增加8摄氏度，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12摄氏度，反向电流将约增加一倍。
另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1摄氏度，正向压降U F约减小2Mv,即具有负温度系数。
8. 二极管的识别方法二极管的识别很简单，小功率二极管的N 极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈（负极）标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P 极（正极）或N 极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
发光二极管的正负极判别：（1）由于发光二极管的导通电压一般为1.7V以上, 万用表R*10K档由于使用的15V电池，能把有的发光管点亮。
（2）用眼睛来观察发光二极管，可以发现内部的两个电极一大一小。
一般来说，电极较小、个头较矮的一个是发光二极管的正极，电极较大的一个是它的负极。
若是新买来脚较长的一个是正极。
9. 二极管的简易测试将指针万用表置于R×100或R×1k(Ω)档。
（R×1档电流太大,用R×10k(Ω)档电压太高,都易损坏管子）。
如图5.6所示,。
测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。