MOCVD有机金属化学气相沉积
mocvd
MOCVD概述MOCVD（金属有机化学气相沉积）是一种用于薄膜生长的化学气相沉积方法。
该方法利用金属有机化合物在高温下分解，从而在衬底表面沉积出所需的薄膜。
MOCVD在半导体材料、光电子学和纳米科技等领域广泛应用。
工艺流程MOCVD的工艺流程一般包括下述几个步骤：1.准备衬底：选择合适的衬底材料，并进行表面清洗和处理，以确保良好的薄膜生长条件。
2.载气流入：将所需的载气引入反应室，常用的载气有氢气、氩气等。
3.前体供应：将金属有机化合物的气体前体供应到反应室，通常通过气体输送系统控制前体的流量和浓度。
4.反应：在适当的温度和压力条件下，金属有机化合物分解并与衬底表面反应，形成所需的薄膜。
5.生长控制：对反应条件进行控制，如温度、压力、前体浓度等，以控制薄膜的成分、结构和生长速率。
6.结束和冷却：停止前体供应，并冷却样品，以结束薄膜的生长过程。
应用领域半导体材料生长MOCVD广泛应用于半导体材料的生长。
通过控制衬底、前体和反应条件，可以生长多种半导体材料，如GaAs、InP、GaN等。
这些材料在电子器件中具有重要的应用，如光电二极管、激光器、太阳能电池等。
光电子学由于MOCVD可以生长高质量的半导体材料薄膜，它被广泛应用于光电子学领域。
MOCVD生长的薄膜可以用于制备LED（发光二极管）和LD（激光二极管），这些器件在照明和通信等领域有重要应用。
纳米科技随着纳米科技的发展，MOCVD也发展出了纳米级的应用。
通过控制MOCVD的反应条件，可以生长纳米尺寸的量子点和超晶格结构，这些纳米结构在纳米电子学、纳米光学和生物医学等领域具有潜在应用。
优点与挑战优点1.高质量薄膜：MOCVD可以生长高质量、均匀的薄膜，具有较低的缺陷密度和较好的结晶特性。
2.选择性生长：通过调节反应条件和前体选择，可以实现对特定晶面和材料的选择性生长。
3.可扩展性：MOCVD方法可扩展到大面积、高通量的薄膜生长，适用于工业化生产。
金属有机化学气相沉积
金属有机化学气相沉积1 金属有机化学气相沉积简介金属有机化学气相沉积（MOCVD）是一种重要的化学气相沉积（CVD）技术，其主要应用于半导体器件制造中，特别是高性能晶体管制造。
MOCVD技术通过在金属有机化合物和气相反应中沉积金属材料的薄膜。
MOCVD可用于制备各种金属化合物，如III-V族化合物和II-VI族化合物。
2 MOCVD的原理在MOCVD过程中，金属有机化合物被加热并分解成金属和碳（C）。
这些金属离子与气态的反应气体（例如，含有III族元素的化合物，如氨气（NH3））在固体表面上发生反应，并在表面形成金属化合物的薄层沉积。
反应的形式如下：M(CH3)x + NH3 → MxNy + CH4 + H2其中，M表示金属，CH3表示甲基基团，NH3表示氨气，MxNy表示金属化合物，CH4表示甲烷，H2表示氢气。
在反应中，金属有机物和气体通过化学反应形成金属化合物的沉积，同时将副产物产物移除。
3 MOCVD的优点与其他金属沉积技术相比，MOCVD具有以下优点：1.高纯度：MOCVD可在高温下进行，可制备高晶格质量的金属化合物。
2.高精度：由于反应产物在较低的升温速率下形成，MOCVD生长的薄膜具有优异的表面均匀性和精度。
3.适用性广泛：MOCVD可用于制备各种金属化合物，对于不同的薄膜材料可调节金属有机物和氢气相对含量。
4 总结MOCVD是一种基于化学反应的金属化合物薄膜沉积技术，它具有高纯度、高精度和适用性广泛等优点。
MOCVD技术已经成功应用于半导体材料中，如GaAs和InP等。
随着技术的不断发展，MOCVD技术将在更广泛的领域得到应用，例如纳米材料和光电子学。
金属有机化学气相沉积法
金属有机化学气相沉积法1金属有机化学气相沉积法概述金属有机化学气相沉积法（MOCVD）是一种重要的材料制备方法，主要是通过热分解金属有机化合物，使金属原子沉积在衬底上，形成薄膜材料。
它广泛应用于半导体、光电子、涂层、生命科学等领域。
这种方法不仅可获得高纯度、高均一度的薄膜材料，而且还能够控制材料的厚度、复合度和组分等。
2MOCVD的工作原理MOCVD的工作原理是在恒流输送（CVD）反应中使用金属有机化合物作为反应原料。
这些原料在高温高压反应器中分解，生成金属原子，并与衬底表面反应，形成薄膜。
这个过程可以通过简单的反应机制来描述，如下所示：M(CH3)n+heat→M+nCH4其中，M(CH3)n为金属有机化合物，M为金属，CH4为副产物。
3MOCVD的实现条件MOCVD的实现需要一定的条件，包括反应原料、反应器、反应气氛和反应参数等。
-反应原料：MOCVD所用的反应原料，主要是金属有机化合物。
对于不同的金属有机化合物，其热分解温度、气相反应性和沉积速率等性质都不相同。
-反应器：反应器是MOCVD的核心部分，通常使用的是平板反应器或石英反应器，其主要作用是在高温下提供足够的反应物质和能量。
-反应气氛：MOCVD反应气氛通常由惰性气体和反应气体组成，如氢气、氩气和甲烷等。
氢气可使反应物分子分解，氩气可保持反应器压力不变，而甲烷则是热分解金属有机化合物的主要副产物之一。
-反应参数：MOCVD反应参数包括温度、压力、反应时间和反应原料比例等。
这些参数的选择和控制将直接影响到薄膜的质量和性能。
4MOCVD的优点和应用MOCVD有多种优点，如反应温度低、反应物质纯度高、沉积速率可控等。
此外，这种方法还能制备各种功能型薄膜，如光电薄膜、氧化物薄膜、纳米薄膜等，因此被广泛应用于微电子、纳米科技、高性能涂层及太阳能电池等领域。
5MOCVD的未来发展方向从未来发展趋势来看，MOCVD将继续向下一代器件、复合薄膜、新型能源材料和高效电子材料等方向发展。
第6章金属有机物化学气相沉积
MOCVD是利用热能来分解化合物的一种气相外 延生长方法，因此作为含有化合物半导体元素的源 材料化合物应满足以下条件：
（1）在常温左右较稳定且容易处理；
（2）反应生成的副产物不应妨碍晶体生长，不应 污染生长层；
（3）为适应气相生长，在室温左右应具有适当的 蒸气压（≥1Torr）。
MOCVD生长过程是按下列步骤进行的：
（3）晶体生长是以热分解方式进行的，是单温区外 延生长，只要将衬底温度控制到一定温度就行了， 因此便于多片和大片外延生长，有利于批量生产。
（4）对于Ⅲ－V族晶体的生长，其速率与III族源 （或V族源）的供给量成正比，因此改变输运量，就 可以大幅度地改变外延生长速度（0.05~3m/min）。
（5）源及反应产物中不含有HCl一类腐蚀性的卤化 物，因而生长设备和衬底不容易被腐蚀。
（3）易于合成和提纯。
（4）反应活性较低，不易与其它参与反应的其它 源发生预反应。
（5）毒性低。
第二节 金属有机物化学气相沉积设备
一、金属有机物化学气相沉积设备组成
MOCVD系统一般包括源气体处理系统、反应室、 尾气处理和控制系统。
1.气体处理系统
气体处理系统的功能是向反应室输送各种反应剂， 并精确控制其浓度、送入的时间和顺序以及流过反应 室的总气体流速等，以便生长特定成分与结构的外延 层。
MOCVD之所以受到人们的重视是因为它具有 下列特点：
（1）用来生长化合物晶体的各组分和掺杂剂 都是以气态通入反应室的，因此，可以通过精确控 制各种气体的流量来控制外延层的组分、导电类型、 载流子浓度、厚度等特性，可以生长薄到几个埃的 薄层和多层结构。
（2）反应室中的气体流速快，因此，在需要 改变多元化合物的成分和杂质浓度时，反应室中的 气体改变是迅速的，从而可以做到多层结构界面和 杂质分布陡峭，这对于生长异质和多层结构无疑是 个很大的优点。
2024年MOCVD设备市场前景分析
2024年MOCVD设备市场前景分析1. 引言金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术是一种重要的半导体材料制备技术，广泛应用于LED、太阳能电池、光电子器件等领域。
本文通过对MOCVD设备市场前景进行分析，旨在为相关企业和投资者提供市场参考。
2. MOCVD设备的定义与发展MOCVD设备是一种用于生长金属有机化合物气相沉积薄膜的设备，通过在高温、高压、气氛控制条件下将金属有机前驱体分解，并以化学反应来沉积材料。
MOCVD 设备的不断发展推动了光电子器件、半导体材料以及相关应用的进步。
3. MOCVD设备市场现状目前，MOCVD设备市场呈现出快速增长的态势。
LED行业的发展带动了MOCVD 设备市场的快速扩张，同时新兴领域如太阳能电池和光电子器件等的发展也对市场需求产生了积极影响。
全球范围内，亚洲地区是MOCVD设备市场规模最大的区域，其中中国是最大的市场。
4. MOCVD设备市场前景4.1 技术创新驱动市场增长MOCVD设备市场的发展主要受到技术创新的推动。
随着新材料的不断涌现以及半导体器件的不断进步，对于高质量、高效率材料的需求也在不断增加。
MOCVD设备作为关键制备工具，需要不断优化和升级以满足市场需求，并提高产能和效率。
4.2 行业竞争格局分析MOCVD设备市场竞争激烈，主要厂商包括美国的Veeco Instruments和Applied Materials，日本的Tokyo Electron等。
由于市场的高度专业性和技术要求，市场份额主要集中在少数几家大型企业。
不过，随着市场的扩大和技术的进步，新的竞争者也有可能进入市场。
4.3 市场机遇与挑战MOCVD设备市场面临着机遇和挑战并存的局面。
市场机遇主要体现在技术创新的推动下，新兴应用领域的不断发展，如显示技术、量子器件等。
然而，市场挑战也不可忽视，包括技术门槛高、成本压力大以及不断变化的市场需求等。
5. 总结MOCVD设备市场前景广阔，受新兴应用领域和技术创新的推动，市场规模不断扩大。
有机金属化学气相沉积
有机金属化学气相沉积有机金属化学气相沉积是一种重要的薄膜制备技术，广泛应用于材料科学、电子学、能源等领域。
本文将介绍有机金属化学气相沉积的原理、工艺以及应用，并探讨其优势和挑战。
一、有机金属化学气相沉积的原理有机金属化学气相沉积（MOCVD）是一种基于金属有机化合物在气相中分解产生金属原子，并在衬底表面上沉积形成薄膜的技术。
该技术主要基于金属有机化合物的热分解反应，通过控制反应条件和沉积参数，可以实现对薄膜化学组成、晶体结构和形貌的精确控制。
1. 原料选择：有机金属化合物是有机金属化学气相沉积的核心原料，其选择直接影响薄膜的化学组成和性质。
常用的有机金属化合物包括金属酮、金属醇酸盐、金属二酮盐等。
2. 反应装置：有机金属化学气相沉积通常采用流体床反应器或金属有机化合物热分解装置。
反应装置的设计要考虑到反应温度、反应气氛、反应压力等因素，以实现合适的反应条件。
3. 反应条件：反应温度和反应气氛是有机金属化学气相沉积的关键参数。
不同的金属有机化合物需要不同的反应温度和反应气氛，以实现金属有机化合物的分解和金属原子的沉积。
4. 沉积参数：沉积速率、衬底温度、衬底材料等也是有机金属化学气相沉积的重要参数。
通过调节这些参数，可以实现对薄膜厚度、晶体质量和表面形貌的控制。
三、有机金属化学气相沉积的应用有机金属化学气相沉积在材料科学、电子学和能源领域有着广泛的应用。
1. 光电器件制备：有机金属化学气相沉积可以制备各种光电器件，如LED、激光二极管、太阳能电池等。
通过调节沉积参数，可以实现不同材料的沉积，从而获得具有不同光电性能的器件。
2. 功能薄膜制备：有机金属化学气相沉积可以制备各种功能薄膜，如氧化物薄膜、氮化物薄膜等。
这些薄膜在电子器件、光学器件和传感器等领域有着重要的应用。
3. 纳米材料制备：有机金属化学气相沉积可以制备纳米材料，如纳米颗粒、纳米线等。
这些纳米材料具有特殊的物理和化学性质，在催化、传感、生物医学等领域有着广泛的应用。
氮化镓制备方法
氮化镓制备方法氮化镓（GaN）是一种具有广泛应用前景的半导体材料，其制备方法多种多样。
本文将介绍几种常见的氮化镓制备方法，包括金属有机化学气相沉积法（MOCVD）、氨气分解法、水热法、分子束外延法和氧化物法等。
一、金属有机化学气相沉积法（MOCVD）MOCVD是一种常用的氮化镓薄膜制备方法。
其工作原理是通过将金属有机化合物（如三甲基镓和五甲基氮化铝）和氨气（NH3）等反应气体在高温下进行化学反应，使金属原子和氨气反应生成氮化镓。
该方法具有成膜速度快、均匀性好等优点，适用于大面积的氮化镓薄膜制备。
二、氨气分解法氨气分解法是一种常用的氮化镓粉末制备方法。
该方法将氨气在高温下分解生成氮和氢气，再与金属镓反应生成氮化镓粉末。
这种方法可以控制氨气分解速率和反应温度，从而控制氮化镓粉末的形貌和尺寸。
氨气分解法制备的氮化镓粉末可以用于制备氮化镓陶瓷、涂层等。
三、水热法水热法是一种简单有效的氮化镓纳米材料制备方法。
该方法通过在高温和高压的水溶液中反应，将金属镓和氨气反应生成氮化镓纳米颗粒。
水热法制备的氮化镓纳米颗粒具有尺寸小、分散性好等特点，可以用于制备纳米器件和纳米材料。
四、分子束外延法分子束外延法是一种高真空条件下制备氮化镓薄膜的方法。
该方法通过在高温下使金属镓和氮气分子反应，生成氮化镓薄膜。
分子束外延法制备的氮化镓薄膜具有较高的结晶质量和较低的缺陷密度，适用于制备高性能的氮化镓器件。
五、氧化物法氧化物法是一种利用氧化镓和氨气反应生成氮化镓的方法。
该方法将氧化镓和氨气在高温下反应，生成氮化镓。
氧化物法制备的氮化镓具有较高的纯度和较好的晶体质量，适用于制备高品质的氮化镓材料。
氮化镓的制备方法多种多样，不同方法适用于不同的应用需求。
研究人员可以根据具体需求选择合适的制备方法，以获得高质量的氮化镓材料。
随着技术的不断发展，相信氮化镓的制备方法还将不断完善和创新，为其在半导体、光电子等领域的应用提供更多可能性。
MOCVD
MOCVD概述一、MOCVD的基本概述金属有机化合物气相沉积技术(MOCVD):金属有机化学气相沉积(MOCVD)又叫金属有机化学气相外延(MOVPE)，是目前应用十分广泛的气相外延生长技术。
它是马纳斯维特(Manasevit)于1968年提出来的一种制备化合物半导体薄膜单晶的方法。
80年代以来得到了迅速的发展，日益显示出在制备薄层异质材料，特别是生长量子阱和超晶格方面的优越性。
MOCVD采用Ⅲ族，Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ族，Ⅵ族元素的氢化物作为源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长Ⅲ－Ⅴ族，Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体及其多元固溶体的薄层单晶。
金属有机化合物大多是具有高蒸汽压的液体。
用氢气，氮气或惰性气体作载气，通过装有该液体的鼓泡器，将其携带与Ⅴ族，Ⅵ族的氢化物（PH3，AsH3，NH3等）混合，通入反应室。
当它们流经加热衬底表面时，就在上面发生热分解反应，并外延生成化合物晶体薄膜。
对于Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的生长，MOCVD扮演了极为重要的角色，可以说MOCVD技术推动了氮化物半导体的产业化发展。
早在1971年，Manasevit 报道了用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延GaN薄膜，由于GaN与蓝宝石衬底的晶格失配和热失配都很大，早期生长的样品表面形貌很差，外延薄膜存在裂纹，n型背底浓度通常在1018cm-3以上。
此后的十几年的时间里，对Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的研究进展不大。
直到1986年，Akasaki首先引入低温AIN作为缓冲层，用MOCVD生长得到了高质量的GaN薄膜单晶。
两步生长法即首先在较低的温度下(500～600℃)生长一层很薄的GaN或AIN作为缓冲层(buffer)，经高温退火后，再将温度升高到1000℃以上生长GaN外延层。
这种方法的实质是在外延薄膜层和大失配的衬底之间插入一层“软”的薄层，以降低界面自由能。
实验结果表明，引入低温缓冲层后，外延薄膜的表面形貌和晶体质量显著提高，材料的n型背底浓度下降两个数量级以上，并且材料的光学性能（PL）也有提高。
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原理：金属有机化学气相沉积系统（MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积（CVD)工艺，其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物，或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3，在基材substrate表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。
优缺点：MOCVD设备将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔，混合气体流经加热的衬底表面时，在衬底表面发生热分解反应，并外延生长成化合物单晶薄膜。
与其他外延生长技术相比，MOCVD技术有着如下优点：（1）用于生长化合物半导体材料的各组分和掺杂剂都是以气态的方式通入反应室，因此，可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等。
可以用于生长薄层和超薄层材料。
（2）反应室中气体流速较快。
因此，在需要改变多元化合物的组分和掺杂浓度时，可以迅速进行改变，减小记忆效应发生的可能性。
这有利于获得陡峭的界面，适于进行异质结构和超晶格、量子阱材料的生长。
（3）晶体生长是以热解化学反应的方式进行的，是单温区外延生长。
只要控制好反应源气流和温度分布的均匀性，就可以保证外延材料的均匀性。
因此，适于多片和大片的外延生长，便于工业化大批量生产。
（4）通常情况下，晶体生长速率与Ⅲ族源的流量成正比，因此，生长速率调节范围较广。
较快的生长速率适用于批量生长。
（5）使用较灵活。
原则上只要能够选择合适的原材料就可以进行包含该元素的材料的MOCVD生长。
而可供选择作为反应源的金属有机化合物种类较多，性质也有一定的差别。
（6）由于对真空度的要求较低，反应室的结构较简单。
（7）随着检测技术的发展，可以对MOCVD 的生长过程进行在位监测。
MOCVD技术的主要缺点大部分均与其所采用的反应源有关。
首先是所采用的金属有机化合物和氢化物源价格较为昂贵，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒，因此有一定的危险性，并且，反应后产物需要进行无害化处理，以避免造成环境污染。
另外，由于所采用的源中包含其他元素（如C，H等），需要对反应过程进行仔细控制以避免引入非故意掺杂的杂质。
基本结构和工作流程：通常MOCVD生长的过程可以描述如下：被精确控制流量的反应源材料在载气（通常为H2，也有的系统采用N2）的携带下被通入石英或者不锈钢的反应室，在衬底上发生表面反应后生长外延层，衬底是放置在被加热的基座上的。
在反应后残留的尾气被扫出反应室，通过去除微粒和毒性的尾气处理装置后被排出系统。
MOCVD工作原理如图所示。
图MOCVD的工作流程图
一台MOCVD生长设备可以简要地分为以下的4个部分。
（1）气体操作系统：
气体操作系统包括控制Ⅲ族金属有机源和V族氢化物源的气流及其混合物所采用的所有的阀门、泵以及各种设备和管路。
其中，最重要的是对通入反应室进行反应的原材料的量进行精确控制的部分。
主要包括对流量进行控制的质量流量控制计（MFC），对压力进行控制的压力控制器（PC）和对金属有机源实现温度控制的水浴恒温槽（Thor·mal Bath）。
（2）反应室：
反应室是MOCVD生长系统的核心组成部分，反应室的设计对生长的效果有至关重要的影响。
不同的MOCVD设备的生产厂家对反应室的设计也有所不同。
但是，最终的目的是相同的，即避免在反应室中出现离壁射流和湍流的存在，保证只存在层流，从而实现在反应室内的气流和温度的均匀分布，有利于大面积均匀生长。
（3）加热系统：
MOCVD系统中衬底的加热方式主要有三种：射频加热，红外辐射加热和电阻加热。
在射频加热方式中，石墨的基座被射频线圈通过诱导耦合加热。
这种加热形式在大型的反应室中经常采用，但是通常系统过于复杂。
为了避免系统的复杂性，在稍小的反应室中，通常采用红外辐射加热方式。
卤钨灯产生的热能被转化为红外辐射能，石墨的基座吸收这种辐射能并将其转化回热能。
在电阻加热方式中，热能是由通过金属基座中的电流流动来提供的。
（4）尾气处理系统：
由于MOCVD系统中所采用的大多数源均易燃易爆，雨其中的氢化物源又有剧毒，因此，必须对反应过后的尾气进行处理。
通常采用的处理方式是将尾气先通过微粒过滤器去除其中的微粒（如P等）后，再将其通入气体洗涤器（Scrubber）采用解毒溶液进行解毒。
另外一种解毒的方式是采用燃烧室。
在燃烧室中包括一个高温炉，可以在900～1 000℃下，将尾气中的物质进行热解和氧化，从而实现无害化。
反应生成的产物被淀积在石英管的内壁上，可以很容易去除。
主要功能和应用的范围：MOCVD主要功能在于沉积高介电常数薄膜，可随着precursor的更换，而沉积出不同种类的薄膜。
对于LED来说，LED芯片由不同半导体材料的多层次架构构成，这些材料放在一个装入金属有机化学气相沉积系统的圆形芯片上。
这个过程叫做晶体取向附生，对于决定LED 的性能特徵并因此影响白光LED的装仓至关重要。
MOCVD应用的范围有：
1、钙鈦矿氧化物如PZT、SBT、CeMnO2等；
2、铁电薄膜；
3、ZnO透明导电薄膜、用于蓝光LED的n-ZnO和p-ZnO、用于TFT的ZnO、ZnO纳米线；
4、表面声波器件SAW(如LiNbO3等、；
5、三五族化合物如GaN、GaAs基发光二极体（LED）、雷射器（LD）和探测器；
6、MEMS薄膜；
7、太阳能电池薄膜；
8、锑化物薄膜；
9、YBCO 高温超导带；
10、用于探测器的SiC、Si3N4等宽频隙光电器件
MOCVD对镀膜成分、晶相等品质容易控制，可在形状复杂的基材、衬底、上形成均匀镀膜，结构密緻，附着力良好之优点，因此MOCVD已经成为工业界主
要的镀膜技术。
MOCVD制程依用途不同，制程设备也有相异的构造和型态。
MOCVD近来也有触媒制备及改质和其他方面的应用，如制造超细晶体和控制触媒得有效深度等。
在可预见的未来里，MOCVD工艺的应用与前景是十分光明的。
MOCVD设备主要生产厂家：目前世界上MOCVD设备制造商主要有两家：德国AIXTRON公司(英国THOMAS SW AN公司已被AIXTRON公司收购)和美国VEECO公司（并购美国EMCORE 公司）。
其中AIXTRON公司（含THOMAS SWAN公司）大约占60-70%的国际市场份额，而VEECO公司占30-40%。
其他厂家主要包括日本的NIPPON Sanso和Nissin Electric等，其市场基本限于日本国内。
如，日本日亚公司和丰田合成等公司生产的GaN-MOCVD设备不在市场上销售，仅供自用；而日本SANSO公司生产的GaN-MOCVD 设备性能优良，但仅限日本市场销售。
从设备性能上来讲，日亚公司设备生产的材料质量和器件性能，要远优于AIXTRON和EMCORE 的设备。
按生产能力计算，GaN-MOCVD设备在全球市场的主要分布为：中国台湾地区48%，美国15%，日本15%，韩国11%，中国大陆7%，欧盟4%。
目前，中国尚无此类公司。
国内有外延和芯片生产企业20多家，这些企业已累计引进30多台MOCVD，总投资在4000万美元左右，主要购买德国AIXTRON和美国EMCORE两家供应商的MOCVD设备，以6片和9片机居多，每台设备的价格在70万美元到100万美元。
近期有企业引进19片和21片机，并已有企业开始装备VEECO公司生产的比较先进的24片MOCVD设备。
为了满足大规模生产的要求，MOCVD设备将向更大型化方向发展，一次生产24片2英寸外延片的设备已经有商品出售，今后将会生产更大规模的设备。
此外，面向特色应用的专用MOCVD高档设备产品的市场需求，也将有所增长。
不过这些设备一般不出售，无法从市场上买到。
效益分析:制造一台15片整机，材料费250万，加工费15万，劳务费24万，差旅费5万，办公费3万，杂费3万，共计300万（成本，人民币）。
销售按600万/台，税金51万，利润249万，每年暂按2台的销量，利润达498万。
产品的销量会随着产品的信誉度的提高而增加，该产品不仅可以在国内销售，也可以到东南亚地区销售。
技术简介：MOCVD是制备发光二极管和激光器外延片关键设备，是制备氮化镓、砷化镓、磷化铟等光电子材料和器件的主流方法。
MOCVD设备是一项集半导体材料、流体力学、化学、机械、真空、电路和自动化控制多学科于一体的大工程，需要多学科人员的协同攻关，突破衬底旋转、三层流气源输入、均匀加热装置等关键技术，开展了MOCVD生长室、原料输运系统、电路控制系统等方面的设计与研究工作，成功实现了一次生长3片2英寸衬底并具有自主知识产权的MOCVD设备生产型样机，实现了衬底机座的公转/自传可独立调节、具有低成本的新型原料配送结构等功能。
MOCVD已经在光电子材料和器件等研究和生产中得到广泛应用，市场前景广阔。