北大半导体物理讲义整理
半导体物理总结-讲义(1)
半导体物理总结-讲义(1)《半导体物理总结-讲义》是一本关于半导体物理基础知识的讲解材料，其中包括半导体的基本特性、载流子运动、PN结、场效应管等内容。
以下为该书的重点内容概述：一、半导体材料特性1. 能带结构：半导体的能带结构高于导体、低于绝缘体，因此具有介于导体和绝缘体之间的导电和绝缘特性。
2. 晶格结构：半导体具有有序、周期性的晶体结构，能够有效控制电子在晶体内的运动。
3. 掺杂：通过掺杂材料改变半导体的电子浓度，从而使其具有p型或n型半导体的特性。
二、载流子运动1. 热激发：半导体中的电子可以受到能量的激励而被激发到导带中。
热能、光能、电场或磁场都可以起到激发的作用。
2. 离子化：在电场的作用下，半导体中的电子可能与晶格原子碰撞，失去能量而被离子化。
形成的正负离子对在电场作用下会向相反方向漂移。
3. 扩散：电子或空穴在半导体中由高浓度区域向低浓度区域扩散，使浓度逐渐平均，实现电流的流动。
扩散是在没有外电场的情况下发生的。
三、PN结1. 构成：PN结由p型半导体和n型半导体组成。
2. 特性：PN结具有一定的整流特性，能够阻止电流从n型半导体流向p型半导体，但允许反向电流。
3. 工作原理：在PN结中，载流子在电场的作用下发生扩散和漂移，形成电流。
四、场效应管1. 构成：场效应管由栅、漏极和源极三部分构成。
栅极位于n型半导体上，由于n型半导体中的电子易受到电场的影响，因此在栅极上加入电信号可以控制通道的导电性。
2. 工作原理：在没有控制电压的作用下，场效应管的通道是关闭的。
当加入一定电压时，栅极上的电场可以将通道打开，使得电流得以流动。
以上为《半导体物理总结-讲义》的重点内容概述，读者可根据需要深入学习相关内容。
(完整word版)半导体物理知识点总结.doc
一、半导体物理知识大纲核心知识单元 A：半导体电子状态与能级（课程基础——掌握物理概念与物理过程、是后面知识的基础）半导体中的电子状态（第 1 章）半导体中的杂质和缺陷能级（第 2 章）核心知识单元 B：半导体载流子统计分布与输运（课程重点——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法）半导体中载流子的统计分布（第 3 章）半导体的导电性（第 4 章）非平衡载流子（第 5 章）核心知识单元 C：半导体的基本效应（物理效应与应用——掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用）半导体光学性质（第10 章）半导体热电性质（第11 章）半导体磁和压阻效应（第12 章）二、半导体物理知识点和考点总结第一章半导体中的电子状态本章各节内容提要：本章主要讨论半导体中电子的运动状态。
主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。
阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。
最后，介绍了Si、Ge 和 GaAs 的能带结构。
在 1.1 节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。
（重点掌握）在 1.2 节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。
介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。
（重点掌握）在 1.3 节，引入有效质量的概念。
讨论半导体中电子的平均速度和加速度。
（重点掌握）在1.4 节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。
（重点掌握）在 1.5 节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。
（理解即可）在 1.6 节，介绍 Si 、Ge 的能带结构。
（掌握能带结构特征）在 1.7 节，介绍Ⅲ -Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs 的能带结构。
（掌握能带结构特征）本章重难点：重点：1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点；三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。
北大半导体物理课件-第4章1-MOSFET器
加一电压。使 Q0的电力线不伸入到半导体。这
个电压就是平带电压的第二个来源VFB2，显然
它也是负的。
VFB 2
=
−
Q0 Cox
Cox
=
ε ox
dox
• MOS结构的总平带电压可表示为
VFB
= ϕms
−
Q0 COX
半导体器件物理
三、表面势和表面载流子浓度
• 规定半导体内中性 区的电势为0，半导 体与氧化物界面处 的电势为表面势
ϕs，如图所示： • ϕs大小为能带弯曲
的变化量。
半导体器件物理
• 表面电子浓度
ns
=
ni
exp(
EF − Ei表 KT
)
=
ni
exp( EF
−（Ei体 KT
−
qϕ
） s)
=
n0
exp(Βιβλιοθήκη ϕs ϕt)• 表面空穴浓度
ϕt
=
KT q
ps
=
ni
exp(
Ei表 − EF KT
)
=
ni
e
x
（ p(
Ei体
− qϕ s）−
– 硅栅 CMOS 工艺、最小线宽 1.5µm – 134,000 transistors
• 1983 - 1st CMOS DRAM • 1989 - Intel 80486DXTM
– 硅栅 CMOS 工艺、最小线宽 1.0µm – 1.2 million transistors
半导体器件物理
MOSFET发展历史
n(x) = n0 exp(ϕ (x) φt ) p(x) = p0 exp(−ϕ (x) φt )
北京大学微电子学研究所半导体物理讲义4
4.1.3 半导体中载流子的散射机制
散射是影响载流子输运能力的主要因素之一，不同的散射机制，对载 流子输运能力（迁移率）的影响显示不同的温度关系。
平均自由程（Mean free path l）和平均自由时间
载流子热运动时，发生两次散射之间所运动的平均距离（统计平均值）。 载流子在Si中的平均自由程约为1nm~1μm。设其平均自由程为1μm，则其 平均自由运动时间~1ps。
4.1.2. 载流子散射 按照固体物理理论，在理想周期势场作用下，在有效质量近 似下，电子的运动等效为载流子的自由运动。 然而，一旦严格的周期势场受到破坏，则载流子的运动将不 再是自由的了，此时，载流子的运动中会受到散射作用。 任何破坏周期势场的因素都可以引起载流子的散射作用。 正是由于散射的存在使得载流子在外场（电场）作用下加速 运动的最大速度（漂移速度）受到限制。
4.2.1. 载流子的漂移运动和漂移电流
漂移速度和漂移电流
载流子的漂移运动实际是载流子在 电场作用下经历加速、碰撞减速过 程的统计平均结果，载流子的漂移 运动将形成电流，称为漂移电流。
在热平衡情况下，电子 热运动完全随机，因而 净电流为零
4.2.1. 载流子的漂移运动和漂移电流 漂移电流和迁移率
4.2.2 载流子的电导和电阻率 欧姆定律
载流子在电场作用下的输运过程满足物理规律
j = nqμE
比较漂移电流公式与欧姆定律，得到半导体的电导率表达式：
σ = nqμ
μ
称为迁移率，对Si有
μ n = 1350 cm 2 / Vs
μ p = 480 cm 2 / Vs
电子的迁移率总是高于空穴的迁移率，后面我们将说明，其原因 是电子的有效质量总是小于空穴的有效质量。
北京大学微电子学研究所半导体物理讲义1
•基于量子力学的能带论建立，构成了固体物理学的基础。
•现代固体物理学的成熟、完善和应用，为晶体管的发明奠定 了理论基础。
北北京京大大学学 微微电电子子学学研研究究所所
2）半导体材料研究方面取得的进展，为晶体管的发明奠定了必 要的技术基础。
•黑体辐射实验与经典理论的矛盾和Plank量子论的提出； •Compton散射实验揭示了光的粒子性特征； •光电效应实验进一步促成了Einstein光量子理论的提出； •Bohr提出了关于原子结构的量子理论； •De Broglie提出的微观粒子的波粒二像性（Wave -Particle duality）理论和电子衍射实验的验证；（电子的波动性）
内容安排 第一章：引言 第二章：半导体的基本性质 第三章：平衡态半导体的物理基础 第四章：半导体中载流子的状态和运动规律 第五章：PN结 第六章：M/S与异质结 第七章：MOS结构
思考题：一个空白U盘与存满数据的U盘在质量上是否相同？
北北京京大大学学 微微电电子子学学研研究究所所
在Ge 衬 底 用 键 合 的 方 法 制 备 了1T、3R、1C
获2000年诺贝尔物理学奖
应用需求和技术发展，包括创新 性的思想共同作用的结果。
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微电子发展中的里程碑式的重大事件（3）
平面加工工艺（光刻）的发明
使集成电路技术和产业迅速发 展的关键
第一块单片集成电路， 1959， Noyce
北北京京大大学学 微微电电子子学学研研究究所所
量子力学建立的基础已经奠定，如何建立量子力学理论体系？
半导体物理_第6讲
严谨严格求实求是
物理磁阻效应 • 对于某种速度的载流子，若霍耳电场的作用与 洛仑兹力作用相抵消，则小于此速度的载流子 将沿霍耳电场方向偏转；大于此速度的载流子 将沿相反方向偏转。从而则沿外加电场方向运 动的载流子数目减少，电子率增大。
严谨严格求实求是
物理磁阻效应
• 载流子的运动方向与磁场方向及霍耳电场有关：
严谨严格求实求是
1
2
B
1
0
0
0
B 0 0 0 为零场电导率， B 为横向磁阻系数。
Z
RH 0 0 BZ H BZ
2 2 2
2
严谨严格求实求是
物理磁阻效应
严谨严格求实求是
物理磁阻效应
• 两种载流子时，即使不计入载流子速度的统计分布， 也显示出横向磁阻效应。 • 稳定时，电子和空穴在Y方向上的电流均不为0，而合 成电流仍沿外加电场方向，所以总的合成电流降低， 相当于电导率减少，电阻率增大。
• 取样品长度为l,宽度为b,厚度为d,因为 Ey=VH/b,Jx=Ix/bd ，代入公式中有，
I x Bx VH RH d VH d 有 R H＝ I x Bx
• VH称霍耳电压。测出电压，电流，磁通量及厚度， 就可得出霍耳系数
严谨严格求实求是
霍耳系数实验测量
严谨严格求实求是
两种载流子同时导电
半导体物理学
光源与照明
严谨严格求实求是
第十二章 半导体磁场影响和压阻效应
• 霍耳效应 • 磁阻效应
严谨严格求实求是
§12.1 霍耳效应
• Hall effect • 如图所示，把通过电流的半导体放在均匀磁场中，设 电场沿x方向，电场强度为Ex;磁场方向和电场垂直， 沿Z方向，磁感应强度为BZ，则将产生一个新的横向 电场Ey，此电场垂直于电场及磁场的＋y或-y方向。 这一现象称之为霍耳பைடு நூலகம்应。
半导体物理讲义
2
MOS结构的平带 电容(p型半导体)
30
3. 耗尽状态
N A q rs 0 Cs 2V s
1/ 2
p p0 N A
耗尽层近似下
31
对于耗尽状态，也可用“耗尽层近似”来处理：
qN x Vs 2 rs 0
2 A d
x 0时
相当于距离为xd的平板 电容器的单位面积电容
16
17
2. 多数载流子耗尽状态 当金属与半导体间加正电压(金属接正)时，表面势Vs为正
值，表面处能带向下弯曲； 越接近表面，费米能级离价带顶越远，价带中空穴浓度随 之降低，在靠近表面的一定区域内，价带顶位置比费米能 级低得多； 根据玻耳兹曼分布，表面处空穴浓度比体内空穴浓度低得 多，表面层的负电荷基本上等于电离受主杂质浓度。表面 层的这种状态称做耗尽。
39
5. 深耗尽状态 前面的各种状态都是空间电荷层的平衡状态，即假设金 属与半导体间所加的电压VG不变，或者变化速率很慢以至表 面空间电荷层中载流子浓度能跟上偏压VG变化的状态。 (1) 深耗尽的非平衡状态 以p型半导体为例，如在金属与半导体间加一脉冲阶跃或 高频正弦波形成的正电压： 由于空间电荷层内的少数载流子的产生速率赶不上电压 的变化，反型层来不及建立，只有靠耗尽层延伸向半导 体内深处而产生大量受主负电荷以满足电中性条件； 此时的耗尽层宽度很大，可远大于强反型的最大耗尽层 宽度，且其宽度随电压 V G 幅度的增大而增大，这种状 态称为深耗尽状态；
40
该状态是在实际中经常遇到的一种较重要的状态。例 如，用电容-时间法测量衬底中少数载流子寿命，用非平 衡电容-电压法测量杂质浓度分布剖面时，半导体表面就 处于这种状态； 该状态下 “耗尽层近似”仍适用，故耗尽状态下的公式 仍适用：
半导体物理讲义-2
半导体物理讲义-2第二部分半导体中的电子和空穴前面我们讨论了半导体能带结构的一些共同的基本特点。
不同的半导体材料．其能带结构不同，而且往往是各向异件的，即沿不同的被矢k方向，E ~ K关系不同。
由于问题复杂，虽然理论上发展了多种计算的力法．但还不能完全确定出电子的全部能态，尚需借助于实验帮助，采用理论和实验相结合的方法来确定半导体中电子的能态。
本节介绍最初测出载流子有效质量并据此推出半导体能带结构的回旋共振实验及硅和锗的能带结构。
因对大多数半导体，起作用的往往是导带底附近的电子和价带顶附近的空穴，所以只给出导带底和价带顶附近的能带结构一、k空间等能面已知，一维情况下设能带极值在k=0处，则导带底附近和价带顶附近的E ~ K关系：图极值附近E ~K 关系示意图所以，如果知道m*n和m*p ，则极值附近的能带结构便可了解。
对实标的三维晶体，以kx , ky , kz为坐标轴构成k空间，k空间任―矢量代表波矢k(kx , ky , kz) 。
其中简单情况（半导体或晶体具有各向同性时）：导带低附近E ~ K关系当E(k)为某一定值时，对应于许多组不同的(kx，ky，kz)，将这些组不同的(kx，ky，kz)连接起来构成一个封闭面，在这个面上的能量值均相等，这个面称为等能量面，简称等能面。
容易看出，上式表示的等能面是一系列半径为的球面。
图 k空间球形等能面平面示意图一般情况（半导体或晶体具有各向异性的性质）：导带低附近E ~ K关系晶体有各向异性时，E(k)与k的关系沿不同的k方向不一定相同，反映出沿不同的k 方向，电子的有效质量不一定相同，而且能带极值不一定位于k＝o处。
设导带底位于k0 ,能量为E(k0)，在晶体中选择适当的坐标轴kx , ky , kz，并令m*x , m*y , m*z分别表示沿kx , ky , kz 三个方向的导带底电子的有效质量，用泰勒级数在极值k0附近展开，略去高次项，得:注意：要具体了解这些球面或椭球面的方程，最终得出能带结构，还必须知道有效质量的值。
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第一章晶体结构晶格§1晶格相关的基本概念1.晶体：原子周期排列，有周期性的物质。
2.晶体结构：原子排列的具体形式。
3.晶格：典型单元重复排列构成晶格。
4.晶胞：重复性的周期单元。
5.晶体学晶胞：反映晶格对称性质的最小单元。
6.晶格常数：晶体学晶胞各个边的实际长度。
7.简单晶格&复式晶格：原胞中包含一个原子的为简单晶格，两个或者两个以上的称为复式晶格。
8.布拉伐格子：体现晶体周期性的格子称为布拉伐格子。
（布拉伐格子的每个格点对应一个原胞，简单晶格的晶格本身和布拉伐格子完全相同；复式晶格每种等价原子都构成和布拉伐格子相同的格子。
）9.基失：以原胞共顶点三个边做成三个矢量，α1，α2，α3，并以其中一个格点为原点，则布拉伐格子的格点可以表示为αL=L1α1 +L2α2 +L3α3 。
把α1，α2，α3 称为基矢。
10.平移对称性：整个晶体按9中定义的矢量αL 平移，晶格与自身重合，这种特性称为平移对称性。
（在晶体中，一般的物理量都具有平移对称性）11.晶向&晶向指数：参考教材。
（要理解）12.晶面&晶面指数：参考教材。
（要理解）立方晶系中，若晶向指数和晶面指数相同则互相垂直。
§2金刚石结构，类金刚石结构（闪锌矿结构）金刚石结构：金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶格，它是由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成。
常见的半导体中Ge，Si，α-Sn（灰锡）都属于这种晶格。
金刚石结构的特点：每个原子都有四个最邻近原子，它们总是处在一个正四面体的顶点上。
（每个原子所具有的最邻近原子的数目称为配位数）每两个邻近原子都沿一个<1,1,1,>方向，处于四面体顶点的两个原子连线沿一个<1,1,0>方向，四面体不共顶点两个棱中点连线沿一个<1,0,0,>方向。
金刚石结构的密排面：{1，1，1} 晶面的原子都按六方形的方式排列。
每两层{1，1，1}原子层完全相同，A B C A B C ……在这种结构中，关于任何两个相邻原子连线中点具有反演对称性。
类金刚石结构：GaAs，InSb，GaP等化合物晶体的晶格是由两种不同原子组成的面心立方晶格套构而成的，称为类金刚石结构或闪锌矿结构，显然闪锌矿不再具有反演中心。
§3共价结合§3.1晶体结合的四种基本方式1.离子结合：原子间交换电子，形成正负离子，之间相互库仑作用结合成固体。
2.共价结合：相邻原子共用电子对形成共价键。
（半导体中晶体普遍是共价结合，因此本节重点是共价结合。
）3.金属结合：价电子共有化形成负电子云，正离子浸泡在电子云中。
4.范德瓦尔结合：发生在饱和电子结构中，相互作用靠很弱的瞬时偶极矩。
§3.2成键态与反键态(以H2为例)A，B两原子相互靠近形成分子，两个价电子为A，B共有。
成键态：ψ=C(ψA+ψB) ψA ψB反键态：ψ=C’(ψA-ψB) 其中C和C’为归一常数成键态电子云集中在两原子核之间，同时受到两个原子核的库仑吸引作用，库仑能下降，故形成共价键。
反键态使能量升高△1，成键态能量下降△2且有△1 > △2，只有未成对电子才能形成共价键。
§3.3 SP3杂化（以Si为例）Si的原子组态为：(1S)2 (2S)2 (2P)6(3S)2 (3P)2稳定电子价电子由Si原子组态可知，若不改组的话只能形成2个共价键，但实际上有4个共价键，成四面体，这是因为发生了SP3杂化的缘故。
即价电子的组态发生了如下改组：(3S)2 (3P)2 →(3S1) (3Px) (3Py) (3Pz)组成了新的4个轨道态，实际上四个共价键是以S态和P态波函数线形组合为基础的，这样使得系统能量最低。
杂化的好处：①成键数增多，四个杂化态上全部是未成对电子。
②成键能力增强，电子云集中在四面体方向，电子重叠大，使能量下降更多，抵消杂化的能量，使总能量减小。
§4 晶格缺陷晶格缺陷分3类：●点缺陷：间隙原子和空位。
●线缺陷：位错。
●面缺陷：层错。
点缺陷的类型：●弗兰克尔缺陷：原子热运动，少量原子离开格点位置进入间隙形成空位间隙原子对。
●肖特基缺陷：单一空位的缺陷。
●反肖特基缺陷：单一缺陷原子的缺陷。
第二章 半导体中的电子状态§1 半导体基本能带§1.1布洛赫波在晶体的周期场中，电子波函数的形式为ψk (r )=e i kr μk (r ) ，其中μk (r )= μk (r+αL )其中k 称为简约波束，有波束的量纲，但要在一简约范围内取值。
k 与动量类似，在跃迁过程中守衡，且有外F dtd k= ，故称为准动量。
在晶体中k 取值在一定范围内，这范围称为简约布里渊区，下面以一维为例加以证明。
设晶格周期为α ∵μk (x) = μk (x + n α)∴ψk (x +α) = e ik α·e ikx ·μk (x + n α)= e ik α[e ikx ·μk (x)] =e ik αψk (x)其中e ik α表示相邻原胞之间波函数位相差，因此-π≤k α≤π，三维情形，α1，α2，α3三个基矢有ψk (r +αn )= e i k αn ψk (r ) ，其中n=1，2，3。
定义矢量b 1，b 2，b 3分别等于321213321132321321222αααααb αααααb αααααb ⨯⋅⨯=⨯⋅⨯=⨯⋅⨯=πππ则有αi b j =2πδij （δij 函数表示，当i=j 时为1，不等为0）故称b 1，b 2，b 3为倒矢量，以b 1，b 2，b 3为基矢组成晶格，称为倒格子。
这样定义下有倒格子原胞的体积于原晶格原胞的体积相乘之积为常数(2π)3用K n=n 1b 1+n 2b 2+n 3b 3表示倒格矢，则k 和k +K n 表示相同状态。
因此简约布里渊区也称作不相差任何倒矢量，位相变化单值完备的区域。
对于金刚石结构的面心立方晶格，倒格子为体心立方，通常取倒格子中k =0原点做次近邻，近邻中垂面围成的区域，它称为维格纳—塞兹原胞。
§1.2 周期性边界条件由于实际晶体包含的原子是有限的，故每个能带所包含的状态数是有限的，又由于边界条件的差异对大块晶体性质并无本质影响，故引入周期性边界条件来计算k 空间的取值密度。
一维：设一维晶格总长度L=N α （N 为包含原胞总数） 周期性边界条件为：ψk (0) = ψk (L) = ψk (N α) ψk (0) = μk (0) ψk (N α) = e ikN αμk (N α) = e ikN αμk (0) 所以得到e ikN α = 1 故有kN α = 2n π ( n 为整数)因此k 的可取值为k=（2n π）/N α , 取值密度g k = N α/2π =L/2π对一维，简约布里渊区长度为2π/α，因此布里渊区内包含的状态数为（2π/α）·（L/2π）= L/α = N 正好等于原胞数N所以k 空间的取值密度也可以用原胞总数除以布里渊区长度来计算（对于二维则除以布里渊区面积，三维除以布里渊区体积） 三维：对于三维可以类似地求得k 空间的状态密度 g k =(N 1α1·N 2α2·N 3α3)/(2π)3 （N 1，N 2，N 3表示三个维度上的原胞数）显然，用倒格子原胞的体积 (2π)3/Ω乘以k 空间的密度g k 得到k 空间的状态数为N 1·N 2·N 3，仍等于晶体所包含的原胞总数。
*注：上面公式中Ω表示实际晶体原胞体积，有Ω=α1·α2·α3§2 电子准经典运动§2.1 电子准经典运动的两个基本公式① 外F Pk ==dtd dt d②1=V ▽k E (k )§2.2 加速度和有效质量三维：)()(1))(1(2k k k k k V E F E d d d d t t ∇∇⋅=∇=写成张量形式：⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂==222222222222211,)1(zyz x z zy y xy z x yx x t EE E E EEE EE m m d d k k k kk k k k k k k k k k k F V 其中 1/m 可对角化，因此可以写成αααm d d t ⋅⎪⎪⎭⎫⎝⎛=V F{}⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂∂∂∂∂=222222222*0000z yxE EE m k k k 称为有效质量张量 对于能带底（E k 最小处） 00=⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂k k E 设k 0 = 0 在k = 0处泰勒展开有：()())(2)(21*2*2*2202222222220zz y y x xz zy y x x m m m E E E E E E k k k k k k k k k k k k +++=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂+∂∂+∂∂+= ∵最小值处0022>⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂k k E ∴ m x ，m y ，m z 均为正值，在满足上面抛物线性关系的能量范围内，有效质量各个分量可以看作常数，对立方对称性晶体m x = m y = m z = m ，可以写成：mE E 2)()(220k k k +=同理对于能带顶有：mE E 2)()(220k k k +=，此时m 为负值。
§3 导带的电子和空穴§3.1 基本原理1. 满带中电子不导电，未填满能带在有外加场时产生电流。
2. 绝缘体和半导体只有一系列满带和一系列空带，不存在半满带，最上面的满带叫价带，最下面的空带叫导带。
导带底与价带顶之间的能量间隙称为禁带(也叫能隙)，禁带宽度用Eg 表示。
可以用两条线代表导带底，和价带顶；能量值分别用E C 和E V 表示。
导带底E C 价带顶E V3.绝缘体，半导体和金属：Eg在1ev附近的称为半导体，热激发时满带不满，空带不空，有一定的导电性；Eg大于10ev的称为绝缘体，电子很少激发，因而几乎不导电，而金属中则存在半满带，因此具有良好的导电性能。
4.近满带的空穴：假想的粒子，等价于2N-1个电子的总体运动。
设空穴处有电子的时候，因为满带电流为0，有J(k) + (-e)V(k) = 0其中J(k)表示2N-1个电子的总电流推出2N-1个电子的总电流J(k) = e V(k)说明2N-1个电子的总电流等效于带正电，速度为V(k)的粒子又因为()*e*ee*2mmddmddttEEFkJv-=-==故而由于空穴出现在价带顶，m*<0,故引入空穴有效质量m h* =|m*|为正，综上，把空穴等价成一个正电荷，正有效质量的粒子。