薄膜材料制备原理、技术及应用知识点
薄膜的工艺原理
薄膜的工艺原理薄膜工艺是一种制备薄膜材料的技术方法，通过将材料沉积在基底上形成薄膜。
这种技术广泛应用于电子器件、光学器件、太阳能电池等领域。
薄膜工艺主要包括物理蒸发、化学气相沉积、溅射和激光热解等几种不同的方法。
本文将详细介绍薄膜工艺的原理及其应用。
首先，物理蒸发是一种将材料以气态形式沉积在基底上的方法。
这种方法通常利用电子束蒸发、磁控溅射或激光蒸发等方式将材料加热到高温，使其形成气态，并在真空环境中使其沉积在基底上。
由于物理蒸发过程中材料处于高能态，因此薄膜具有高纯度、致密的特点。
物理蒸发除了可以制备金属薄膜外，还可以制备氧化物薄膜、硫化物薄膜等。
其次，化学气相沉积是一种将气态试剂在基底上发生化学反应生成薄膜的方法。
化学气相沉积通常利用载气将气态试剂输送到基底上，并在基底表面发生化学反应，形成所需的薄膜。
化学气相沉积可以制备多种薄膜材料，如金属薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜等。
化学气相沉积具有高生长速率、较好的均匀性和良好的控制性能。
再次，溅射是一种利用离子轰击的方法使材料从靶点上剥离并沉积在基底上的方法。
溅射可以通过直流溅射、射频溅射或磁控溅射等方式进行。
在溅射过程中，离子轰击靶材使其失去原子，这些原子以高能态迅速扩散并沉积在基底上。
通过调整溅射过程中离子轰击能量和靶材的成分，可以得到所需的材料薄膜。
溅射可以制备金属薄膜、合金薄膜、氧化物薄膜等。
最后，激光热解是一种利用激光照射材料使其发生热解反应并沉积在基底上的方法。
激光热解可以通过激光脉冲击穿材料表面，产生高能态的离子和原子，然后沉积在基底上。
激光热解具有高分辨率、高制备速率和良好的控制性能。
激光热解可以制备金属薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜等。
薄膜工艺在很多领域都有广泛应用。
在电子器件制备中，薄膜可以用于制备电极、蓄电池、显示器件等。
在光学器件制备中，薄膜可以用于制备反射镜、透镜、滤光片等。
在太阳能电池制备中，薄膜可以用于制备光伏层和透明导电层。
光学薄膜的制备及其在光学器件中的应用
光学薄膜的制备及其在光学器件中的应用光学薄膜是一种通过在透明基材上沉积一层或几层具有特定光学性能的材料来实现特定光学功能的技术。
光学薄膜广泛应用在各种光学器件中，如激光器、太阳能电池、液晶显示器等。
在本文中，我们将重点介绍光学薄膜的制备及其在光学器件中的应用。
一、光学薄膜的制备1. 干蒸发法干蒸发法是一种最常用的光学薄膜制备方法。
其原理是将材料加热至高温，使其蒸发并沉积在基材表面。
通常使用电子束蒸发、电弧蒸发和反应式磁控溅射等技术进行干蒸发。
2. 溶液法溶液法是利用金属盐或有机化合物在溶液中形成溶液，再将溶液加热蒸发并沉积在基材表面。
溶液法具有制备大面积、均匀薄膜的优点，但需要严格控制溶液成分和工艺条件。
3. 离子束沉积法离子束沉积法是一种通过将高能离子轰击材料表面而产生剥离原子或分子，从而形成薄膜的方法。
离子束沉积法可以制备高质量的多层膜结构，但需要较高的成本和复杂的工艺条件。
二、光学薄膜在光学器件中的应用1. 激光器光学薄膜在激光器中广泛应用，其中最常见的应用是激光膜。
激光膜是一种具有高反射率、高透过率和低损耗的膜，通常由金属、二氧化硅或氮化硅等材料制成。
激光膜可以将激光束反射或透过，使激光束得到增强或衰减，并被广泛应用于激光器的共振镜、输出镜和半导体激光器的腔体镜等部件。
2. 太阳能电池太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的器件，光学薄膜在太阳能电池中扮演着控制入射光谱和增强光子吸收的重要角色。
通过制备适合的光学薄膜，可以增强太阳能电池对光子的吸收率和光电转换效率，从而提高太阳能电池的性能。
3. 液晶显示器液晶显示器是一种利用液晶材料控制光的传输和反射来显示图像的器件，光学薄膜在液晶显示器中扮演着控制光的偏振和传输的重要角色。
制备具有特定光学性能的光学薄膜可以优化液晶显示器对光的控制，从而提高显示器的图像质量和亮度。
结语光学薄膜制备技术和应用在现代光电器件中起着重要的作用。
通过制备具有特定光学性能的光学薄膜，可以优化光学器件的性能和功能，从而促进光电技术的发展。
材料的薄膜制备和应用
材料的薄膜制备和应用材料薄膜制备的意义材料的薄膜制备是一种重要的材料制备方法，其可以将材料压制成薄膜状，从而改变其物理和化学性质，拓展了材料的应用领域。
相较于传统的材料制备方法，薄膜制备具有以下优势：首先，薄膜制备可以在材料的表面形成光滑均匀的薄膜层，提升材料的光学和电学性能；其次，薄膜制备可以增加材料的界面积，提高材料的化学反应速率，对于某些催化和电化学反应具有重要意义；此外，薄膜制备还可以改变材料的结晶状态，进一步调控材料的力学性能和表面形貌。
薄膜制备的方法薄膜制备的方法多种多样，常见的方法包括物理气相沉积、化学气相沉积、溶液法、磁控溅射、蒸镀等。
下面将分别介绍这些方法的原理和特点：1. 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）物理气相沉积是一种通过物理蒸发、溅射或其它物理手段将材料沉积在基底表面的方法。
其主要特点是沉积的薄膜具有很高的致密性和良好的附着力，适用于制备金属、合金和无机材料等。
2. 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）化学气相沉积是一种以气体为原料，在高温下通过化学反应使原料气体中的成分沉积在基底表面上的方法。
其主要特点是可以制备高质量、纯度高的薄膜，适用于制备金刚石、二维材料和功能性薄膜等。
3. 溶液法（Solution Method）溶液法是一种将材料以溶液的形式制备成薄膜的方法。
其主要特点是制备过程简单、成本较低，适用于大面积、柔性、光电和光伏等领域的应用。
4. 磁控溅射（Magnetron Sputtering）磁控溅射是一种利用高速离子轰击靶材，使靶材表面原子离解并沉积到基底表面的方法。
其主要特点是可以制备薄膜的成分和结构易调控，适用于制备金属、合金和氧化物等。
5. 蒸镀（Vacuum Evaporation）蒸镀是一种通过将材料加热至蒸发温度，并在真空中使其凝聚在基底表面上的方法。
其主要特点是制备过程简单、可扩展性强，适用于制备金属、氧化物和有机材料等。
薄膜材料的制备及其应用
薄膜材料的制备及其应用一、薄膜材料的基本概念和制备方法薄膜是指宽度很小，但厚度相对较薄的材料。
薄膜材料由于具有在空间限制下的卓越性质，被广泛应用于化学、生物、光电等领域。
常见的薄膜材料有聚合物、金属、陶瓷、玻璃等。
1.基于聚合物的薄膜制备方法聚合物薄膜制备方法包括溶液浇铸、界面聚合、自组装、化学气相沉积等多种技术。
其中，溶液浇铸法是最为普遍的一种方法，即将聚合物分散于溶剂中，通过蒸发-干燥过程制备膜材料。
2.基于金属的薄膜制备方法金属薄膜制备方法主要包括物理气相沉积、化学气相沉积、物理溅射和热蒸发等技术。
其中，物理气相沉积法是最常用的一种方法，依靠金属的高温蒸发和沉积，形成薄膜材料。
3.基于陶瓷的薄膜制备方法陶瓷薄膜材料的制备采用包括溶胶-凝胶法、物理气相沉积、离子束沉积和磁控溅射等多种技术。
其中，溶胶-凝胶法是一种低温制备技术，制备出的膜材料具有良好的化学稳定性和高纯度。
二、薄膜材料的应用1.生物医学领域在生物医学领域，薄膜被广泛应用于药物递送、人工器官、组织工程等方面。
聚合物薄膜材料具有良好的生物相容性和生物可降解性，广泛用于药物递送系统和组织工程中。
金属薄膜由于其良好的导电性能，可用于人体电刺激和成像等领域。
2.能源领域薄膜在太阳能电池、燃料电池、半导体器件等领域也有着重要的应用。
例如，聚合物薄膜用于太阳能电池、金属薄膜用于燃料电池、氧化物薄膜用于半导体领域。
3.环境领域薄膜在环境领域的应用主要包括水处理、气体净化、油污处理等方面。
例如，纳米复合薄膜用于水处理，可有效过滤掉微小颗粒和化学污染物；纳米多孔结构薄膜用于气体净化，可去除有害氧化物和有机物质；陶瓷薄膜用于油污处理，可高效分离和去除油污。
三、薄膜材料的发展趋势1.可持续、环保的材料未来薄膜材料的制备趋势是转向可持续、环保的材料。
例如，生物可降解聚合物薄膜可以在使用后被自然分解，减少环境影响。
2.多功能化材料未来的薄膜材料也将具备多种功能，例如，与生物组织相容、导电、光学响应等。
薄膜材料的制备及其应用
薄膜材料的制备及其应用薄膜材料是一种非常重要的材料，在形态和用途上都非常广泛。
与传统的块材料不同，薄膜材料可以制备成各种形状和大小，非常适合各种特殊需求的场合。
薄膜材料的制备技术也变得越来越成熟和多样化，能够满足不同领域的需求。
本文将从薄膜材料的制备和应用两个方面阐述其重要性。
一、薄膜材料的制备方法薄膜制备的方法有很多，可以根据需要选择不同的方法。
其中一些主要的方法有：1. 溅射法。
该方法是一种常见的薄膜制备方法，依靠高温下的原子或离子的加速碰撞使得物质凝聚在样品表面上，形成一层薄膜。
2. 化学气相沉积法。
该方法利用气相反应，使物质沉积在样品表面上，也是一种经常使用的薄膜制备方法。
3. 溶液法。
该方法利用一定的溶剂将物质溶解，然后通过各种方式沉积在样品表面上，也是一种略微便宜的方法。
薄膜材料的制备方法可以根据具体情况进行选择。
例如，需要制备高质量的薄膜材料，则溅射法和化学气相沉积法更适用，对薄膜材料的结晶质量有更高的要求。
需要大规模制备时，则可以使用溶液法，因为溶液法的成本相对较低。
二、薄膜材料的应用薄膜材料在很多领域都有广泛的应用，其中一些主要的领域有：1. 太阳能电池。
薄膜太阳能电池相对于其他太阳能电池的优势在于其更低的制造成本和更低的重量。
这就是为什么薄膜太阳能电池在过去几年里变得越来越流行的原因。
2. 光电显示器。
我们的笔记本电脑和手机等电子产品中使用的另一个薄膜材料是透明电极。
这种材料可以被施加电压来产生电子，从而控制光的透过。
3. 薄膜防护层。
薄膜材料不仅可以用来制造电子产品，还可以用来保护它们。
例如，我们可以使用一层防护膜来保护手机或平板电脑的屏幕免受划伤或破碎。
4. 超级电容器。
超级电容器是利用电容器原理储存电能的装置，其制作的核心就是薄膜电极。
使用薄膜电极具有较大的表面积，从而增加了超级电容器储存电能的能力。
总的来说，薄膜材料在现代科技领域的应用非常广泛，其制备方法也越来越成熟。
薄膜材料制备原理、技术及应用
薄膜材料制备原理、技术及应用薄膜材料是在基材上形成的一层薄膜状的材料，通常厚度在几纳米到几十微米之间。
它具有重量轻、柔韧性好、透明度高等特点，广泛应用于电子、光学、能源、医疗等领域。
薄膜材料制备的原理主要涉及物理蒸发、溅射、化学气相沉积等方法。
其中，物理蒸发是指将所需材料制成块状或颗粒状，利用高温或电子束加热，使材料从固态直接转变为蒸汽态，并在基材上沉积形成薄膜。
溅射是将材料制成靶材，用惰性气体或者稀释气体作为工作气体，在高电压的作用下进行放电，将靶材表面的原子或分子溅射到基材上形成薄膜。
化学气相沉积是指在一定条件下，将气态前体分子引入反应室，通过化学反应沉积到基材上，形成薄膜。
薄膜材料制备技术不仅包括上述原理所述的基本制备方法，还涉及到不同材料、薄膜厚度、表面质量等方面的特定要求。
例如，为了提高薄膜的品质和厚度均匀性，可采用多台蒸发源同时蒸发的方法，或者通过旋涂、喷涂等方法使得所需薄膜材料均匀地覆盖在基材上。
此外，为了实现特定功能，还可以通过控制制备条件、改变材料组成等手段来改变薄膜的特性。
薄膜材料具有多种应用领域。
在电子领域，薄膜材料可以用于制作集成电路的介质层、金属电极与基板之间的隔离层等。
在光学领域，薄膜材料可以用于制作光学滤波器、反射镜、透明导电膜等。
在能源领域，薄膜材料在太阳能电池、锂离子电池等器件中扮演重要角色。
在医疗领域，薄膜材料可以用于制作人工器官、医用伽马射线屏蔽材料等。
此外，薄膜材料还应用于防腐蚀涂料、食品包装、气体分离等领域。
虽然薄膜材料制备技术已经相对成熟，但是其制备过程中仍然存在一些挑战。
例如，薄膜厚度均匀性、结晶性能、粘附性能等方面的要求十分严格，制备过程中需要控制温度、压力、物质流动等多个参数的影响，以确保薄膜的质量。
此外，部分薄膜材料的制备成本相对较高，制约了其在大规模应用中的推广。
总的来说，薄膜材料制备原理、技术及其应用具有重要的实际意义。
通过不断改进制备技术，提高薄膜材料的制备效率和质量，将有助于推动薄膜材料在各个领域的更广泛应用。
薄膜生产工艺(3篇)
第1篇一、引言薄膜是一种具有特殊结构和功能的材料，广泛应用于电子、光学、能源、包装、建筑等领域。
薄膜生产工艺是指将高分子材料通过一定的加工方法制备成薄膜的过程。
本文将从薄膜生产工艺的原理、分类、设备、工艺流程等方面进行详细介绍。
二、薄膜生产工艺原理薄膜生产工艺的基本原理是将高分子材料通过加热、熔融、拉伸、冷却等过程，使其分子链在分子间力作用下重新排列，形成具有一定厚度的薄膜。
以下是几种常见的薄膜生产工艺原理：1. 流延法：将高分子材料熔融后，通过一定的速度和压力，使其在流动状态下形成薄膜，然后冷却固化。
2. 挤压法：将高分子材料熔融后，通过挤压机将其挤出成薄膜，然后冷却固化。
3. 喷涂法：将高分子材料溶解或熔融后，通过喷枪将其喷涂在基材上，形成薄膜。
4. 真空镀膜法：将高分子材料在真空条件下蒸发或溅射，形成薄膜。
5. 离子镀膜法：利用高能离子束轰击高分子材料表面，使其蒸发或溅射，形成薄膜。
三、薄膜生产工艺分类根据高分子材料种类、加工方法、用途等因素，薄膜生产工艺可分为以下几类：1. 按高分子材料种类分类：聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚氯乙烯（PVC）、聚酯（PET）、聚偏氟乙烯（PVDF）等。
2. 按加工方法分类：流延法、挤压法、喷涂法、真空镀膜法、离子镀膜法等。
3. 按用途分类：电子薄膜、光学薄膜、能源薄膜、包装薄膜、建筑薄膜等。
四、薄膜生产工艺设备薄膜生产工艺所需设备主要包括：1. 熔融设备：如挤出机、流延机、熔融挤出机等。
2. 冷却设备：如冷却辊、冷却水槽、冷却风等。
3. 拉伸设备：如拉伸机、拉伸辊等。
4. 收卷设备：如收卷机、收卷辊等。
5. 辅助设备：如预热装置、输送装置、切割装置等。
五、薄膜生产工艺流程以下是常见的薄膜生产工艺流程：1. 原料准备：根据所需薄膜的规格、性能要求，选择合适的高分子材料。
2. 熔融：将高分子材料加热至熔融状态。
3. 流延/挤压：将熔融的高分子材料通过流延机或挤压机，形成薄膜。
光学薄膜的制备与应用
光学薄膜的制备与应用光学薄膜是一种由多层透明材料构成的薄膜，经过一定的处理后，可以用于改善或增强光学系统的性能。
光学薄膜广泛应用于类似于太阳能电池板、液晶显示器、光学仪器、激光器甚至眼镜等领域中。
一、光学薄膜制备原理光学薄膜的制备原理是通过在基底材料表面上多次堆积表面具有不同反射和透射率的多层膜组成。
通常来说，这些薄膜的制备是通过爆炸式蒸发、电子束蒸发或者磁控溅射等方法完成的。
基本上，制备光学薄膜的常用材料包括非晶硅、ZnS、NaCl以及MgF2等。
这些材料根据其透明度和折射率的不同，可以用于制备反射、透明或滤波的薄膜。
二、光学薄膜对生活的应用1. 液晶显示器光学薄膜的应用之一是生产液晶显示器。
在液晶显示器里，光学薄膜的功能是通过操控各种晶体，控制不同波长的光线通过这些材料的反射率和透射率。
通常，液晶显示器会使用多层薄膜，将多种波长的光线反射或者透射至不同的颜色，并将它们分离开。
2. 光学仪器许多光学仪器也使用了光学薄膜来改善其性能。
例如，透镜和反射镜都需要具有特定的反射率或透射率，以便在透镜或反射镜上反射或透射光线。
光学薄膜可以大大提高光线的透明度和精度。
3. 太阳能电池板在太阳能电池板中，光学薄膜被用于增强电池板对太阳光谱的响应能力。
这些薄膜也可以用于反射太阳光谱的某些部分，使得电池板只接收最有效的光线。
4. 眼镜在眼镜行业，光学薄膜也正在广泛应用。
它们被用于制造具有光学透明度的镜片，让人们在环境光线变化时更加舒适。
三、光学薄膜的未来随着技术的不断发展和创新，人们已经开始尝试使用更复杂的材料来制备光学薄膜。
这些材料拥有更高的反射率和折射率，可以让光学薄膜的反应更精确、更灵活，从而将其应用在更多的领域中。
另一方面，随着人们对平面显示器和人工智能的进一步研究，光学薄膜也将发挥更加重要的作用。
例如，它们可以用于制造具有更高解析度的平面显示器和更智能的人工智能导航系统。
综上所述，光学薄膜是一种重要的技术，在多个领域都有着广泛的应用。
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薄膜材料制备原理、技术及应用知识点1一、名词解释1. 气体分子的平均自由程:自由程是指一个分子与其它分子相继两次碰撞之间，经过的直线路程。
对个别分子而言，自由程时长时短，但大量分子的自由程具有确定的统计规律。
气体分子相继两次碰撞间所走路程的平均值。
2. 物理气相沉积（PVD）：物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。
发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。
3. 化学气相沉积（CVD）：化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。
它本质上属于原子范畴的气态传质过程。
4. 等离子体鞘层电位：等离子区与物体表面的电位差值ΔV p即所谓的鞘层电位。
在等离子体中放入一个金属板，由于电子和离子做热运动，而电子比离子的质量小，热速度就比离子大，先到达金属板，这样金属板带上负电，板附近有一层离子，于是形成了一个小局域电场，该电场加速了离子，减速电子，最终稳定了以后，就形成了鞘层结构，该金属板稳定后具有一个电势，称为悬浮电位。
5. 溅射产额：即单位入射离子轰击靶极溅出原子的平均数，与入射离子的能量有关。
6. 自偏压效应：在射频电场起作用的同时，靶材会自动地处于一个负电位下，导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射。
7. 磁控溅射：在二极溅射中增加一个平行于靶表面的封闭磁场，借助于靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域来增强电离效率，增加离子密度和能量，从而实现高速率溅射的过程。
8. 离子镀：在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物部分离化，产生离子轰击效应，最终将蒸发物或反应物沉积在基片上。
结合蒸发与溅射两种薄膜沉积技术而发展的一种PVD方法。
9. 离化率：被离化的原子数与被蒸发气化的原子数之比称为离化率.一般离化装置的离化率仅为百分之几,离化率较高的空心阴极法也仅为20～40%10. 等离子体辅助化学气相沉积（PECVD）技术：是一种用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。
等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。
11. 外延生长：在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。
12. 薄膜附着力:薄膜对衬底的黏着能力的大小，即薄膜与衬底在化学键合力或物理咬合力作用下的结合强度。
二、填空：1、当环境中元素的分压降低到了其平衡蒸气压之下时，元素发生净蒸发。
反之，元素发生净沉积。
2、在直流放电系统中，气体放电通常要经过汤生放电阶段、辉光放电阶段和弧光放电阶段三个放电过程，其中溅射法制备薄膜主要采用辉光放电阶段所产生的大量等离子体来形成溅射。
3、溅射仅是离子轰击物体表面时发生的物理过程之一，不同能量的离子与固体表面相互作用的过程不同，不仅可以实现对物质原子的溅射，还可以在固体表面形成沉积现象和离子注入现象。
4、溅射法所采有的放电气体多为Ar气，主要原因是惰性气体做为入射离子时，物质溅射产额高，从经济方面考虑，多使用Ar做为溅射气体。
5、直流溅射要求靶材具有良好的导电性，否则靶电流过小，靶电压过高，而射频溅射方法以交流电源提供高频电场，高频电场可经由其它阻抗形式进入沉积室，不再要求电极一定是导电体，使溅射过程摆脱对靶材导电性的要求。
6、磁控溅射存在的缺点。
1微观永远大于宏观你永远大于人类今天永远大于永远■■■■■■■■纯属个人行为，仅供参考■■■■■■■■勿删■■■■■■■■■1、磁控溅射所利用的环状磁场迫使二次电子跳栏式地沿着环状磁场转圈。
相应地，环状磁场控制的区域是等离子体密度最高的部位。
在磁控溅射时，可以看见溅射气体——氩气在这部位发出强烈的淡蓝色辉光，形成一个光环。
处于光环下的靶材是被离子轰击最严重的部位，会溅射出一条环状的沟槽。
环状磁场是电子运动的轨道，环状的辉光和沟槽将其形象地表现了出来。
磁控溅射靶的溅射沟槽一旦穿透靶材，就会导致整块靶材报废，所以靶材的利用率不高，一般低于40％；2、等离子体不稳定；3、不能实现强磁性材料的低温高速溅射，因为几乎所有的磁通都通不过磁性靶子，所以在靶面附近不能加外加强磁场7、要想得到粗大甚至是单晶结构的薄膜，一个必要的条件往往是需要适当的提高沉积的温度，并降低沉积的速率。
反之，低温条件和沉积速率增加将使得薄膜组织的晶粒发生细化。
8、在薄膜沉积的最初阶段，先要有新相核心的形成。
新相的形核过程可以被分为两种类型，即自发形核与非自发形核。
自发形核指的是整个形核过程完全是在相变自由能的推动下进行的，而自发形核则指的是除了有相变自由能作推动力外，还有其它因素起着帮助新相核心生成的作用。
自发形核一般只发生在一些精心控制的过程之中，在薄膜与衬底之间浸润性较差的情况下，薄膜的形核过程可近似认为是一个自发形核过程；在大多数相变过程中，形核的过程都是非自发的，新相的核心将首先出现在那些能量比较有利的位置上。
9、薄膜在沉积过程中，原子最容易被表面能较高的表面所吸引，凝聚到非密排面上，因而在非密排晶面上，薄膜的沉积速率最高，而在其它的晶面上，薄膜的沉积速率较低。
10、外延薄膜的生长方式。
产生这两种不同生长模式的主要原因是原子在薄膜表面具有不同的扩散能力。
当原子的扩散能力较高，其平均扩散距离大于台阶的平均间距时，薄膜将采取台阶流动式的生长模式。
否则，薄膜只能采取二维形核式的生长模式。
11、金属有机化学气相沉积的优点和应用。
优点：混合后通入反应腔，混合气体流经加热的衬底表面时，在衬底表面发生热分解反应，并外延生长成化合物单晶薄膜。
与其他外延生长技术相比，MOCVD 技术有着如下优点：1用于生长化合物半导体材料的各组分和掺杂剂都是以气态的方式通入反应室，因此，可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等。
可以用于生长薄层和超薄层材料。
2反应室中气体流速较快。
因此，在需要改变多元化合物的组分和掺杂浓度时，可以迅速进行改变，减小记忆效应发生的可能性。
这有利于获得陡峭的界面，适于进行异质结构和超晶格、量子阱材料的生长。
3晶体生长是以热解化学反应的方式进行的，是单温区外延生长。
只要控制好反应源气流和温度分布的均匀性，就可以保证外延材料的均匀性。
因此，适于多片和大片的外延生长，便于工业化大批量生产。
4通常情况下，晶体生长速率与Ⅲ族源的流量成正比，因此，生长速率调节范围较广。
较快的生长速率适用于批量生长。
5使用较灵活，非常适合于生长各种异质结构材料。
原则上只要能够选择合适的原材料就可以进行包含该元素的材料的 MOCVD 生长。
而可供选择作为反应源的金属有机化合物种类较多，性质也有一定的差别。
6由于对真空度的要求较低，反应室的结构较简单。
7生长易于控制，随着检测技术的发展，可以对 MOCVD 的生长过程进行在位监测。
MOCVD 的应用范围MOCVD 主要功能在於沉积高介电常数薄膜,可随著precursor 的更换,而沉积出不同种类的薄膜.对於LED 来说,LED 晶片由不同半导体材料的多层次架构构成,这些材料放在一个装入金属有机化学气相沉积系统的圆形晶片上.这个过程叫做晶体取向附生,对於决定 LED 的性能特徵并因此影响白光 LED 的装仓 至关重要. MOCVD 应用的范围有: 1, 钙钛矿氧化物如 PZT,SBT,CeMnO2 等; 2, 铁电薄膜; 3, ZnO 透明导电薄膜,用於蓝光 LED 的 n-ZnO 和 p-ZnO,用於 TFT 的 ZnO,ZnO 纳米线; 4, 表面声波器件 SAW(如 LiNbO3 等,; 5, 三五族化合物如 GaN,GaAs 基发光二极体(LED),雷射器(LD)和探测器; 6, MEMS 薄膜; 7, 太阳能电池薄膜; 8, 锑化物薄膜; 9, YBCO 高温超导带; 10, 用於探测器的 SiC,Si3N4 等宽频隙光电器件 MOCVD 对镀膜成分,晶相等品质容易控制,可在形状复杂的基材,衬底,上形成均匀镀膜,结构密致, 附著力良好之优点,因此 MOCVD 已经成为工业界主要的镀膜技术.MOCVD 制程依用途不同,制程设备 也有相异的构造和型态.MOCVD 近来也有触媒制备及改质和其他方面的应用,如制造超细晶体和控制触 媒得有效深度等.在可预见的未来裏,MOCVD 制程的应用与前景是十分光明的.12、 分子束外延的定义和应用定义：分子束外延是一种新的晶体生长技术，简记为MBE 。
其方法是将半导体衬底放置在超高真空腔体中，和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中（也在腔体内）。
由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能在上述衬底上生长出极薄的（可薄至单原子层水平）单晶体和几种物质交替的超晶格结构。
应用：MBE 作为一种高级真空蒸发形式，因其在材料化学组分和生长速率控制等方面的优越性，非常适合于各种化合物半导体及其合金材料的同质结和异质结外延生长，并在技术半导体场效应晶体管（MESFET ）、高电子迁移率晶体管（HEMT ）、异质结构场效应晶体管(HFET)、异质结双极晶体管（HBT ）等微波、毫米波器件及电路和光电器件制备中发挥了重要作用。
近几年来，随着器件性能要求的不断提高，器件设计正向尺寸微型化、结构新颖化、空间低维化、能量量子化方向发展。
MBE 作为不可缺少的工艺和手段，正在二维电子气（2DEG ）、多量子阱（QW ）和量子线、量子点等到新型结构研究中建立奇功。
MBE 的未来发展趋势就是进一步发展和完善MEE 和GS-MBE 。
三、 分析简答1、根据流导C 、真空泵抽速Sp 的定义，分析说明实际真空系统中实际抽速S 受Sp 和C 二者较小的值所限制。
真空系统中，气体的通过能力称之为流导C, 表示气体流动的难易程度。
流导的大小随气体的流动状态和管道的形状的不同而不同。
在粘滞状态下，气体分子间的碰撞是主要的，气体的压强的作用较为有效，气体容易通过，故流导大；与此相反在分子流状态下，气体分子间的碰撞可以忽略，气体压强作用较小，所以流导小。