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哈工大模电期末考试题及答案word资料5页

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一、1、在电流控制方式上,双极型晶体管是__电流控制电流源____型,而场效应管是__电压控制电流源___型;二者比较,一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。

2、放大电路中,为了不出现失真,晶体管应工作在___放大___区,此时发射结___正偏______,集电结___反偏______。

3、负反馈能改善放大电路性能,为了提高负载能力,应采用___电压___型负反馈,如果输入为电流源信号,宜采用___并联___型负反馈。

4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。

RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中,___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。

5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。

6、下列说法正确的画√,错误的画×(1)放大电路的核心是有源器件晶体管,它能够实现能量的放大,把输入信号的能量放大为输出信号的能量,它提供了输出信号的能量。

( × )(2)共集组态基本放大电路的输入电阻高,输出电阻低,能够实现电压和电流的放大。

( × ) (3)图1所示的文氏桥振荡电路中,对于频率为012f RCπ=的信号,反馈信号U f 与输出信号U o 反相,因此在电路中引入了正反馈环节,能产生正弦波振荡。

试题:班号:姓名:二、(18分)基本放大电路及参数如图2所示,U BE=0.7V,R bb’=300Ω。

回答下列各问:(1)请问这是何种组态的基本放大电路?(共射、共集、共基)(2)计算放大电路的静态工作点。

(3)画出微变等效电路。

(4)计算该放大电路的动态参数:A,R i和R ou(5)若观察到输出信号出现了底部失真,请问应如何调整R b才能消除失真。

图2答:(1)是共射组态基本放大电路(1分)(2)静态工作点Q:Vcc=I BQ*R b+U BEQ+(1+β) I BQ*R e,即15= I BQ*200kΩ+0.7V+51* I BQ*8kΩ,∴I BQ=0.0235mA (2分)∴I CQ=βI BQ =1.175mA,(2分)∴U CEQ=V cc-I CQ*R C-I EQ*R E≈V cc-I CQ*(R C+R E)=15-1.175*10=3.25V (2分)(3)微变等效电路o(4分)(4)r be=r bb’+(1+β)U T/I EQ=0.2+51*26/1.175=1.33KΩA u=-β(R c//R L)/r be=-50*1.32/1.33=-49.6 (2分)Ri=R b//r be≈1.33KΩ; (2分)Ro≈Rc=2KΩ(2分)(5)是饱和失真,应增大R b (1分)第2 页(共8 页)试题:班号:姓名:三、(24分)回答下列各问。

哈工大模电考试题及答案

哈工大模电考试题及答案

一、 填空(16分)1、在电流控制方式上,双极型晶体管是__电流控制电流源____型,而场效应管是__电压控制电流源___型;二者比较,一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。

2、放大电路中,为了不出现失真,晶体管应工作在___放大___区,此时发射结___正偏______,集电结___反偏______。

3、负反馈能改善放大电路性能,为了提高负载能力,应采用___电压___型负反馈,如果输入为电流源信号,宜采用___并联___型负反馈。

4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。

RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中,___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。

5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。

6、下列说法正确的画√,错误的画×(1)放大电路的核心是有源器件晶体管,它能够实现能量的放大,把输入信号的能量放大为输出信号的能量,它提供了输出信号的能量。

( × )(2)共集组态基本放大电路的输入电阻高,输出电阻低,能够实现电压和电流的放大。

( × )(3)图1所示的文氏桥振荡电路中,对于频率为012f RCπ=的信号,反馈信号U f 与输出信号U o 反相,因此在电路中引入了正反馈环节,能产生正弦波振荡。

( × )第 1 页 (共 8 页)图1试 题: 班号: 姓名:二、(18分)基本放大电路及参数如图2所示,U BE =0.7V ,R bb ’=300Ω。

回答下列各问: (1) 请问这是何种组态的基本放大电路?(共射、共集、共基) (2) 计算放大电路的静态工作点。

(3) 画出微变等效电路。

(4) 计算该放大电路的动态参数:uA ,R i 和R o (5) 若观察到输出信号出现了底部失真,请问应如何调整R b 才能消除失真。

图2答:(1)是共射组态基本放大电路(1分)(2)静态工作点Q :Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ,即15= I BQ *200k Ω+0.7V+51* I BQ *8k Ω, ∴I BQ =0.0235mA (2分) ∴I CQ =βI BQ =1.175mA , (2分) ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V (2分) (3)微变等效电路o(4分)(4)r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K Ω A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6(2分) Ri=R b //r be ≈1.33K Ω; (2分) Ro ≈Rc=2K Ω(2分) (5)是饱和失真,应增大R b(1分)第 2 页 (共 8 页)试 题: 班号: 姓名:三、(24分)回答下列各问。

(完整版)哈工大模电习题册答案

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【2-1】 填空:1.本征半导体是 ,其载流子是 和 。

两种载流子的浓度 。

2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大关系。

3.漂移电流是 在 作用下形成的。

4.二极管的最主要特征是 ,与此有关的两个主要参数是 和 。

5.稳压管是利用了二极管的 特征,而制造的特殊二极管。

它工作在 。

描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是 、 、 、和 。

6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将 。

1. 完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。

2. 杂质浓度,温度。

3. 少数载流子,(内)电场力。

4. 单向导电性,正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。

5. 反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(U Z ),工作电流(I Emin ),最大管耗(P Zmax )和动态电阻(r Z )6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示,其中u i =20sinωt (mV),f =1kHz ,试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。

假设电容C 容量足够大。

-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1.静态分析静态,是指u i =0,这时u i 视作短路,C 对直流视作开路,其等效电路如图1.4.2(a)所示。

不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析,也可以根据二极管的伏安特性曲线,用图解法求解。

2.动态分析对于交流信号,直流电源和电容C 视作短路;二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内,故可用动态电阻r d 等效,且D d D1ir u ∆=∆,由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。

二极管伏安特性方程:)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ,故式1.4.1可简化为:TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3.交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4.u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。

哈工大(威海)模电习题册(一)答案

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第三章 多级放大电路一.解:(a )共射,共基 (b )共射,共射 (c )共射,共射 (d )共集,共基 (e )共源,共集 (f )共基,共集二.解:(1)R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为beWc IOd )2( r R R u u A +-=∆∆=β(2)R W 的滑动端在最右端时I beW c C2C1O IbecC2I beW c C1)2( 2 2)( u r R R u u u u r R u u r R R u ∆⋅+-=∆-∆=∆∆⋅+=∆∆⋅+-=∆βββ所以A d 的表达式为beWc IOd )2( r R R u u A +-=∆∆=β比较结果可知,两种情况下的A d 完全相等;但第二种情况下的C21C u u ∆∆>。

三.解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下:mA 517.02222e WBEQEE EQEE e EQ WEQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U + A d 和R i 分析如下:Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV26)1(W be i Wbe cd EQbb'be R r R R r R A I r r ββββ四. 解:电路的共模输入电压u I C 、差模输入电压u I d 、差模放大倍数A d 和动态电压△u O 分别为V67.0672 mV 10mV 152Id d O becd I2I1Id I2I1IC -≈=∆-≈-==-==+=u A u r R A u u u u u u β由于电路的共模放大倍数为零,故△u O 仅由差模输入电压和差模放大倍数决定。

第五章 放大电路的频率响应一.解:(1)1be b s )(π21C r R R ∥+ 。

①;①。

(2)'s b bb'e b')]([21ππC R R r r ∥∥+ ;①;①,①,③。

电工学实验_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

电工学实验_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

电工学实验_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.利用Angilent DSO-X2002A数字示波器内置的函数信号发生器产生交流正弦信号时,如果幅度选择2Vpp,偏移选择+1V,利用该数字示波器通道1观察此正弦信号,如果通道1选择交流耦合,则示波器观察到的波形最大值与最小值应为:答案:最大值+1V;最小值-1V;2.测量静态工作点时,电路中其他参数不变,减小集电极电阻RC,则集电极电压UC如何变化?答案:上升3.共射基本放大电路的输入与输出波形的相位关系为答案:反相4.反相比例运算电路实验中,交流输入信号由哪个仪器设备给出?答案:函数信号发生器5.图示所示的同相比例运算电路,如何进行修改使之成为同相电压跟随器?答案:电阻RF=0,即用一根导线替代电阻RF6.对于图示的减法运算电路,以下哪个说法是正确的?答案:ui1=1V,ui2=2V时,输出uo=5V7.一片74LS00芯片中集成了几个与非门?答案:48.8-3线译码器74LS138 ,16个引脚中1、2、3脚的功能是?答案:译码地址9.8-3线译码器74LS138 ,16个管脚中4、5、6脚的功能是?答案:复合片选端10.中规模集成计数器74LS161的预置数方式是答案:同步数据置入11.如下电路原理图实现的是什么功能?答案:十进制计数器12.三相电路实验测量电压、电流、功率使用的仪器是?()答案:三相电能及功率质量分析仪。

13.三相电能及功率质量分析仪电流钳夹的测量范围是?()答案:0-5 A14.一阶RC/RL电路暂态过程实验使用的实验仪器设备包括:()答案:Fluke 190测试仪、信号源、电阻箱模块、电容箱模块、电感箱模块;15.利用Fluke 190测试仪的示波器功能测量一阶电路时,菜单设置中“耦合”一项应设定为:()答案:直流16.进行叠加定理实验,不作用的电压源如何处理?答案:先将电压源关闭撤出电路,再将该支路用短路线代替17.图示进行的什么仪器设备的设置操作?答案:直流稳压电源正负12V双电源设置18.对于图示所示的示波器波形,请问偏移量约为多少?答案:+2V19.集成运算放大器uA741的引脚4和7为()答案:电源端20.利用函数信号发生器产生方波信号时,占空比指的是?答案:方波波形一个周期内,高电平时间占整个周期时间的百分比;21.图示中为3DG6,下列说法哪个正确?答案:3DG6按照图示方式放置,凸起端对应引脚为发射极,依次逆时针为基极和集电极;22.图示所示的电路原理图,电压放大倍数公式为()答案:Au=-RF/R123.图示所示的电路原理图中,输出电压与输入电压的关系式为?答案:u o=5(u i2-u i1)24.图示所示的电路原理图,输出与输入的电压放大倍数公式为答案:Au=1+RF/R125.对于74LS161,当计数功能选择控制端为如下哪个选项,计数器处于计数状态?答案:ENP=1;ENT=126.图示所示的实验电路,完成的是什么实验内容?答案:共射极晶体管基本放大电路27.图示所示实验电路完成的实验内容为?答案:时序逻辑电路28.图示所示的元器件属于()答案:二极管29.对于图示电路,如果实验过程中,误把D1和D0也置为0(即低电平),那么电路实现功能变为?答案:十进制计数器,显示0000-100130.实验中,集成运算放大器uA741的引脚4应当如何连接?答案:与电源模块的-12V端相连31.对于图示所示的矩形波发生电路,如何调整参数可以增大输出矩形波的周期?答案:减小R1的阻值增大R2的阻值增大电容C的容值32.对于中规模集成计数器74LS161,以下哪些选项是正确的?答案:预置数方式为同步数据置入异步复位端为低电平有效引脚9为并行输入控制端时钟动作沿是上升沿33.以下说法错误的是()答案:若负载为非对称负载,中线电压一定不为零。

哈工大(威海)模电预考核修订版

哈工大(威海)模电预考核修订版

哈工大(威海)模电预考核修订版实验一电子仪器仪表的使用1 VC9801A+万用表不具有那个测量功能?频率2 利用示波器进行测量时,触发源的触发电平应该如何调节?介于触发源对应通道波形的最大值和最小值之间3 利用示波器测量包含直流分量的交流信号,如果只希望观察交流分量,通道应选择什么耦合?交流耦合4 用万用表测量电压和电阻(除电容外)时,都应将黑表笔插入哪个插孔?Com插孔5 当遇到对被测电压没有概念时,应将量程开关旋转到哪个位置?最大量程处6 如果示波器使用CH2通道进行测量,触发源应选择为哪一个通道?CH27 利用Angilent Dso数字示波器内置的函数信号发生器产生交流正弦信号时,如果幅度选择2Vpp,偏移选择-1v,则实际波形的最大值与最小值应为最大值0v,最小值-2v8利用Angilent Dso数字示波器内置的函数信号发生器产生交流正弦信号时,如果幅度选择2Vpp,偏移选择-1v,利用该数字示波器通道1观察此正弦信号,如果通道1选择直流耦合,则示波器观察到的波形最大值与最小值应为:最大值0v,最小值-2v9 用万用表测量电阻的组织时,将红表笔插入那个插孔?VΩ插孔10 利用示波器测量包含直流分量的交流信号,既要观察直流分量,又要看到交流分量,所用通道应选择什么耦合?直流耦合实验二阻容耦合放大电路(2014/4/14至2014/4/20)1测量静态工作点时,电路中其他参数不变,减小Rb,则UC不变2本次实验交流信号源(Vpp)应选为多大合适40mv3同时用示波器观察共射基本放大电路的输入与输出波形,则触发源应选择输出信号4晶体管3DG6发射极和集电极之间的压降约为0.7V;5共射基本放大电路的输出波形同时出现饱和失真和截止失真,则其原因是输入信号偏大;6本次实验中,直流稳压电源输出的电压为(+12V)7晶体管3DG6中的G表示该晶体管为高频小功率管;8本实验测量最佳静态工作点时,UC、UB和UE按从低到高顺序依次为Ue,Ub,Uc9测量静态工作点时,电路中其他参数不变,降低电源电压,则UB下降10共射基本放大电路的输入与输出波形的相位关系为反相11测量静态工作点时,电路中其他参数不变,减小Rb,则UE 不变12本次实验基极电阻Rb应选为多大合适?几kΩ13共射基本放大电路的RC为1.5kΩ,负载为10 kΩ,则其输出电阻接近1.5 kΩ;14函数信号发生器输出为1kHz,峰峰值为30mv,偏移为15 mv 的正弦交流电压,使用万用表交直流档测量该信号时结果应为10mv;15共射基本放大电路的输出波形同时出现饱和失真和截止失真,则其原因是输入信号偏大16测量静态工作点时需调节Rb,若将整个电路在实验箱上连接完毕后用万用表测量,则Rb的测量值比实际值偏大17用万用表测量输出波形时,其测量结果与示波器的哪个测量值接近均方根值18测量静态工作电路时,降低电源电压,Uc下降19本次实验选用的3DG6为D硅NPN管20测量静态工作点时,电路中其他参数不变,降低电源电压,则UE不变21测量静态工作点时,电路中其他参数不变,降低电源电压,减小Rb,则UB上升实验三静态工作点稳定的放大电路1当去掉旁路电容Ce后,会使得放大电路的电压放大倍数|Au| B大大减小2本实验为稳定静态工作点,需引入直流负反馈,则Re阻值越大稳定Q点效果B越好;3本实验测量输出电阻时,下面哪个做法是错误的?将信号源移到输出端口4本实验测量输入电阻时,需串联一个电阻Rs,其阻值约为1kΩ;5本实验为改善放大信号波形的非线性失真程度,牺牲掉什么电压放大能力;6本实验三极管放大倍数β若变大,可能会发生哪种失真?饱和失真;7本实验为改善放大信号波形的非线性失真程度,采取了一定的措施,对Q 点的影响不变8本实验测量静态工作点时,则UB 约为9v9本实验为稳定静态工作点,需引入直流负反馈,则Re 阻值越大会使放大电路的|Au|越小10本实验为使晶体管基极电位与温度无关,需要满足:A 12(1)e b b R R R β+11本实验既要稳定静态工作点,又要有一定的电压放大能力,需要采取以下哪种措施?接旁路电容Ce实验四带通滤波器 (2014/5/26至2014/6/1)1 集成运放LM324的管脚1是输出端2集成运放LM324的管脚4是正电源端;3本次实验,集成运放LM324的供电电源采用:双电源正负12V4设中心频率f0=1KHz ,若要改变带宽fbw ,应该改变电容C 的容量5若中心频率f0=1KHz ,增益Auf=1+Rf/R1=2.5,则带宽fbw 为:500Hz ;6集成运放LM324的管脚11是:负电源端/地;7若中心频率f0=1KHz ,增益Auf=1+Rf/R1=2.9,则带宽fbw 为:100Hz ;8设中心频率f0=1KHz ,增益Auf=1+Rf/R1=2.5,输入信号为幅值为1V 的正弦波,则输出波形的最大幅值为:5;9若中心频率f0=1KHz ,C 采用陶瓷电容103,则电阻R 为:16K ;10本次实验的滤波电路要稳定,不能产生自激振荡,对增益Auf=1+Rf/R1的要求Auf 不能取为311如下图所示,哪一个管脚是1管脚左下角;12若中心频率f0=1KHz ,增益Auf=1+Rf/R1=2.5,则通带放大倍数Aup=?:5;13若中心频率f0=10KHz ,C 采用陶瓷电容104,则电阻R 为16014若中心频率f0=1KHz,增益Auf=1+Rf/R1=2,则品质因数Q 为115若中心频率f0=1KHz,增益Auf=1+Rf/R1=2.9,则品质因数Q为:516若要改变中心频率f0,不能采用改变电阻R117设中心频率f0=1KHz,若要改变带宽fbw,应该改变电阻Rf/R1的比值;实验五RC正弦波振荡(2014/6/9至2014/6/15)1在卡拉OK混音部分的参考电路中,最后的运放是什么电路反相求和电路;2本次实验,二极管1N4148的作用为稳幅作用3下图所示,哪一个管脚是1管脚?:左下角;4在卡拉OK混音部分的参考电路中,中间的两个运放是什么电路电压跟随器5集成运放LM324的管脚2是反相输入端;7在RC正弦波振荡电路中,输出信号的幅值大小与什么参数有关电阻Rf/R1的比值;8集成运放LM324的管脚1是输出端;10在RC正弦波振荡电路中,输出信号的频率大小与什么参数有关?R与C之积;11本次实验中,为使振荡电路可起振,应该有Auf大于3;12本次实验中,为使振荡电路可稳幅,Rf与R1的比值应该小于213在卡拉OK混音部分的参考电路中,最后的运放是什么电路反相求和电路14本次实验,集成运放LM324的供电电源采用双电源正负12V。

哈工大模拟电子技术基础习题册

哈工大模拟电子技术基础习题册

模拟电子技术基础习题册班级:XXXX姓名:XXXX学号:XXXXXXXXX年XXX月弟一早: 基本放大电路习题1-1填空:1 .本征半导体是纯净的晶体结构的半导体,其载流子是自由电子和空X。

载流子的浓度相等(空穴与自由电子数目相等)。

2 .在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

3 .漂移电流是少数载流子在电场力作用下形成的。

4 .二极管的最主要特征是PN结具有单向导电性,它的两个主要参数是最大整流电流和最高反向工作电压。

5 .稳压管是利用了二极管的反向击穿陡直的特征,而制造的特殊二极管。

它工作在反向击穿区。

描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是稳定工作电压、稳定工作电流、额定功率、和动态电阻。

6 .某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将升高。

7 .双极型晶体管可以分成PNP型和NPN型两种类型,它们工作时有空穴和电子两种载流子参与导电。

8 .场效应管从结构上分成结型场效应管和绝缘栅场效应管—两种类型,它的导电过程仅仅取决于多数载流子的流动;因而它又称做单极性晶体管器件。

9 •场效应管属于-----电压控制电流—控制型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电选_型器件。

10 .当温度升高时,双极性三极管的B将增大,反向饱禾口电流I CEO增大正向结压降U BE降低。

11 .用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时,测出电位最为方便。

12 .三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为发射结正偏和集电结反偏:饱和区,偏置为发射结正偏和集电结正偏;截止区,偏置为发射结反偏和发射结反偏。

13 .温度升高时,晶体管的共设输入特性曲线将左移,输出特性曲线将上移,而且输出特性曲线之间的间隔将增大。

1-2设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V,求图1-2中各电路的输出电压U O,已知稳压管的正向压降为0.7V。

哈工大模电答案 (最新详细版)

哈工大模电答案 (最新详细版)
b
b
rbe
e
c
b
c
Ui
Rb1 Rb2
Rc RL
Uo
图 2.4.5 例 2.4.3 微变等效电路




路 求 解 电 压 放 大 倍 (mV) 26 26 rbe= rbb (1 ) 300 61 1502 ; (2.4.1) I EQ (mA) 1.32 U o I c ( RC // RL ) RL 60 ; A u r U I r
人 体 电 阻
黑笔
c b e
红笔
μA

图 1.4.13 测试示意图
【3-2】 图3.11.1所示电路中,当开关分别掷在1、2、3 位置时,在哪个位置时IB最大, 在哪个位置时IB 最小?为什么?
图 3.11.1 题 3-2 电路图
[解] 当开关处于位置2 时,相当一个发射结,此时IB 最大。当开关处于位置1时,c、 e短路,相当于晶体管输入特性曲线中UCE=0V的那一条,集电极多少有一些收集载流子的作 用,基区的复合还比较大,IB次之。当开关处于位置3 时,因集电结有较大的反偏,能收集 较多的载流子,于是基区的复合减少,IB最小。 【3-3】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电位如图 3.11.2 所示,试判断晶 体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)?
正极红笔
NPN
图1.4.11 万用表等效图
图1.4.12 NPN和PNP管等效图
(1) 晶体管可视为两个背靠背连接的二极管,如图1.4.12所示。 (2) 晶体管3个区的特点:发射区杂质浓度大,基区薄且杂质浓度低,集电区杂质浓度 很低。因此,发射结正偏时,射区有大量的载流子进入基区,且在基区被复合的数 量有限,大部分被集电极所收集,所以此时的电流放大系数β大。如果把发射极和 集电极调换使用,则集电结正偏时,集电区向基区发射的载流子数量有限,在基区 被复合后能被发射极吸收的载流子比例很小,所以β反很小。 2.判断方法 (1) 先确定基极:万用表调至欧姆×100或×1k挡,随意指定一个管脚为基极,把任一 个表笔固定与之连接, 用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻。 若两次测得电阻都很大 (或 很小)。把表笔调换一下再测一次,若测得电阻都很小(或很大),则假定的管脚是基极。 若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大,为NPN型,反之为PNP型。 (2) 判断集电极: 在确定了基极和晶体管的类型之后, 可用电流放大倍数β的大小来确 定集电极和发射极。现以NPN型晶体管为例说明判断的方法。 先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起, 并用一只手的中指和姆指捏住, 红表笔与 假定的发射极接在一起,再用捏集电极的手的食指接触基极,记下表针偏转的角度,然后两 只管脚对调再测一次。这两次测量中,假设表针偏转角度大的一次是对的。这种测试的原理 如图1.4.13所示。当食指与基极连接时,通过人体电阻给基极提供一个电流IB ,经放大后有 较大的电流流过表头,使表针偏转,β大,表针偏转角度就大。因为β>>β反, 所以表针偏转 角度大的一次假设是正确的。
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10V
15V
1V
8V
3.5V
3V
2V
2V
解:
0V (a) UGS(th)=2V
0V 1V
(b) UGS(th)=-2V
(c) UGS(off)=-4V
图 4-11 题 4-11 晶体管各电极对地电压
0V (d) UGS(off)=-4V
(a)恒流区,N 沟道增强型;(b)夹断区;(c)可变电阻区;(d)恒流区。
图 4-8 题 4-8 晶体管电极电流图
【4-9】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电压如题图 4-9 所示,试判断晶 体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)?
18V
12V
12.3V
6 V +5.6V
5.3V
3V 9.3V
8.5V 图 4-9 题 4-9 晶体管对地电压
解: 晶体管从左到右,工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。
1.4mS
(b)N 沟道耗尽型 MOSFET,夹断电压UGS(off) 4V , IDSS 4mA 。
在工作点(UGS=-2V, ID=1mA)处,见图 4-10(b)。
gm=
2 IDSSID U GS(off)
=1 mS
【4-11】用万用表直流电压挡测得电路中场效应管各极对地电压如题图 4-11 所示,试判 断各场效应管分别处于哪种工作状态(可变电阻区、恒流区、截止区)?
解:
(1) 先确定基极:万用表调至电阻欧姆×100或×1k挡,随意指定一个管脚为基极,把 任一个表笔固定与之连接,用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻,若两次测得电阻都很 大(或很小)。把表笔调换一下再测一次,若测得电阻都很小(或很大),则假定的管脚是 基极。若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大,为NPN型,反之为PNP型。
载流子的流动;因而它又称作
器件。
9.场效应管属于
控制型器件,而双极型晶体管是
控制
型器件。
10.当温度升高时,双极性晶体管的β将
,反向饱和电流 ICEO 将

正向结压降 UBE 将

11.用万用表判断电路中某个晶体管的工作状态时,测出
最为方便。
12.晶体管工作有三个 区域,在放大区 时,应保证


在饱和区,应保证
(2) 判断集电极:在确定了基极和晶体管的类型之后,可用电流放大倍数β的大小来确 定集电极和发射极。现以NPN型晶体管为例说明判断的方法。
先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起,并用一只手的中指和大拇指捏住,红表笔
与假定的发射极接在一起,再用捏集电极的手的食指接触基极。这相当通过人手皮肤的电阻 给基极加电流。记下表针偏转的角度,然后两只管脚对调再测一次 。这两次测量中,表针偏 转角度大的一次所假设的晶体管电极是对的。因为集电区掺杂浓度低,现在集电极变成发射 极,当然 要降低,表针偏转角度小。
(3) VDA 、 VDB 均导通 5V
IR 9.5k 0.526mA
I DA
I DB
IR 2
0.263mA
UY IR R 4.74V
【4-4】设硅稳压管 VDz1 和 VDz2 的稳定电压分别为 5V 和 10V,正向压降均为 0.7V。求 题图 4-4 中各电路的输出电压 UO。
1k
u2
O
π


10V 4π ω t
uO
O
ωt
解图 4-12
UO(AV)
1 π
π
10sintd(t) 6.37V
0
【4-13】分析题图 4-13 所示电路的工作情况,图中 I 为电流源,I=2mA。设 20℃时二极 管的正向电压降 UD=660mV,求在 50℃时二极管的正向电压降。该电路有何用途?电路中 为什么要使用电流源?
特征,而制造的特殊二极管。它工作

。 描述 稳 压管 的主 要参 数 有四 个, 它们 分 别



、和

6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将

7.双极型晶体管可以分成

两种类型,它们工作时有

两种载流子参与导电。
8.场效应管从结构上分成

两种类型,它的导电过程仅仅
取决于
第 4 章 半导体二极管和晶体管 习题解答
【4-1】 填空:
1.本征半导体是
,其载流子是

。两
种载流子的浓度

2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于
,而少数载流子
的浓度则与
有很大关系。
3.漂移电流是

作用下形成的。
4.二极管的最主要特征是
,与此有关的两个主要参数是


5.稳压管是利用了二极管的
UB
1k
IDB
VD B
R
UY IR
9k
解:
解图 4-3 题 4-3 电路图
(1) VDA 导通, VDB 截止
IDB 0,
I DA
IR
10V (1 9)k
1mA
UY IR R 9V
(2) VDA 导通, VDB 截止
I
0, IDA
IR
6V 10k
0.6mA
UY IR R 5.4V
【4-8】在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如题图 4-8 所示,试确定晶体管各电极
的名称;说明它是 NPN 型,还是 PNP 型;计算晶体 管的共射电流放大系数。
1 I1 1.2mA
解:
①-c,②-b,③-e ;PNP 型 ;
2
1.2mA 40 0.03mA
I3 1.23mA

3
I2 0.03mA
解: 连接方法如解图 4-5 所示。
1k
VDZ1
UI
VDZ2
R UO
解图 4-5
【4-6】 有两个晶体管分别接在电路中,已知它们均工作在放大区,测得各管脚的对地电
压分别如下表所示。试判别管子的三个电极,并说明是硅管还是锗管?是 NPN 型还是 PNP
型?
晶体管Ⅰ
晶体管Ⅱ
管脚号
1
2
3
管脚
1
2
3
电压/V
【4-12】试分析题图 4-12 所示电路的工作情况,图中二极管为理想,u2=10sin100tV。 要求画出 uO 的波形图,求输出电压的平均值 UO(AV)。
VD4
VD1 iO
u 1
u2
VD3
VD2 uO
RL
图 4-12 题 4-12 电路图
解:
当 u2>0 时,VD1、VD3 导通,VD2、VD4 截止,uO 为正;当 u2<0 时, VD2、VD4 导通, VD1、VD3 截止,uO 仍为正。实现桥式整流,波形如解图 4-12 所示。
u o /V
5
5
O
t
O
t
(a)
(b)
解图 4-2
【4-3】 在题图 4-3 中,试求下列几种情况下输出端对地的电压 UY 及各元件中通过的电 流。(1)UA=10 V, UB=0 V;( 2)UA=6 V,U B=5 V;(3 )UA=UB=5 V。设 二极管为 理想二极 管。
UA
IDA 1k VDA
I
R
U
UD
图 4-13 题 4-13 电路图
解:
该电路利用二 极管正向压 降具有负 温度系数的 特性,可 用于温度的 测量,其 温度系数 -2mV/℃。20℃时二极管的正向电压降 UD=660mV,50℃时二极管的正向电压降
UD=660-2(50-20)=600 mV 因为二极管的正向电压降 UD 是温度和正向电流的函数,所以应使用电流源以稳定电流, 使二极管的正向电压降 UD 仅仅是温度一个变量的函数。
+6V
0.1V 0.2V
【4-10】两个场效应管的转移特性曲线分别如题图 4-10(a)和(b)所示,分别确定这两个场 效应管的类型,并求其主要参数(开启电压或夹断电压,低频跨导)。测试时电流 iD 的参考 方向为从漏极 D 到源极 S。
6 4 2
iD / mA
0
uGS / V
1
iD / mA 6
U DS 10V
(PZmax),动态电阻(rZ)。
6. 增大。 7. NPN,PNP,自由电子,空穴。 8. 结型,绝缘栅型,多子,单极型。 9. 电压,电流。 10. 变大,变大,变小。 11. 各管脚对地电压。 12. 发射结正偏,集电结反偏;发射结正偏,集电结正偏;发射结反偏,集电结反偏。 13. 左移,上移,增大。
1k
VDZ1
25V
UO
VDZ2
25V
VDZ1
VDZ2
UO
( a) 1k
(b) 1k
25V
VDZ1 VDZ2 UO
25V
VDZ1 VDZ2 UO
( c)
(d)
图 4-4 题 4-4 电路图
解: 图(a)15V; 图(b)1.4V; 图(c)5V; 图(d)0.7V。
【4-5】有两个稳压管 VDZ1 和 VDZ2,其稳定电压值分别为 5.5V 和 8.5V,正向压降都是 0.5V。如果要得到 3V 的稳定电压,应如何连接?
4
3.4
9
电压/V
-6
-2.3 -2
解: 晶体管Ⅰ为 NPN 型硅管,1、2、3 管脚依次是 b、e、c; 晶体管Ⅱ为 PNP 型锗管,1、2、3 管脚依次是 c、b、e。
【4-7】 如何用指针式万用表判断出一个晶体管是 NPN 型还是 PNP 型?如何判断出管子 的三个管脚?锗管、硅管又如何通过实验区别出来?
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