主板用MOSFET的封装形式及技术
MOS管封装分析报告
MOS管封装分析报告（含主流厂商封装）在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。
该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。
而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。
封装的重要性不言而喻。
MOS管封装分类按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。
常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。
插入式封装表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。
典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。
表面贴装式封装随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。
1、双列直插式封装(DIP)DIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDIP(Shrink DIP)，即紧缩双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。
DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式)等。
DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。
但由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差;同时由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个，因此在电子产业高度集成化过程中，DIP封装逐渐退出了历史舞台。
mosfet的封装流程
mosfet的封装流程MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，广泛应用于电子电路中。
在MOSFET的生产过程中，封装是十分重要的一环。
封装是将芯片与外部环境隔离，并提供电气连接和机械支持的过程。
本文将介绍MOSFET的封装流程。
MOSFET的封装流程通常包括以下几个步骤：准备基材、制造封装、封装测试和质量控制。
首先是准备基材。
在封装流程开始之前，需要准备好基材，通常是由硅片制成的晶圆。
晶圆经过一系列的工艺步骤，如清洗、去除杂质和涂覆薄膜等，以确保其表面的平整度和纯度。
接下来是制造封装。
制造封装的第一步是将晶圆锯成小片，每个小片上都会有一个MOSFET芯片。
然后，这些芯片会通过一系列的工艺步骤，如金属化、蚀刻、光刻和沉积等，来形成MOSFET的结构。
这些工艺步骤的目的是在芯片上形成源极、漏极和栅极等电极，以及与之相连的金属线路。
完成芯片结构后，接下来是封装测试。
在封装测试中，会对芯片进行一系列的电性能测试，以确保其工作正常。
这些测试包括电流-电压特性测试、开关速度测试和温度特性测试等。
通过这些测试，可以评估MOSFET的性能是否符合要求。
最后是质量控制。
在封装流程的最后阶段，会对已经封装好的MOSFET进行质量控制。
质量控制的目的是检查封装过程中是否存在任何缺陷，如焊接问题、封装材料的质量等。
只有通过了质量控制的MOSFET才能出厂销售。
总结一下，MOSFET的封装流程包括准备基材、制造封装、封装测试和质量控制。
这个流程确保了MOSFET的性能和质量符合要求。
在封装过程中，需要经过多个工艺步骤，如金属化、蚀刻、光刻和沉积等，以形成MOSFET的结构。
而封装测试和质量控制则是对MOSFET进行电性能测试和质量检查，以确保其工作正常。
通过这些步骤，可以生产出高质量的MOSFET，满足各种电子电路的需求。
MOS管的封装类型分享
MOS管的封装类型分享
MOS管的封装类型，常常影响着电路的设计方向，甚至是产品性能走向；但面对形色各异的封装，我们该如何辨别？主流企业的封装又有什么特点？
在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。
该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。
而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。
封装的重要性不言而喻，今天我们就来聊聊MOS管封装的那些事。
MOS管封装分类
按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。
常见的插入式封装有：双列直插式封装（DIP）、晶体管外形封装（TO）、插针网格阵列封装（PGA）三种样式。
插入式封装
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。
典型表面贴装式封装有：晶体管外形（D-PAK）、小外形晶体管（SOT）、小外形封装（SOP）、方形扁平式封装（QFP）、塑封有引线芯片载体（PLCC）等。
表面贴装式封装
随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。
1、双列直插式封装（DIP）。
TO220F形式MOSFET封装工艺技术
TO220F形式MOSFET封装工艺技术摘要：我司目前生产的MOSFET封装产品基本采用TO220F形式，本文针对MOSFET产品特点对TO220F形式封装要求，详细阐述关键工艺流程、关键材料、可靠性实验方法等。
0 引言MOSFET是英文Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管的缩写，是一种单极晶体管，只靠一种极性载流子（电子或空穴）传输电流。
以下分析主要依据N沟道增强型高压功率MOSFET。
1 MOSFET产品基本概述1.1工作原理图1.MOSFET剖面示意图MOSFET分3个极G：栅极S：源极D：漏极正常工作条件下，源PN结及漏PN结或为零偏或为反偏，在漏极到源极之间加电压，而沟道未形成时，将只有近似于反偏PN结漏电源大小的极小电流在漏极到源极之间流动。
但是若在栅极电压控制之下，表面形成了沟道，它将使漏区与源区连通，在V D S作用之下就出现明显的漏极电流，而且漏极电流的大小依赖于栅极电压。
在V D S=常数的条件下，漏极电流I D随栅极电压V G S的变化曲线如下，称为MOSFET的转移特性曲线图2：N沟道增强型转移特性曲线1.2 MOSFET的分类a.按照沟道导电载流子的极性，分为N沟道和P沟道：N沟道为电子，P沟道为空穴。
b.按照转移特性曲线，分为增强型和耗尽型：V G S=0时截止，漏极电流近似等于零的器件是增强型；V G S=0时导通，漏极电流不等于零的器件是耗尽型。
我司生产的2N60、4N60等产品就是属于N沟道增强型高压功率MOSFET。
2 MOSFET产品封装的工艺控制2.1 静电防护MOSFET 对静电敏感，当电荷累积过多而不能及时放掉的话，很容易造成击穿。
所以，在划片：Wafer Dicing 粘片：Die Bonding 焊线：Wire Bonding 和最后的切筋分粒成为单个器件后的每一个过程中，所有相关设备必须接地导通，人员如果进行手工操作时必须佩戴防静电手环并接地。
mosfet的封装流程
mosfet的封装流程MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种主要用于电子设备的半导体器件。
它可以在低频和高频应用中控制电压和电流，同时也具有高度的可靠性和稳定性。
封装流程是将MOSFET芯片封装到外壳中的过程，本文将详细介绍MOSFET封装的流程。
第一步：芯片设计MOSFET芯片的设计是封装流程的起点。
在这个阶段，芯片设计师根据特定的应用需求，使用CAD软件设计出晶体管的晶片结构、电路连接、金属层和其他重要元件。
设计完成后，芯片的原型将通过多次验证和优化，确保其性能达到预期。
第二步：切割划分在芯片制造的过程中，多个MOSFET被同时加工在一块硅片上。
在封装流程中的第一步是将硅片切割成单个芯片。
通过切割划分可以分离出单个晶体管芯片，以便后续的工艺步骤。
第三步：清洗和制备划分得到的芯片需要进行清洗和制备，以去除可能存在的污染物和杂质。
一般来说，芯片会先进行机械清洗来去除表面的尘土和杂质，然后再进行化学清洗以去除更加顽固的污染物。
制备涉及到芯片表面的涂覆和处理，以便在后续步骤中使其更加适合封装。
第四步：引线焊接一旦芯片清洗和制备完毕，就可以进行引线焊接。
这一步是将芯片上的金属连接到引线上的关键步骤。
通常，在芯片的金属电极上加压形成连接。
第五步：封装引线焊接完成后，芯片需要被封装在外壳之中。
封装是将芯片保护在一个可靠且耐用的外壳中，以防止机械损坏和环境污染。
封装的过程通常涉及到预先设计的外壳底部，将引线和芯片放入外壳内部，然后封装上部分，使引线和芯片稳固地固定在外壳中。
第六步：测试和质量控制一旦完成封装，封装的MOSFET将会被送往测试和质量控制部门进行测试。
测试的目的是确保芯片在封装过程中没有受到损坏，并且在运行时能够按照预定的标准工作。
此外，还会检查芯片的功耗、速度、温度特性等重要参数，以保证其质量和性能稳定。
第七步：包装和出货经过测试和质量检查后，封装的MOSFET将会进行最终的包装和出货。
一种mosfet芯片的封装结构和工艺的制作方法
一种mosfet芯片的封装结构和工艺的制作方法
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）芯片的封装
结构和制作方法如下：
1. 封装结构：
MOSFET芯片的封装结构通常由芯片、引脚和封装材料组成。
芯片是MOSFET的主体，引脚用于连接芯片与外部电路，封
装材料用于保护芯片和引脚，并提供机械支撑。
2. 制作方法：
MOSFET芯片的制作方法主要包括以下步骤：
a. 衬底准备：选择适当的半导体材料（如硅），并进行基
础处理，例如清洗和去除杂质。
b. 衬底掺杂：通过离子注入或扩散等方法，在衬底上掺入
所需的杂质，形成N型或P型区域。
c. 通道区域形成：在衬底上生长一层绝缘层，通常是氧化层。
然后，在绝缘层上生长一层薄膜，通常是多晶硅，用
于形成MOSFET的通道。
d. 金属电极形成：在薄膜上沉积金属，例如铝或铜，形成
源极和漏极。
e. 门电极形成：在绝缘层上沉积一层金属，例如铝或钨，
形成门电极。
f. 电极连接：使用金属线或导电粘合剂将源极、漏极和门电极与芯片外部引脚连接起来。
g. 封装：将芯片和引脚放置在封装材料中，并使用封装设备将其封装起来，以保护芯片和引脚，并提供机械支撑。
h. 测试和封装检验：对封装好的芯片进行电性能测试和封装质量检验，以确保其符合设计要求和质量标准。
以上是一种常见的MOSFET芯片的封装结构和制作方法，实际制作过程可能会有所不同，具体取决于芯片的设计和制造工艺。
MOS管(金属氧化物半导体场效应管)的封装结构
MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的封装结构MOS管（金属氧化物半导体场效应管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的封装结构一般采用以下几种形式：
1.TO封装（Tin-Can Outline Package）：这是一种传统的封装形
式，外观类似金属罐。
TO封装通常具有3个引脚，通过引脚与电路进行连接。
MOS管内部的芯片被放置在金属罐体内，并通过引脚与外部电路连接。
2.DIP封装（Dual Inline Package）：DIP封装是一种常见的直插
式封装形式。
它通常包含了两排引脚，引脚与MOS管内部芯片相连。
DIP封装的主要优点是容易安装和替换。
3.SMD封装（Surface Mount Device Package）：SMD封装是一
种表面贴装封装形式，常用于表面贴装技术（SMT）的电子设备制造中。
SMD封装通常具有平面外形，方便在PCB （Printed Circuit Board）上进行组装。
常见的SMD封装类型包括SOIC、QFN和QFP等。
4.Power Package（功率封装）：功率MOS管通常需要具备较大
的功率承受能力和散热性能，因此采用特殊的功率封装结构。
常见的功率封装形式包括TO-220、TO-247和D2PAK等，具有较大的引脚和散热片。
MOSFET的封装技术图解大全..
MOSFET的封装技术图解大全主板MOSFET的封装技术图解大全主板的供电一直是厂商和用户关注的焦点，视线从供电相数开始向MOSFET器件转移。
这是因为随着MOSFET技术的进展，大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET以及多芯片DrMOS开始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用户的眼球。
本文将对主板采用的MOSFET器件的封装规格和封装技术作简要介绍。
MOSFET芯片制作完成后，需要封装才可以使用。
所谓封装就是给MOSFET 芯片加一个外壳，这个外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。
芯片的材料、工艺是MOSFET性能品质的决定性因素，MOSFET厂商自然注重芯片内核结构、密度以及工艺的改进，以提高MOSFET的性能。
这些技术改进将付出很高的成本。
封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。
所以芯片的封装技术是非常重要的。
以安装在PCB的方式区分，功率MOSFET的封装形式有插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）二大类。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB 表面的焊盘上。
常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。
典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等等。
电脑主机板一般不采用直插式封装的MOSFET，本文不讨论直插式封装的MOSFET。
一般来说，“芯片封装”有2层含义，一个是封装外形规格，一个是封装技术。
对于封装外形规格来说，国际上有芯片封装标准，规定了统一的封装形状和尺寸。
封装技术是芯片厂商采用的封装材料和技术工艺，各芯片厂商都有各自的技术，并为自己的技术注册商标名称，所以有些封装技术的商标名称不同，但其技术形式基本相同。
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主板用MOSFET的封装形式和技术作者：魏昕鑫编辑：魏昕鑫2009-06-04 11:15:46 [投递]主板的供电一直是厂商和用户关注的焦点，视线从供电相数开始向MOSFET器件转移。
这是因为随着MOSFET技术的进展，大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET以及多芯片D rMOS开始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用户的眼球。
本文将对主板采用的MOSFET器件的封装规格和封装技术作简要介绍。
MOSFET芯片制作完成后，需要封装才可以使用。
所谓封装就是给MOSFET芯片加一个外壳，这个外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOS FET器件与其它元件构成完整的电路。
芯片的材料、工艺是MOSFET性能品质的决定性因素，MOSFET厂商自然注重芯片内核结构、密度以及工艺的改进，以提高MOSFET的性能。
这些技术改进将付出很高的成本。
封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。
所以芯片的封装技术是非常重要的。
以安装在PCB的方式区分，功率MOSFET的封装形式有插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）二大类。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。
典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等等。
电脑主机板一般不采用直插式封装的MOSFET，本文不讨论直插式封装的MOSFET。
一般来说，“芯片封装”有2层含义，一个是封装外形规格，一个是封装技术。
对于封装外形规格来说，国际上有芯片封装标准，规定了统一的封装形状和尺寸。
封装技术是芯片厂商采用的封装材料和技术工艺，各芯片厂商都有各自的技术，并为自己的技术注册商标名称，所以有些封装技术的商标名称不同，但其技术形式基本相同。
我们先从标准的封装外形规格说起。
一、标准封装规格1、TO封装TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。
这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。
近年来表面贴装市场需求量增大，TO封装也进展到表面贴装式封装。
TO252和TO263就是表面贴装封装。
其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。
D-PAK封装的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。
其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热。
所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。
2、SOT封装SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。
这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。
常见的规格有：主板上常用四端引脚的SOT-89 MOSFET。
3、SOP封装SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。
SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。
材料有塑料和陶瓷两种。
SOP也叫SOL和DFP。
SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。
MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（S mall Out-Line ）。
SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。
SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。
这些派生的几种封装规格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。
4、QFN-56封装QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面贴装型封装之一，中文叫做四边无引线扁平封装，是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。
现在多称为LCC。
QFN是日本电子机械工业会规定的名称。
封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。
这种封装也称为LCC、PCLC、P－LC C等。
QFN本来用于集成电路的封装，MOSFET不会采用的。
Intel提出的整合驱动与MOSFET的DrMOS采用QFN-56封装，56是指在芯片背面有56个连接Pin。
二、最新封装形式由于CPU的低电压、大电流的发展趋势，对MOSFET提出输出电流大，导通电阻低，发热量低散热快，体积小的要求。
MOSFET厂商除了改进芯片生产技术和工艺外，也不断改进封装技术，在与标准外形规格兼容的基础上，提出新的封装外形，并为自己研发的新封装注册商标名称。
下面分别介绍主要MOSFET厂商最新的封装形式。
1、瑞萨（RENESAS）的WPAK、LFPAK和LFPAK-I 封装WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。
WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET，减小布线电感。
LFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。
LFPAK类似D-PAK比D-PAK体积小。
LFPAK-i是将散热板向上，通过散热片散热。
2、威世（Vishay）的Power-PAK和Polar-PAK封装Power-PAK是威世公司注册的MOSFET封装名称。
Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8两种规格。
Polar PAK是双面散热的小形封装。
3、安森美（Onsemi）的SO-8和WDFN8扁平引脚（ Flat Lead）封装安美森半导体开发了2种扁平引脚的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引脚被很多主板采用。
4、菲利普（Philps）的LFPAK和QLPAK封装首先开发SO-8的菲利普也有改进SO-8的新封装技术，就是LFPAK和QLPAK。
5、意法（ST）半导体的PowerSO-8封装法意半导体的SO-8改进技术叫做Power SO-8。
6、飞兆（Fairchild）半导体的Power 56封装飞兆半导体的SO-8改进技术叫做Power 56。
7、国际整流器（IR）的Direct FET封装Direct FET封装属于反装型的，漏极（D）的散热板朝上，并覆盖金属外壳，通过金属外壳散热。
三、内部封装技术前面介绍的最新封装形式都是MOSFET的外部封装。
这些最新封装还包括内部封装技术的改进，尽管这些新封装技术的商标名称多种多样，其内部封装技术改进主要有三方面：一是改进封装内部的互连技术，二是增加漏极散热板，三是改变散热的热传导方向。
1、封装内部的互连技术早期的标准封装，包括TO，D-PAK、SOT、SOP，多采用焊线式的内部互连，在CPU核心电压较高，电流较小时期，这种封装可以满足需求。
当 CPU供电进展到低电压、大电流时代，焊线式封装就难以满足了。
以标准焊线式SO-8为例，作为小功率MOSFET封装，发热量很小，对芯片的散热设计没有特别要求。
主板的局部小功率供电（风扇调速）多采用这种SO-8的MOSFET。
但用于现代的CPU供电就不能胜任了。
这是由于焊线式SO-8的性能受到封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳的热阻等四个因素的限制。
封装电阻MOSFET在导通时存在电阻（RDS(on)），这个电阻包括芯片内PN结电阻和焊线电阻，其中焊线电阻占50%。
RDS(on)是影响MOSFET性能的重要因素。
封装电感内部焊线的引线框封装的栅极、源极和漏极连接处会引入寄生电感。
源极电感在电路中将会以共源电感形式出现，对MOSFET的开关速度有着重大影响。
芯片PN结到PCB的热阻芯片的漏极粘合在引线框上,引线框被塑封壳包围，塑料是热的不良导体。
漏极的热传导路径是芯片→引线框→引脚→PCB，这么长的路径必然是高热阻。
至于源极的热传导还要经过焊线到PCB，热阻更高。
芯片PN结到外壳(封装顶部)的热阻由于标准的SO-8采用塑料包封,芯片到封装顶部的传热路径很差。
上述四种限制对其电学和热学性能有着极大的影响。
随着电流密度要求的提高,MOSFET厂商采用SO-8的尺寸规格，同时对焊线互连形式进行改进，用金属带、或金属夹板代替焊线，降低封装电阻、电感和热阻。
国际整流器（IR）称之为Copper Strap技术，威世（Vishay）称之为Power Connect 技术，还有称之为Wireless Package。
据国际半导体报道，用铜带取代焊线后，热阻降低了10-20%，源极至封装的电阻降低了61%。
特别一提的是用铜带替换14根2-mil金线，芯片源极电阻从1.1 m降到 0.11 m。
2、漏极散热板标准SO-8封装采用塑料把芯片全部包围，低热阻的热传导通路只是芯片到PCB的引脚。
底部紧贴PCB的是塑料外壳。
塑料是热的不良导体，影响漏极的散热。
封装的散热改进自然是除去引线框下方的塑封混合物，让引线框金属结构直接（或者加一层金属板）与PCB接触,并焊接到PCB焊盘上。
它提供了大得多的接触面积,把热量从芯片上导走。
这种结构还有一个附带的好处,即可以制成更薄的器件,因为塑封材料的消除降低了其厚度。
威世的Power-PAK，法意半导体的Power SO-8，安美森半导体的SO-8 Flat Lead，瑞萨的WPAK、LFPAK，飞兆半导体的Power 56和Bottomless Package都采用这种散热技术。
3、改变散热的热传导方向Power-PAK封装显著减小了芯片到PCB的热阻，实现芯片到PCB的高效率传热。
不过，当电流的需求继续增大时，PCB也将出现热饱和，因此散热技术的进一步改进是改变散热方向，让芯片的热量传导到散热器而不是PCB。
瑞萨的LFPAK-I 封装，国际整流器的Direct FET封装就是这种散热技术。
三、内部封装技术前面介绍的最新封装形式都是MOSFET的外部封装。
这些最新封装还包括内部封装技术的改进，尽管这些新封装技术的商标名称多种多样，其内部封装技术改进主要有三方面：一是改进封装内部的互连技术，二是增加漏极散热板，三是改变散热的热传导方向。
1、封装内部的互连技术早期的标准封装，包括TO，D-PAK、SOT、SOP，多采用焊线式的内部互连，在CPU核心电压较高，电流较小时期，这种封装可以满足需求。