场效应管作用及分类
场效应管作用
场效应管作用场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的半导体器件，其作用是控制电流流动。
它采用半导体材料制造而成，具有三个电极，分别是源极、栅极和漏极。
场效应管广泛应用于电子设备中，如放大器、开关等方面。
场效应管的作用是通过栅极电压来控制漏极-源极之间的电流。
它的工作原理是利用外加电场改变半导体中电荷的分布，从而改变导电能力。
与双极型晶体管相比，场效应管具有许多优点，如高输入阻抗、低噪声、低失真等。
因此，广泛应用于各种电子设备中。
场效应管主要有两种类型：MOSFET和JFET。
MOSFET全称金属-氧化物-半导体场效应管，是采用金属层、氧化物层和半导体层构成的结构；JFET全称结型场效应管，是采用PN结构构成的。
两者的主要区别在于结构不同，性能也略有差异。
在MOSFET中，栅极的电压通过金属层传递到氧化物层，从而改变半导体中电荷分布。
根据栅极电压的不同，MOSFET可以分为两种类型：增强型和耗尽型。
增强型MOSFET需要一定的栅极电压才能导通，而耗尽型MOSFET则是通过减小栅极电压来导通。
MOSFET 的漏极和源极之间的电流由外加电场和栅极电压来控制。
JFET的工作原理与MOSFET有一定的相似之处，都是通过栅极电压来控制漏极-源极之间的电流。
JFET的结构是由N型或P型半导体材料构成的，两个电极分别为源极和漏极，而栅极则是通过PN 结来实现。
不同材料的JFET的特性有所不同，N型JFET通常被用作放大器，P型JFET通常用作开关。
场效应管的作用可以通过以下几个方面来描述。
首先，场效应管可以用来放大信号。
通过在源极和漏极之间加上适当的电压，使得输入信号经过放大后输出。
这种放大作用可以有效地提高信号的幅度和质量，并广泛应用于各种音频和视频设备中。
其次，场效应管可以用作开关。
在适当的电压条件下，场效应管可以控制漏极-源极之间的电流流动。
通过输入不同的电压信号，可以实现开关的打开和关闭。
场效应管
D (mA) 可变电阻区
i
uGS= 0V uGS = -1V uGS = -2V uGS= -3V
u
DS
时,iD 是 vDS 的线性函数，
管子的漏源间呈现为线
性电阻，且其阻值受 vGS
控制。 （2）管压降vDS 很小。
沟道未 夹断
用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态
的电子开关。
gm
VDS
2、 极间电容： Cgs和Cgd约为1~3pF，和 Cds约为
0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。
vDS 3、 输出电阻rd：rd iD
三、极限参数
VGS
1、 最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流 的上限值。
2、 最大耗散功率 PDM ：决定于管子允许的温升。
3、当vGD< VGS(off)时，vGS对iD的控制作用
当vGD = vGS - vDS <VGS(off) 时，即vDS > vGS VGS(off) > 0，导电沟道夹断， iD 不随vDS 变化 ； 但vGS 越小，即|vGS| 越大，沟道电阻越大，对同 样的vDS ， iD 的值越小。所以，此时可以通过改变
③ 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电
阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小，
但易受静电影响。
④ 场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后 特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特 性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要 注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬 底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互 换使用。
JFET 结型
9.2 结型场效应管
一、结型场效应管的结构
场效应管的作用及原理
场效应管的作用及原理
场效应管是一种重要的电子器件，它在电子技术中起着至关重要的作用。
本文将介绍场效应管的作用及原理。
一、场效应管的作用
场效应管的主要作用是放大和开关信号。
它可以根据输入信号的大小，通过控制栅极电压来改变输出信号的幅度。
场效应管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性，因此可以有效地将输入信号放大，并将放大后的信号输出到负载上。
此外，场效应管还可以作为开关使用，通过控制栅极电压来控制导通或截止状态，实现信号的开关控制。
二、场效应管的原理
场效应管的工作原理是基于电场控制电流的机制。
它由源极、漏极和栅极组成。
当栅极施加正电压时，栅极与源极之间形成一个正电场，这会吸引漂浮在栅极上的自由电子，使得栅极与源极之间形成导电通道。
电子通过通道流向漏极，形成电流。
此时，场效应管处于导通状态。
相反，当栅极施加负电压或不施加电压时，栅极与源极之间的电场消失，导电通道关闭，电流无法通过。
此时，场效应管处于截止状态。
由于栅极与源极之间的电场可以通过改变栅极电压来控制，因此场效应管具有电压控制电流的特性。
栅极电压变化可以引起漏极电流的变化，从而实现对信号的放大或开关控制。
三、总结
场效应管是一种重要的电子器件，它可以实现信号的放大和开关控制。
其工作原理是通过电场控制电流，栅极电压的变化可以改变漏极电流，从而实现对信号的控制。
场效应管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性，适用于各种电子设备中的放大和开关电路。
通过深入理解场效应管的作用和原理，我们可以更好地应用和设计电子电路，推动电子技术的发展。
irfz44n场效应管制作逆变器
irfz44n场效应管制作逆变器摘要：一、场效应管简介1.场效应管的作用2.场效应管的分类二、irfz44n 场效应管特点1.性能参数2.应用领域三、制作逆变器的过程1.准备材料2.制作电路板3.安装元器件4.接线与调试四、逆变器的应用1.电源供应2.电子设备驱动正文：场效应管（FET）是一种半导体器件，具有高输入电阻、低噪声和低失真等优点，广泛应用于各种电子设备中。
其中，irfz44n 是一种性能优越的场效应管，具有高速度、高电流和低栅极电荷等特性。
场效应管根据其导电方式可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和增强型氮化镓场效应管（eGaN FET）等。
不同类型的场效应管在性能和应用领域上有所差异，需要根据实际需求进行选择。
irfz44n 场效应管具有较高的性能参数，如击穿电压、漏极电流和栅极阈值电压等。
这使得它在制作逆变器等高功率应用中具有优势。
逆变器是一种将直流电转换为交流电的设备，广泛应用于电源供应、电子设备驱动等领域。
制作逆变器的步骤如下：1.准备材料：根据逆变器的设计方案，选购所需的元器件，如irfz44n 场效应管、集成电路、变压器等。
同时，准备电路板、焊接工具等制作工具。
2.制作电路板：将设计好的电路图印制在电路板上，按照图纸要求进行布局和焊接。
在焊接过程中要注意焊接质量和元器件的封装，确保连接可靠。
3.安装元器件：将选购的元器件安装到电路板上，如将irfz44n 场效应管固定在散热器上，并连接相应的引脚。
同时，检查元器件的连接是否正确。
4.接线与调试：将电路板与外部电源、负载等连接，检查电路的连通性。
接着，对电路进行调试，调整irfz44n 场效应管的栅极阈值电压等参数，确保逆变器性能稳定。
总之，irfz44n 场效应管具有优良的性能，适用于制作逆变器等高功率应用。
nce3095k场效应管参数
nce3095k场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其作用3.3095k场效应管的特性与应用4.场效应管的选型与使用注意事项正文：一、场效应管的基本概念与分类场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的电荷载流子导电的晶体管。
它主要有两种分类：金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和增强型金属氧化物半导体场效应管（Emitter Coupled Logic，ECL）。
二、场效应管的主要参数及其作用1.阈值电压（Vth）：在场效应管的输入端电压大于阈值电压时，管子进入截止状态；小于阈值电压时，管子进入导通状态。
2.电流放大系数（β）：在场效应管导通状态下，输出电流与输入电流之比。
β值越大，放大效果越好。
3.输入阻抗（Zi）：场效应管的输入阻抗较高，可以减小信号源的内阻干扰。
4.输出阻抗（Zo）：场效应管的输出阻抗较低，可以提高负载驱动能力。
5.功耗（Pd）：在场效应管工作过程中，功耗与电流、电压有关。
合理选择参数可降低功耗。
三、3095k场效应管的特性与应用3095k场效应管是一种常用的MOSFET，具有较低的阈值电压、较高的电流放大系数和较低的功耗。
它广泛应用于放大、开关、振荡、电源管理等电路。
四、场效应管的选型与使用注意事项1.根据电路需求选择合适的场效应管类型，如MOSFET或ECL。
2.选择合适的阈值电压，以满足工作电压要求。
3.考虑电流放大系数，确保放大效果。
4.注意场效应管的功耗和热设计，确保其在高温环境下的稳定性。
5.使用时，注意防止静电击穿，避免损坏场效应管。
6.合理选择电路布局和元件参数，以减小相互干扰，提高电路的稳定性。
总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路设计中具有广泛的应用。
场效应管的作用和工作原理
场效应管的作用和工作原理
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电子器件，常用于放大、开关和调节信号的电流。
它的作用类似于晶体管，但是它的控制方式不同。
场效应管的工作原理是利用电场控制电流流动。
它由一个P
型或N型的半导体基片、上面覆盖着一个绝缘层和一个金属
门极组成。
当施加一个外部电压于门极时，电场会影响衬底与沟道之间的电荷分布，从而改变电流的流动。
N型场效应管：
1. 当门极施加正电压时，形成一个负电荷区（空穴）在绝缘层下方，继而吸引N型衬底上的自由电子形成一个由N型沟道
连接源极与漏极的导电通道。
这时，N型场效应管处于导通状态。
2. 当门极施加负电压时，将把基片上空N型区的电子排斥开，减少了N型沟道的导电能力，导致漏电流减小，所以N型场
效应管处于截止状态。
P型场效应管：
1. 当门极施加负电压时，形成一个正电荷区（电子）在绝缘层下方，继而吸引P型衬底上的空穴形成一个由P型沟道连接
源极与漏极的导电通道。
这时，P型场效应管处于导通状态。
2. 当门极施加正电压时，将把基片上空P型区的空穴排斥开，减少了P型沟道的导电能力，导致漏电流减小，所以P型场
效应管处于截止状态。
总之，场效应管的工作原理是通过改变门极电压来控制沟道的导电能力，从而实现对电流的调节。
与晶体管相比，场效应管具有输入电阻高、噪声低、频率响应宽等优点，因此在很多应用中被广泛使用。
59n30场效应管参数
59n30场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其作用3.59n30场效应管的特性与应用4.59n30场效应管的优缺点分析5.如何选择合适的59n30场效应管正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的电荷载流子浓度调节电流的半导体器件。
它具有高输入电阻、低噪声、低失真等特点，广泛应用于放大、开关、调制、功率输出等电路。
根据导体通道的材质和结构，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘层场效应管（IGFET）、增强型和耗尽型等不同类型。
在众多场效应管中，59n30场效应管是一种常见的功率场效应管，具有较高的电流密度和优异的稳定性。
它的主要参数包括：1.漏极电流（ID）：在一定栅极电压下，漏极电流与栅极电压之间的关系。
59n30场效应管的漏极电流较小，有利于降低功耗。
2.阈值电压（Vth）：场效应管从截止区进入线性区的工作电压。
59n30场效应管的阈值电压较低，有利于实现高精度放大和开关控制。
3.跨导（gm）：表示场效应管在一定栅极电压下，漏极电流与栅极电流之间的比例关系。
59n30场效应管具有较高的跨导，可以实现高速响应和低失真度。
4.输入电阻（Rin）：场效应管输入端的电阻。
59n30场效应管具有较高的输入电阻，可以减小外部干扰对电路性能的影响。
59n30场效应管在实际应用中具有以下优点：1.低噪声：59n30场效应管的噪声较低，有利于提高电路的信号传输质量。
2.高频响应：59n30场效应管具有较高的跨导和较低的阈值电压，可以实现高速响应。
3.线性度好：59n30场效应管的线性度较好，有利于实现高精度放大和控制。
4.稳定性好：59n30场效应管具有较高的电流密度和稳定性，有利于长时间运行。
然而，59n30场效应管也存在一定的局限性，如易受温度、电压等环境因素影响，以及栅极漏极电容较大等。
因此，在选择59n30场效应管时，应充分考虑其适用场景和性能要求。
场效应管的识别分类及测量
场效应管的识别分类及测量一、符号：“Q、VT”，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：二、场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
三、场效应管的特性：1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通4、场管的ＤＳ功能可互换Ｎ沟道场管的导通截止电压：导通条件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止条件：ＶＧ<ＶＳ，ＩＤ没有电流或有很小的电流四、场效应管的作用：放大、调制、谐振、开关五、场效应管的测量及好坏判断1、测量极性及管型判断红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准2、好坏判断测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
六、场管的代换原则（只适合主板）场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可功率大的可以代换功率小的技嘉主板的场管最好原值代换七、主板上常见的场管型号N沟道：702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF中等大小的场管：3055、09N05、40N03、45N03外型较大的场管：L3103S、K3296、K3289、6030、703055N03、76139D、76129S、10N03、15M03F827、F841、BPS100P沟道：352A、356。
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根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。
将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。
源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。
因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。
这时表针指示出的是D-S极间电阻值。
然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。
由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。
少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS 增大，表针向左摆动。
无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
本方法也适用于测MOS管。
为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。
2.场效应管的分类:场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.3.场效应管的主要参数 :Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID 的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D 极.5.常效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管（JFET）（1）结构原理它的结构及符号见图1。
在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结。
在P区引出电极并连接起来，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管。
由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
2、绝缘栅场效应管它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。
（1）结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。
在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。
在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。
当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性）二、场效应管的主要参数1、夹断电压VP当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。
2、饱和漏电流IDSS在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3、击穿电压BVDS表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。
4、直流输入电阻RGS在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。
5、低频跨导gm漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即gm= △ID/△VGS它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）来表示。
1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图C-a. 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds 之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs 的绝对值. 在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压.耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻). 结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型。