场效应管的分类及特点
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子器件，主要用于放大和开关电路中。
根据FET的工作原理和结构不同，常用的场效应管主要有三种类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）。
下面将详细介绍这三种常用的场效应管以及它们的识别方法。
1.结型场效应管（JFET）：结型场效应管是最早发展的一种场效应管，其结构简单，用途广泛。
根据导电型别的不同，可分为N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）两类。
结型场效应管的导通主要是通过沟道中的少数载流子进行的。
其主要特点包括输入电阻较高、噪声较低、电路稳定性好等。
JFET的识别方法：（1）引脚识别：JFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
可以使用万用表的电阻档位来测量两两引脚间的电阻大小，栅源电阻较大，约为数兆欧姆，漏源电阻较小，约为几千欧姆，可以根据这些特点来判断引脚的功能。
（2）标识识别：通常JFET上会有标志性的标识，例如“2N”或“BF”等，通过这些标识可以辨认出具体的型号和制造商。
（3）参数识别：可以通过查阅JFET的参数手册或型号手册，了解其具体的参数范围和特性，从而辨认出具体的JFET型号。
2.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：金属氧化物半导体场效应管是应用最为广泛的一种场效应管，也是目前集成电路中使用最多的晶体管。
根据栅极结构的不同，可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。
增强型MOSFET的导通需要在栅极上施加正电压，而耗尽型MOSFET的导通则需要在栅极上施加负电压。
MOSFET的识别方法：（1）引脚识别：MOSFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
场效应管的分类及特点
概念
场效应管是一种由输入信号电压来控制其 电流大小的半导体器件。是根据三极管的 原理开发出的新一代放大元件，有3个极性， 栅极，漏极，源极。属于电压控制型半导 体器件。
PN结的概念
如上图所示是一块两边掺入不同元素的 半导体。由于P型区和N型区两边的载 流子性质及浓度均不相同，P型区的空 穴浓度大，而N型区的电子浓度大，于 是在交界面处产生了扩散运动。
P沟道场效应管工作时， 极性N沟道绝缘栅型场效应管与P沟道绝 缘栅型场效应管的区别
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和绝缘栅型 场效应晶体管，而绝缘栅型场效应晶体管又分为 N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电。 N沟道的多数载流子是电子，P沟道是空穴。当沟 道中有电场时，就会有大量载流子，形成通路， 电场消失，沟道消失。 增强型场效应管是高电平导通（高电平时形成沟 道），耗尽型是低电平导通。
（一）场效应管的分类
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
一、结型场效应管
结型场效应管是一种 利用耗尽层宽度改变 导电沟道的宽窄来控 制漏极电流的大小的 器件。
它是在N型半导体 硅片的两侧各制造一 个PN结，形成两个 PN结夹着一个N型沟 道的结构。
结型场效应管的工作原理
N沟道场效应管工作时，在栅极与源极之间加负 电，栅极与沟道之间的PN结为反偏。在源极、 漏极之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流 子（电子）由源极向漏极漂移，形成 ，其大小 受 的控制。
场效应管是一种由多数载流子参与导电的半导体 器件，故又称为单极型三极管。从参与导电的载 流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件 和空穴作为载流子的P沟道器件。
k10t60场效应管资料
k10t60场效应管资料
摘要：
1.场效应管的基本概念
2.场效应管的分类
3.场效应管的结构和工作原理
4.场效应管的特性和应用
正文：
一、场效应管的基本概念
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，是基于半导体材料的电子运动方式而设计的。
场效应管是三种主要的晶体管之一，另外两种是双极晶体管和绝缘栅双极晶体管。
场效应管在中文简称为
K10T60，其名字来源于它的三个主要参数：K 代表开启电压，10 代表漏极电流为10μA，60 代表源极和漏极之间的电压差为60V。
二、场效应管的分类
场效应管根据栅极结构的不同，可以分为三种类型：金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、增强型和耗尽型。
其中，金属氧化物半导体场效应管根据栅极材料的不同，又可以分为铝栅极场效应管、铌栅极场效应管等。
增强型和耗尽型场效应管则根据导电沟道类型的不同进行分类。
三、场效应管的结构和工作原理
场效应管的结构主要包括源极、漏极、栅极和衬底四个部分。
其中，源极和漏极之间的电流可以通过改变栅极电势来调节。
在场效应管工作时，栅极和
源极之间施加正向电压，使得栅极下的半导体区域形成导电沟道，从而实现源极和漏极之间的电流传输。
四、场效应管的特性和应用
场效应管具有高输入电阻、低噪声和低功耗等优点，在电路设计中有着广泛的应用。
例如，在放大电路、开关电路、振荡电路等领域都有场效应管的身影。
此外，场效应管还可以用于电压调整、电流控制等功能。
场效应管
MOS管分为四种类型：N沟道耗尽型管、N沟道增强型管、P沟道耗尽型管和 P沟道增强型管。
MOS管的特点
输入阻抗高、栅源电压可正可负、耐高温、易 集成。
N沟道增强型绝缘栅场效应管 （1）结构与符号 增强型的特点
1. 工作原理
绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”
的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的
一、结型场效应管(JFET)
1 结构与工作原理 （1）构成 结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。
N沟道结型场效应管的结构示意图
结型场效应管的符号
(a)N沟道管
(b) P沟道管
（2）工作原理 N· JFET的结构及符号
在同一块N型半导体上制作两 个高掺杂的P区，并将它们连 接在一起，引出的电极称为栅 极G，N型半导体的两端引出 两个电极，一个称为漏极D， 一个称为源极S。P区与N区交 界面形成耗尽层，漏极和源极 间的非耗尽层区域称为导电沟 道。
直流输入电阻 RGS ：其等于栅源电压与栅极电流之比，结型管的 RGS 大于10^7 欧，而MOS管的大于10^9欧。
二、交流参数
1. 低频跨导 gm 用以描述栅源之间的电压 UGS 对漏极电流 ID 的控 制作用。 ΔI D gm ΔU GS U DS 常数 单位：ID 毫安(mA)；UGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS)
绝缘栅
B端为衬底，与源极短接在一起。
N沟道耗尽型MOS管的结构与符号
（2）N沟道的形成 N沟道的形成与外电场对N沟道的影响 控制原理分四种情况讨论：
① uGS 0时，来源于外电场UGS正极的正电荷使SiO2中原有的正电荷数目增加， 由于静电感应，N沟道中的电子随之作同等数量的增加，沟道变宽，沟道电阻减 小，漏电流成指数规律的增加。
六种场效应管
六种场效应管场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种非常重要的电子器件，它能够通过控制输入电场来调节输出电流。
场效应管分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和JFET（结型场效应管）两大类，每类中又分为增强型和耗尽型。
第一种场效应管是N沟道增强型MOSFET（N-Channel Enhanced MOSFET）。
N沟道增强型MOSFET是一种双极性器件，其栅极和漏极之间的电场控制输出电流。
当栅极电压为正值时，它吸引正极性的载流子，导致漏极电流增加。
N沟道增强型MOSFET通常用于低功率应用，如放大器和开关电路。
第二种场效应管是N沟道耗尽型MOSFET（N-Channel Depletion MOSFET）。
N沟道耗尽型MOSFET的工作原理与N沟道增强型MOSFET类似，但是它的栅极电压为0伏时有输出漏极电流，因此被称为耗尽型。
N沟道耗尽型MOSFET通常用于特定应用，如电压参考电路和电流源。
第三种场效应管是P沟道增强型MOSFET（P-Channel Enhanced MOSFET）。
P沟道增强型MOSFET与N沟道增强型MOSFET原理相同，但是它使用了P型半导体材料。
当栅极电压为负值时，它吸引负极性的载流子，导致漏极电流增加。
P沟道增强型MOSFET通常用于低功率应用和负电压电路。
第四种场效应管是P沟道耗尽型MOSFET（P-Channel Depletion MOSFET）。
P沟道耗尽型MOSFET与P沟道增强型MOSFET原理相同，只是栅极电压为0伏时有输出漏极电流。
P沟道耗尽型MOSFET通常用于特定应用，如负电压参考电路和负电流源。
第五种场效应管是结型场效应管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）。
JFET是一种单极性器件，通过控制栅源电压来调节输出电流。
JFET分为N沟道和P沟道两种类型，其工作原理均基于P-N结的特性。
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别一、什么是场效应管场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）简称场效应管。
这种晶体管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体元件。
具有输入阻抗高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极（闸极）与其他电极完全绝缘而得名。
按沟道半导体材料的不同，场效应管又分为N沟道和P沟道两种。
P沟道场效应管的工作原理与N沟道场效应管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已，这如同三极管有NPN型和PNP型一样。
同普通三极管一样，场效应管也有三个引脚，分别是门极（又称栅极）、源极、漏极3个端子。
场效应管可看做一只普通三极管，栅极（闸极）G对应基极B，漏极D对应集电极C，源极S对应发射极E（N沟道对应NPN型晶体管，P沟道对应PNP晶体管）。
二、常用场效应管的种类与识别目前应用最为广泛的是绝缘栅型场效应管，简称MOS管或简称MOSFET（Met al Oxide Semiconductor FET，即金属-氧化物-半导体场效应管），这里就侧重介绍绝缘栅型场效应管的相关知识与测量方法。
1、常用场效应管的种类（1）小功率场效应管常用的小功率场效应管主要有TO-92封装和SOT-23、SOT-223等封装形式。
采用TO-92封装的场效应管型号常用的有2N7002、BSP254、BS170、1N60等。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
TO-92封装场效应管的实物如图1所示。
图1 TO-92封装场效应管采用SOT-23封装的有代码为K1N、K72、K7A、K7B的2N7002（N沟道）、代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等型号。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
场效应管基础知识——很全
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108W～109W）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS 场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应晶体管的型号命名方法现行场效应管有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D 是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
三、场效应管的参数1、IDSS —饱和漏源电流。
场效应管详解
场效应管详解一、场效应管的基本概念场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，由栅极、漏极和源极三个电极组成。
栅极与漏极之间通过电场控制漏极和源极之间的电流。
二、场效应管的工作原理场效应管的工作原理基于电场控制电流的效应。
当栅极施加一定电压时，在栅极和漏极之间形成了一个电场，这个电场控制着漏极和源极之间的电流。
通过调节栅极电压，可以改变漏极和源极之间的电流，实现对电流的控制。
三、场效应管的分类根据不同的控制机构，场效应管可以分为三种类型：MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。
MOSFET是最常见的一种场效应管。
四、场效应管的特点和优势1. 高输入阻抗：场效应管的栅极是绝缘层，因此栅极和源极之间的电流极小，使得场效应管具有很高的输入阻抗。
2. 低噪声：由于高输入阻抗的特性，场效应管的噪声很低。
3. 低功耗：场效应管的控制电流很小，从而使得其功耗较低。
4. 快速开关速度：场效应管的开关速度较快，适合高频应用。
五、场效应管的应用领域场效应管广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、开关电路、调节电路、振荡器等。
在电子行业中，场效应管已经成为一种重要的电子元件。
六、场效应管的优化和发展随着科技的不断进步，场效应管也在不断优化和发展。
目前，一些新型的场效应管已经出现，如高电压场效应管、功率场效应管等，以满足不同领域对场效应管的需求。
场效应管作为一种重要的电子元件，具有较高的输入阻抗、低噪声、低功耗和快速开关速度等特点，广泛应用于各种电子设备中。
随着科技的不断发展，场效应管的优化和发展也在不断进行，使其能更好地满足不同领域的需求。
场效应管的研究和应用将继续推动电子技术的发展，为人们的生活带来更多便利和创新。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
外加电压的电场方向和 PN结内电场方向相反。 在外电场的作用下，内
电场将会被削弱，扩散
运动因此增强。这样多
数载流子将在外电场力
的驱动下源源不断地通 过PN结，形成较大的 扩散电流，称为正向电 流。由此可见PN结正 向导电时，其电阻是很 小的。
由以上分析可以得知
PN结通过正向电压时可以导电， 常称为导通；而加反向电压时不导 电，常称为截止。这说明：PN结 具有单向导电性。
P沟道场效应管工作时， 极性相反，沟道中的多子 为空穴。
二、绝缘栅型场效应管
N沟道绝缘栅型场效应管与P沟道绝 缘栅型场效应管的区别
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和绝缘栅型 场效应晶体管，而绝缘栅型场效应晶体管又分为 N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电。 N沟道的多数载流子是电子，P沟道是空穴。当沟 道中有电场时，就会有大量载流子，形成通路， 电场消失，沟道消失。 增强型场效应管是高电平导通（高电平时形成沟 道），耗尽型是低电平导通。
场效应管的分类与特 点
概念
场效应管是一种由输入信号电压来控制其 电流大小的半导体器件。是根据三极管的 原理开发出的新一代放大元件，有3个极性， 栅极，漏极，源极。属于电压控制型半导 体器件。
PN结的概念
如上图所示是一块两边掺入不同元素的 半导体。由于P型区和N型区两边的载 流子性质及浓度均不相同，P型区的空 穴浓度大，而N型区的电子浓度大，于 是在交界面处产生了扩散运动。
2.具有噪声低，受温度、辐射影响小，制造工艺 简单，便于大规模集成等优点，已被广泛应用于 集成电路中。
场效应管是一种由多数载流子参与导电的半导体 器件，故又称为单极型三极管。从参与导电的载 流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件 和空穴作为载流子的P沟道器件。
用途
场效应管属于电压控制器件，栅极基本上不取电 流，所以用在那些只允许信号源吸取小电流的高 精度、高灵敏度的测量仪器、仪表等。
参与导电的只是多子，所以不易受温度、辐射等 外界因素影响，用在环境条件变化较大的场合。
因噪声较小，对于低噪声、稳定性要求高的线性 放大电路宜采用。
所占的芯片面积小，功耗小，使用于大规模集成。 源极和漏极结构对称，可以互换使用。
Байду номын сангаас
（一）场效应管的分类
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
一、结型场效应管
结型场效应管是一种 利用耗尽层宽度改变 导电沟道的宽窄来控 制漏极电流的大小的 器件。
它是在N型半导体 硅片的两侧各制造一 个PN结，形成两个 PN结夹着一个N型沟 道的结构。
结型场效应管的工作原理
N沟道场效应管工作时，在栅极与源极之间加负 电，栅极与沟道之间的PN结为反偏。在源极、 漏极之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流 子（电子）由源极向漏极漂移，形成 ，其大小 受 的控制。
绝缘栅场效应管增强型与耗尽型特性曲线
（二）场效应管的特点
场效应管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、 动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、 安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶 体管和功率晶体管的强大竞争者。
1.输入端基本不取电流，一次输入电阻非常高， 一般可达10^8~10^5Ω。