场效应晶体管的电路符号及图片识别
pmos和noms管的电路符号
pmos和noms管的电路符号在电子电路中，PMOS（P型金属氧化物半导体场效应晶体管）和NMOS（N型金属氧化物半导体场效应晶体管）是常见的器件类型，它们在数字和模拟电路中都扮演着重要的角色。
了解它们的电路符号对于理解和设计电子电路至关重要。
1. PMOS管的电路符号PMOS管由P型衬底和N型栅极构成，其电路符号通常表示为一个P 型晶体管符号，同时在符号上方标示一个小的圆圈，表示P型晶体管的栅极连接至电源端（即VDD）。
PMOS管的电路符号如下所示：[示意图]2. NMOS管的电路符号相对于PMOS管，NMOS管的结构是N型衬底和P型栅极构成，其电路符号通常表示为一个N型晶体管符号，同时在符号上方标示一个小的圆圈，表示N型晶体管的栅极连接至地端（即VSS）。
NMOS管的电路符号如下所示：[示意图]在电路设计中，PMOS和NMOS管经常一起使用，构成CMOS（互补金属氧化物半导体）电路。
在CMOS电路中，PMOS和NMOS管可以根据逻辑需求进行串联或并联，实现不同的功能。
总结回顾通过本文的介绍，我们了解了PMOS和NMOS管的电路符号以及它们的工作原理。
PMOS管的符号由P型晶体管符号和一个在上方的小圆圈组成，表示栅极连接至电源端；NMOS管的符号由N型晶体管符号和一个在上方的小圆圈组成，表示栅极连接至地端。
在CMOS电路中，PMOS和NMOS管经常一起使用，以实现不同的逻辑功能。
个人观点和理解对于电子电路工程师来说，深入理解PMOS和NMOS管的电路符号及其工作原理至关重要。
掌握这些知识可以帮助工程师更好地设计和分析数字电路，确保电路的可靠性和稳定性。
在实际工作中，我发现对PMOS和NMOS管的电路符号有一个清晰的认识，可以更快速、准确地理解和解决电路设计中的问题。
我建议花一些时间来学习和熟悉这些符号，这将对在电子电路领域取得成功有很大帮助。
在今后的工作中，我将继续深入学习电子电路知识，不断提升自己的技能和能力，为电路设计和分析提供更专业、高质量的支持。
23-场效应晶体管PPT模板
1.5 场效应管的使用注意事项
1．使用场效应管时要注意电压极性，电压和电流的数 值不能超过最大允许值。
2．为了防止栅极击穿，要求一切测试仪器、电烙铁等 都必须有外接地线。焊接时用小功率烙铁，动作要迅速，或 切断电源后利用余热焊接。焊接时，应先焊源极，后焊栅极。
转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压UGS对漏 极电流ID的控制作用。gm的量纲为mA/V，所以，gm又称为 跨导，其定义为：
gm UIDGS（UDS为常数）
（2）输出特性曲线
输出特性曲线是指栅源电压UGS一定时，漏极电流ID与漏 极电压UDS之间的关系曲线ID＝f（UDS）。它可分为三个区： 可变电阻区、恒流区和截止区。
电工电子技术
场效应晶体管*
场效应晶体管（FET）是一种利用输入回路的电场效应 来控制输出回路电流的半导体器件，属于电压控制器件。它 只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型三极管。它具 有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗 小、制造工艺简单和便于集成化等优点。
根据结构不同，场效应管可分为结型场效应管（JFET） 和绝缘栅场效应管（MOS管）。由于MOS管的性能更优越， 发展更迅速，应用更广泛，因此，本节将仅介绍MOS管。
由于耗尽型MOS管自身能形成导电沟道，所以只要有 UDS存在，就会有ID产生。如果加上正的UGS，则吸引到反型 层中的电子增加，沟道加宽，ID增大。如果加上负的UGS，则 此电场将会削弱原来绝缘层中正离子的电场，使吸引到反型 层中的电子减少，沟道变窄，ID减小。若负UGS达到某一值， 则沟道中的电荷将耗尽，反型层消失，管子截止，此时的值 称为夹断电压UGS（off）或UP。
场效应管的符号
场效应管的符号场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种主要用于放大和开关电路中的电子元件。
它是由半导体材料构成的，具有三种基本结构：n型-沟道型（n-channel）场效应管，p型-沟道型（p-channel）场效应管和增强型（Enhancement）场效应管。
n型-沟道型场效应管的符号如下图所示：D||___|___| |G --| |--|___|| || ||___|||S该符号中，字母D代表“漏极”（Drain），字母S代表“源极”（Source），字母G代表“栅极”（Gate）。
沟道型场效应管的栅极和源极之间有一个n型沟道，当栅极的电场作用下，沟道中的导电性能发生变化，从而控制从漏极到源极的电流。
p型-沟道型场效应管的符号与n型-沟道型场效应管的符号类似，只是沟道的材料变为p型半导体。
增强型场效应管的符号如下图所示：D||___|___| |G --| |--| || || || || || || ||___|||S在增强型场效应管中，栅极和源极之间没有直接连接的沟道，因此当栅极电压为0时，漏极到源极的电流非常小。
只有当栅极施加正向电压时，才能形成一个通道，电流才能流动。
FET的符号除了代表不同类型FET的差异外，还标明了不同的引脚，以便在电路连接时正确地将其放置。
在FET的符号中，源极一般是箭头所指方向的左下角，而漏极则是箭头所指方向的右上角。
总结起来，场效应管的符号包括三个主要部分：源极、漏极和栅极，并且根据不同类型的FET，其符号会有所不同。
这就是关于场效应管的符号的详细解释和说明。
不同类型的FET有不同的引脚配置和工作原理，深入了解FET的符号可以帮助我们正确地使用和连接这些器件。
场效应管
MOS管分为四种类型：N沟道耗尽型管、N沟道增强型管、P沟道耗尽型管和 P沟道增强型管。
MOS管的特点
输入阻抗高、栅源电压可正可负、耐高温、易 集成。
N沟道增强型绝缘栅场效应管 （1）结构与符号 增强型的特点
1. 工作原理
绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”
的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的
一、结型场效应管(JFET)
1 结构与工作原理 （1）构成 结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。
N沟道结型场效应管的结构示意图
结型场效应管的符号
(a)N沟道管
(b) P沟道管
（2）工作原理 N· JFET的结构及符号
在同一块N型半导体上制作两 个高掺杂的P区，并将它们连 接在一起，引出的电极称为栅 极G，N型半导体的两端引出 两个电极，一个称为漏极D， 一个称为源极S。P区与N区交 界面形成耗尽层，漏极和源极 间的非耗尽层区域称为导电沟 道。
直流输入电阻 RGS ：其等于栅源电压与栅极电流之比，结型管的 RGS 大于10^7 欧，而MOS管的大于10^9欧。
二、交流参数
1. 低频跨导 gm 用以描述栅源之间的电压 UGS 对漏极电流 ID 的控 制作用。 ΔI D gm ΔU GS U DS 常数 单位：ID 毫安(mA)；UGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS)
绝缘栅
B端为衬底，与源极短接在一起。
N沟道耗尽型MOS管的结构与符号
（2）N沟道的形成 N沟道的形成与外电场对N沟道的影响 控制原理分四种情况讨论：
① uGS 0时，来源于外电场UGS正极的正电荷使SiO2中原有的正电荷数目增加， 由于静电感应，N沟道中的电子随之作同等数量的增加，沟道变宽，沟道电阻减 小，漏电流成指数规律的增加。
电工电路图中场效应管的符号标识
电工电路图中场效应管的符号标识场效应管（Field-Effect Transistor）简称FET，是一种典型的电压控制型半导体器件，具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点，但容易被静电击穿。
场效应管有三只引脚，分别为漏极（D）、源极（S）、栅极（G）。
在电工电路图中，场效应管以专用的图形符号和电路标识进行体现。
场效应管在电工电路图中的标识通常分为两部分，一部分是图形符号，标识场效应管的类型，一部分是字母+数字，标识该场效应管在电路中的序号及型号等信息。
据图可知，图形符号体现出了场效应管的基本类型；引线由图形符号两端伸出，与电路图中的电路线连通，构成电子线路；电路标识通常提供了场效应管的类别、名称、序号以及场效应管型号等参数信息。
在实际应用中，场效应晶体管的类型多种多样，相对应的图形符号也有所区别，因此，了解不同类型的场效应晶体管的图形符号，对识读电工电路图有重要意义。
如表所示为常见场效应管的图形符号以及外形。
结型场效应管是在一块N型（或P型）半导体材料两边制作P型（或N型）区，从而形成PN结构成。
与中间半导体相连接的两个电极称为漏极Drain（用D表示）和源极Source （用S表示），而把两侧的半导体引岀的电极相连接在一起称为栅极Gat （用G表示）。
结型场效应管是利用沟道两边的耗尽层宽窄，改变沟道导电特性来控制漏极电流的。
绝缘栅型场效应管(MOS)由金属、氧化物、半导体材料制成，通常简称为MOS场效应管。
绝缘栅型场效应管是利用感应电荷的多少，改变沟道导电特性来控制漏极电流的。
它与结型场效应管的外形相同，只是型号标记不同。
MOS场效应管一般被用于音频功率放大，开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路。
在识读电路时，可根据场效应管的电路符号，识读出电路中场效应管的类型，然后再通过电路符号旁的标识信息了解该场效应管的型号以及连接关系等辅助信息，这是完成识图的第一步。
场效应晶体管的电路符号
场效应晶体管的电路符号场效应晶体管（field-effect transistor，简称FET）是一种半导体器件，常用于放大和开关电路中。
它的电路符号如下：1. N沟道场效应晶体管符号：N沟道场效应晶体管（n-channel field-effect transistor，简称nFET）的电路符号由三个主要部分组成：一个直线轴表示源极（source），一个箭头表示漏极（drain），以及附加在直线轴和箭头之间的一条弧线表示栅极（gate）。
该符号用于表示N沟道型场效应晶体管的接线方向和主要结构。
2. P沟道场效应晶体管符号：P沟道场效应晶体管（p-channel field-effect transistor，简称pFET）的电路符号与N沟道型晶体管的符号相似，主要区别在于源极和漏极的位置与箭头反转了。
源极变为箭头，箭头变为直线轴，表示P型半导体。
在电路设计中，常用到场效应晶体管的两种接法，包括共源极接法和共漏极接法。
下面将分别对这两种接法的特点和用途进行详细介绍：共源极接法（source-follower configuration）：1. 特点：在共源极接法中，晶体管的源极与信号源相连，漏极直接通过负载电阻接地。
这种接法的特点是输入电阻较高，输出电阻较低，电压放大系数接近于1。
可以实现电压放大和阻抗匹配功能。
2. 用途：共源极接法常用于信号放大电路中，可以将低电平信号放大为高电平信号，同时提供较低的输出阻抗，以便驱动下级电路。
共漏极接法（drain-follower configuration）：1. 特点：在共漏极接法中，晶体管的漏极直接连接到负载电阻，源极通过电阻与地相连。
这种接法的特点是输入电阻较低，输出电阻较高，电流放大系数接近于1。
2. 用途：共漏极接法常用于电流放大电路中，可以实现电流放大和电阻匹配功能。
常见的应用场景包括光电探测器、放大器和电流源等。
除了以上两种常用接法外，场效应晶体管还可以用于开关电路中。
场效应晶体管的电路符号及图片识别
创作编号：GB8878185555334563BT9125XW创作者：凤呜大王*场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)，简称为场效应管，是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。
场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S，栅极G，漏极D。
场效应管电路符号一：场效应管的分类：1、各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。
所谓沟道，就是电流通道。
2、根据构造和工艺的不同，场效应管分为结型和绝缘型两大类。
结型场效应管的英文是 Junction Field Effect Transistor，简称JFET。
JFET 又分为N沟道，P沟道场效应管。
绝缘栅型场效应管：英文是 Metal Oxide Semiconductor Field E ffect Transistor，缩写为MOSFET，简称MOS管。
MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
3、按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
二：场效应晶体管具有如下特点：（1）输入阻抗高；（2）输入功耗小；（3）温度稳定性好；（4）信号放大稳定性好，信号失真小；（5）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
三：场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管四：场效应管的主要作用：1.场效应管可应用于放大。
场效应晶体管电路标识及引脚的识别。
场效应晶体管电路标识及引脚的识别。
场效应晶体管在电路中的标识通常分为两部分：一部分是电路图形符号，表示场效应晶体管的类型；一部分是字母+数字，表示该场效应晶体管在电路中的序号及型号。
如上图所示，电路图形符号可以体现出场效应晶体管的类型，三根引线分别代表栅极(G)、漏极(D)和源极(S)，文字标识通常提供场效应晶体管的名称、序号及型号等信息。
下图为在实际电路中，场效应晶体管标识信息的识读。
1、场效应晶体管型号标识的识别场效应晶体管的类型、参数等是通过直标法标注在外壳上的，识读场效应晶体管型号标识信息需要了解不同国家、地区及生产厂商的命名规则。
1）国产场效应晶体管型号标识的识别国产场效应晶体管的命名方式主要有两种，包含的信息不同。
国产场效应晶体管的命名方式、外形及标识识读方法如下图所示。
2）日产场效应品体管型号标识的识别日产场效应晶体管的命名方式与国产场效应晶体管不同，如下图所示。
日产场效应晶体管的型号标识信息一般由5个部分构成，包括名称、代号、类型、顺序号、改进类型。
下图为典型日产场效应晶体管的外形及标识识读方法。
2、场效应晶体管引脚极性的识别与三极管一样，场效应晶体管也有三个电极，分别是栅极G、源极S和漏极D。
场效应晶体管的引脚排列位置根据品种、型号及功能的不同而不同，识别场效应晶体管的引脚极性在测试、安装、调试等各个应用场合都十分重要。
1）根据型号标识查阅引脚功能一般场效应晶体管的引脚识别主要是根据型号信息查阅相关资料。
首先识别出场效应晶体管的型号，然后查阅半导体手册或在互联网上搜索该型号场效应晶体管的引脚排列，如图所示。
2）根据一般排列规律识别对于大功率场效应晶体管，一般情况下，将印有型号标识的一面朝上放置，从左至右，引脚排列基本为G、D、S极(散热片接D极):采用贴片封装的场效应晶体管，将印有型号标识的一面朝上放置，散热片(上面的宽引脚)是D极，下面的三个引脚从左到右依次是G、D、S 极。
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场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)，简称为场效应管，是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。
场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S，栅极G，漏极D。
场效应管电路符号
一：场效应管的分类：
1、各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。
所谓沟道，就是电流通道。
2、根据构造和工艺的不同，场效应管分为结型和绝缘型两大类。
结型场效应管的英文是 Junction Field Effect Transistor，简称JFET。
JFET 又分为N沟道，P沟道场效应管。
绝缘栅型场效应管：英文是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，缩写为MO SFET，简称MOS管。
MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
3、按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
二：场效应晶体管具有如下特点：
（1）输入阻抗高；
（2）输入功耗小；
（3）温度稳定性好；
（4）信号放大稳定性好，信号失真小；
（5）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
三：场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
四：场效应管的主要作用：
1.场效应管可应用于放大。
由于场效应管的放大器输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
五：场效应管好坏与极性判别:
将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.
将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D。