无机材料物理性能试题及答案

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无机材料物理性能考试复习题

无机材料物理性能考试复习题

无机材料物理性能考试复习题(含答案)一、名词解释(选做5个,每个3分,共15分)1. K IC :平面应变断裂韧度,表示材料在平面应变条件下抵抗裂纹失稳扩展的能力。

2.偶极子(电偶极子):正负电荷的平均中心不相重合的带电系统。

3.电偶极矩:偶极子的电荷量与位移矢量的乘积,ql =μ。

(P288)4.格波:原子热振动的一种描述。

从整体上看,处于格点上的原子的热振动可描述成类似于机械波传播的结果,这种波称为格波。

格波的一个特点是,其传播介质并非连续介质,而是由原子、离子等形成的晶格,即晶格的振动模。

晶格具有周期性,因而,晶格的振动模具有波的形式。

格波和一般连续介质波有共同的波的特性,但也有它不同的特点。

5.光频支:格波中频率很高的振动波,质点间的相位差很大,邻近的质点运动几乎相反时,频率往往在红外光区,称为“光频支振动”。

(P109)6.声频支:如果振动着的质点中包含频率很低的格波,质点之间的相位差不大,则格波类似于弹性体中的应变波,称为“.声频支振动”。

(P109)7.色散:材料的折射率随入射光频率的减小(或波长的增加)而减小的性质,称为折射率的色散。

8.光的散射:物质中存在的不均匀团块使进入物质的光偏离入射方向而向四面八方散开,这种现象称为光的散射,向四面八方散开的光,就是散射光。

与光的吸收一样,光的散射也会使通过物质的光的强度减弱。

9.双折射:光进入非均匀介质时,一般要分为振动方向相互垂直、传播速度不等的两个波,它们分别构成两条折射光线,这个现象就称为双折射。

(P172)10.本征半导体(intrinsic semiconductor):完全不含杂质且无晶格缺陷的、导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体称为本征半导体。

N 型半导体:在半导体中掺入施主杂质,就得到N 型半导体;在半导体中掺入受主杂质,就得到P 型半导体。

12.超导体:超导材料(superconductor ),又称为超导体,指可以在特定温度以下,呈现电阻为零的导体。

无机材料物理性能试题及答案

无机材料物理性能试题及答案

无机材料物理性能试题及答案Happy First, written on the morning of August 16, 2022无机材料物理性能试题及答案无机材料物理性能试题及答案一、填空题每题2分;共36分1、电子电导时;载流子的主要散射机构有中性杂质的散射、位错散射、电离杂质的散射、晶格振动的散射..2、无机材料的热容与材料结构的关系不大 ;CaO和SiO2的混合物与CaSiO3的热容-温度曲线基本一致 ..3、离子晶体中的电导主要为离子电导 ..可以分为两类:固有离子电导本征电导和杂质电导..在高温下本征电导特别显着;在低温下杂质电导最为显着..4、固体材料质点间结合力越强;热膨胀系数越小 ..5、电流吸收现象主要发生在离子电导为主的陶瓷材料中..电子电导为主的陶瓷材料;因电子迁移率很高;所以不存在空间电荷和吸收电流现象..6、导电材料中载流子是离子、电子和空位..7. 电子电导具有霍尔效应;离子电导具有电解效应;从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的类型..8. 非晶体的导热率不考虑光子导热的贡献在所有温度下都比晶体的小 ..在高温下;二者的导热率比较接近 ..9. 固体材料的热膨胀的本质为:点阵结构中的质点间平均距离随着温度升高而增大 ..10. 电导率的一般表达式为∑=∑=iiiiiqnμσσ..其各参数ni、qi和i的含义分别是载流子的浓度、载流子的电荷量、载流子的迁移率 ..11. 晶体结构愈复杂;晶格振动的非线性程度愈大 ..格波受到的散射大 ; 因此声子的平均自由程小 ;热导率低 ..12、波矢和频率之间的关系为色散关系..13、对于热射线高度透明的材料;它们的光子传导效应较大;但是在有微小气孔存在时;由于气孔与固体间折射率有很大的差异;使这些微气孔形成了散射中心;导致透明度强烈降低..14、大多数烧结陶瓷材料的光子传导率要比单晶和玻璃小1~3数量级;其原因是前者有微量的气孔存在;从而显着地降低射线的传播;导致光子自由程显着减小..15、当光照射到光滑材料表面时;发生镜面反射 ;当光照射到粗糙的材料表面时;发生 漫反射 ..16、作为乳浊剂必须满足:具有与基体显着不同的折射率;能够形成小颗粒..用高反射率;厚釉层和高的散射系数;可以得到良好的乳浊效果..17、材料的折射随着入射光的频率的减少或波长的增加而减少的性质;称为折射率的色散..二、 问答题每题8分;共48分1、简述以下概念:顺磁体、铁磁体、软磁材料..答:1顺磁体:原子内部存在永久磁矩;无外磁场;材料无规则的热运动使得材料没有磁性..当外磁场作用;每个原子的磁矩比较规则取向;物质显示弱磁场..2铁磁体:在较弱的磁场内;材料也能够获得强的磁化强度;而且在外磁场移去;材料保留强的磁性..3软磁材料:容易退磁和磁化磁滞回线瘦长;具有磁导率高;饱和磁感应强度大;矫顽力小;稳定型好等特性..2、简述以下概念:亚铁磁体、反磁体、磁致伸缩效应答:1亚铁磁体:铁氧体:含铁酸盐的陶瓷磁性材料..它和铁磁体的相同是有自发磁化强度和磁畴;不同是:铁氧体包含多种金属氧化物;有二种不同的磁矩;自发磁化;也称亚铁磁体..2反磁体:由于“交换能”是负值;电子自旋反向平行..3磁致伸缩效应:使消磁状态的铁磁体磁化;一般情况下其尺寸、形状会发生变化;这种现象称为磁致伸缩效应..3、简述以下概念:热应力、柯普定律、光的双折射..答:1由于材料热膨胀或收缩引起的内应力称为热应力..2柯普定律:化合物分子热容等于构成该化合物各元素原子热容之和..理论解释:i i c n C ∑=..3光进入非均质介质时;一般要分为振动方向相互垂直、传播速度不等的两个波;它们构成两条折射光线;这个现象称为双折射..4、什么是铁氧体 铁氧体按结构分有哪六种主要结构答:以氧化铁Fe3+2O3为主要成分的强磁性氧化物叫做铁氧体..铁氧体按结构:尖晶石型、石榴石型、磁铅石型、钙钛矿型、钛铁矿型和钨青铜型..5、影响材料透光性的主要因素是什么提高无机材料透光性的措施有哪些答:影响透光性的因素:1吸收系数可见光范围内;吸收系数低1分2反射系数材料对周围环境的相对折射率大;反射损失也大..1分3散射系数材料宏观及微观缺陷;晶体排列方向;气孔..1分提高无机材料透光性的措施: 1提高原材料纯度减少反射和散射损失2分.. 2掺外加剂降低材料的气孔率2分..3采用热压法便于排除气孔2分6、影响离子电导率的因素有哪些并简述之..答:1温度..随着温度的升高;离子电导按指数规律增加..低温下杂质电导占主要地位..这是由于杂质活化能比基本点阵离子的活化能小许多的缘故..高温下;固有电导起主要作用..2分2晶体结构..电导率随活化能按指数规律变化;而活化能反映离子的固定程度;它与晶体结构有关..熔点高的晶体;晶体结合力大;相应活化能也高;电导率就低..2分结构紧密的离子晶体;由于可供移动的间隙小;则间隙离子迁移困难;即活化能高;因而可获得较低的电导率..2分3晶格缺陷..离子晶格缺陷浓度大并参与电导..因此离子性晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键..2分7、比较爱因斯坦模型和德拜比热模型的热容理论;并说明哪种模型更符合实际..答:1爱因斯坦模型Einstein model他提出的假设是:每个原子都是一个独立的振子;原子之间彼此无关;并且都是以相同的角频w振动2分;即在高温时;爱因斯坦的简化模型与杜隆—珀替公式相一致..但在低温时;说明CV值按指数规律随温度T而变化;而不是从实验中得出的按T 3变化的规律..这样在低温区域;爱斯斯坦模型与实验值相差较大;这是因为原子振动间有耦合作用的结果2分..2德拜比热模型德拜考虑了晶体中原子的相互作用;把晶体近似为连续介质2分..当温度较高时;与实验值相符合;当温度很低时;这表明当T →0时;C V 与T 3成正比并趋于0;这就是德拜T 3定律;它与实验结果十分吻合;温度越低;近似越好2分..8、晶态固体热容的量子理论有哪两个模型 它们分别说明了什么问题答:爱因斯坦模型在高温时;爱因斯坦的简化模型与杜隆—珀替公式相一致..2分但在低温时;V C 值按指数规律随温度T 而变化;而不是从实验中得出的按T 3变化的规律..这样在低温区域;爱斯斯坦模型与实验值相差较大;这是因为原子振动间有耦合作用的结果..2分德拜比热模型1) 当温度较高时;即D T θ>>;R Nk C V 33==;即杜隆—珀替定律..2分2) 当温度很低时;表明当T →0时;C V 与T 3成正比并趋于0;这就是德拜T 3定律;它与实验结果十分吻合;温度越低;近似越好..2分9、如何判断材料的电导是离子电导或是电子电导 试说明其理论依据..答:1材料的电子电导和离子电导具有不同的物理效应;由此可以确定材料的电导性质..2分利用霍尔效应可检验材料是否存在电子电导;1分利用电解效应可检验材料是否存在离子电导..1分2霍尔效应的产生是由于电子在磁场作用下;产生横向移动的结果;离子的质量比电子大得多;磁场作用力不足以使它产生横向位移;因而纯离子电导不呈现霍尔效应..2分3电解效应离子电导特征离子的迁移伴随着一定的物质变化;离子在电极附近发生电子得失;产生新的物质..由此可以检验材料是否存在离子电导..2分三、 计算题共16分1、一陶瓷零件上有一垂直于拉应力的边裂;如边裂长度为:12 mm20.049mm32 m ;分别求上述三种情况下的临界应力..设此材料的断裂韧性为162Mpa·m 1/2; 讨论诸结果.. c K c c πσ=I 2分MPa c c K 4.20310262.1=-I ⨯⨯=ππσ= 2分 MPa c c K 5.646610262.1=-I ⨯⨯=ππσ= 2分3 c =577.19Gpa2分2c 为4mm 的陶瓷零件容易断裂;说明裂纹尺寸越大;材料的断裂强度越低..2分2、光通过厚度为X 厘米的透明陶瓷片;入射光的强度为I 0;该陶瓷片的反射系数和散射系数分别为m 、 cm -1和scm -1..请在如下图示中用以上参数表达各种光能的损失..当X=1;m=0.04;透光率I/I 0=50%;计算吸收系数和散射系数之和..图中标识每个1分;计算5分。

《无机材料物理性能》课后习题答案

《无机材料物理性能》课后习题答案

《材料物理性能》第一章材料的力学性能1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。

解:由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。

1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。

若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。

解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。

则有当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。

0816.04.25.2ln ln ln 22001====A A l l T ε真应变)(91710909.4450060MPa A F =⨯==-σ名义应力0851.0100=-=∆=A A l l ε名义应变)(99510524.445006MPa A F T =⨯==-σ真应力)(2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =⨯+⨯=+=上限弹性模量)(1.323)8405.038095.0()(112211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量1-11一圆柱形Al 2O 3晶体受轴向拉力F ,若其临界抗剪强度τf 为135 MPa,求沿图中所示之方向的滑移系统产生滑移时需要的最小拉力值,并求滑移面的法向应力。

解:1-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图,并算出t = 0,t = ∞ 和t = τ时的纵坐标表达式。

解:Maxwell 模型可以较好地模拟应力松弛过程:V oigt 模型可以较好地模拟应变蠕变过程:以上两种模型所描述的是最简单的情况,事实上由于材料力学性能的复杂性,我们会用到用多个弹簧和多个黏壶通过串并联组合而成的复杂模型。

《无机材料物理性能》课后习题答案(2)

《无机材料物理性能》课后习题答案(2)

《⽆机材料物理性能》课后习题答案(2)《材料物理性能》第⼀章材料的⼒学性能1-1⼀圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉⼒,若直径拉细⾄2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉⼒下的真应⼒、真应变、名义应⼒和名义应变,并⽐较讨论这些计算结果。

解:由计算结果可知:真应⼒⼤于名义应⼒,真应变⼩于名义应变。

1-5⼀陶瓷含体积百分⽐为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。

若该陶瓷含有5 %的⽓孔,再估算其上限和下限弹性模量。

解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。

则有当该陶瓷含有5%的⽓孔时,将P=0.05代⼊经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。

0816.04.25.2ln ln ln 22001====A A l l T ε真应变)(91710909.4450060MPa A F =?==-σ名义应⼒0851.0100=-=?=A A l l ε名义应变)(99510524.445006MPa A F T =?==-σ真应⼒)(2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =?+?=+=上限弹性模量)(1.323)8405.038095.0()(112211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量1-11⼀圆柱形Al 2O 3晶体受轴向拉⼒F ,若其临界抗剪强度τf 为135 MPa,求沿图中所⽰之⽅向的滑移系统产⽣滑移时需要的最⼩拉⼒值,并求滑移⾯的法向应⼒。

解:1-6试分别画出应⼒松弛和应变蠕变与时间的关系⽰意图,并算出t = 0,t = ∞ 和t = τ时的纵坐标表达式。

解:Maxwell 模型可以较好地模拟应⼒松弛过程:V oigt 模型可以较好地模拟应变蠕变过程:以上两种模型所描述的是最简单的情况,事实上由于材料⼒学性能的复杂性,我们会⽤到⽤多个弹簧和多个黏壶通过串并联组合⽽成的复杂模型。

无机材料物理性能考试试题及答案

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无机材料物理性能考试试题及答案一、填空(18)1. 声子的准粒子性表现在声子的动量不确定、系统中声子的数目不守恒。

2. 在外加电场E的作用下,一个具有电偶极矩为p的点电偶极子的位能U=-p·E,该式表明当电偶极矩的取向与外电场同向时,能量为最低而反向时能量为最高。

3. TC为正的温度补偿材料具有敞旷结构,并且内部结构单位能发生较大的转动。

4. 钙钛矿型结构由 5 个简立方格子套购而成,它们分别是1个Ti 、1个Ca 和3个氧简立方格子5. 弹性系数ks的大小实质上反映了原子间势能曲线极小值尖峭度的大小。

6. 按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不是取决于裂纹的数量,而是决定于裂纹的大小,即是由最危险的裂纹尺寸或临界裂纹尺寸决定材料的断裂强度。

7. 制备微晶、高密度与高纯度材料的依据是材料脆性断裂的影响因素有晶粒尺寸、气孔率、杂质等。

8. 粒子强化材料的机理在于粒子可以防止基体内的位错运动,或通过粒子的塑性形变而吸收一部分能量,达从而到强化的目的。

9. 复合体中热膨胀滞后现象产生的原因是由于不同相间或晶粒的不同方向上膨胀系数差别很大,产生很大的内应力,使坯体产生微裂纹。

10.裂纹有三种扩展方式:张开型、滑开型、撕开型11. 格波:晶格中的所有原子以相同频率振动而形成的波,或某一个原子在平衡位置附近的振动是以波的形式在晶体中传播形成的波二、名词解释(12)自发极化:极化并非由外电场所引起,而是由极性晶体内部结构特点所引起,使晶体中的每个晶胞内存在固有电偶极矩,这种极化机制为自发极化。

断裂能:是一种织构敏感参数,起着断裂过程的阻力作用,不仅取决于组分、结构,在很大程度上受到微观缺陷、显微结构的影响。

包括热力学表面能、塑性形变能、微裂纹形成能、相变弹性能等。

电子的共有化运动:原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局限在某一个原子上,可以由一个原子的某一电子壳层转移到相邻原子的相似壳层上去,因而电子可以在整个晶体中运动。

无机材料物理性能试题及答案

无机材料物理性能试题及答案

无机材料物理性能试题及答案It was last revised on January 2, 2021无机材料物理性能试题及答案无机材料物理性能试题及答案一、填空题(每题2分,共36分)1、电子电导时,载流子的主要散射机构有中性杂质的散射、位错散射、电离杂质的散射、晶格振动的散射。

2、无机材料的热容与材料结构的关系不大,CaO和SiO2的混合物与CaSiO3的热容-温度曲线基本一致。

3、离子晶体中的电导主要为离子电导。

可以分为两类:固有离子电导(本征电导)和杂质电导。

在高温下本征电导特别显着,在低温下杂质电导最为显着。

4、固体材料质点间结合力越强,热膨胀系数越小。

5、电流吸收现象主要发生在离子电导为主的陶瓷材料中。

电子电导为主的陶瓷材料,因电子迁移率很高,所以不存在空间电荷和吸收电流现象。

6、导电材料中载流子是离子、电子和空位。

7. 电子电导具有霍尔效应,离子电导具有电解效应,从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的类型。

8. 非晶体的导热率(不考虑光子导热的贡献)在所有温度下都比晶体的小。

在高温下,二者的导热率比较接近。

9. 固体材料的热膨胀的本质为:点阵结构中的质点间平均距离随着温度升高而增大。

10. 电导率的一般表达式为∑=∑=iiiiiqnμσσ。

其各参数n i、q i和i的含义分别是载流子的浓度、载流子的电荷量、载流子的迁移率。

11. 晶体结构愈复杂,晶格振动的非线性程度愈大。

格波受到的散射大,因此声子的平均自由程小,热导率低。

12、波矢和频率之间的关系为色散关系。

13、对于热射线高度透明的材料,它们的光子传导效应较大,但是在有微小气孔存在时,由于气孔与固体间折射率有很大的差异,使这些微气孔形成了散射中心,导致透明度强烈降低。

14、大多数烧结陶瓷材料的光子传导率要比单晶和玻璃小1~3数量级,其原因是前者有微量的气孔存在,从而显着地降低射线的传播,导致光子自由程显着减小。

15、当光照射到光滑材料表面时,发生镜面反射 ;当光照射到粗糙的材料表面时,发生 漫反射 。

无机材料物理性能学习题和答案

无机材料物理性能学习题和答案

无机材料物理性能学习题和答案力学的习题1、阐述以下概念:弹性弹性模量切变模量体积模量滞弹性未弛豫模量弛豫模量断裂强度应力强度因子断裂韧性断裂功塑性蠕变相变增韧弥散增韧2、试用图示比较典型的无机材料、金属材料和高分子材料在常温常条件下的变形行为有何异同?3、材料的3种弹性模量E 、G 和K 之间有何数值关系。

4、结合原子结合力示意图分析说明弹性模量随原子间距变化的规律。

5、弹性模量与熔点和原子体积之间存在何种关系?为什么?.6、如何解释弹性模量随温度的变化关系?7、一含有球形封闭气孔的陶瓷材料,气孔率为多少时,其弹性模量会降至其完全致密状态时的一半?8、采用Si 3N 4和h-BN 粉体为原料,热压烧结制备出层厚均匀致密的三明治结构的复合陶瓷材料。

其中,h-BN 层的体积含量为30%,试分别计算该复合陶瓷材料沿平行方向和垂直于层面方向的弹性模量(Si 3N 4和h-BN 陶瓷的弹性模量分别为300GPa 和80GPa )9、分析滞弹性产生的机制及其影响因素。

10、解释陶瓷材料的实际强度为何只有其理论强度的1/100~1/10?13、分析材料的组织结构因素如何影响陶瓷材料的断裂强度。

14、根据联合强度理论,举列说明在设计和使用陶瓷材料时,应该怎样使用才能杨长避短?15、从显微组织结构角度分析改善陶瓷材料断裂韧性的可行措施。

16、说明ZrO2相变增韧陶瓷的原理,并指出该种韧化措施的利弊。

17、给出常见的材料的裂纹起源种类,并说明在无机材料构件的使用过程中需要注意的问题。

18、动用塑性变形的位错运动理论来解释无机材料的脆性特征。

19、分析影响无机材料塑性变形能力的影响因素。

21、给出陶瓷材料典型的蠕变曲线,并阐述其特征。

22、说出无机材料的蠕变机制,并分析陶瓷材料蠕变的影响因素。

23、分析亚临界裂纹扩展的几种机制。

24、对Si 3N 4陶瓷,其弹性模量E 为300GPa ,断裂表面能γs 为1J/m2,若其中存在有长度为2μm的微裂纹,计算其临界断裂应力。

无机材料物理性能考试试题及答案 2

无机材料物理性能考试试题及答案 2

无机材料物理性能考试试题及答案一、填空(18)1、声子的准粒子性表现在声子的动量不确定、系统中声子的数目不守恒。

2、在外加电场E的作用下,一个具有电偶极矩为p的点电偶极子的位能U=-p·E,该式表明当电偶极矩的取向与外电场同向时,能量为最低而反向时能量为最高。

3. TC为正的温度补偿材料具有敞旷结构,并且内部结构单位能发生较大的转动。

4、钙钛矿型结构由 5 个简立方格子套购而成,它们分别就是1个Ti、1个C a与3个氧简立方格子5、弹性系数ks的大小实质上反映了原子间势能曲线极小值尖峭度的大小。

6、按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不就是取决于裂纹的数量,而就是决定于裂纹的大小,即就是由最危险的裂纹尺寸或临界裂纹尺寸决定材料的断裂强度。

7、制备微晶、高密度与高纯度材料的依据就是材料脆性断裂的影响因素有晶粒尺寸、气孔率、杂质等。

8. 粒子强化材料的机理在于粒子可以防止基体内的位错运动,或通过粒子的塑性形变而吸收一部分能量,达从而到强化的目的。

9、复合体中热膨胀滞后现象产生的原因就是由于不同相间或晶粒的不同方向上膨胀系数差别很大,产生很大的内应力,使坯体产生微裂纹。

10、裂纹有三种扩展方式:张开型、滑开型、撕开型11、格波:晶格中的所有原子以相同频率振动而形成的波,或某一个原子在平衡位置附近的振动就是以波的形式在晶体中传播形成的波二、名词解释(12)自发极化:极化并非由外电场所引起,而就是由极性晶体内部结构特点所引起,使晶体中的每个晶胞内存在固有电偶极矩,这种极化机制为自发极化。

断裂能:就是一种织构敏感参数,起着断裂过程的阻力作用,不仅取决于组分、结构,在很大程度上受到微观缺陷、显微结构的影响。

包括热力学表面能、塑性形变能、微裂纹形成能、相变弹性能等。

电子的共有化运动:原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局限在某一个原子上,可以由一个原子的某一电子壳层转移到相邻原子的相似壳层上去,因而电子可以在整个晶体中运动。

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无机材料物理性能试题及答案
无机材料物理性能试题及答案
一、填空题(每题2分,共36分)
1、电子电导时,载流子的主要散射机构有中性杂质的散射、位错散射、电离杂质的散射、晶格振动的散射。

2、无机材料的热容与材料结构的关系不大,CaO和SiO2的混合物与CaSiO3 的
热容-温度曲线基本一致。

3、离子晶体中的电导主要为离子电导。

可以分为两类:固有离子电导(本征
电导)和杂质电导。

在高温下本征电导特别显著,在低温下杂质电导最为显著。

4、固体材料质点间结合力越强,热膨胀系数越小。

5、电流吸收现象主要发生在离子电导为主的陶瓷材料中。

电子电导为主的陶瓷材料,因
电子迁移率很高,所以不存在空间电荷和吸收电流现象。

6、导电材料中载流子是离子、电子和空位。

7. 电子电导具有霍尔效应,离子电导具有电解效应,从而可以通过这两种效应检查材料
中载流子的类型。

8. 非晶体的导热率(不考虑光子导热的贡献)在所有温度下都比晶体的
小。

在高温下,二者的导热率比较接近。

9. 固体材料的热膨胀的本质为:点阵结构中的质点间平均距离随着温度升高而增
大。

10. 电导率的一般表达式为

=

=
i
i
i
i
i
q

σ
σ。

其各参数n i、q i和μi的含义分别
是载流子的浓度、载流子的电荷量、载流子的迁移率。

11. 晶体结构愈复杂,晶格振动的非线性程度愈大。

格波受到的
散射大,因此声子的平均自由程小,热导率低。

12、波矢和频率之间的关系为色散关系。

13、对于热射线高度透明的材料,它们的光子传导效应较大,但是在有微小气孔存在时,由于气孔与固体间折射率有很大的差异,使这些微气孔形成了散射中心,导致透明度强烈降低。

14、大多数烧结陶瓷材料的光子传导率要比单晶和玻璃小1~3数量级,其原因是前者有微量的气孔存在,从而显著地降低射线的传播,导致光子自由程显著减小。

15、当光照射到光滑材料表面时,发生镜面反射;当光照射到粗糙的材料表面时,发生漫反射。

16、作为乳浊剂必须满足:具有与基体显著不同的折射率,能够形成小颗粒。

用高反射率,厚釉层和高的散射系数,可以得到良好的乳浊效果。

17、材料的折射随着入射光的频率的减少(或波长的增加)而减少的性质,称为折射率的色散。

二、 问答题(每题8分,共48分)
1、简述以下概念:顺磁体、铁磁体、软磁材料。

答:(1)顺磁体:原子内部存在永久磁矩,无外磁场,材料无规则的热运动使得材料没
有磁性。

当外磁场作用,每个原子的磁矩比较规则取向,物质显示弱磁场。

(2)铁磁体:在较弱的磁场内,材料也能够获得强的磁化强度,而且在外磁场移去,材料保留强的磁性。

(3)软磁材料:容易退磁和磁化(磁滞回线瘦长),具有磁导率高,饱和磁感应强度大,矫顽力小,稳定型好等特性。

2、简述以下概念:亚铁磁体、反磁体、磁致伸缩效应
答:(1)亚铁磁体:铁氧体:含铁酸盐的陶瓷磁性材料。

它和铁磁体的相同是有自发
磁化强度和磁畴,不同是:铁氧体包含多种金属氧化物,有二种不同的磁矩,自发磁化,也
称亚铁磁体。

(2)反磁体:由于“交换能”是负值,电子自旋反向平行。

(3)磁致伸缩效应:使消磁状态的铁磁体磁化,一般情况下其尺寸、形状会发生变化,这种现象称为磁致伸缩效
应。

3、简述以下概念:热应力、柯普定律、光的双折射。

答:1)由于材料热膨胀或收缩引起的内应力称为热应力。

2)柯普定律:化合物分子热容等
于构成该化合物各元素原子热容之和。

理论解释:i i c n C ∑=。

3)光进入非均质介质时,一般要分为振动方向相互垂直、传播速度不等的两个波,它们构成两条折射光线,这个现象称为
双折射。

4、什么是铁氧体?铁氧体按结构分有哪六种主要结构?
答:以氧化铁(Fe 3+2O 3)为主要成分的强磁性氧化物叫做铁氧体。

铁氧体按结构:尖晶石型、石榴石型、磁铅石型、钙钛矿型、钛铁矿型和钨青铜型。

5、影响材料透光性的主要因素是什么?提高无机材料透光性的措施有哪些?
答:影响透光性的因素:1)吸收系数 可见光范围内,吸收系数低(1分)
2)反射系数 材料对周围环境的相对折射率大,反射损失也大。

(1分)
3)散射系数 材料宏观及微观缺陷;晶体排列方向;气孔。

(1分)
提高无机材料透光性的措施: (1)提高原材料纯度 减少反射和散射损失(2分)。

(2)掺外加剂 降低材料的气孔率(2分)。

(3)采用热压法 便于排除气孔(2分)
6、影响离子电导率的因素有哪些?并简述之。

答:1)温度。

随着温度的升高,离子电导按指数规律增加。

低温下杂质电导占主要地位。


是由于杂质活化能比基本点阵离子的活化能小许多的缘故。

高温下,固有电导起主要作用。

(2分)
2)晶体结构。

电导率随活化能按指数规律变化,而活化能反映离子的固定程度,它与晶
体结构有关。

熔点高的晶体,晶体结合力大,相应活化能也高,电导率就低。

(2分)
结构紧密的离子晶体,由于可供移动的间隙小,则间隙离子迁移困难,即活化能高,因
而可获得较低的电导率。

(2分)
3)晶格缺陷。

离子晶格缺陷浓度大并参与电导。

因此离子性晶格缺陷的生成及其浓度大
7、比较爱因斯坦模型和德拜比热模型的热容理论,并说明哪种模型更符合实际。

答:1)爱因斯坦模型(Einstein model )他提出的假设是:每个原子都是一个独立的振子,原子之间彼此无关,并且都是以相同的角频w 振动(2分),即在高温时,爱因斯坦的简化模型与杜隆—珀替公式相一致。

但在低温时,说明C V 值按指数规律随温度T 而变化,而不是从实验中得出的按T 3变化的规律。

这样在低温区域,爱斯斯坦模型与实验值相差较大,这是因为原子振动间有耦合作用的结果(2分)。

2)德拜比热模型德拜考虑了晶体中原子的相互作用,把晶体近似为连续介质(2分)。

当温度较高时,与实验值相符合,当温度很低时,这表明当T →0时,C V 与T 3成正比并趋于0,这就是德拜T 3定律,它与实验结果十分吻合,温度越低,近似越好(2分)。

8、晶态固体热容的量子理论有哪两个模型?它们分别说明了什么问题?
答:爱因斯坦模型
在高温时,爱因斯坦的简化模型与杜隆—珀替公式相一致。

(2分)
但在低温时,V C 值按指数规律随温度T 而变化,而不是从实验中得出的按T 3变化的规
律。

这样在低温区域,爱斯斯坦模型与实验值相差较大,这是因为原子振动间有耦合作用
的结果。

(2分)
德拜比热模型
1) 当温度较高时,即D T θ>>,R Nk C V 33==,即杜隆—珀替定律。

(2分)
2) 当温度很低时,表明当T →0时,C V 与T 3成正比并趋于0,这就是德拜T 3定律,它与实验结果十分
吻合,温度越低,近似越好。

(2分)
9、如何判断材料的电导是离子电导或是电子电导?试说明其理论依据。

答:1)材料的电子电导和离子电导具有不同的物理效应,由此可以确定材料的电导性质。

(2分) 利用霍尔效应可检验材料是否存在电子电导;(1分)
利用电解效应可检验材料是否存在离子电导。

(1分)
2)霍尔效应的产生是由于电子在磁场作用下,产生横向移动的结果,离子的质量比电子大得多,磁场作用力不足以使它产生横向位移,因而纯离子电导不呈现霍尔效应。

(2分)
3)电解效应(离子电导特征)离子的迁移伴随着一定的物质变化,离子在电极附近发生电子得失,产生新的物质。

由此可以检验材料是否存在离子电导。

(2分)
三、 计算题(共16分)
1、一陶瓷零件上有一垂直于拉应力的边裂,如边裂长度为:(1)2 mm (2)0.049mm (3)2μm ,分别求上述三种情况下的临界应力。

设此材料的断裂韧性为162Mpa·m 1/2, 讨论诸结果。

c K c c πσ=I (2分)
MPa c c K 4.20310262.1=-I ⨯⨯=ππσ=
(2分)
MPa c c K 5.646610262.1=-I ⨯⨯=ππσ= (2分)
(3) σc =577.19Gpa (2分)
2c 为4mm 的陶瓷零件容易断裂;说明裂纹尺寸越大,材料的断裂强度越低。

(2分)
2、光通过厚度为X 厘米的透明陶瓷片,入射光的强度为I 0,该陶瓷片的反射系数和散射系数分别为m 、α (cm -1)和s(cm -1)。

请在如下图示中用以上参数表达各种光能的损失。

当X=1,m=0.04,透光率I/I 0=50%,计算吸收系数和散射系数之和。

(图中标识每个1分,计算5分)
1
2
02)()(2020612.08432.1)(8432.15
.0)04.01()1()1()1(-+-+-==+=-=-=-=-=
cm Ln s I m m I m I I e e I
e I x s x s ααα。

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