四川大学《电子技术基础(1)(下)1346》19秋在线作业1
（完整版）电子技术基础习题答案
（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
四川大学网络教育学院 电子技术基础(1)(上) 模拟试题3参考答案
1.填空（20分） ： 1) 发射。 2) 单向导电性。 3) 正向；反向。 4) 调节工作点。 5) 相同；相反。 6) 电流；增加；增加；减小。 7) 击穿。 8）滤波；滤波电容。 9）控制角；大。 10）效率高。 11) 电流控制器件；电压控制器件；负电压。 2.选择题（20分） 1）c）不带电 2）b）截止状态 3）b)0.7V 左右 4) 输入采用差动放大器 5）a）增加 6）c）输入电阻 Ri 大、输出电阻 Ro 小、放大倍数 Av 约等于1 7）c)PNP 型 硅 管 8）d)1.5V,0V 9) b)一致 10）a)交流 3.开始，D2抢先导通，UA=-6V, D1截止，UAO=-6V
选择题选择题选择题202020分ccc不带电不带电不带电bbb截止状态截止状态截止状态b07vb07vb07v左右左右左右输入采用差动放大器输入采用差动放大器输入采用差动放大器aaa增加增加增加ccc输入电阻输入电阻输入电阻rr大输出电阻大输出电aa约等于约等于约等于1??cpnp??pnp??pnp??型型d15vd15vd15v0v?0v?0v?一致一致一致??101010a交流交流交流开始开始开始d2d2d2抢先导通抢先导通抢先导通ua6vua6vua6v?d1d1d1截止截止截止uao6v?uao6v?uao6v?555
4.
5．回答问题（18分
图1 RC 桥式振荡 F=1/2RC 不能起振。 6. V0=-Vi2+Vi1=0.8v 7. Wc=37x106/2 =2513
图2 负反馈 电压串联 A=1+Rf/R1
电子技术基础(含答案).docx
精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。
一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。
A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试题及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1.三极管具有（）放大作用。
A、电流B、功率C、电压正确答案：A2.N型半导体中多数载流子是（）A、原子核B、自由电子C、空穴正确答案：B3.由真值表得到的逻辑函数一般都要经过化简。
A、×B、✔正确答案：B4.触发器是构成时序逻辑电路的基本单元。
A、×B、✔正确答案：B5.在画放大电路的交流通路时，应将电路中的电容视为开路。
A、×B、✔正确答案：A6.最基本的逻辑关系是与，或，非。
A、×B、✔正确答案：B7.稳压二极管为避免因不可逆机穿而损坏，使用时必须串联一个适当的（）后在接入电源。
A、大电感。
B、限流电阻。
C、耦合电容。
正确答案：B8.模拟信号在时间上是一种持续变化的量，而数字信号则是一种离散量。
A、✔B、×正确答案：A9.用直流电压表测量npn型晶体三极管电路晶体三极管各电极对地电位是:ub=4.7v,uc=4.3v,ue=4v，则该晶体三极管的工作状态是（）A、饱和状态。
B、放大状态。
C、截止状态。
正确答案：A10.你只放大电路的电压放大倍数为100，当输入十毫伏时，输出是（）VA、3B、2C、1正确答案：C11.非门的逻辑功能是（）A、有0出1。
有1出0。
B、有0出0。
全1出1。
C、有1出1。
全0出0。
正确答案：A12.与二进制数100110等值的十进制数为26。
A、×B、✔正确答案：A13.放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
A、×B、✔正确答案：B14.接负载后，放大电路的放大倍数要（）A、减小。
B、增大。
C、不变。
正确答案：A15.将十进制数59写成二进制数应为（）A、111011B、111001C、110111正确答案：A16.异步二进制计数器一般由t触发器组成。
A、✔B、×正确答案：B17.桥式整流电容滤波电路输出电压的平均值，UO=（）A、U2B、0.9U2C、1.2U2正确答案：C18.射极跟随器的特点是。
电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分, 120分钟）一、填空题: （每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。
2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。
三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。
3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移；PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。
扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。
空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。
7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。
三、选择题：（每题2分, 共20分）2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳（ A ）元素构成旳。
A.三价；B.四价；C.五价；D.六价。
3.稳压二极管旳正常工作状态是（ C ）。
A.导通状态；B.截止状态；C.反向击穿状态；D.任意状态。
5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（ A ）而成。
A.多子扩散；B.少子扩散；C.少子漂移；D.多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V, VB＝2.8V, VC＝4.4V, 阐明此三极管处在（ A ）。
A.放大区；B.饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
《电子技术基础(一)》期终考试试题 (A卷)及答案
《电子技术基础（一）》期终考试试题 （A 卷）适用专业：题号 一 二 三 四 五 六 总分 积分人 分数一、名词解释：（每小题2分，共10分）1、半导体三极管2、射极输出器3、电压传输特性4、整流电路5、稳压管二、填空题（每空档0.5分，共20分）1、二极管的类型按材料分有 和 两类。
2、2CW 是 材料的 二极管。
3、三极管有 、 和放大三种工作状态。
4、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质。
5、在放大电路中，静态工作点过高易出现 ，静态工作点过低易出现 。
6、三极管实现电流放大的外部条件是： ， 。
7、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻要 些，以减轻信号 源的负担，输出电阻要 些，以提高带负载的能力。
8、功放电路中，为了不失真地输出最大功率，功放管常采用 放大，功放电路是 电路。
9、放大电路级与级之间的连接方式有： 、 和直接耦合。
10、电压负反馈是稳定，反馈信号与成正比。
11、解决零点漂移最有效的办法是采用。
12、非线性比较器有和两种。
13、减法运算电路利用可以进行减法运算。
14、和运放工作在电压传输特性的非线性区，即。
15、差分放大电路中的差模输入信号表示加在两个输入端的信号电压、。
16、OTL电路中的输出电容代替OCL电路中的。
17、深度电压负反馈运放工作在电压传输特性的。
18、单相桥式整流电路中，若变压器二次侧电压U2=100V，则负载两端电压为V；若接入滤波电容，则负载两端电压为V。
19、常用的滤波电路有、和π形滤波。
20、桥式整流二极管中，若某个二极管虚焊，则输出只有。
21、常用的小功率直流稳压电源由电源变压器、、和稳压电路四部分组成。
22、W78M05输出电压为，输出电流为。
三、判断题（正确的打“√”,错误的打“×”）（每题1分，共12分）1、三极管的发射结正偏时，它必处于放大状态。
（）2、如果输入信号本身已是一个失真的正弦波，引入负反馈后不能改善失真波形。
(完整版)电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
川大15秋《电子技术基础(上)1345》在线作业
B.频率失真和相位失真
C.截止失真和饱和失真
满分：4分
9.
A. 16mA
B. 160 mA
C. 16μA
满分：4分
10.
A. 24V
B. 18V
C. 10V
满分：4分
三、判断题（共9道试题，共36分。）
1.只要放大电路输出出现噪声，加入负反馈后就可使噪声输出电压减小。
A.错误
A.抑制共模信号
B.可放大直流
C.虚短
D.虚断
满分：4分
6.单一频率的正弦波信号加入放大电路可能产生的失真有（）
A.频率失真
B.截止失真
C.饱和失真
D.交越失真
满分：4分
二、单选题（共10道试题，共40分。）
1.
A. 8.7
B. -8.7
C. -10
满分：4分
2.在三极管放大电路中，电压放大倍数小于1，但接近于1的是（）
B.中间级
C.输出级
满分：4分
4.
A. 0V
B. -12V
C. -15V
满分：4分
5.
A. 24V
B. 18V
C. 10V
满分：4分
6.1、硅二极管两端正向偏置电压大于多少时，二极管才能导通。
A. 0V
B. 0.5V
C. 0.7V
满分：4分
7.一个仪表放大电路，要求输入电阻大，并能稳定输出电压，应选（）
B.正确
满分：4分
2.在桥式整流电路中接入电容滤波后，输出直流电压较未加电容时变小。
A.错误
B.正确
满分：4分
3.稳压二极管在加正向偏压时，特性与普遍二极管一致。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
下载前先核对是否是你需要的一套题目，如不是，可能随机出题，下载然后复制题目在该题库里面查找辅导答案。
《电子技术基础(1)(下)1346》19秋在线作业1
一、单选题（共15道试题，共60分。）
1.与或非表达式等于
A.
B.
C.
D.
答：A
2.
A.
B.
C.
D.
答：B
3.存储器的两个重要指标是
A.速度与时延
B.功耗与集成度
C.
D.
答：D
15.
A. 00
B. 01
C. 10
D. 11
答：C
《电子技术基础(1)(下)1346》19秋在线作业1
二、判断题（共10道试题，共40分。）
1. 11.通常将二进制计数器与五进制计数器上串，可得到十进制计数器，若将十进制计数器与六进制计数器相串，可得十六进制计数器。
A.错误
B.正确
答：A
A.错误
B.正确
答：B
7. 4.显示器的驱动电路有共阴和共阳两种接法。
A.错误
B.正确
答：B
8. 7.具有移位功能的寄存器，称为移位寄存器。
A.错误
B.正确
答：B
9. 2.逻辑变量的取值可以是逻辑值0，1两种。
A.错误
B.正确
答：B
10. 3.非门输出电压的大小与输入电压的大小不成比例。
A.错误
B.正确
答：C
11.欲使一路数据分配到多路装置应选用
A.编码器
B.选择器
C.分配器
D.加法器
答：C
12.构成四位寄存器应选用
A. 1个触发器
B. 2个触发器
C. 3个触发器
D. 4个触发器
答：D
13.将三角波变换为矩阵波，需选应用
A.单稳态电路
B.施密特电路
C.多谐振荡电路
D.双稳态触发器
答：B
14.
A.
B.
C.容量与价格
D.存储容量和存取时间
答：D
4.
A. 6进制
B. 7进制
C. 8进制
D. 9进制
答：C
5.
A.
B.
C.
D.
答：A
6.
A.图（a）
B.图（a）图（b）都正确
C.图（b）
D.图（a）图（b）都错误
答：C
7. 6、既考虑低位进位，又考虑向高位进位，应选应
A.全加器
B.半加器
C.全减器
D.半减器
2. 1.逻辑电路的输出变量与其输入变量之间为一定的大小关系。
A.错误
B.正确
答：A
3.时序电路无记忆功能。
A.错误
B.正确
答：A
4.具有记忆功能的各类触发器是构成时序电路的基本单元。
A.错误
B.正确
答：B
5. 10.三位二进制加法计数器，最多能计6个脉冲信号。
A.错误
B.正确
答：A
6.两个状态等价的条件是在相同的输入条件下具有相同的输出和相同的次态。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ答：A
8.有一位二进制数码（信号）需暂时存放应选用的器件是
A.触发器
B.选择器
C.译码器
D.编码器
答：A
9.将矩形波变换三角波，需用
A. RC微分电路
B. RC耦合电路
C. RC积分电路
D.以上都不对
答：C
10.将1K×4ROM扩展为8K×8ROM需要1K×4ROM
A. 4片
B. 8片
C. 16片
D. 32片