东师《模拟电子技术》期末考核
《模拟电子技术》大学期末考试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题十一一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
（10分）1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。
（）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
（）3负反馈越深，电路的性能越稳定。
（）4零点漂移就是静态工作点的漂移。
（）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（）7半导体中的空穴带正电。
（）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）9实现运算电路不一定非引入负反馈。
（）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
（）二、选择填空（10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；为了展宽频带，应在放大电路中引入。
（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。
（A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00（3）集成运放的互补输出级采用。
（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。
（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。
（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。
（A）> （B）< （C）= （D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。
（A）大（B）小（C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。
四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，放大器的输入信号频率增加时，其放大倍数将（）A. 增加B. 减少C. 不变D. 无法确定答案：B2. 在放大电路中，静态工作点的选择应保证（）A. 电压放大倍数最大B. 功耗最小C. 失真最小D. 静态工作点位于交流负载线的中点答案：D3. 以下哪种电路属于电流串联负反馈（）A. 射极输出器B. 电压串联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压并联负反馈答案：A4. 在运算放大器的线性区，其输出电压与输入电压的关系为（）A. Vo = A (V+ - V-)B. Vo = A (V- - V+)C. Vo = A (V+ + V-)D. Vo = A (V+ V-)答案：A5. 以下哪种滤波器具有高通特性（）A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：B6. 以下哪种电路可以实现模拟乘法运算（）A. 比较器B. 积分器C. 微分器D. 乘法器答案：D7. 在模拟乘法器中，两个输入信号的频率分别为ω1和ω2，输出信号的频率可能包含以下哪些成分（）A. ω1B. ω2C. ω1 + ω2D. ω1 - ω2答案：ABCD8. 在运放组成的积分器电路中，输入信号为正弦波，输出信号波形为（）A. 正弦波B. 余弦波C. 直线D. 抛物线答案：D9. 以下哪种电路可以实现电压-频率转换（）A. 电压比较器B. 电压跟随器C. 电压-频率转换器D. 电压-电流转换器答案：C10. 在模拟电子技术中，以下哪种电路属于模拟乘法器（）A. 二极管乘法器B. 模拟乘法器C. 电压放大器D. 电流放大器答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 放大器的输入信号频率增加时，其放大倍数将______（填“增加”、“减少”、“不变”）。
答案：减少2. 放大电路中，静态工作点的选择应保证静态工作点位于______（填“交流负载线的中点”、“输入特性曲线的中点”、“输出特性曲线的中点”）。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术期末考试试卷及答案
《模拟电子技术》期末考试卷一、填空题（20 分）1、二极管最主要的特性是。
2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、。
3、多级放大电路中，常见的级间的耦合方式有、、。
4、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。
5、正弦波振荡电路的振荡条件为、。
二、选择题（20分）1、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。
A、电子B、空穴C、正离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。
A、大于B、小于C、等于3、温度升高，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。
A、增大B、减小C、不变（）。
A．1500 B.80 C.505、RC串并联网络在f=f0=1/2RC时呈。
A、感性B、阻性C、容性三、判断题（10分）（对的打“√”，错的打“×”）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。
（）2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（）3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
( )4、负反馈越深，电路的性能越稳定。
（ ）5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（ ） 四、简答题：（ 25分）1．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。
2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型？u ou o -3、电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡五、计算题（25分）1、电路如下图所示，试求出电路A U、R i、和R0的表达式。
2、电路如下图所示，求下列情况下U0和U I的关系式。
模拟电子技术期末考试卷答案一、填空题1、单向导电性2、正偏、反偏。
3、变压器、阻容、直接4、电压并联、电压串联、电流并联、电流串联5、AF=1，相位平衡条件二、选择题1、B A2、B3、B A4、A5、B三、判断题1、V2、V3、V4、X5、V四、简答题1、1．①D截至，U O＝2V ②D导通，U O＝1.3V2、电压并联负反馈，电压并联负反馈3、解：N-H,J-M,K-F五、计算题1、解：V B=B b2/B b1+B b2V CC,I C=I E=V B-V BE/R EU CEQ=V CC-R C I C, A V=-B(R C//R L)/r be2、解：U O=-55U ITHANKS !!!致力为企业和个人提供合同协议，策划案计划书，学习课件等等打造全网一站式需求欢迎您的下载，资料仅供参考。
东北师范大学22春“计算机科学与技术”《模拟电子技术》期末考试高频考点版(带答案)试卷号2
东北师范大学22春“计算机科学与技术”《模拟电子技术》期末考试高频考点版（带答案）一.综合考核(共50题)1.一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。
()A.正确B.错误参考答案：A2.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为()。
A.1WB.0.5WC.0.2W参考答案：C3.甲类放大电路是指放大管的导通角为(); 乙类放大电路则其放大管的导通角为(); 在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为()。
A.360°B.180°C.90°D.大于180°小于360°参考答案：ABD4.集成运放制造工艺使得同类半导体管的指标参数准确。
()A.错误B.正确参考答案：A对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是()。
A.输出电压与输入电压相位相同B.输入电阻，输出电阻适中C.电压放大倍数大于1D.电流放大倍数大于1参考答案：A6.一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则()。
A.一定会产生高频自激B.可能产生高频自激馈C.一般不会产生高频自激D.一定不会产生高频自激参考答案：D7.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。
()A.错误B.正确参考答案：B8.模拟集成电路大多数采用直接耦合是因为()，集成电路制造工艺使它制造出来的晶体管、电阻等元器件参数误差大，但误差的()好。
A.不易制作大电容量的电容B.一致性C.规范性参考答案：AB9.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏。
()A.错误B.正确10.在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是NPN 型锗管。
()A.错误B.正确参考答案：A11.输入失调电压UIO是()。
A.两个输入端电压之差B.输入端都为零时的输出电压C.输出端为零时输入端的等效补偿电压参考答案：C12.晶体管电极上的电流总能满足IC=IB的关系。
模拟电子技术期末试卷及答案5套
学院 202 -202 学年第 学期《模拟电子技术》试卷（A 卷 专业 级）考试方式： 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用 耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用 耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。
由此可知：电极1是 极，电极2是 极，电极3是极。
若已知I 1电流方向流入晶体管，则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I1电流方向 。
3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ；NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管；PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于 失真；幅频失真和相频失真属于 失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为 反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为 反馈。
放大电路通常采取 反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（ ） 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（ ） 4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V 。
（ ）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
东北师范大学22春“计算机科学与技术”《模拟电子技术》期末考试高频考点版(带答案)试卷号：3
东北师范大学22春“计算机科学与技术”《模拟电子技术》期末考试高频考点版（带答案）一.综合考核(共50题)1.一般情况下，在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入了正反馈。
()A.错误B.正确参考答案：B2.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
()A.错误B.正确参考答案：A3.甲类放大电路是指放大管的导通角为(); 乙类放大电路则其放大管的导通角为(); 在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为()。
A.360°B.180°C.90°D.大于180°小于360°参考答案：ABD4.共集电极放大电路的负反馈组态是()。
A.压串负B.流串负C.压并负参考答案：B三级放大电路中Av₁=Av₂=30dB，Av₃=20dB，则总的电压增益为()dB﹔电路将输入信号放大了()倍。
A.180B.80C.60D.50E.1000F.10000G.10000H.1000000参考答案：BF6.放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也应越稳定。
()A.错误B.正确参考答案：A7.虚断是指工作在线性区域的理想运算放大器，由于其输入电阻无穷大，同相输入端和反相输入端的输入电流几乎为零。
()A.正确B.错误参考答案：A8.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为100。
()A.错误B.正确参考答案：B9.当温度升高时，二极管的反向饱和电流()。
C.不变D.无法判定参考答案：A10.功率放大器的效率是指()。
A.输出功率与电源提供的功率之比B.输出功率与晶体管上消耗的功率之比C.晶体管上消耗功率与电源提供功率之比D.输出功率与输入功率之比参考答案：D11.增强型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零时漏极电流为零，即没有导电沟道。
依靠外加栅压的正向增加，形成感生沟道，使漏极电流逐渐增加。
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东师《模拟电子技术》期末考核
一、简答题
1. 在集成运算放大电路中，常用的偏置电路有哪几种
答：镜像电流源、比例电流源和微电流源。
2. 简述温度对三极管参数的影响。
答：首先，从输入特性看，当温度升高时。
为得到同样的I B 所需的U BE 值将减小。
其次，温度升高时三极管的β值也将增加，使输出特性之间的间距增大。
最后，当温度升高时，三极管的反向饱和电流I CBO 将急剧增加。
3. 试对放大电路三种基本组态进行比较。
答：（1）、共射电路同时具有较高的电压放大倍数和电流放大倍数，输入电阻和输出电阻值比较适中，所以，一般只要对输入电阻、输出电阻和频率相应没有特殊要求的地方，均常采用。
因此，共射电路被广泛地用作低频电压放大电路的输入级、中间级和输出级。
（2）、共集电路的特点是电压跟随，这就是电压放大倍数接近于1而小于1，而且输入电阻很高、输出电阻很低，由于具有这些特点，常被用作多级放大电路的输入级、输出级或作为隔离用的中间级。
（3）、共基电路的突出特点在于它具有很低的输入电阻，使晶体管结电容的影响不显着，因而频率相应得到很大的改善，所以这种接法常常用于宽频带放大器中。
另外，由于输出电阻高，共基电路还可以作为恒流源。
二、计算题
1. 下图表示同向输入放大电路。
试求此电路的放大倍数A V 。
（15分） 解：11
i i v v i R '+=
因1f i i =，故
根据“虚短”概念知0i v '=，故 所以11
1f o v R v A v R ==+ 即仅由电阻比确定。
而且，同相输入放大器的放大倍数大于1。
2. 一个晶体管的基极电流I B =20μA ，集电极电流I C =，能否从这两个数据来确定它
的电流放大系数为什么（15分） 解：因为电流放大系数C B
I I β∆=∆，所以严格地说，不能由一个I B 和一个I C 的值来确定它的电流放大系数。
但是对于一个质量比较好的晶体管，如果基极电流I B =0时，集电极电流也基本为零，则00C C C B B B
I I I I I I β∆-=
==∆-。
也就是直流电流放大倍数β，所以
3. 如图说是电路中U CC =12V ，R B =400K Ω，R C =3 K Ω，晶体管β=80，锗管。
试求：
（1）估算放大电路的静态工作点，并标出电压、电流的极性和方向；
（2）应选多大的R B 才能使管压降U CE =；
（3）若调整电流I C =，问R B 应选多大（20分） 解：1230400CC
B B U V I A R K μ-≈==Ω
电压、电路的极性和方向如下图。
（2）若管压降U CE =，则 所以1230040CC
B B U V R K I A
μ-≈==Ω （3）若I C =，则11 1.62080
B C I I mA A μβ≈=⨯=
那么
12
600
20
CC
B
B
U V
R K
I A
μ
-
≈==Ω
4. 如图所示发射极接地电路中，当V
BE
从变化列时，基极电流从变化到，集电极
电流从14mA变化到44mA。
求此时的电流放大系数h
fe
（=β）。
（20分）
解：基极电流的变化量IB及集电极电流的变化量IC，可由此二电流在变化后的大小减去变化前的大小而得到：
IB103A103A IC(4414)103A30103A IC30103
50 所以，hfe()310
即集电极电流的变化量相当于基极电流变化量的50倍。