模拟电子技术习题及答案完整版本
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、选择题1. 下列哪种器件是一种双极型晶体管？（A）锗二极管（B）硅二极管（C）三极管（D）场效应晶体管答案：C2. 在放大电路中，下列哪种反馈方式可以使放大倍数增加？（A）电压反馈（B）电流反馈（C）串联反馈（D）并联反馈答案：A3. 下列哪种电路可以实现交流信号的放大？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：C4. 下列哪种元件在放大电路中起到稳定放大倍数的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：D5. 下列哪种电路可以实现信号的整流？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：B6. 在整流电路中，下列哪种元件可以实现全波整流？（A）二极管（B）三极管（C）晶闸管（D）grt答案：A7. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：A8. 在滤波电路中，下列哪种元件可以实现低通滤波？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C9. 下列哪种电路可以实现信号的转换？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：D10. 在振荡电路中，下列哪种元件可以起到决定振荡频率的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、基极和_______极。
答案：集电极2. 放大电路的输入电阻较大，输出电阻较小，这样可以使得输入信号的电压得到_______放大。
答案：有效3. 放大电路中，反馈分为电压反馈和电流反馈，其中电压反馈可以使放大倍数_______。
答案：增加4. 整流电路的作用是将交流信号转换为_______信号。
答案：直流5. 滤波电路的作用是去除信号中的_______分量。
答案：高频6. 振荡电路的作用是产生_______信号。
答案：稳定三、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
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4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
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习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。
（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。
（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。
（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。
（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。
（）（6）在集成电路中元件的对称性差。
（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。
（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。
题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。
试求I C 1、I C 2各为多少。
题图8.4解：因为T 1、T 2、T 3的特性均相同，且V B E 均相同，所以它们的基极、集电极电流均相等，设集电极电流为I C 。
先求出R 中电流，再求解I C 1、I C 2。
CC BE3BE0100R V V V I A Rμ--==C BC0B3C0C 2C 2331 (1)1003R R RI I I I I I I I I I Aβββββμββ=+=+=++++=⋅==++8.5 题图8.5所示为多集电极晶体管构成的多路电流源。
已知集电极C 0与C 1所接集电区的面积相同，C 2所接集电区的面积是C 0的两倍，I C O /I B = 4，e-b 间电压约为0.7V 。
试求解I C 1、I C 2各为多少题图8.5解：多集电极晶体管集电极电流正比于集电区的面积。
先求出R 中电流，再求解I C 1、I C 2。
CC EBC0C0B C0C0C1C0C2C0200μA 160μA 1160μA 2320μAR R RV V I RII I I I I I I I I I βββ-===+=+==+====8.6 在题图8.6电路中，已知所有晶体管的特性相同，V BE =0.6V 。
试求： （1）β=5时，I REF =？I C4=？I REF 与I C4的差值是多少？写出求I C1的表达式。
（2）β=50时，I REF =？I C4=？I REF 与I C4的差值是多少？+V CC R 1 T 1T 3+12V-12V-V EE T 2T 4R3kΩ30kΩI C4I C1题图8.6I REF解：（1）β=5时，mA I I mAII I mAR V V V I C REF REF C C BEEE CC REF 22.054.0/2176.02434=-=+===-+=β111ln C REFT C I I R V I =（2）β=50时，mA I I mAII I mAR V V V I C REF REF C C BEEE CC REF 03.073.0/2176.02434=-=+===-+=β8.7 题图8.7电路，已知所有晶体管的特性相同，V BE =0.6V ，β>>2。
试求：（1）I REF =？I C2=？I C3=？（2）若使I C3=2mA ，R e3的阻值为多少？解：（1）mA R R V V V I I e BE BE CC C REF 044.01101=+--=≈mA I R R I REF e e C 088.0212==mA I R R I REF e e C 03.0313==（2）若使I C3=2mA ，R e3的阻值为Ω==k I I R R REF C e e 4.4312I REF题图8.73R C38.8 题图8.8是镜像电流源对共射极电路进行直流偏置，已知T 1、T 2晶体管的特性相同，β=100，V BE =0.6V 。
要使I O =2mA ，问R 应为多少？解：Ω=-===k I V V R mA I I REFBE CC O REF 7.4218.9在题图8.9电路中，T I 、T 2的β=100，V BE =0.7V ，r bb ′=200Ω， R C1=R C2=10k Ω，V CC =-V EE =10V ，I 0=1mA ，r o =100k Ω。
试求：（1）电路的静态工作点I C1、V C1、V CE1； （2）R L 开路时的A vdo 、A vco 和K CMR ；（3）接入负载R L =10k Ω时的A vd 、R i 和R o ；（4）若用直流电压表测得输出电压为6V ，试问输入电压v id 约为多少？解：（1）电路的静态工作点I C1、V C1、V CE1121221112112110.52/0.00550.75.7C C B B C C C CC c C E E BE CE CE I I I mA I I I mAV V V R I V V V V V V V Vβ========-===-=-== （2）R L 开路时的A vdo 、A vco 和K CMRΩ=++=k I V r ETbe 5.5)1(200β+V CC题图8.9+10Vv oT 1R题图8.8180-=-==∞→becR id od vdo r v A L0==∞→L R icoc vco v v A∞→=vcvdCMR A A K （3）接入负载R L =10k Ω时，A vd 、R i 和R o60)2//(-=-==beLc idodvd r R R v v A βΩ=+==k r r i v R be be ididid 1121 Ω=+=k R R R c c od 2021（4）V A v v vd id id 1.0/==8.10 题图8.9电路改为单端输出，负载R L =10k Ω接入c 2和地之间。
V CC =-V EE =12V ，R C1=R C2=5k Ω，BJT 的β=50，V BE =0.6V ，V bb ′=300Ω，I 0=2mA,r o =50k Ω。
试求：（1）电路的静态工作点I C2、V C2、V CE2； （2）R L 开路时的A vdo 、A vco 和K CMR ；（3）接入单端输出负载R L =10k Ω时的A vd 、R i 和R o ； 解：负载R L =10k Ω接入T 2的集电极与点位参考点之间。
（1）电路的静态工作点I C2、V C2、V CE2121222222222112/0.02(//) 4.60.65.2C C B B C LC CC c L C c LE BE CE I I I mA I I I mAR V V R R I V R R V V V V Vβ=======-=+=-=-=（2）R L 开路时的A vdo 、A vco 和K CMRΩ=++=k I V r ETbe 5.1)1(200β 83212===∞→bec R idd c vdo r R v v A L β05.0)1(212-=++-==obe c ic c c vc r r v A β 1690==vcvdCMR A A K 3）接入单端输出负载R L =10k Ω时的A vd 、R i 和R o5.552)//(1===beL c id od vd r R R v v A β Ω=+==k r r i v R be be ididid 321 Ω==k R R c od 528.11在题图8.11中，V CC =-V EE =10V ，R C1=R C2=5k Ω，R e1=R e2=100Ω，R b1=R b2=10k Ω，BJT 的β=50，V BE =0.6V ，r bb ′=300Ω，I 0=2mA 。
试求：（1）电路的静态工作点I C1、V C1、V CE1；（2）当电路接入R L =10k Ω的负载时，A vd 、R i 、R o 。
解：（1）电路的静态工作点I C1、V C1、V CE1121221112111121112/0.0250.85.8C C B B C C C CC c C E E b B BE CE CE I I I mA I I I mAV V V R I V V V R I V V V V Vβ========-===-=-==2）当电路接入R L =10k Ω的负载时Ω=++=1600)1(200ETbe I V r β 83)2//(-=-==beLc idodvd r R R v v A βCC题图8.11+ _Ω=+++++++==k R r R R r R i v R e be b e be b ididid 4.33)1()1(222111ββ Ω=+=k R R R c c od 10218.12在题图8.12电路中，设各管的r ce 均为500k Ω。
T I 、T 2的β=100，V BE =0.7V ，r bb ′=200Ω， V CC =-V EE =10V ，I 0=1mA ，r o =100k Ω。
（1）求R L =∞时的差模电压增益A vdo ；（2）R L =10k Ω,接入c 2点对地，求差模电压增益A vd（3）计算结果与题8.9的A vdo 和A vd 比较可得出什么结论？解：恒流源的I 0=1mA ，r o =100k Ω。
差分对管的动态输入电阻为Ω=++=k I V r ETbe 5.5)1(200β R L =∞时，45455.5)500//500(100)//(42====be ce ce id od vdo r r r v v A β R L =10 k Ω时，175)////(42===beL ce ce id od vd r R r r v v A β 计算结果表明：恒流源负载提高增益和输出电阻，并实现双端输出转换为单端输出。