模拟电子技术习题解
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
模电习题讲解与解析(第6版)2020
vi2
∵i3＝i4，
0
vn R3
vn vo R4
vo
(1
R4 R3
)vn
vo表达式
vo
(1
R4 R3
)(
R2 R1 R2
vi1
R1 R1 R2
vi2 )
当R1=R2 =R3 时， vo vi1 vi2
分析：A1、 A2 电压跟随器
A3： vo1“”端 ，vo2“+”端， 加减电路
R2 R1
)
2
＝
(1
6V
20 ) 10
2
0 2 2 vo 10 20
vO ＝6V
in=0
in=0
(c) vn ＝ vp ＝0 ， in＝0
vo vn＝ 2V
vo ＝ 2V
(d) vn ＝ vp ＝2V， in＝0
vo ＝ vn ＝ vp ＝2V
方法一：公式法 vi“+”端 ，同相放大电路 同相放大电路通用公式：
vo vo vo ＝0.6+1.2V ＝1.8V
vp1
vp2
方法二：虚短虚断法 : vp ＝ vn， ip＝in＝0
A1： i1＝i21 , vn1＝vp1＝0
vi1 vn1 R1
vn1 vo1 , R21
vo1
R21 R1
vi
100 0.6＝1.2V
50
A2：i2＝i22 ,
vo1 vn2 vn2 vo ,
工 作 区 ③
+
DZ
符号
①
(b) 伏安特性
稳压管, RL//DZ ，VO =VZ
解: (1) VO = VZ ， IR = IO + IZ ， VI = VR + VO
模拟电子技术习题答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子技术基本练习题(解)
电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。
3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。
6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。
7．某三极管工作在放大区时，当I B从20µA增大到40µA，I C从1mA变成2mA。
则该管的β约为 50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。
10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。
11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。
12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。
13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。
14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。
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A u
32 10 f (1 )(1 j 5 ) jf 10
3.2jf f f (1 j )(1 j 5 ) 10 10
或A u
3-3 已知某共射放大电路的波特图如图所示，试写出的表达式。
解： 中频电压增益为40dB，即中频放大倍数为－100； 下限截止频率为1Hz和10Hz，上限截止频率为250kHz。 2 故电路的表达式为 100 10 f 或 A A u u 1 10 f f f (1 ( )( 1 )( 1 j ) 1 jf )(1 j )(1 j 5 ) 5 jf jf 102.5 10 2.5 10
当β（1＋β）＞＞3时
I C1 I C2 I R 100A
5-3 已知β1=β2=β3=100。各管的UBE均为0.7V，试求IC2的值。
VCC U BE2 U BE1 IR 100 A R
I C0 I C1 I C I E2 I E1
IC I R I C0 I B2 I C0 I B1 I C
。 103 10 f f (1 )(1 j 4 )(1 j 5 ) jf 10 10
或
100jf f f f (1 j )(1 j 4 )(1 j 5 ) 10 10 10
说明：该放大电路的中频放大倍数可能为“＋”，也可能为“－”
3-2 已知某电路的波特图如图所示，试写出的表达式。 解: 设电路为基本共射放大电路 或基本共源放大电路。
2-4
直/交流负载线
ICQ
Q′ Q
UCEQ
UCES
1)作直流负载线UCE = VCC - IC RC 由 IC = 2 mA 得Q点 IB = 40 µ A
VCC U BE Rb 282.5A IB
2)由RB = 150K可得IB = 76 µ A 则 ic ib n i s t (mA )
解： 1）各管基极的静态电位 分别为： VB1＝1.4V
VB3＝－0.7V VB5＝－17.3V
4-3 2）设R2＝10kΩ，R3＝100Ω。 若T1和T3管基极的静态电流
可忽略不计，则T5管集电极静态电流为多少？ 解：2）静态时 T5管集电极电流：
I CQ
VCC U B1 1.66mA R2
已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100， 1-5 现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。 分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圈中画出管子
1-6
测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示， 它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态 (截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
24.5W
π VCC U CES 69.8% 4 VCC
2) PTmax 0.2PoM
2 0.2 VCC 6.4W 2RL
3) U i U om VCC U CES 9.9V
2
4-2 在图所示电路中，已知VCC＝15V，T1和T2管的饱和管压降
2 U om 3）Pom 9.35W 2RL
π VCC U CES U R 4 64% 4 VCC
4-3
已知二极管的导通电压UD＝0.7V，T导通时的│UBE│＝0.7V，T2和T4 管发射极静态电位VEQ＝0V 试问： 1）T1、T3和T5管基极的静态电位各为多少？ 2）设R2＝10kΩ，R3＝100Ω。若T1和T3管基极的静态电流 可忽略不计，则T5管集电极静态电流为多少？静态时uI＝？
IC
1
I R I R 100A
5-4
晶体管的β 均为50，=100Ω ，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时 T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。
解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：
U BEQ I EQ
I EQ
①
② ① ③ ② ③
①
② ① ②
2-1
放大电路改错 +Vcc
+
2-2
改错，并保证共源接法
2-3
画出两级放大电路的直流通路和交流通路
T2 T1
直流通路
交流通路
2-4
放大电路及三极管输出特性如图所示： 1）在输出特性上画直流负载线。 当 ICQ = 2 mA 时， 确定Q点和 RB值； 2）若RB = 150K且iB的交流分量， i 20sin t (A) b 画出iC和uCE的波形，这时出现什么失真？ 3）利用图解法分别求RL=∞和RL= 3K时的最大不失真输出 电压有效值Uom
Ro 2Rc 20k
5-5
已知一个集成运放的开环差模增益Aod为100dB，最大输出 电压峰值UoM＝±14V，分别计算差模输入电压uI为 10μ V、100μ V、1mV、1V和-10μ V、-100μ V、-1mV、 - 1V时的输出电压uO。
解：根据集成运放的开环差模增益，可求出开环差模放大倍数
│UCES│＝2V，输入电压足够大。求解： 1）最大不失真输出电压的有效值； 2）负载电阻RL上电流的最大值； 3）最大输出功率Pom和效率η 。
RL (VCC U CES ) R4 RL 2 8.65V
解： （1）U
om
2） iLmax
VCC U CES 1.53A R4 RL
5-6
晶体管的β=50， =100Ω。 （1）计算静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位； （2）用直流表测得uO=2V，uI=？若uI=10mv，则uO=？
20lg Aod 100dB
Aod 105
输出电压uO＝Aod uI；
当Aod uI超过±14V时，uO不是＋14V，就是－14V。 故uI为10μV、100μV、1mV、1V和 -10μV、-100μV、-1mV、-1V时，
uO分别为1V、10V、14V、14V、 -1V、-10V、-14V、-14V。
4-1
已知VCC＝16V，RL＝4Ω，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V， 输入电压足够大。试问： 1）最大输出功率Pom和效率η各为多少？ 2）晶体管的最大功耗PTmax为多少？ 3）为了使输出功率达到Pom，输入电压的有效值约为多少？
解：1） P om
(VCC U CES ) 2 2RL
解： （1）S闭合。 （2）R的范围为
Rmin (V U D ) I Dmax 233 Rmax (V U D ) I Dmin 700
1-8 已知放大电路中一只FET的三个电极①②③的电位分别为
4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种 管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型）， 并说明①②③与G、S、D之间的对应关系。 ③ ③
RW 2 I EQ Re VEE 2
VEE U BEQ 0.517 mA RW ＋2 Re 2
26mV rbe rbb' (1 ) 5.18k I EQ
Ad
Rc
R rbe (1 ) W 2
97
Ri 2rbe (1 ) RW 20.5k
+ UCE -
+12V
②由放大区电流方程：
RB1
IC = IB
③由输出回路方程得：
VCC RC I E UCE I E RE
IB
RE1 100 RE2
1K
IE
2-13
A u
RB 2 // RC rbe (1 ) RE1
Ri= RB1 //[ rbe +(1+ )RE1]
T5管输入电压：
uI uB5 17.3V
4-3 3）若静态时iB1＞iB3，则应调节哪个参数可使iB1＝iB2？
4）电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗？
你认为哪个最合适？为什么？ 解： 3）若静态时iB1＞iB3，则应增大R3
4） 采用两只二极管加一个小阻值 电阻合适，也可只用三只二极管。 这样一方面可使输出级晶体管工作 在临界导通状态，可以消除交越失真； 另一方面在交流通路中，D1和D2管之间的动态电阻又 比较小，可忽略不计，从而减小交流信号的损失。
uo ic Rc 3n i s
t (V )
2-4
直/交流负载线 交流负载线
Q
1 MIN U CEQ U CES , I CQ RL 3) U om 2 1 MIN 6 0.7,2 3 3.7V 当RL=∞时, U om 2 1 MIN 6 0.7,2 1.5 2.2V 当RL=3K时, U om 2
5-1
通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用 哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？
通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等 四个部分组成。 通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路， 输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 （1）对输入级的要求： 输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。 （2）对中间级的要求： 放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 （3）对输出级的要求： 带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。 （4）对偏置电路的要求： 提供的静态电流稳定。
UO1≈1.3V
UO2＝0
UO3≈－1.3V
UO4≈2V
UO5≈1.3V
UO6≈－2V
1-4 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，
正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
解： （1）两只稳压管串联时： 可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时： 可得0.7V和6V等两种稳压值。