模拟电子技术习题10套与答案
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
完整版模拟电子技术测试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一填空题：（每空1分共40分）、PN 结正偏时导通，反偏时截止，所以 PN 结具有单向导电性。
、漂移电流是温度电流,它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
_______ 、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为 0等效成二条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开; " 、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。
910、 带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=（1+AF ）BW 其中BW=fH - fL , 1+AF 称为反馈深度。
11、 、差分放大电路输入端加上大小相等、 极性相同的两个信号， 称为共模信号,而加上大小相等、 极性相反的两个信号，称为差模信号。
12、 为了消除乙类互补功率放大器输旋形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。
13、 OCL 电路是双电源互补功率放大电路; OTL 电路是单电源互补功率放大电路。
、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于 以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15 16 、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。
、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工 具，称为载波信号。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy 选择题（每空 2分共30分）、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在 它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于（ F 、正偏B 、反偏C 、大于D 、小于E 、 电路符号是 （ B ）状态。
导通 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 （C ），该管是（D ）型。
、（B 、C 、E ） B 、（ C 、B 、 ）状态，但其两端电压必须（ C ）， 截止 2V 、6V 、2.7V ，则三个电极分别是 E ） C 、（ E 、C 、B ） B ）、 （ C ）、 （ E ）。
功率大 D 、Ri 大E 、 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 差分放大电路是为了（ C ）而设置的。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500µV, u i2=500µV，则差模输入电压u id为µV，共模输入信号u ic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。
A．β增加，I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加，u BE减小C．β与u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
《模拟电子技术》模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题及答案（本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分）一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。
2.稳压二极管正常工作......区；光电二极管正常工作...... 区；变容二极管正常工作......区；发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。
3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。
4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。
5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。
电路中的正反馈环节起.....作用；电路中的负反馈环节则起.....作用。
6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。
（本题共11小题, 每小题1分, 共11分）二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。
2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。
3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。
..）4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。
..）5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。
..）6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。
..）7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
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《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性 C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ）A D1导通，D2导通B D1导通，D2截止C D1截止，D2导通D D1截止，D2截止 三、判断题（ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
（ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。
（ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
（ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。
（ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。
（ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。
（ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。
（ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。
（ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。
四、分析题电路如图所示：（1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。
++++++------Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8VRe1Re2UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsR R R R R R R R2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5图3-1++++++------D2R Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8VB=50Ui RfRe1Re2UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsR RRR RR R R2R2R2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5图3-1（2）电阻R 3和二级管D 1、D 2 的作用是什么？（3）静态时T 4 管射级电位U E4 =？负载电流 I L =？（4）动态时，若输出V O 出现正负半周衔接不上的现象，为何失真？应调哪个元件？怎样调才能消除失真？（5）判断级间反馈为何种组态?深度负反馈时，电路的闭环增益应为多少? （6）求负载R L 上最大输出幅度Vom 和最大输出功率Pom 。
（设V CES =0V ，R L =24Ω） （7）若R f =100kΩ，R b2=2kΩ，求R L 上输出幅度最大时，输入V I 的有效值为多少？五、计算题1、电路如图所示，晶体管的β＝60，'100bb r =Ω。
（1）求电路的Q 点。
（2）画出微变等效电路，并计算u i o A R R g、、。
（3）设U s ＝10mV （有效值），问U i ＝？U o ＝？若C 3开路，则U i ＝？U o ＝？2、如图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'100bb r =Ω，U BEQ ≈0.7。
试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ，以及动态参数A d 和R i 。
3、电路如图所示，设集成运放均有理想的特性，写出输出电压uo与输入电压uI1、uI2的关系式。
《模拟电子技术》复习题一参考答案一、填空题1、自由电子， 空穴 。
2、绝缘栅型， 电压3、共射4、输入5、负反馈6、饱和， 放大， 截止7、放大电路， 选频网络 ， 正反馈网络 ，稳幅环节 二、选择题1、B2、B3、D4、B5、C6、A7、A8、C9、C 10、B 三、判断题1、√2、√3、×4、×5、√6、×7、×8、√9、√ 10、√ 四、分析题 答：（1）输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为无输出电容的功率放大电路。
（2）消除交越失真。
（3） U E4 =0， I L =0。
（4）为交越失真。
应调Ｒc3 ，应将阻值调大。
（5）电压串联负反馈。
221b fb I O uf R R R F V V A +===（6）V V M om 9.=（幅值）或V V om 29=(有效值)W R V P L om om 69.12429222=⨯==(7) 5121002=+=uf A V A V V uf om I 125.05129===五、计算题 1、解：（1）Q 点：（2）画出微变等效电路i iu LR动态分析：（3）设U s ＝10mV （有效值），则若C 3开路，则2、解：R W 滑动端在中点时T 1管和T2管的发射极静态电流分析如下：A d 和R i 分析如下：3、解：由图可知，运放A1、A2组成电压跟随器，运放A4组成反相输入比例运算电路运放A3组成差分比例运算电路以上各式联立求解得：《模拟电子技术》复习题二一、填空题1、当PN 结外加正向电压时，P 区接电源 极，N区接电源 极，此时，扩散电流 漂移电流。
2、二极管最主要的特性是 。
3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。
由图1-3可知，中频放大倍数|A vm |=__ __。
图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。
5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。
6、小功率直流稳压电源由变压、 、__ __、 四部分组成。
7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。
二、选择题图2-3 图2-8 图2-9 图2-10 1、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。
A NPN 型 B PNP 型 C 不正确2、N 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。
图2-1图2-2图2-4A1A2A3A1+++----+UiRR RRRR2R 2RL1L2C UccUgsid 0RLUo1Uo2UoRb Rc RbRb1Rb2Re1Re2Rc RLC1Ce C1C2L50K2.5KB=50UoUi+5VRf Re1Re2Ucc Ucc UccC2usRs2R图2-2图2-6图2-4图2-5A 空穴B 三价元素 C五价元素3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1＝2Ｖ，V2＝2.7Ｖ，V3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。
A 1：e、2：b、3：cB 1：c、2：e、3：bC 1：c、2：b、3：eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，V e ＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（）。
A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为（）。
A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V，负载两端的输出电压为10.8V，则这是一个单相( )电路．A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。
A 差B 好C 差不多8、某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为( )。
A P沟道增强型MOS管B P沟道结型场效应管C N沟道增强型MOS管D N沟道耗尽型MOS管9、设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）A D1导通，D2导通B D1导通，D2截止C D1截止，D2导通D D1截止，D2截止10、图2-10所示电路是( ) 。
A差分放大电路 B镜像电流源电路 C微电流源电路三、判断题( )1、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。
( )2、放大的实质不是对能量的控制作用。
( )3、功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
( )4、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
( )5、集成运放是直接耦合的多级放大电路。
( )6、电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。
( )7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
( )8、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。