半导体简介
半导体材料的简介
半导体材料的简介一、引言半导体材料是一类特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的特性。
它在现代电子技术中扮演着重要的角色。
本文将介绍半导体材料的定义、性质、种类以及在各个领域中的应用。
二、定义和性质2.1 定义半导体材料是一种具有能带间隙的固体材料，其导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体的导电性主要由载流子（电子和空穴）的运动决定。
2.2 性质1.导电性：半导体的电导率介于导体和绝缘体之间，它能在外加电场或热激发下传导电流。
2.温度特性：半导体的电导率随温度的变化而变化，通常是随温度的升高而增加。
三、半导体材料的种类3.1 元素半导体元素半导体是由单一元素构成的半导体材料，常见的有硅（Si）和锗（Ge）。
3.2 化合物半导体化合物半导体是由两个或更多的元素组合而成的半导体材料，例如砷化镓（GaAs）和磷化氮（GaN）。
3.3 合金半导体合金半导体是由不同元素的合金构成的半导体材料，合金的成分可以调节材料的性质。
四、半导体材料的应用4.1 电子器件半导体材料是制造各种电子器件的重要材料，如晶体管、二极管和集成电路。
这些器件被广泛应用于电子设备、通信系统等领域。
4.2 光电子学半导体材料在光电子学中有重要应用，例如激光器、光电二极管和太阳能电池。
这些器件利用半导体材料的光电转换特性，将光能转化为电能或反之。
4.3 光通信半导体材料广泛应用于光通信领域，如光纤通信和光学传感器。
半导体激光器和光电探测器在光通信中起到关键作用。
4.4 光储存半导体材料在光存储技术中发挥重要作用，如CD、DVD等光盘的制造。
这些光存储介质利用半导体材料的光电转换和可擦写性能来实现信息存储与读取。
五、总结半导体材料是一类具有重要应用价值的材料，广泛应用于电子器件、光电子学、光通信和光存储等领域。
随着科技的不断发展，对新型半导体材料的研究和应用也在不断推进。
通过不断探索和创新，半导体材料有望在未来的科技发展中发挥更加重要的作用。
参考文献1.Bhuyan M., Sarma S., Duarah B. (2018) [Introduction toSemiconductor Materials]( In: Introduction to Materials Science and Engineering. Springer, Singapore.。
半导体
半导体半导体简介：顾名思义：常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）。
我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。
而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。
可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。
半导体定义：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。
半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。
半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。
有元素半导体，化合物半导体，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
半导体材料：半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。
正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。
半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。
1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。
2.化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料，包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。
3.无定形半导体材料，用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料，分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。
4.有机增导体材料已知的有机半导体材料有几十种，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到应用。
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。
半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。
常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。
半导体基础知识PPT培训课件
目录
• 半导体简介 • 半导体材料 • 半导体器件 • 半导体制造工艺 • 半导体技术发展趋势 • 案例分析
半导体简介
01
半导体的定义
总结词
半导体的定义
详细描述
半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材 料有硅、锗等。
半导体的特性
总结词
化合物半导体具有宽的禁带宽度和高 的电子迁移率等特点，使得化合物半 导体在光电子器件和高速电子器件等 领域具有广泛的应用。
掺杂半导体
掺杂半导体是在纯净的半导体中掺入其他元素，改变其导电 性能的半导体。
掺杂半导体的导电性能可以通过掺入不同类型和浓度的杂质 来调控，从而实现电子和空穴的平衡，是制造晶体管、集成 电路等电子器件的重要材料。
掺杂的目的是形成PN结、调控载流 子浓度等，从而影响器件的电学性能。
掺杂和退火的均匀性和控制精度对器 件性能至关重要，直接影响最终产品 的质量和可靠性。
半导体技术发展趋势
05
新型半导体材料
硅基半导体材料
宽禁带半导体材料
作为传统的半导体材料，硅基半导体 在集成电路、微电子等领域应用广泛。 随着技术的不断发展，硅基半导体的 性能也在不断提升。
半导体制造工艺
04
晶圆制备
晶圆制备是半导体制造的第一步，其目的是获得具有特定晶体结构和纯度的单晶硅 片。
制备过程包括多晶硅的提纯、熔炼、长晶、切磨、抛光等步骤，最终得到可用于后 续工艺的晶圆。
晶圆的质量和表面光洁度对后续工艺的成败至关重要，因此制备过程中需严格控制 工艺参数和材料质量。
薄膜沉积
输入 标题
详细描述
集成电路的制作过程涉及微电子技术，通过一系列的 工艺步骤，将晶体管、电阻、电容等电子元件集成在 一块硅片上，形成复杂的电路。
Semiconductor Introduction(半导体简介)
（小型化和轻便携带式）
o
Launched a completely new industry
(新产业完整地投放到市场)
o Invented by Jack Kilby, Texas Instruments, 1958
For internal use only
Copyright © Infineon Technologies 2008. All rights reserved.
Page 8
Semiconductor environment – an industry comparison (not really serious … but easy to memorize) （半导体行业的外界环境 – 行业的对比关系）
2012-12-16
For internal use only
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Page 2
什么是半导体呢？
顾名思义：导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor). 物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性 差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较 好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称 为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提 纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。 1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下， 金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这 是半导体现象的首次发现。 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后 来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。
半导体是什么物质
半导体是什么物质
半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有很多独特的性质和应用。
它
的电导率介于导体和绝缘体之间，即在特定条件下可以表现出导电性，而在其他条件下则表现出绝缘性。
半导体的基本特性
半导体的电导率受温度、掺杂杂质等因素的影响较大。
在绝对零度下，半导体
是一个完全的绝缘体，没有任何电子能够通过它传导电流。
但是，当温度上升或添加掺杂杂质时，半导体会变得更加导电。
这种改变在晶体结构中反映出来，当温度上升时，晶格中的原子会变得更加活跃，从而使电子更容易通过。
半导体的应用领域
半导体在现代技术中扮演着重要的角色。
例如，半导体材料是集成电路（IC）
的基础，IC是现代电子设备中不可或缺的部分，如计算机、手机和各种电子设备。
此外，半导体还广泛应用于光电子器件、太阳能电池、传感器等领域。
半导体的发展趋势
随着科学技术的不断进步，半导体领域也在不断发展。
人们正在研究新型材料
和结构，以提高半导体器件的性能和稳定性。
例如，石墨烯和量子点等新型材料被广泛研究和应用。
另外，半导体的微纳加工技术也在不断改进，使得器件可以制造得更小、更快、更节能。
结语
半导体作为一种特殊的材料，其独特的性质和广泛的应用使之成为现代科技发
展的重要支柱。
随着科学技术的进步，我们相信半导体材料在未来会展现出更加广阔的发展前景。
半导体指的是什么
半导体的定义和特性
半导体是一种电子导体，介于导体和绝缘体之间。
它具有导电性能介于金属和绝缘体之间，其特性使其在电子学领域中具有重要作用。
物理特性
半导体的导电性介于导体和绝缘体之间的主要原因是它的能带结构。
在半导体中，带隙是指电子在价带和导带之间跃迁所需要的最小能量。
当这个能隙很小时，半导体就会更容易地导电，因为较小的能量就足够让电子跃迁到导带中。
此外，半导体的导电性质还取决于掺杂。
掺杂是指在半导体中加入少量其他元素，通过掺杂可以改变半导体的导电性能。
掺杂分为N型和P型，N型半导体中掺入的杂质是能够提供额外自由电子的元素，而P型半导体中掺入的杂质则是能够提供额外空穴的元素。
应用领域
半导体在现代电子学中应用广泛。
例如，半导体器件如二极管、场效应晶体管和集成电路是电子设备的关键组成部分。
二极管可以实现电流的单向导通，场效应晶体管可以控制电流，而集成电路则将多个器件集成到一块芯片上，实现了更高的集成度和更大的功能。
此外，半导体在光电子学领域也有重要应用。
例如，LED（发光二极管）利用半导体材料电子跃迁产生光，广泛应用于照明、显示和通信等领域。
结语
总的来说，半导体是一种在电子学领域中至关重要的材料，其特性使其成为现代电子设备的核心组件之一。
通过对半导体的深入研究和应用，我们可以不断推动电子技术的发展，实现更多创新和应用。
半导体制程简介
阐述图形化工艺的基本原理和方法，包括光刻、刻蚀、镀膜等步骤，以及这些步骤对半导体性能 的影响。
掺杂与退火
讲解掺杂剂的种类和作用，以及掺杂工艺的基本步骤和退火工艺对半导体性能的影响。
制程环境与设备
制程环境
介绍半导体制造所需的环境条件 ，如洁净度、温度、湿度等，以 及这些环境因素对半导体性能的 影响。
03
常见的半导体材料有硅、锗、砷化03
半导体材料具有高纯度、低缺陷等 特性。
硅是最常用的半导体材料，具有资 源丰富、制备工艺成熟等优势。
锗是一种具有高迁移率的半导体材 料，适用于高速电子器件。
半导体产业概述
01
半导体产业包括半导体制造、半导体设备、半 导体材料等领域。
案例三：纳米半导体器件制程
总结词
纳米半导体器件制程是一种制造纳米级尺寸 的半导体器件的制程，具有高频率、低功耗 、小尺寸等特点。
详细描述
纳米半导体器件制程采用先进的纳米制造技 术，如纳米压印、电子束光刻等，将半导体 材料加工成纳米级别的器件。该制程在微电 子、光电子、生物医学等领域具有广泛的应 用前景。
5G和物联网的驱动
5G和物联网技术的发展将推动半导体产业持续增长，对低功耗、 高性能半导体的需求不断增加。
中国市场的崛起
中国半导体市场已成为全球最大的市场之一，政府支持力度大，产 业发展迅速，国际合作与竞争日益激烈。
国际合作与竞争
国际合作
随着半导体产业的发展，国际合作成 为提高技术水平和竞争力的重要手段 ，各国纷纷建立合作机制，加强技术 交流和联合研发。
详细描述
半导体技术可以用于开发太阳能、风能等新能源发电设备中的半导体器件，提高能源利用效率；同时 也可以用于环保领域的半导体传感器、气体检测器等设备的开发，实现环境污染的监测与治理。
什么是半导体
什么是半导体？
半导体是一种介于导体（如金属）和绝缘体（如塑料）之间的材料。
在半导体中，电子的导电能力介于导体和绝缘体之间，即在一定条件下，半导体可以导电，但在其他条件下则表现为绝缘。
这种特性使得半导体在电子器件中具有重要的应用价值。
半导体的导电性质可以通过外加电场、温度或光照等外部条件进行控制，这种控制能力是现代电子器件的基础。
半导体的导电性主要依赖于两种载流子：电子和空穴。
在纯净的半导体中，电子和空穴的数量相等，因此其导电性较弱。
但通过在半导体中引入杂质或施加外部电场，可以改变电子和空穴的浓度，从而调节半导体的导电性能。
半导体在电子技术中有广泛的应用，包括但不限于：
1. **集成电路（IC）**：半导体晶体管的集成电路是现代电子产品的核心，如微处理器、存储器等。
2. **光电子器件**：半导体的光电特性使其用于光电二极管、激光器、光伏电池等。
3. **传感器**：利用半导体的电阻、电容或光电效应制作的传感器，用于测量温度、压力、光照等物理量。
4. **太阳能电池**：利用半导体材料的光电转换效应制作的太阳能电池，将光能转化为电能。
5. **电子管件**：半导体二极管、三极管等在电路中用于整流、
放大、开关等功能。
6. **发光二极管（LED）**：通过半导体材料的电致发光特性制作的LED，用于照明、显示等。
7. **光伏电池**：半导体材料制成的光电池，可以将光能转化为电能，用于太阳能发电等。
总的来说，半导体是现代电子技术的基础，其特性和应用推动了信息技术、通信技术、能源技术等领域的发展和进步。
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1-1 原子結構(c) 1. 每一個已知的元素都有 (a)相同型態的原子 (b)相同數目的原子 (c)唯一型態的原子 (d)幾種不同型態的原子。
(d) 2. 原子是由哪些組成 (a)一個原子核和唯一的電子 (b)一個原子核和一個以上的電子 (c)質子、中子和電子 (d)答案(b)和(c)均是。
(a) 3. 原子的原子核是由哪些基本粒子組成 (a)質子和中子 (b)電子 (c)電子和質子 (d)電子和中子。
(b) 4. 價電子是位於 (a)最接近原子核的軌道 (b)距離原子核最遠的軌道 (c)繞著原子核的不同軌道 (d)與任何原子無關。
(a) 5. 下面哪一種狀況會產生正離子 (a)價電子脫離原子 (b)在原子的外層軌道中，電洞的數目比電子多 (c)兩個原子鍵結在一起 (d)原子獲得一個額外的價電子。
1-2 絕緣體、導體和半導體(d) 6. 目前在電子元件中最常使用的半導體材料是 (a)鍺 (b)碳 (c)銅 (d)矽。
(d) 7. 絕緣體和半導體的差別在 (a)價電帶和導電帶之間的能隙較寬 (b)自由電子的數目 (c)原子的結構 (d)以上皆對。
(c) 8. 自由電子位於哪一個能量帶？ (a)第一層能量帶 (b)第二層能量帶 (c)2▍電子學(上冊) —教師手冊▍導電帶(d)價電帶。
(d) 9. 在半導體晶體中，原子是由於下列何種原因而結合在一起(a)價電子之間的作用力(b)原子間的吸引力(c)共價鍵(d)答案(a)、(b)和(c)均是。
(d) 10. 矽的原子序是(a)8(b)2(c)4(d)14。
(d) 11. 鍺的原子序是(a)8(b)2(c)4(d)32。
(d) 12. 矽原子的價能階層的編號是(a)0(b)1(c)2(d)3。
(c) 13. 矽晶體中的每一個原子都有(a)四個價電子(b)四個傳導電子(c)八個價電子，其中四個自有，另外四個與其他原子共有(d)沒有價電子，因為所有的電子都已被共用。
1-3半導體的電流(b) 14. 電子-電洞對是在下述哪種狀況產生(a)重新結合(b)熱擾動(c)離子化(d)摻雜。
(a) 15. 重新結合是發生於(a)電子落回電洞中(b)正離子和負離子鍵結在一起時(c)價電子成為傳導電子時(d)晶體形成時。
(d) 16. 半導體中的電流是由什麼形成的？(a)只由電子形成(b)只由電洞形成(c)負離子(d)電子和電洞。
1-4N型與P型半導體(e) 17. 在純質半導體中(a)沒有自由電子(b)自由電子是由熱擾動產生(c)只有電洞存在(d)電子的數目和電洞一樣(e)答案(b)和(d)均是。
(a) 18. 在純質半導體材料中加入雜質的過程，我們稱為(a)摻雜(b)重新結合(c)原子變異(d)離子化。
(b) 19. 將三價的雜質加入矽材料中，就會形成(a)鍺(b)p型半導體(c)n型半導體(d)空乏區。
(c) 20. 在半導體材料中加入五價雜質的目的是(a)降低矽晶體的導電性(b)增▍第1章半導體簡介▍3加電洞的數目(c)增加自由電子的數目(d)產生少數載子。
(c) 21. n型半導體材料中的多數載子是(a)電洞(b)價電子(c)傳導電子(d)質子。
(a) 22. n型半導體材料中的電洞屬於(a)熱擾動所產生的少數載子(b)摻雜過程中產生的少數載子(c)熱擾動所產生的多數載子(d)摻雜過程中產生的多數載子。
1-5二極體(c) 23. pn接面是由下列何種原因產生(a)電子和電洞的重新結合(b)離子化(c) p型材料和n型材料結合所形成的邊界區(d)質子和中子的碰撞。
(d) 24. 空乏區是由下列何種原因造成(a)離子化(b)擴散作用(c)重新結合(d)以上皆對。
(d) 25. 空乏區包含有(a)除了少數載子外，不含其他粒子(b)正離子和負離子(c)沒有多數載子存在(d)答案(b)和(c)均是。
1-6二極體的偏壓(c) 26. 名詞偏壓意指(a)多數載子和少數載子的比率(b)通過二極體的電流大小(c)控制元件操作所需施加的直流電壓(d)以上皆非。
(d) 27. 要對二極體施加順向偏壓，必須(a)外加電壓的正極接到二極體的陽極，負極接到二極體的陰極(b)外加電壓的負極接到二極體的陽極，正極接到二極體的陰極(c)外加電壓的正極接到二極體的p型區，負極接到二極體的n型區(d)答案(a)和(c)均是。
(d) 28. 當二極體施加順向偏壓時，(a)唯一產生的電流是電洞流(b)唯一產生的電流是電子流(c)唯一產生的電流是由多數載子所產生(d)電流是由電洞和電子共同產生。
(b) 29. 雖然逆向偏壓截斷了電流(a)仍有多數載子所產生的一些電流(b)仍有4▍電子學(上冊) —教師手冊▍少數載子所產生的很小電流(c)產生了累增崩潰電流。
(b) 30. 對於矽二極體，一般標準順向偏壓的電壓值為(a)必須大於0.3V(b)必須大於0.7V(c)依照空乏區的寬度而定(d)依照多數載子的濃度而定。
(b) 31. 在順向偏壓下，二極體會(a)截斷電流(b)傳導電流(c)存在高的阻抗(d)產生很大的電壓降。
1-7二極體的電壓-電流特性(d) 32. 二極體在何種情況下可正常運作(a)逆向崩潰電壓(b)順向偏壓區(c)逆向偏壓區(d)答案(b)或(c)皆可。
(b) 33. 二極體處於下列何種狀態時，必須將動態阻抗列入考慮(a)逆向偏壓(b)順向偏壓(c)逆向崩潰電壓(d)未偏壓。
(a) 34. 由二極體的電壓-電流曲線可得知(a)任一電流所對應的二極體兩端電壓(b)任一偏壓對應之電流大小(c)消耗功率(d)以上皆非。
1-8二極體的各種模型(c) 35. 理想上，二極體可視為(a)電壓源(b)阻抗(c)開關(d)以上皆是。
(a) 36. 在實際二極體模型中(a)須將障壁電壓列入考慮(b)須將動態順向阻抗列入考慮(c)以上皆非(d)(a)和(b)均是。
(d) 37. 在完整二極體模型中(a)須將障壁電壓列入考慮(b)須將動態順向阻抗列入考慮(c)須將逆向阻抗列入考慮(d)以上皆是。
1-9二極體的測試(c) 38. 當矽二極體正常操作於順向偏壓時，數位三用電表中的讀數為(a)0V(b)OL(c)約0.7V(d)約0.3V。
(b) 39. 當矽二極體斷路時，數位三用電表中的讀數為(a)0V(b)OL(c)約0.7V▍第1章半導體簡介▍5(d)約0.3V。
1-1原子結構1. 如果某個不帶電的原子，其原子序為6，則該原子有多少個電子？多少個質子？答：An atom with an atomic number of 6 has 6 electrons and 6 protons.2. 在第3層的能階層中最多可以容納多少個電子？答：The third shell of an atom can have 2n2 = 2(3)2 = 18 electrons.1-2絕緣體、導體和半導體3. 對於圖1-39中的每一個能階圖，請按照能階相對的高低，判斷出各是何種材料？(半導體、導體和絕緣體)圖1-396▍電子學(上冊) —教師手冊▍答：The materials represented in Figure 1-39 in the textbook are(a)insulator(b)semiconductor(c)conductor4. 某一個原子有四個價電子。
請問該原子屬於何種材料？答：An atom with four valene electrons is semiconductor.5. 在矽(Si)晶體中，一個原子會形成多少個共價鍵？答：In a silicon crystal, each atom forms four covalent bonds.1-3半導體的電流6. 將矽晶體加熱後，會產生何種現象？答：When heat is added to silicon, more free electrons and holes are produced.7. 請舉出矽晶體中會產生電流的兩個能階帶。
答：Current is produced in silicon at the conduction band and the valence band.1-4N型與P型半導體8. 說明摻雜的製造過程並且解釋它是如何改變矽晶體的原子結構。
答：Doping is the carefully controlled addition of trivalent or pentavalent atoms to pure (intrinsic) semiconductor material for the purpose of increasing the number of majority carriers (free electrons or holes).9. 說明銻(antimony) 在半導體製程中的作用?也請說明硼(boron) 的作用?答：Antimony is a pentavalent (donor) material used for doping to increase free electrons.Boron is a trivalent (acceptor) material used for doping to increase the holes.▍第1章半導體簡介▍73-4光學二極體(c) 7. LED會(a)在逆向偏壓時發光(b)在逆向偏壓時感光(c)在順向偏壓時發光(d)當成可變電阻。
(d) 8. 和可見紅光LED比較，紅外線LED可以(a)產生波長較短的光(b)產生所有波長的光(c)只產生一種顏色的光(d)產生波長較長的光。
(d) 9. 與白熾燈比較，高亮度LED(a)較亮的(b)有較長的使用壽命(c)使用功率較小(d)以上皆是。
(d) 10. OLED不同於傳統LED的是(a)不需在偏壓下操作(b)在pn接面上為有機材料層(c)可用噴墨印刷技術來製造(d)(b)和(c)都是。
(b) 11. 紅外線LED是藉著光耦合至光二極體。
當LED關閉，和逆向偏壓光二極體串接的安培計讀數會(a)不會改變(b)減少(c)增加(d)呈現波動。
(b) 12. 光二極體的內部阻抗(a)在逆向偏壓時，隨著光的強度增強而增加(b)在逆向偏壓時，隨著光的強度增強而減少(c)在順向偏壓時，隨著光的強度增強而增加(d)在順向偏壓時，隨著光的強度增強而減少。
(d) 13. 雷射二極體產生(a)非同調光(b)同調光(c)單色光(d)(b)和(c)都是。
(b) 14. 具有負阻抗特性的二極體是(a)肖特基二極體(b)透納二極體(c)雷射二極體(d)熱載子二極體。
(d) 15. 為了讓系統可以正確地動作，組成系統的各種不同電路必須要(a)正確地偏壓(b)正確地連接(c)正確地介面溝通(d)以上皆是(e)答案(a)和(b)均正確。