光敏电阻数据记录表格
实验一光敏电阻特性测量实验
光电子技术基础实验报告实验题目光敏电阻特性测量实验日期2020.09.04 姓名组别04 班级18B 学号【实验目的】1、了解光敏电阻的工作原理和使用方法；2、掌握光强与光敏电阻电流值关系测试方法；3、掌握光敏电阻的光电特性及其测试方法；4、掌握光敏电阻的伏安特性及其测试方法；5、掌握光敏电阻的光谱响应特性及其测试方法；6、掌握光敏电阻的时间响应特性及其测试方法。
【实验器材】光电技术创新综合实验平台一台特性测试实验模块一块光源特性测试模块一块连接导线若干【实验原理】光敏电阻在黑暗的室温条件下，由于热激发产生的载流子使它具有一定的电导，该电导称为暗电导，其倒数为暗电阻，一般的暗电导值都很小（或暗电阻阻值都很大）。
当有光照射在光敏电阻上时，电导将变大，这时的电导称为光电导。
电导随光照量变化越大的光敏电阻，其灵敏度就越高，这个特性就称为光敏电阻的光电特性，也可定义为光电流与照度的关系。
光敏电阻在弱辐射和强辐射作用下表现出不同的光电特性（线性和非线性），实际上，它的光电特性可用在“恒定电压”下流过光敏电阻的电流IP ，与作用到光敏电阻上的光照度 E 的关系曲线来描述，不同材料的光照特性是不同的，绝大多数光敏电阻光照特性是非线性的。
光敏电阻的本质是电阻，因此它具有与普通电阻相似的伏安特性。
在一定的光照下，加到光敏电阻两端的电压与流过光敏电阻的亮电流之间的关系称为光敏电阻的伏安特性。
光敏电阻的符号和连接【实验注意事项】1、打开电源之前，将“电源调节”处旋钮逆时针调至底端；2、实验操作中不要带电插拔导线，应该在熟悉原理后，按照电路图连接，检查无误后，方可打开电源进行实验；3、若照度计、电流表或电压表显示为“1＿”时说明超出量程，选择合适的量程再测量；4、严禁将任何电源对地短路。
5、仪器通电测试前，一定要找老师检查后方可通电测试。
【主要实验步骤】基础实验：组装好光源、遮光筒和光探结构件，如下图所示：1、打开台体电源，调节照度计“调零”旋钮，至照度计显示为“000.0”为止。
光敏电阻的光敏特性研究实验报告
光敏电阻的光敏特性研究实验报告光敏电阻光敏特性的研究一、实验设计方案1.1、实验目的1、了解光敏电阻的基本特性，测出它的光照特性曲线。
2、学习使用电脑实测。
3、学习使用DataStudio软件。
4、学习了解设计性实验的基本方法。
1.2、实验原理光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，（如图1）；入射光强，电射光弱，电阻增大。
光敏电敏感性与人眼对可见光μm的响应很接近，只要人光，都会引起它的阻值变化。
路时，通用白炽灯泡光线或控制光源，但本实验采用激通过两偏振片控制光照强度传感器测出。
图1 光敏结构图阻减小，入阻器对光的（0.4~0.76）眼可感受的设计光控电自然光线作光做光源，并由角速度1.2.1光敏电阻的光照特光电流随照度的变化而称为光照特性。
不同类型的光照特性不同，大多数光敏特性是非线性的。
某种光敏特性如图1所示。
利用光敏电阻的光照特一些材料的光吸收系数。
图2 某光敏电阻的光照特性性改变的规律光敏电阻的电阻的光照电阻的光照性可以测出1.2.2光敏电阻特性图3为某光敏电阻的的关系，利用光敏电阻的光敏图3 某光敏电阻的的阻值与光强关系阻值与光强特性，可以分别模拟设计一个简单的光控自动报警实验与一个光控自动照明实验。
光敏电阻的电阻与光强间关系曲线的线性关系,不可以用在线性的光感测量中. 1.3.2选用仪器列表仪器名称型号主要参数用途750接口 CI7650 阻抗最大的有效输入电压范围±10 V 数据采集处理计算机和DataStudio 电压传感器光敏电阻取样电阻激光器、偏振片 CI6874 CI6503 ——电压范围：±10 VAC/DC ——1000Ω。
数据采集平台、数据处理数据采集——作取样电阻提供光源 CdS ——转动传感器、电源导线等二、实验内容及具体步骤：2.1、测绘光敏电阻的光照特性曲线。
（1）按右图连接好电路，电压传感器连接到750接口。
光敏电阻特性实验报告
光敏电阻特性实验报告作者: 日期:光敏电阻特性实验实验目的: 了解光敏电阻的光照特性、光谱特性和伏安特性等基本特性。
基本原理:1光线的作用下，电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态，弓I起电导率的变化，这种现象称为光电导效应。
2、光电导效应是半导体材料的一种体效应。
光照愈强，器件自身的电阻愈小。
基于这种效应的光电器件称光敏电阻。
3、光敏电阻无极性，其工作特性与入射光光强、波长和外加电压有关。
三、需用器件与单元：主机箱、安装架、普通光源、各种滤光镜、度计模板、光照度探头。
四、实验步骤：1亮电阻和暗电阻测量(1)(2) 调节光敏电阻工作电压:(3) 亮电阻测试:(4) 暗电阻测试: 实验结果:表売、暗电阻的测量亮电流11 2. 67nA亮电阻R11. 87kQ暗电流12C L OluA暗电阻R2500MQ分析：一般情况下，实用的光敏电阻的暗电阻往往超过阻则在几k Q以下，可见测量数据有效。
光电器件实验(一)模板、光敏电阻探头、照光敏电阻实验原理图1M Q,甚至高达100M Q,而亮电2光照特性测试光敏电阻的工作电压一定时（5V ）,它的阻值（光电流）随光照度变化而变化。
按表 行测量，作图3-2.。
3-2光照特性曲线分析：理论上，光敏电阻在弱光照下，光电流I 与光照度E 具有良好的线性；在强光照下则为非线性。
根据测试数据所画得的光照特性曲线较好地满足上述情况，说明实验操作准确。
3伏安特性测试光敏电阻在一定的光照度下，光电流随外加电压的变化而变化 （1 ）调节光源电压为 100LX 时对应的电压值 （2）调节光敏电阻工作电压的值读取相应的光电流 （3 ）重复测试不同照度的伏安特性，将测量数据填入表3-3，并作图3-3。
表3-3光敏电阻不同光^度下的伏安数拒134 5 6 7 0 9 10 11 120 0 0 0 00 0 0 00 010 0 0.13 0. 28 0. 43 O.5S 0.73 0. 89 1.05 1.21 L38 1.E5 1. 72 1..S750 0 0. 26 0.52 0. 79 L 05 L33 L &1 L89 2.19 2. 5 2.S2 3.15 3.471000 0,37 0.75 1. 131. 52 1.922. 322. 743. 18 3.634.16 4. 575.05电阻光頤特性测试数据 i 光照度E 0 10 20 30 40 5060 70 30 90 100 :光电流I0.64 0. 991.3 1, 52 1. 75 L 9S2,12 2. 29 2, 452,63-2进图3-3光敏电阻伏安特性分析：(1 )、由图3-3可知，在给定光照下，光敏电阻的阻值与外加电压无关，仅由光敏电阻本身性质决定，但是不同光照情况下的伏安特性具有不同的斜率，即光照强度不同，阻值不同。
光敏电阻的光敏特性研究实验设计方案
光敏电阻光照特性实验设计方案一、实验目的1、了解光敏电阻的基本性质，测出相关数据并绘制它的光照特性曲线。
2、学习了解设计性实验的基本方法。
3、增强动手实践动手能力。
4、学会使用照度计测光强度。
二、实验原理光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。
光敏电阻器对光的敏感性与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。
设计光控电路时，通用白炽灯泡光线或自然光线作控制光源，但本实验采用发光二极管和小灯泡做光源，通过更换电压源来改变光照强度，由此测出光源两端的电压u、电流值i。
并且得出u-lux图、i-lux图利用数字万用表测出光敏电阻在每个时刻变化的电阻值，然后做出r-lux图实验电路图如下：照度计使用：1、照度计(或称勒克斯计)是一种专门测量光度、亮度的仪器仪表。
就是测量光照强度(照度) 是物体被照明的程度，也即物体表面所得到的光通量与被照面积之比。
照度计通常是由硒光电池或硅光电池和微安表组成，见图。
照度计测量原理:光电池是把光能直接转换成电能的光电元件。
当光线射到硒光电池表面时，入射光透过金属薄膜4到达半导体硒层2和金属薄膜4的分界面上，在界面上产生光电效应。
产生电位差的大小与光电池受光表面上的照度有一定的比例关系。
这时如果接上外电路，就会有电流通过，电流值从以勒克斯（Lx）为刻度的微安表上指示出来。
光电流的大小取决于入射光的强弱和回路中的电阻。
照度计有变档装置，因此可以测高照度，也可以测低照度。
2.使用要求：①光电池应用直线性好的硒(Se)光电池或硅(Si）光电池;长时间工作仍能保持良好的稳定性,且灵敏度高;高E时选用高内阻的光电池,其灵敏度低而线性好,受强光照射不易受损②内付有V(λ)修正滤光片,适宜用异色温光源的照度,误差小③光电池前加一块余弦角度补偿器(乳白玻璃或白色塑料)原因是入射角大时,光电池偏离余弦定则④照度计应工作在室温或接近室温下(光电池漂移随温度改变而发生改变）三、使用仪器列表1、密封的长方体纸箱2、一个电阻1000Ω、一个光敏电阻3、开关1个4、小灯泡、发光二极管各一个5、直流电源12v，导线若干6、照度计、电压表、电流表各一个四、实验内容及步骤（一）发光二极管作光源：1、按电路图连接好放入纸箱子里面2、先固定发光二极管与光敏电阻之间距离不变，然后闭合开关3、把电源电压从1v-12v之间每隔一伏记录一组数据填入下表：光强度（lux）电流（A）电压（v）对应电阻（Ω）4、根据所得的数据作出r-lux图、u-lux图、i-lux图5、先光源固定后，把照度计和光敏电阻同时从光源前开始向远处移动，每移动5cm记录一组数据，然后填入下表（注：选定一个标准的电压电流值，即光源强度不改变的情况下）光强度（lux）移动距0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50离（cm）对应电阻（Ω）6、作出s-lux图，r-lux图（二）小灯泡作光源1、更换光源为小灯泡后，重复上述的步骤，测出相应的值填入下表光强度（lux）电流（A）电压（v）对应电阻（Ω）2、根据所得的数据作出r-lux图、u-lux图、i-lux图3、先光源固定后，把照度计和光敏电阻同时从光源前开始向远处移动，每移动5cm记录一组数据，然后填入下表（注：选定一个标准的电压电流值，即光源强度不改变的情况下）光强度（lux）移动距0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50离（cm）对应电阻（Ω）3、作出s-lux图，r-lux图4、与发光二极管作光源时测得的数据作对比，选出较为理想的光源，并说明理由五、数据处理及分析1、绘制出发光二极管作光源，固定光源与照度计距离时：（r-lux图、u-lux 图、i-lux图）移动时对应：（s-lux图，r-lux图）2、绘制出小灯泡作光源，固定光源与照度计距离时：（r-lux图、u-lux图、i-lux图）移动时对应：（s-lux图，r-lux图）六、比较选用不同光源时得出的图像的区别（1）（2）七、误差分析八、实验结果陈述与总结。
光敏电阻特性研究实验报告
课程名称：大学物理实验（一）实验名称：光敏电阻特性研究二、实验原理1.光敏电阻：基于内光电效应的一种光传感器探头，用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）图1 光敏电阻外观图2 光敏电阻符号图3 光敏电阻光照特性2.光敏电阻的结构和基本特性：光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光（可见光）的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。
在黑暗条件下，它的阻值（暗阻）可达1～10 M欧，在强光条件（100 LX流明）下，它阻值（亮阻）仅有几百至数千欧。
3.光敏电阻的原理：图4 无光照时的光敏电阻原理示意图图5 有光照时的光敏电阻原理示意图光敏电阻是一种能够感知光的电子元件，其原理在于光照射到光敏电阻表面时，会激发其中的电子发生跃迁，导致电阻值发生变化。
具体来说，光敏电阻中含有一种半导体材料的物质作为感光元件如硒化铋、硫化镉等，当光线照射到这种材料上时，会让一些电子从价带跃迁到导带，使得电子数量增加，从而导致电阻值降低。
导体材料在没有光照射时，其中的电子处于价带中，不能自由移动。
因此，当光线强度增加时，电阻值就会相应地减小；反之，当光线强度减小或消失时，电阻值则会增大。
4.光敏电阻的伏安特性：光敏电阻在光强一定的情况下（偏振片角度θ不变）时，电阻是一个定值电阻。
根据R = U/I,可得到光强不变时电阻是一条直线，它的斜率就是电阻的阻值。
图6 光敏电阻伏安特性表5.光敏电阻光照特性：光敏电阻又称光导管，在特定波长的光照射下，其阻值会迅速减小。
原因：光照后产生的载流子都参与导电，从而使光敏电阻的阻值迅速下降（百兆欧到百欧）。
6.光敏电阻其他特性参数：1)暗电流、暗电阻：在一定的电压下，没有光照时，流过的电流称为暗电流。
外加电压与暗电流之比称为暗电阻。
2)灵敏度：灵敏度是指暗电阻与受光照射时的亮电阻的相对变化值。
3)光谱响应：是指光敏电阻在不同波长的光照下的灵敏度。
光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性
光敏传感器的光电特性研究(FB815型光敏传感器光电斛实验仪) 凡是將光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量，如光强.光照皮等：也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如寥件直径、表面紐糙度、位移.速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。
光敏传感器具有非接触、响应快.性能可靠等特点，因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。
光敏传感器的物理基础是光电效应，通常分为外光电效应和内光电效应两大类，在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射现象，则称为外光电效应或光电子发射效应。
基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。
另一种现象是电子并不逸出材料表面的，则称为是内光电效应。
光电导效应、光生伏特效应都是属于内光电效应。
好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。
因此也是属于内光电效应范畴，本实验所涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是内光电效应传感器。
通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻.光敏二极管的光电传感特性及在菜些领域中的应用。
【实验原理】1.光电效应：(1)光电导效应：当光照射到某些半导体材料上时，透过到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导会增大，这种現象叫光电导效应。
它是一种内光电效应。
光电导效应可分为本征型和杂质型两类。
前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带，价带中由于电子离开而产生空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电导，使电导增加。
杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。
杂质型光电导的长波隊比本征型光电导的要长的多。
(2)光生伏特效应：在无光照吋，半导体PN结内部有自建电场。
当光照射在PN结及其附近吋，在能董足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子(电子、空穴对)。
光敏电阻特性
光敏电阻特性【实验目的】1.了解光敏电阻的基本特性。
2.测量光敏电阻的伏安特性曲线和光照特性曲线。
【实验仪器】DH-CGOP1光电传感器实验仪1套（包括灯泡盒，光敏电阻LDR ，九孔板实验箱,1K 电阻）；DH-VC3直流恒压源1台；万用表1块；导线若干【实验原理】光敏电阻是采用半导体材料制作，利用内光电效应工作的光电元件。
它在光线的作用下其阻值往往变小，这种现象称为光导效应，因此，光敏电阻又称光导管。
用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。
通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，然后接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。
在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子一空穴对增加了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电导率增加，电导率的改变量为p n pe ne σμμ∆=∆+∆\*MERGEFORMAT (1)式中e 为电荷电量，∆p 为空穴浓度的改变量，∆n 为电子浓度的改变量，μp 为空穴的迁移率，μn 为电子的迁移率。
当光敏电阻两端加上电压U 后，光电流为ph A I U d σ=∆\*MERGEFORMAT (2)其中A 为与电流垂直的截面积，d 为电极间的距离。
由和可知，光照一定时，光敏电阻两端所加电压与光电流为线性关系，呈电阻特性。
光照愈强，阻值愈低。
入射光消失后，由光子激发产生的电子一空穴对将逐渐复合，光敏电阻的阻值也就逐渐恢复原值。
在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压，其中便有电流通过，受到适当波长的光线照射时，电流就会随光强的增加而变大，从而实现光电转换。
光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。
1.伏安特性光敏传感器在一定的入射照度下，光敏元件的电流I与所加电压U之间的关系称为光敏器件的伏安特性。
光电传感器系列实验
东南大学物理实验报告姓名学号指导教师日期报告成绩实验名称光敏传感器的光电特性研究目录实验一光敏电阻特性实验实验二光敏二极管特性实验一、实验目的：1、了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线；2、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线；3、了解硅光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线；4、了解硅光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。
二、实验原理：光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接引起光强度变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。
光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。
1、光电效应光敏传感器的物理基础是光电效应，在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射称为外光电效应，或光电子发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。
电子并不逸出材料表面的则是内光电效应。
光电导效应、光生伏特效应则属于内光电效应。
即半导体材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。
光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类，几乎大多数光电控制应用的传感器都是此类，通常有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。
（1）光电导效应若光照射到某些半导体材料上时，透过到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导会增大，这种现象叫光电导效应。
它是一种内光电效应。
光电导效应可分为本征型和杂质型两类。
前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带，价带中由于电子离开而产生空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电导，使电导增加。
杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。
光敏电阻特性实验报告
光敏电阻特性实验报告实验目的：通过实验研究光敏电阻的特性，并探究光敏电阻的光照度对电阻值的影响。
实验器材：1.光敏电阻2.电阻箱3.多用电表4.正弦波信号发生器5.光源6.PPT实验执行时序图实验原理：光敏电阻是一种根据光照强度变化而改变电阻值的电子元件。
光敏电阻由光敏材料制成，其电阻值与光照强度成反比。
当光敏电阻暴露在光线下时，光敏材料吸收光子，并产生载流子，从而使电阻值减小。
实验步骤：1.将光敏电阻与电阻箱和电源相连，组成电路。
2.将多用电表设置为电阻测量模式，并连接到电路中，用于测量光敏电阻的电阻值。
3.使用正弦波信号发生器，连接到电路中的电源，提供交流电源。
4.将光源对准光敏电阻，并调整光照强度。
5.分别测量不同光照强度下光敏电阻的电阻值。
6.记录测量结果，并对实验数据进行分析和总结。
实验结果：根据实验数据测量结果，在不同光照强度下记录了光敏电阻的电阻值。
随着光照强度的增加，光敏电阻的电阻值逐渐减小。
这表明光敏电阻的电阻值与光照强度成反比。
实验总结与分析：通过本次实验，我们了解了光敏电阻的特性，并验证了光敏电阻的电阻值与光照强度的关系。
光敏电阻在光线下表现出明显的特性变化，可以被应用于光敏开关、自动调光等领域。
在实际应用中，我们还可以通过调整光敏电阻的参数来满足不同的要求。
然而，本实验还存在一些限制和改进空间。
首先，光敏电阻的光照度与电阻值的关系是非线性的，在高光照强度时，电阻值接近零，而在低光照强度时，电阻值较大。
因此，我们可以进一步研究光敏电阻在不同光照强度下的电阻值变化曲线，探索其非线性特性。
此外，本实验的光照强度调节仅使用了光源的近距离调节，可以尝试使用不同光源、不同距离和不同角度进行光照度的变化，以进一步研究光敏电阻的响应特性。
综上所述，实验结果表明，光敏电阻的电阻值受光照强度的影响，并且具有非线性特性。
进一步研究光敏电阻的特性可以为其在光电领域的应用提供更多可能性。
光敏电阻实验报告
实验报告姓名：高阳班级：F0703028 学号：5070309013 实验成绩：同组姓名：实验日期：08/4/14 指导老师：助教15 批阅日期：光敏电阻基本特性的测量【实验目的】1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。
2.了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。
3.了解简单光路的调整原则和方法.4.在一定照度下，测量光敏电阻的电压与光电流的关系。
5.在一定电压下，测量光敏电阻的照度与光电流的关系。
【实验原理】1 光敏电阻的工作原理在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。
本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效的光电元件。
当内光电效应发生时，固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带，同时在价带中留下空穴。
这样由于材料中载流子个数增加，使材料的电导率增加。
电导率的改变量为：(1) 式中e为电荷电量； 为空穴浓度的改变量； 为电子浓度的改变量； 为空穴的迁移率； 为电子的迁移率。
当光敏电阻两端加上电压U后，光电流为 (2) 式中A为与电流垂直的截面积，d为电极间的距离。
用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料．目前生产的光敏电阻主要是硫化镉．光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点，被广泛地用于自动化技术中．本实验光敏电阻得到的光照 由一对偏振片来控制。
当两偏振片之间的夹角为 时，光照 为 ，其中： 为不加偏振片时的光照，D为当量偏振片平行时的透明度。
2 光敏电阻的基本特性光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。
本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。
3.附上实验中的光路图:【实验数据记录、实验结果计算】1测量光敏电阻的电压与光电流的关系在调整好光路后，就可以做这一个内容的实验了。
下面附上这个实验内容的电路图：表中记录的数据为 的值，单位为下面绘出各个照度对应的 曲线线性拟合结果如下：Y = A + B * XParameter Value ErrorA 0.17952 0.05409B 0.33977 0.00266------------------------------------------------------------ R SD N P0.99966 0.10544 3 <0.0001所以此时Ｒ＝339线性拟合结果如下：Y = A + B * XParameter Value ErrorA 0.25369 0.0669B 0.38486 0.00376R SD N P0.99948 0.13157 13 <0.0001 所以此时Ｒ＝线性拟合结果如下：Y = A + B * XParameter Value ErrorA 0.0252 0.03197B 0.78903 0.00358R SD N P0.99989 0.06117 13 <0.0001------------------------------------------------------------所以此时Ｒ＝线性拟合结果如下：Y = A + B * XParameter Value ErrorA 0.06568 0.02854B 14.40637 0.05862R SD N P0.99991 0.05489 13 <0.0001 所以此时Ｒ＝对上面实验结果的一点分析：1. 可以发现,当时，即光照最弱时，光敏电阻的阻值很大，可达一万四千多欧姆，随着光照的加强时，光敏电阻的阻值在不断减小，在时，即在当时的最强光照时，光敏电阻的阻值已经降到了三百余欧姆，可见其变化幅度很大。