电子技术课件
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2024版电工电子技术全套课件(完整版)
介绍电气控制技术的定义、作用、应用领域等基本概念。
电气控制原理
详细阐述电气控制的基本原理，包括电气控制系统的组成、 工作原理、控制方式等。
基本控制环节
深入讲解电气控制中的基本控制环节，如启动、停止、保 护、联锁等，并分析其实现方法和特点。
2024/1/29
24
可编程控制器(PLC)原理及应用
PLC概述
简要介绍PLC的定义、发展历程、 应用领域等基本概念。
PLC原理
详细阐述PLC的工作原理，包括硬 件组成、软件编程、工作原理等方 面。
2024/1/29
PLC应用
深入讲解PLC在工业自动化领域的 应用，如顺序控制、过程控制、运 动控制等，并分析其实现方法和特 点。
25
典型电气控制系统案例分析
案例分析一
信号发生器
信号发生器的分类、工作原理及 性能指标。
晶体管毫伏表
晶体管毫伏表的工作原理及使用 注意事项。
6
02
直流电路与交流电路
2024/1/29
7
直流电路分析方法
01
02
03
基尔霍夫定律
介绍基尔霍夫电流定律和 电压定律，以及其在电路 分析中的应用。
2024/1/29
电阻的串并联
详细讲解电阻的串联、并 联及混联电路的分析方法， 包括等效电阻、电压和电 流的计算。
介绍一个典型的电气控制系统案例，分析其控制需求、设计方案、 实现方法等。
案例分析二
再介绍一个不同类型的电气控制系统案例，同样分析其控制需求、 设计方案、实现方法等。
案例总结
对两个案例进行总结，归纳出电气控制系统的设计思路、实现方法、 注意事项等。
2024/1/29
26
电气控制原理
详细阐述电气控制的基本原理，包括电气控制系统的组成、 工作原理、控制方式等。
基本控制环节
深入讲解电气控制中的基本控制环节，如启动、停止、保 护、联锁等，并分析其实现方法和特点。
2024/1/29
24
可编程控制器(PLC)原理及应用
PLC概述
简要介绍PLC的定义、发展历程、 应用领域等基本概念。
PLC原理
详细阐述PLC的工作原理，包括硬 件组成、软件编程、工作原理等方 面。
2024/1/29
PLC应用
深入讲解PLC在工业自动化领域的 应用，如顺序控制、过程控制、运 动控制等，并分析其实现方法和特 点。
25
典型电气控制系统案例分析
案例分析一
信号发生器
信号发生器的分类、工作原理及 性能指标。
晶体管毫伏表
晶体管毫伏表的工作原理及使用 注意事项。
6
02
直流电路与交流电路
2024/1/29
7
直流电路分析方法
01
02
03
基尔霍夫定律
介绍基尔霍夫电流定律和 电压定律，以及其在电路 分析中的应用。
2024/1/29
电阻的串并联
详细讲解电阻的串联、并 联及混联电路的分析方法， 包括等效电阻、电压和电 流的计算。
介绍一个典型的电气控制系统案例，分析其控制需求、设计方案、 实现方法等。
案例分析二
再介绍一个不同类型的电气控制系统案例，同样分析其控制需求、 设计方案、实现方法等。
案例总结
对两个案例进行总结，归纳出电气控制系统的设计思路、实现方法、 注意事项等。
2024/1/29
26
电工电子技术全套课件
组成：电源、负载和中间环节。
电源: 提供电能的设备，如发电机、电池、信 号源等。
负载: 指用电设备，如电灯、电动机、洗衣机等。 中间环节: 把电源和负载连接起来，通常是一些 导线、开关、接触器、保护装置等。
开关S 220V
启辉器
镇流器L
日光灯管R
日光灯实际电路
二、电路的作用
电力系统中：
电路可以实现电能 的传输、分配和转换。
u
–
产生磁场 储存磁场能量 L
（电感性）
理想电路元件
忽略R L
为了便于分析与计算实际电路，在一定条件下 常忽略实际部件的次要因素而突出其主要电磁性质， 把它看成理想电路元件。
将实际电路中的元件用理想电路元件表示， 称为实际电路的电路模型。
二、电路模型
中间环节
开关
负
载
S
I
电 源
导线
R0
+
电源
+ _US
(b) 元件电流和电压的参考方向为非关联
P UI (3) 2 6W 是吸收功率。
I=2A
+ U=5V －
(a)
I=-2A
+ U=5V －
(b)
I=-2A
+ U=5V －
(c)
例 : 求图示各元件的功率 。 （a）关联方向， P=UI=5×2=10W， P>0，吸收10W功率。 （b）关联方向，
文字符号： 图形符号： 伏安关系： 功率情况：
当电压和电流取关联参考方向时，任何时 R 刻它两端的电压和电流关系服从欧姆定律
消耗有功功率
U
Ru i
0
P UI I 2R U 2 / R
伏安特性
电源: 提供电能的设备，如发电机、电池、信 号源等。
负载: 指用电设备，如电灯、电动机、洗衣机等。 中间环节: 把电源和负载连接起来，通常是一些 导线、开关、接触器、保护装置等。
开关S 220V
启辉器
镇流器L
日光灯管R
日光灯实际电路
二、电路的作用
电力系统中：
电路可以实现电能 的传输、分配和转换。
u
–
产生磁场 储存磁场能量 L
（电感性）
理想电路元件
忽略R L
为了便于分析与计算实际电路，在一定条件下 常忽略实际部件的次要因素而突出其主要电磁性质， 把它看成理想电路元件。
将实际电路中的元件用理想电路元件表示， 称为实际电路的电路模型。
二、电路模型
中间环节
开关
负
载
S
I
电 源
导线
R0
+
电源
+ _US
(b) 元件电流和电压的参考方向为非关联
P UI (3) 2 6W 是吸收功率。
I=2A
+ U=5V －
(a)
I=-2A
+ U=5V －
(b)
I=-2A
+ U=5V －
(c)
例 : 求图示各元件的功率 。 （a）关联方向， P=UI=5×2=10W， P>0，吸收10W功率。 （b）关联方向，
文字符号： 图形符号： 伏安关系： 功率情况：
当电压和电流取关联参考方向时，任何时 R 刻它两端的电压和电流关系服从欧姆定律
消耗有功功率
U
Ru i
0
P UI I 2R U 2 / R
伏安特性
电子技术应用电子技术基础知识ppt课件
2. 管压降特性： 在二极管导通后，正向压降基本不变，管子的正向电流发生很大变化
时，正向压降才有微小的变化。换言之，当正向电压有一个微小变化时， 将引起正向电流的很大变化。硅二极管的正向压降为0.6V左右，锗二极管 的正向压降为0.2V左右。
3. 正向电阻小，反向电阻大 正向电阻是指二极管正向导通后管子正负极间的电阻（是PN结的正向
30
正向特性
20 死区电20 1010 压0 反向特U/V 0.5 1.0 1.5
性
20
40
μA
图1-10 二极管的伏安 特性
3）、反向击穿特性 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反 向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工 艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏， 甚至高达数千伏。电击穿（雪崩击穿和齐纳击穿）可逆，热击穿不可逆。
2 直标法： 对于体积比较大的电容，多采用直标法。如果是0.005 ，表示
0.005uF=5nF。如果是2200,表示2200PF。如果是5n，那就表示的是5nF。
3 色标法：
沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一、二种环表示 电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）。颜色代表的 数值为：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白 =9。
例2 当四个色环依次是棕、黑、橙、金色时，因第三环为橙色，第二 环又是黑色，阻值应是整几十kΩ的，按棕色代表的数"1"代入，读数为10
kΩ。第四环是金色，其误差为±5％
3 ．计算方法
对于4色环电阻，其阻值计算方法位： 阻值=（第1色环数值*10+第2色环数值）*第3位色环代表之所乘数
时，正向压降才有微小的变化。换言之，当正向电压有一个微小变化时， 将引起正向电流的很大变化。硅二极管的正向压降为0.6V左右，锗二极管 的正向压降为0.2V左右。
3. 正向电阻小，反向电阻大 正向电阻是指二极管正向导通后管子正负极间的电阻（是PN结的正向
30
正向特性
20 死区电20 1010 压0 反向特U/V 0.5 1.0 1.5
性
20
40
μA
图1-10 二极管的伏安 特性
3）、反向击穿特性 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反 向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工 艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏， 甚至高达数千伏。电击穿（雪崩击穿和齐纳击穿）可逆，热击穿不可逆。
2 直标法： 对于体积比较大的电容，多采用直标法。如果是0.005 ，表示
0.005uF=5nF。如果是2200,表示2200PF。如果是5n，那就表示的是5nF。
3 色标法：
沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一、二种环表示 电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）。颜色代表的 数值为：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白 =9。
例2 当四个色环依次是棕、黑、橙、金色时，因第三环为橙色，第二 环又是黑色，阻值应是整几十kΩ的，按棕色代表的数"1"代入，读数为10
kΩ。第四环是金色，其误差为±5％
3 ．计算方法
对于4色环电阻，其阻值计算方法位： 阻值=（第1色环数值*10+第2色环数值）*第3位色环代表之所乘数
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为低频管。 (4)按功率可分为：小功率管和大功率管。耗散功率小于1W为小功率管，耗散功率大于1W为大功
率管。 (5)按用途可分为：普通放大三极管和开关三极管等。
1.3 半导体三极管
1.3.1 三极管的结构
3．图形符号 三极管的图形符号如图1-18所示。
图1-18 三极管的图形符号
1.3 半导体三极管
1.3 半导体三极管
1.3.1 三极管的结构
2．分类 三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类： (1)按半导体制造材料可分为：硅管和锗管。硅管受温度影响较小、工作稳定，因此在电子产品中
常用硅管。 (2)按三极管内部基本结构可分为：NPN型和PNP型两类。 (3)按工作频率可分为：高频管和低频管。工作频率高于3MHz为高频管，工作频率在3MHz以下
I 0.01 mA
B
(1)当IB有较小变化时，IC就有较大变化。
(2)直流电流放大系数 (3)交流电流放大系数
IC
IB
I C
I B
1.3 半导体三极管
1.3.2 三极管的电流放大作用
2．电流放大作用 显然,(1-2)和(1-3)两式的意义是不同的。前者反映的是静态(直流工作状态)时集电极与基极电流之
图1-11 硅二极管的伏安特性曲线
1.2 半导体二极管
1.2.2 二极管的特性与参数
3 半导体二极管的主要参数
(1)最大整流电流 IFM：二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。
(2)最高反向工作电压 VRM：二极管允许承受的反向工作电压峰值，
VRM
1 2
~
1，也叫 3
反向击穿电压。
(3)反向漏电流 IR：是指在规定的反向电压和环境温度下的二极管反向电流值。IR越小，二 极管的单向导电性能越好。
率管。 (5)按用途可分为：普通放大三极管和开关三极管等。
1.3 半导体三极管
1.3.1 三极管的结构
3．图形符号 三极管的图形符号如图1-18所示。
图1-18 三极管的图形符号
1.3 半导体三极管
1.3 半导体三极管
1.3.1 三极管的结构
2．分类 三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类： (1)按半导体制造材料可分为：硅管和锗管。硅管受温度影响较小、工作稳定，因此在电子产品中
常用硅管。 (2)按三极管内部基本结构可分为：NPN型和PNP型两类。 (3)按工作频率可分为：高频管和低频管。工作频率高于3MHz为高频管，工作频率在3MHz以下
I 0.01 mA
B
(1)当IB有较小变化时，IC就有较大变化。
(2)直流电流放大系数 (3)交流电流放大系数
IC
IB
I C
I B
1.3 半导体三极管
1.3.2 三极管的电流放大作用
2．电流放大作用 显然,(1-2)和(1-3)两式的意义是不同的。前者反映的是静态(直流工作状态)时集电极与基极电流之
图1-11 硅二极管的伏安特性曲线
1.2 半导体二极管
1.2.2 二极管的特性与参数
3 半导体二极管的主要参数
(1)最大整流电流 IFM：二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。
(2)最高反向工作电压 VRM：二极管允许承受的反向工作电压峰值，
VRM
1 2
~
1，也叫 3
反向击穿电压。
(3)反向漏电流 IR：是指在规定的反向电压和环境温度下的二极管反向电流值。IR越小，二 极管的单向导电性能越好。
电子技术基础总复习ppt课件
耦合电容
特点：具有隔直电容，信号源、负载不与放大器直连
图2.2.5 阻容耦合共射放大电路
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
三、 放大电路的分析方法
——直流通路与交流通路
2.5.3 三种接法的比较
晶体管放大电路的三种组态： ➢ 共发射极放大电路既能放大电压，也能放大电流， 输入电阻居中，输出电阻较大，频带较窄。常作低频电 压放大。 ➢ 共集电极放大电路只能放大电流，不能放大电压。 输入电阻最大、输出电阻最小，具有电压跟随的特点常 用于多级放大的输入级和输出级，有时还用作中间隔离 级（缓冲级），起阻抗变换的作用。 ➢ 共基极放大电路只能放大电压，不能放大电流。输 入电阻最小，频率特性最好。
分析放大电路应注意：
▪ 在分析放大电路时，应遵循“先静态，后动态”。 求解静态工作点时应利用直流通路； 求解动态参数时应利用交流通路。
▪ 静态工作点合适，动态分析才有意义。 ▪ 分析时不一定非画出直流通路不可。
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
集成运算放大电路
集成运算放大电路概述 集成运算放大器：简称运放，一种高放大倍数 的线性（直接耦合集成）电路。
4.1.1 集成运放的电路结构特点
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
第2章 放大电路的基本原
理和分析方法
特点：具有隔直电容，信号源、负载不与放大器直连
图2.2.5 阻容耦合共射放大电路
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
三、 放大电路的分析方法
——直流通路与交流通路
2.5.3 三种接法的比较
晶体管放大电路的三种组态： ➢ 共发射极放大电路既能放大电压，也能放大电流， 输入电阻居中，输出电阻较大，频带较窄。常作低频电 压放大。 ➢ 共集电极放大电路只能放大电流，不能放大电压。 输入电阻最大、输出电阻最小，具有电压跟随的特点常 用于多级放大的输入级和输出级，有时还用作中间隔离 级（缓冲级），起阻抗变换的作用。 ➢ 共基极放大电路只能放大电压，不能放大电流。输 入电阻最小，频率特性最好。
分析放大电路应注意：
▪ 在分析放大电路时，应遵循“先静态，后动态”。 求解静态工作点时应利用直流通路； 求解动态参数时应利用交流通路。
▪ 静态工作点合适，动态分析才有意义。 ▪ 分析时不一定非画出直流通路不可。
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
集成运算放大电路
集成运算放大电路概述 集成运算放大器：简称运放，一种高放大倍数 的线性（直接耦合集成）电路。
4.1.1 集成运放的电路结构特点
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
第2章 放大电路的基本原
理和分析方法
《电子技术基础》ppt课件
PN结内部载流子基本为零，因此导电率很低，相当于介质。 但PN结两侧的P区和N区导电率很高，相当于导体，这一点和 电容比较相似，所以说PN结具有电容效应。
半导体基础与常用器件
电子技术基础
PN结的单向导电性
PN结的上述“正向导通，反向阻断”作用，说明它具有单 向
导电性，PN结的单PN向结导中电反性向是它电构流成的半讨导论体器件的基础。
3. 空间电荷区的电阻率很高，是指其内电场阻碍多数载流子扩 散运动的作用，由于这种阻碍作用，使得扩散电流难以通过空 间电荷区，即空间电荷区对扩散电流呈现高阻作用。
4. PN结的单向导电性是指：PN结正向偏置时，呈现的电阻很小 几乎为零，因此多子构成的扩散电流极易通过PN结；PN结反向 偏置时，呈现的电阻趋近于无穷大，因此电流无法通过被阻断。
由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发。
本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动的产 生，由此本征半导体的电中性被破坏，使失掉电子的原子变成带 正电荷的离子。
由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参 与导电，成为晶体中固定不动的带正电离子。
半导体基础与常用器件
电子技术基础
内部几乎没有自由电子， 因此不导电。
半导体基础与常用器件
电子技术基础
（3） 半导体
半导体的最外层电子数一般为4个，在常温下存在的自 由电子数介于导体和绝缘体之间，因而在常温下半导体的 导电能力也是介于导体和绝缘体之间。
常用的半导体材料有硅、锗、硒等。
＋
原子核
半导体的特点：
导电性能介于导体和绝缘体之 间，但具有光敏性、热敏性和参 杂性的独特性能，因此在电子技 术中得到广泛应用。
光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；
半导体基础与常用器件
电子技术基础
PN结的单向导电性
PN结的上述“正向导通，反向阻断”作用，说明它具有单 向
导电性，PN结的单PN向结导中电反性向是它电构流成的半讨导论体器件的基础。
3. 空间电荷区的电阻率很高，是指其内电场阻碍多数载流子扩 散运动的作用，由于这种阻碍作用，使得扩散电流难以通过空 间电荷区，即空间电荷区对扩散电流呈现高阻作用。
4. PN结的单向导电性是指：PN结正向偏置时，呈现的电阻很小 几乎为零，因此多子构成的扩散电流极易通过PN结；PN结反向 偏置时，呈现的电阻趋近于无穷大，因此电流无法通过被阻断。
由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发。
本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动的产 生，由此本征半导体的电中性被破坏，使失掉电子的原子变成带 正电荷的离子。
由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参 与导电，成为晶体中固定不动的带正电离子。
半导体基础与常用器件
电子技术基础
内部几乎没有自由电子， 因此不导电。
半导体基础与常用器件
电子技术基础
（3） 半导体
半导体的最外层电子数一般为4个，在常温下存在的自 由电子数介于导体和绝缘体之间，因而在常温下半导体的 导电能力也是介于导体和绝缘体之间。
常用的半导体材料有硅、锗、硒等。
＋
原子核
半导体的特点：
导电性能介于导体和绝缘体之 间，但具有光敏性、热敏性和参 杂性的独特性能，因此在电子技 术中得到广泛应用。
光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；
电子技术PPT课件
—沟道调制长度系数
K nCOXW K W
2L
2L
L
L U DS
K 2 Sn
29
Sect
(3) 特性曲线
UDS
ID/mA 恒流区
可变电阻区
开启电压UGS(th）
UGS/ 无导电 有导电沟道
沟道 转移特性曲线
截o止区
UGS= 4V UGS= 3V UGS= 2V UGS= 1V
UDS/V
漏极特性曲线
dsgs44场效应管与晶体管的比较场效应管与晶体管的比较电流控制电流控制电压控制电压控制控制方式控制方式电子和空穴两种载电子和空穴两种载流子同时参与导电流子同时参与导电载流子载流子电子或空穴中一种电子或空穴中一种载流子参与导电载流子参与导电npnnpn和和pnppnpn沟道和沟道和pp沟道沟道放大参数放大参数20020rrcece很高很高rrdsds很高很高输出电阻输出电阻输入电阻输入电阻1010较低较低1010较高较高双极型三极管双极型三极管单极型场效应管单极型场效应管热稳定性热稳定性好好制造工艺制造工艺较复杂较复杂简单成本低简单成本低对应电极45耗尽型n沟道mos管的特性曲线gs实验线路共源极接法46输出特性曲线gs0vgs1vgs2vgs1vgs2v夹断电压u2v固定一个uds画出igs的关系曲线称为转移特性曲线47耗尽型n沟道mos管的特性曲线转移特性曲线夹断电压48gs0vgs1vgs2vgs1vgs2vgs3210111mav49场效应管放大电路电路的组成原则及分析方法1
G N
UGS<Vp UGD=VP时 ID UDS N
UGS
2021/6/16
S
11
此时，电流ID由未 被夹断区域中的载 流子形成，基本不 随UDS的增加而增 加，呈恒流特性。
电子技术基础全套课件
图1.2.3
二、温度对二极管特性的影响 如图1.2.3虚线所示，在温度升高时，二极管的正向 特性曲线将左移，在室温附近，温度每升高1 ， 正向压降减小2～2.5mV;温度每升高10 ,反向电流 c 约增大一倍。
o
1.2.3 二极管的主要参数 1、最大整流电流IF：二极管长期运行时允许通过 的最大正向平均电流。 2、最高反向工作电压UR：二极管工作时允许外加 的最大反向电压。 3、反向电流IR：二极管未击穿时的反向电流。 4、最高工作频率fM：二极管工作的上限频率。
图1.1.6
2、外加反向电压时PN 处于截止状态 PN结处于反向偏臵状 态。外电场使空间电荷区 变宽，加强了内电场，阻 止扩散运动的进行，加剧 漂移运动的进行，形成反 向电流，也称为漂移电流。 因为少子的数目极少，即 使都参与漂移，反向电流 也非常小，认为PN结处于 截止状态。 图1.1.7
三、PN结的电流方程 IS:反向饱和电流； q：电子的电量； k：玻尔兹曼常数； T：热力学温度。
;
将式中的kT/q用UT取代，则得
四、PN结的伏安特性
u＞0,称为正向特性； u＜0,称为反向特性； 当反向电压大于U(BR) 后，反向电流急剧增加，称 为反向击穿。 在高掺杂情况下，耗尽 层很窄，不大的反向电压可 在 耗尽层产生很大的电场， 直接破坏共价键，产生电子图1.1.10 空穴对，称为齐纳击穿；如果掺杂浓度较低，当 反向电压较大时，耗尽层的电场使少子加快漂移 速度，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对， 又撞出价电子，称为雪崩击穿。在击穿时，若不 限制电流，则会造成永久性损坏。
第一章 常用半导体器件
1.1 半导体器件基础
1.1.1 本征半导体 一、半导体 导体 绝缘体 半导体：硅（Si） 锗（Ge） 二、本征半导体 的晶体结构 图1.1.1
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电子技术
15
当S、D极间加以较高电压（约+20~+25V)时,
将发生雪崩击穿,如果同时在控制极加上高 压脉冲 (幅度约+25V,宽度约50ms),一些速度 较高的电子就能穿过SIO2层到达浮置栅极,行 成注入电荷。注入了电荷的SIMOS管相当于 写入了1，没注入电荷的相当于存入了0。
SIMOS -- Stacked gate Injuntion Metal Oxide Semiconductor
电子技术
16
字线 位线
Vcc
注入了 电子的
电子技术
0010
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8.2.2 ROM的应用举例
例1. 用于存储固定的专用程序。
例2. 利用ROM可实现查表或码制变换等功能。 查表功能 －－例：查某个角度的三角函数
“造表” “查表”
地址码——变量值（角度） 相应ROM中的内容——函数值 输入地址(角度)输出函数值
码制变换：地址——欲变换的编码 相应ROM中的内容——目的编码
电子技术
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例3. ROM 在波形发生器中的应用。
计
CP
数
计数脉冲 器
3
4
ROM
D/A 送示波器
uo
A2 A1 A0
D3 D2 D1 D0
D/A
0 0 0 0 000 0
0 0 1 0 01 0 2
01 0 01 00 4
01 1 1 000 8
1) ROM
2) PROM------
programmable 3) EPROM
UVEPROM (Ultra violet)
(Erasrically)
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2.随机存取存储器 Random Access Memory
RAM
1) SRAM 静态 随机存取存储 器 (static)
D1
D0
W0
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ROM的类型
固定 ROM：在前面介绍的两种存储器中，其存 储单元中的内容在出厂时已被完全固定下 来，使用时不能变动。
PROM：有一种可编程序的 ROM ，在出厂时 全部存储 “1”，用户可根据需要将某些单 元改写为 “0”,然而只能改写一次 。
电子技术
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DD D D
3
2
1
0
A1 译 A1A0
u D/A
o
0 2 4 8 12 9 6 3
电子技术
0
t 20
P327
1、用ROM构成序列脉冲发生器 2、用ROM构成序列脉冲发生器 3、用ROM构成字符发生器
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§8.3 读写存储器( RAM )
读写存储器又称随机存储器—— Random Access Memory。
读写存储器的特点是：在工作过程中，既可
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8
简单的二极管ROM电路
D3 D2
D1
D0
A1 译 A1A0
A1A0
码 A1A0 A0 器 A1A0
位线
-VCC
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K: 输出 控制端
输出电 路
存储矩 阵
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字线
D3 D2 D1 D0
A1
A1A0 译 A1A0
码 A1A0 A0 器 A1A0
K: 输出 控制端
输入任意一 个地址码，译码 器就可使与之对 应的某条字线为 高电平，进而从 位线上读出四位 输出数字量。
[ 输出位数：M ] 来表示( 其中N为存 储器的地址线数 )。例如：128(字) . 8(位)、1024(字). 8(位)等等。
EPROM的结构及工作原理可见《数字电子技术》 P301（阎石主编）
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符号
S
G1 G2
D
N+
N+
P
SIO2层
SIMOS ---迭栅注入MOS管
G1控制极 G2浮栅极
顺序存取存储器的特点是先入先出或 先入后出
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§8.2 只读存储器( ROM )
R. ead Only . Memory.
只读存储器在工作时其存储内容是固定 不变的，因此，只能读出，不能随时写入， 所以称为只读存储器。
8.2.1 ROM的基本结构及工作原理
ROM主要组成部分：
1. 地址译码器 2. 存储矩阵 3. 输出电路。
从存储器的任意单元读出信息，又可以把 外界信息写入任意单元，因此它被称为随 机存储器，简称 RAM 。
1 0 0 1 1 0 0 12
1 0 1 1 0 01 9
0
t 1 1 0 0 11 0 6
1 1 1 0 011 3
电子技术
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计
CP
数
计数脉冲 器
u 3
ROM
4
D/A
o
送示波器
A2 A1 A0
0 00 001 01 0 011 100 1 01 110 11 1
D3 D2 D1 D0
0 000 0 01 0 01 00 1 000 1 100 1 0 01 0 11 0 0 011
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3
按所用半导体器件的不同,半导体存 储器分为:
1.双极型-----工作速度快,在微机中作 高速 缓存
2.MOS型-----功耗小,因而集成度高. 用于大容量存储,如微机中的内存条
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按存取方式半导体存储器可分为:
1. 只读存储器 Read Only Memory
信息可长期保存,断电也不丢失
A1A0
码 A1A0 A0 器 A1A0
K: 输 出控 制端
字线
位 线
-VCC
熔
断
若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然，一旦烧断
丝
后不能再恢复。
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EPROM： 一种可以改写多次的 ROM。它所存 储的信息可以用紫外线或 X 射线照射檫去
（Erasable ），然后又可以重新编制信息。
存储容量是 ROM 的主要技术指 标之一，它一般用[ 存储字数：2N ] .
2) DRAM 动态随机存储存取器
(Dynamic)
任何时刻对任何单元都能直接写入或读出 二进制信息,断电后信息就丢失。
电子技术
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3. 顺序存取存储器 Sequential Access Memory
SAM
FIFO First in First out FILO First in Last out
地址
内容
-VCC
A1 A0 D3 D2 D1 D0
00 0 0 1 1
01 0 1 0 1
位线
10 0 1 0 1
11 1 0 1 0
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下图是使用 MOS 管的ROM 矩阵：
有 MOS 管的单元 存储 “0”；
无 MOS 管的单元 存储 “1”。
+VCC W3
W2
W1
D3
D 电子技术 2
电子技术 数字电路部分
第八章
半导体存储器
电子技术
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第八章 半导体存储器
§8.1 概 述 §8.2 只读存储器( ROM ) §8.3 读写存储器( RAM )
电子技术
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§8.1 概 述
半导体存储器是由半导体器件 构成的大规模集成电路,专门用 来存放二进制信息的,是任何数 字电路不可缺少的一部分.