晶体管扫盲 transisteoe
Lesson 6 (2)
❖ 5. crystal [ˈkristəl] n. 晶体
❖ 晶体通常呈现规则的几何形状，就像有人特意加工出来的一 样。其内部原子的排列十分规整严格，比士兵的方阵还要整 齐得多。如果把晶体中任意一个原子沿某一方向平移一定距 离，必能找到一个同样的原子。而玻璃、珍珠、沥青、塑料 等非晶体，内部原子的排列则是杂乱无章的。准晶体是最近 发现的一类新物质，其内部排列既不同于晶体，也不同于非 晶体。
❖ 严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一 元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应 管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。
❖ 晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P 型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极 （Collector）; 场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
❖ 6. germanium [dʒə:ˈmeiniəm] n. 锗 ❖ 7. silicon [ˈsilikən] n. 硅 ❖ 8. junction [ˈdʒʌnkʃən] n. 结 (半导体) 节点 （电） ❖ 9. base [beis] n. 基区，基极 ❖ 10. collector [kəˈlektə] n.集电极，集电区 ❖ 11. emitter [iˈmitə] n. 发射区，发射极
❖ 16. microelectronics [ˈmaikrəuiˌlekˈtrɔniks] ❖ n. 微电子 ❖ micro- pref. 表示“极微小，仪器或工具用以扩大
者”之义
17. overnight [ˌəuvəˈnait] adv. 一个晚上，很快 18. emerge [iˈmə:dʒ] vi. 显现，形成 19. predominant [priˈdɔminənt] adj. 支配的,主要的 20. rating [ˈreitiŋ] n. 额定值，规格 21. case [keis] n. 管壳 容器 22. plastic [ˈplɑ:stik] n. 塑料 23. polarity [pəʊˈlærɪti:,pə-] n. 极性 (polar)
晶体管简介ppt课件
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由此可见,PN结的正向电阻很小,反向电 阻很大,这就是它的单向导电性.从这里可 以看出,PN结具有单向导电性的关键是它 的阻挡层的存在及其随外加电压而变化.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
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2:外加反向电压
外加电压正端接N区,负端接P区.在这种外 电场作用下,P区的空穴和N区的电子都将 进一步离开PN结,使阻挡层厚度加宽.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
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雪崩击穿和齐纳击穿（电击穿）过程是 可逆的，当加在稳压管两端的反向电压 降低后，管子仍可以恢复。但不能出现 热击穿。
热击穿：反向电流和反向电压的乘积不 超过PN结容许的耗散功率，超过了就会 因为热量散不出去而使PN结温度上升， 直到过热而烧毁。
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
面接触型
面接触型二极管的 PN结用合金法或扩 散法做成的
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
晶体管单词
晶体管单词单词：transistor1. 定义与释义1.1词性：名词1.2释义：晶体管，一种可用于放大、控制和产生电信号的半导体器件。
1.3英文解释：A semiconductor device used for amplifying, controlling, and generating electrical signals.1.4相关词汇：transistorize（动词，晶体管化）、transistorized（形容词，晶体管化的）---2. 起源与背景2.1词源：“transistor”这个词是由“transfer（转移）”和“resistor （电阻器）”组合而成，源于英语，1948年被创造出来。
2.2趣闻：晶体管的发明被认为是20世纪最重要的发明之一，它的出现使得电子设备变得更小、更便宜、更可靠。
在晶体管发明之前，电子设备主要使用真空管，真空管体积大、功耗高且容易损坏。
晶体管的发明开启了现代电子时代的大门，为计算机、收音机、电视机等众多电子设备的发展奠定了基础。
---3. 常用搭配与短语3.1短语：（1）transistor radio：晶体管收音机例句：My grandfather used to listen to the news on his transistor radio every morning.翻译：我爷爷过去每天早上都用他的晶体管收音机听新闻。
（2）transistor amplifier：晶体管放大器例句：The transistor amplifier can effectively boost the weak signal.翻译：晶体管放大器能有效地放大微弱信号。
（3）field - effect transistor：场效应晶体管例句：The field - effect transistor has high input impedance.翻译：场效应晶体管有很高的输入阻抗。
《晶体管》 讲义
《晶体管》讲义一、什么是晶体管在现代电子世界中，晶体管是最为关键的元件之一。
简单来说，晶体管是一种用于控制电流流动的半导体器件。
它就像是电子电路中的一个“开关”，能够根据输入的信号来决定电流是否通过，以及通过的大小。
晶体管的出现彻底改变了电子技术的发展进程。
在晶体管诞生之前，电子设备主要依赖体积庞大、效率低下且容易发热的真空管。
而晶体管体积小、重量轻、功耗低，性能却更为出色，这使得电子设备能够变得更加小巧、高效和可靠。
二、晶体管的工作原理要理解晶体管的工作原理，首先需要了解一些半导体的知识。
半导体材料，如硅和锗，其导电性能介于导体（如铜、铝）和绝缘体（如橡胶、塑料）之间。
晶体管主要有两种类型：双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
双极型晶体管是由两个 PN 结组成的。
PN 结是在一块半导体材料中，通过特殊的工艺使一部分成为 P 型半导体（富含空穴），另一部分成为 N 型半导体（富含电子），它们的交界处就形成了 PN 结。
当给双极型晶体管的基极施加一个小电流时，就能够控制从集电极到发射极的大电流流动。
这是因为基极电流的微小变化会引起集电极和发射极之间电流的较大变化，从而实现电流的放大作用。
场效应晶体管则是通过电场来控制电流的流动。
根据结构的不同，场效应晶体管又分为结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。
以 MOSFET 为例，它有一个栅极、源极和漏极。
栅极上的电压能够改变沟道的导电能力，从而控制源极和漏极之间的电流。
三、晶体管的分类晶体管的分类方式多种多样。
按照导电类型，可分为 NPN 型和 PNP 型双极型晶体管，以及 N 沟道和 P 沟道场效应晶体管。
按照材料，可分为硅晶体管和锗晶体管。
按照封装形式，常见的有塑料封装、金属封装、陶瓷封装等。
按照功率大小，可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
不同类型的晶体管在性能、用途等方面都有所差异，需要根据具体的应用场景来选择合适的晶体管。
晶体管的介绍
G－栅极（基极） －栅极（基极） S－源极（发射极） －源极（发射极） D－漏极（集电极） －漏极（集电极） B－衬底 －
MOS管工作原理 管工作原理
正常 放大 时外 加偏 置电 压的 要求
以N沟道增强 沟道增强 型MOS管为 管为 例
VDS > 0
VGS > 0
栅源电压VGS对iD的控制作用
在栅极下方形成的导电沟 在漏源电压作用下开 道中的电子，因与P型半 道中的电子，因与 型半 始导电时（即产生i 始导电时（即产生i 导体的多数载流子空穴极D） 的栅源电压为开启电 反型层。 性相反，故称为反型层 性相反，故称为反型层。 压VT
工作状态 偏置条件 电流关系 C、E间等 C、E间等 效电阻 截止 放大 饱和 发射结和集电 结均正偏 发射结和集电 发射结正偏集 电结反偏 结均反偏
iB =0 iC =ICEO ≈ 0
很大
iB >0 iC = β iB
可变
iC =ICS≠β iB UCES=0.3V
很小
c b+ uBE iB iC + uCE iE -e
I
PN结的单向导电性使 PN结的单向导电性使 PN结在使用时有 得PN结在使用时有 正向 开启电压的存在： 开启电压的存在： 硅管的开启电压约 0.7V， 为0.7V，锗管的开 O 启电压约为0.3V。 启电压约为0.3V。
反向
V
1、发射区向基区注入大量电子 、 因浓度差， 发射结 因浓度差，发射区的大量电子经发射 结扩散注入基区，形成电子流 →IEn 结扩散注入基区， 正偏 扩散） （扩散） 基区空穴扩散注入发射区 →IEP
P IEn
EC
3、集电区收集发射区扩散过来的电子 、 在外电场作用下， 在外电场作用下，由发射区扩散在集电 集电结 结附近的非平衡少子漂移到集电区 →ICn 反偏 漂移） （漂移） 基区的电子漂移到集电区 平衡少子 的漂移 → ICBO 集电区的空穴漂移到基区
晶体管
晶体管晶体管百科内容来自于：晶体管(transistor)是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用"V"或"VT"(旧文字符号为"Q"、"GB"等)表示。
晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。
它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。
重要性NPN型晶体管示意图晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。
它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。
输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管-晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。
TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用"V"或"VT"(旧文字符号为"Q"、"GB"等)表示。
晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。
晶体管实际上是所有现代电器的关键活动(active)元件。
晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。
虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，绝大多数的晶体管是和二极管|-{A|zh-cn：二极管；zh-tw：二极体}-，电阻，电容一起被装配在微芯片(芯片)上以制造完整的电路。
模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。
设计和开发一个复杂芯片的生本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。
一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。
《晶体管》 讲义
《晶体管》讲义一、什么是晶体管在现代电子技术的领域中，晶体管无疑是最为关键的元件之一。
那么，究竟什么是晶体管呢？简单来说，晶体管是一种用于控制电流流动的半导体器件。
它就像是电子世界里的一个“开关”，可以根据输入的电信号来决定电流是否通过，以及通过的大小。
晶体管的出现彻底改变了电子学的发展进程。
在晶体管发明之前，电子设备通常使用真空管来实现类似的功能。
但真空管体积大、发热高、功耗大，而且容易损坏。
晶体管则克服了这些缺点，它体积小、功耗低、可靠性高，使得电子设备能够变得更加小巧、高效和耐用。
二、晶体管的工作原理要理解晶体管的工作原理，我们首先需要了解一些半导体的基础知识。
半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
常见的半导体材料有硅和锗。
在纯净的半导体中，掺入少量的杂质可以改变其导电性能，这就是所谓的“掺杂”。
晶体管主要有两种类型：双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
双极型晶体管由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
当在发射结加上正向电压，集电结加上反向电压时，电流就能够从发射区经过基区流向集电区，从而实现电流的放大。
场效应晶体管则是通过电场来控制电流的流动。
根据结构的不同，场效应晶体管又分为结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。
以 MOSFET 为例，它有源极、漏极和栅极。
栅极上的电压可以控制源极和漏极之间的导电沟道的宽窄，从而改变电流的大小。
三、晶体管的类型1、双极型晶体管（BJT）双极型晶体管又分为 NPN 型和 PNP 型。
NPN 型晶体管中，电流从发射极（N 型）流入，经过基极（P 型），最后从集电极（N 型）流出。
PNP 型则相反，电流从发射极（P 型）流入，经过基极（N 型），从集电极（P 型）流出。
BJT 在模拟电路中应用广泛，例如放大器、振荡器等。
2、场效应晶体管（FET）（1）结型场效应管（JFET）JFET 的工作原理是通过改变耗尽层的宽度来控制导电沟道的宽窄，从而实现对电流的控制。
晶体管的诞生
晶体管由此诞生！
谢谢观赏
二、晶体管的发明者
肖克利
1910年生于伦敦。3岁随父母举家迁往加州。从事矿业的双亲从小给他 灌输科学思想，加上中学教师斯拉特的熏陶，他考入了麻省理（MIT）， 获固体物理学博士学位后留校任教。不久，位于新泽西州的贝尔实验室 副主任凯利来麻省“挖角”，将肖克利挖走了。二战结束后，贝尔实验 室开始研制新一代的电子管，具体由肖克利负责。1947年圣诞节前两天 的一个中午，肖克利的两位同事沃尔特·布兰坦（Walter Brattain）和 约翰·巴丁（John Bardeen），用几条金箔片，一片半导体材料和一个 弯纸架制成一个小模型，可以传导、放大和开关电流。他们把这一发明 称为“点接晶体管放大器”（Point－Contact Transistor Amplifier）。 这就是后来引发一场电子革命的“晶体管”。肖克利和这两位同事荣获 1956年度的诺贝尔物理学奖。这是一种用以代替真空管的电子信号放大 元件，是电子专业的强大引擎，被媒体和科学界称为“20世纪最重要的 发明”。也有人说：“没有贝尔实验室，就没有硅谷。
巴丁
1908年5月23日生于威斯康星州麦迪逊城，15岁便高中毕业。1923年入 威斯康星大学电机工程系就学，毕业后即留在该校担任电机工程研究助 理。1930-1933年在匹兹堡海湾实验研究所从事地球磁场及重力场勘测 方法的研究。1928年获威斯康星大学理学士学位，1929年获硕士学位。 1936年获普林斯顿大学博士学位。1933年到普林斯顿大学，在E·P·维格 纳的指导下，从事固态理论的研究。1935-1938年任哈佛大学研究员。 1936年以《金属功函数理论》的论文从普林斯顿大学获得哲学博士学位。 1938-1941年任明尼苏达大学物理学助理教授，1941-1945年在华盛顿海 军军械实验室工作，1945-1951年在贝尔电话公司实验研究所研究半导 体及金属的导电机制、半导体表面性能等基本问题。1947年和其同事 W·H·布喇顿共同发明第一个半导体三极管，一个月后，W·肖克莱发明 PN结晶体管。这一发明使他们三人获得1956年诺贝尔物理学奖，巴丁并 被选为美国科学院院士。
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晶体管目录[隐藏]1【简介】英文简述【历史】【晶体管的发展历史及其重要里程碑】【晶体管出现的意义】【晶体管的重要性】1【晶体管分类】电力晶体管1光晶体管1双极晶体管1双极结型晶体管1场效应晶体管1静电感应晶体管1单电子晶体管1绝缘栅双极晶体管1【主要参数】耗散功率1频率特性1反向电流【晶体管开关的作用】o【相关历史事件】o【如何用万用表测试三极管】o晶体管的检测和更换[编辑本段]【简介】晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
英文简述晶体管（transistor计：MOS transistor; npn化：transistor）A transistor is a semiconductor device, commonly used as an amplifier or an electrically controlled switch. The transistor is the fundamental building block of the circuitry that governs the operation of computers, cellular phones, and all other modern electronics. Because of its fast response and accuracy, the transistor may be used in a wide variety of digital and analog functions, including amplification, switching, voltage regulation, signal modulation, and oscillators. Transistors may be packaged individually or as part of an integrated circuit, which may hold a billion or more transistors in a very small area.[编辑本段]【历史】1947年12月，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。
晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。
晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。
晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。
电力晶体管20世纪最初的10年，通信系统已开始应用半导体材料。
20世纪上半叶，在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音机，就采用矿石这种半导体材料进行检波。
半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。
晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。
但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。
由于电子管处理高频信号的效果不理想，人们就设法改进矿石收音机中所用的矿石触须式检波器。
在这种检波器里，有一根与矿石（半导体）表面相接触的金属丝（像头发一样细且能形成检波接点），它既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。
在第二次世界大战爆发前夕，贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时，发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体，而且在某些方面比电子管整流器还要好。
在第二次世界大战期间，不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面，也取得了不少成绩，这就为晶体管的发明奠定了基础。
为了克服电子管的局限性，第二次世界大战结束后，贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。
肖克莱等人决定集中研究硅、锗等半导体材料，探讨用半导体材料制作放大器件的可能性。
1945年秋天，贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人。
布拉顿早在1929年就开始在这个实验室工作，长期从事半导体的研究，积累了丰富的经验。
他们经过一系列的实验和观察，逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。
布拉顿发现，在锗片的底面接上电极，在另一面插上细针并通上电流，然后让另一根细针尽量靠近它，并通上微弱的电流，这样就会使原来的电流产生很大的变化。
微弱电流少量的变化，会对另外的电流产生很大的影响，这就是“放大”作用。
布拉顿等人，还想出有效的办法，来实现这种放大效应。
他们在发射极和基极之间输入一个弱信号，在集电极和基极之间的输出端，就放大为一个强信号了。
在现代电子产品中，上述晶体三极管的放大效应得到广泛的应用。
巴丁和布拉顿最初制成的固体器件的放大倍数为50左右。
不久之后，他们利用两个靠得很近(相距0.05毫米)的触须接点，来代替金箔接点，制造了“点接触型晶体管”。
1947年12月，这个世界上最早的实用半导体器件终于问世了，在首次试验时，它能把音频信号放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。
在为这种器件命名时，布拉顿想到它的电阻变换特性，即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transister，中文译名就是晶体管。
由于点接触型晶体管制造工艺复杂，致使许多产品出现故障，它还存在噪声大、在功率大时难于控制、适用范围窄等缺点。
为了克服这些缺点，肖克莱提出了用一种"整流结"来代替金属半导体接点的大胆设想。
半导体研究小组又提出了这种半导体器件的工作原理。
1950年，第一只“面结型晶体管”问世了，它的性能与肖克莱原来设想的完全一致。
今天的晶体管，大部分仍是这种面结型晶体管。
1956年，肖克莱、巴丁、布拉顿三人，因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。
[编辑本段]【晶体管的发展历史及其重要里程碑】1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、约翰·巴顿（John Bardeen）和晶体管之父,william shockle沃特·布拉顿（Walter Brattain）成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。
1950年：威廉·邵克雷开发出双极晶体管（Bipolar Junction Transistor），这是现在通行的标准的晶体管。
1953年：第一个采用晶体管的商业化设备投入市场，即助听器。
1954年10月18日：第一台晶体管收音机Regency TR1投入市场，仅包含4只锗晶体管。
1961年4月25日：第一个集成电路专利被授予罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）。
最初的晶体管对收音机和电话而言已经足够，但是新的电子设备要求规格更小的晶体管，即集成电路。
1965年：摩尔定律诞生。
当时，戈登·摩尔（Gordon Moore）预测，未来一个芯片上的晶体管数量大约每年翻一倍(10年后修正为每两年)，摩尔定律在Electronics Magazine杂志一篇文章中公布。
1968年7月：罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔从仙童（Fairchild）半导体公司辞职，创立了一个新的企业，即英特尔公司，英文名Intel为“集成电子设备（integrated electronics）”的缩写。
1969年：英特尔成功开发出第一个PMOS硅栅晶体管技术。
这些晶体管继续使用传统的二氧化硅栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。
1971年：英特尔发布了其第一个微处理器4004。
4004规格为1/8英寸x 1/16英寸，包含仅2000多个晶体管，采用英特尔10微米PMOS技术生产。
1972年，英特尔发布了第一个8位处理器8008。
1978年，英特尔发布了第一款16位处理器8086。
含有2.9万个晶体管。
1978年：英特尔标志性地把英特尔8088微处理器销售给IBM新的个人电脑事业部，武装了IBM新产品IBM PC的中枢大脑。
16位8088处理器为8086的改进版，含有2.9万个晶体管，运行频率为5MHz、8MHz和10MHz。
8088的成功推动英特尔进入了财富(Forture) 500强企业排名，《财富(Forture)》杂志将英特尔公司评为“七十大商业奇迹之一（Business Triumphs of the Seventies）”。
1982年：286微处理器(全称80286，意为“第二代8086”)推出，提出了指令集概念，即现在的x86指令集，可运行为英特尔前一代产品所编写的所有软件。
286处理器使用了13400个晶体管，运行频率为6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。
1985年：英特尔386™微处理器问世，含有27.5万个晶体管，是最初4004晶体管数量的100多倍。
386是32位芯片，具备多任务处理能力，即它可在同一时间运行多个程序。
1993年：英特尔·奔腾·处理器问世，含有3百万个晶体管，采用英特尔0.8微米制程技术生产。
1999年2月：英特尔发布了奔腾·III处理器。
奔腾III是1x1正方形硅，含有950万个晶体管，采用英特尔0.25微米制程技术生产。
2002年1月：英特尔奔腾4处理器推出，高性能桌面台式电脑由此可实现每秒钟22亿个周期运算。
它采用英特尔0.13微米制程技术生产，含有5500万个晶体管。
2002年8月13日：英特尔透露了90纳米制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-k介质材料。
这是业内首次在生产中采用应变硅。
2003年3月12日：针对笔记本的英特尔·迅驰·移动技术平台诞生，包括了英特尔最新的移动处理器“英特尔奔腾M处理器”。
该处理器基于全新的移动优化微体系架构，采用英特尔0.13微米制程技术生产，包含7700万个晶体管。
2005年5月26日：英特尔第一个主流双核处理器“英特尔奔腾D 处理器”诞生，含有2.3亿个晶体管，采用英特尔领先的90纳米制程技术生产。
2006年7月18日：英特尔®安腾®2双核处理器发布，采用世界最复杂的产品设计，含有17.2亿个晶体管。
该处理器采用英特尔90纳米制程技术生产。
2006年7月27日：英特尔·酷睿™2双核处理器诞生。
该处理器含有2.9亿多个晶体管，采用英特尔65纳米制程技术在世界最先进的几个实验室生产。