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晶体管参数大全
晶体管参数大全晶体管是一种能够对电流进行控制的电子器件，广泛应用于电子电路中。
根据其工作原理的不同，可以分为三极管和场效应管两种类型。
一、三极管参数1.最大允许电压（VCEO）：三极管的集电极-发射极间最大允许电压。
在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。
2.最大允许集电极电流（IC）：三极管的集电极电流的最大值。
在正常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。
3.最大功耗（Pd）：三极管透过的功率最大值。
在正常工作中，功率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。
4.直流电流倍数（hFE）：表示三极管输入电流和输出电流之间的比例关系。
它决定了三极管的放大能力，一般越大越好，常见的值为几十到几百。
5. 饱和压降（VCEsat）：当三极管处于饱和区时，集电极与发射极之间的电压降。
6. 输入电阻（Rin）：三极管的输入电阻，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。
一般来说，输入电阻越大，对输入信号的影响越小。
7. 输出电阻（Rout）：三极管的输出电阻，表示输出电压变化与输出电流变化之间的比例关系。
一般来说，输出电阻越小，输出信号的失真越小。
8.动态电阻（rπ）：三极管的动态电阻，与输入电阻类似，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。
一般来说，动态电阻越小，对输入信号的影响越小。
9.最小输入电流（IB）：三极管正常工作所需要的最小基极电流。
二、场效应管参数1.最大允许栅源电压（VGS）：场效应管的栅源电压的最大值。
在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。
2.最大允许漏极电流（ID）：场效应管的漏极电流的最大值。
在正常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。
3.最大功耗（Pd）：场效应管透过的功率最大值。
在正常工作中，功率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。
4. 转导（gm）：表示输入电压变化时输出电流变化的比例关系。
转导越大，场效应管的放大能力越强。
双极型晶体管参数符号及其意义
RL---负载电阻（外电路参数）
RG---信号源内阻
Rth---热阻
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Ts---结温
Tjm---最大允许结温
Tstg---贮存温度
td----延迟时间
tr---上升时间
ts---存贮时间
tf---下降时间
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
VAGC---正向自动增益控制电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
V n---噪声电压
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
常用场效应管及晶体管参数
常用场效应管及晶体管参数场效应管（FET）和晶体管（BJT）是现代电子设备中广泛使用的两种主要的电子器件。
他们在放大、开关和电路控制等方面起着重要作用。
下面将详细介绍常用场效应管和晶体管的参数。
一、场效应管（FET）的参数1. 空载传导（Idss）：空载传导是指当栅极-源电压为零时的最大漏极-源极电流。
这个参数表示了当栅极完全封闭时，通过FET的最大电流。
2. 门源截止电压（VGS(off)）：当栅极-源电压为零时，FET将完全关闭，不传导漏极电流。
这个参数可以用来确定FET的静态工作点。
3. 饱和电压（VDS(sat)）：饱和电压是指，在给定的栅极-源极电压和栅极电压下，漏极-源极电流达到饱和状态时的漏极-源极电压。
在这个电压下，FET可以传导最大电流。
4. 输入电容（Ciss）：输入电容是指当栅极电压变化时，所需的输入电荷的数量，单位为法拉。
这个参数表示了栅极电压对FET的效果。
5. 输出电导（Drain-to-Source On-Resistance，RDS(on)）：输出电导是指当FET完全开启时，漏极-源极电阻的值。
值越小，FET的效果越好。
二、晶体管（BJT）的参数1. 最大集电极电流（Ic(max)）：最大集电极电流是指晶体管能够承受的最大电流值。
超过这个电流值会导致晶体管损坏。
2. 饱和电流（Ic(sat)）：饱和电流是指当基极电流大到一定程度时，集电极-发射极电流稳定在最大值的状态。
此时，晶体管工作在饱和区，可以作为开关使用。
3. 直流增益（DC Current Gain，hFE）：直流增益是指当基极电流增大时，集电极电流相对于基极电流的放大倍数。
该参数用来描述晶体管的放大能力。
4. 射极漏电流（Iceo）：射极漏电流是指当基极电流为零时，集电极-发射极间的非控制电流。
此时，晶体管处于关闭状态。
5. 输入电容（Cbe）：输入电容是指当基极电压变化时，所需的输入电荷的数量。
这个参数表示了基极电压对晶体管的效果。
晶体管的参数
晶体管的参数晶体管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视以及各种电子仪器仪表中。
在电子技术领域，晶体管的参数是评估其性能与特性的重要指标。
本文将介绍晶体管的一些常见参数及其相关参考内容。
1. 器件类型：晶体管根据其结构和工作原理可以分为多种类型，包括普通二极管、NPN型和PNP型晶体管、场效应晶体管等。
对于不同类型的晶体管，其参数也会有所不同。
2. 极间电容（Cj）：晶体管的结构中存在着不同电势的极之间的电容，极间电容即指的是这种电容。
它会对高频特性产生影响。
Cj的值越小，晶体管的高频性能越好。
可以参考不同型号晶体管的数据手册，寻找其Cj值。
3. 最大耗散功率（Pd）：晶体管的最大耗散功率是指器件能承受的最大功率，过多的耗散功率会导致晶体管工作不稳定，甚至损毁器件。
因此，选择一个适合工作条件的晶体管时，必须注意其最大耗散功率的额定值。
可以在晶体管的数据手册中查找相关信息。
4. 比输入电容（Cin）：晶体管接收输入信号时的输入电容，其值与晶体管的增益、频率响应等有关。
较大的输入电容会导致信号源与晶体管之间的不匹配，影响信号的输入和输出。
数据手册中可以找到晶体管的输入电容值。
5. 最大搜线速度（fT）：最大搜线速度是指晶体管的最高工作频率。
它是晶体管的一个重要参数，直接影响到晶体管在高频电路中的应用能力。
查阅数据手册可以找到晶体管的最大搜线速度。
6. 饱和电流（Isat）：在晶体管的饱和区工作时，其主电流达到的最大值。
饱和电流取决于晶体管的材料和结构，并直接影响晶体管的功耗和工作特性。
可以在晶体管数据手册中找到相应的饱和电流值。
7. 最大集电极电流（Icmax）：晶体管集电极能承受的最大电流。
超过最大集电极电流时，晶体管可能会烧毁或损坏。
因此，在使用晶体管时，需要根据实际需求选择合适的最大集电极电流值。
8. 失真参数：晶体管在工作过程中会引入一定的失真，如基极电流的非线性变化导致的失真。
双极型晶体管参数符号及其意义
双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容Cce---发射极接地输出电容Ci---输入电容Cib---共基极输入电容Cie---共发射极输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cieo---共发射极开路输入电容Cn---中和电容（外电路参数）Co---输出电容Cob---共基极输出电容。
在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Cre---共发射极反馈电容Cic---集电结势垒电容CL---负载电容（外电路参数）Cp---并联电容（外电路参数）BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路，CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压D---占空比fT---特征频率fmax---最高振荡频率。
当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE---共发射极静态电流放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导h RE---共发射极静态电压反馈系数hie---共发射极小信号短路输入阻抗hre---共发射极小信号开路电压反馈系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hoe---共发射极小信号开路输出导纳IB---基极直流电流或交流电流的平均值Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IE---发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
常用晶体管参数大全查询
常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。
它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。
以下是一些常用晶体管参数的详细说明。
1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。
NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。
2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。
超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。
3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。
超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。
4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。
超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。
5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。
hFE的值越高，晶体管放大能力越强。
6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。
通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。
7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。
饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。
8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。
输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。
9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。
输出电容越小，晶体管的输出速度越快。
10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。
射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。
11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。
这是指晶体管可以正常工作的最高频率。
12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。
噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。
以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。
常用晶体管参数查询
常用晶体管参数查询晶体管是一种用于放大、开关和调整电信号的电子元件，广泛应用于电子设备和通信系统中。
晶体管的各种参数对其性能影响很大，因此对于设计和选择晶体管的工程师来说，了解和查询常用晶体管参数非常重要。
下面将介绍几个常用的晶体管参数。
1. 最大工作频率（fmax）：晶体管可以工作的最高频率。
这个参数对于高频通信和雷达应用非常重要，通常以GHz为单位。
2. 最大功率（Pmax）：晶体管能够承受的最大功率。
这个参数通常以瓦特（W）为单位，并且与晶体管的封装和散热系统有关。
3.最大工作电压（VCEO）：晶体管可以承受的最大集电极至发射极电压。
这个参数对于功率放大应用非常重要。
4. 最大工作电流（ICmax）：晶体管可以承受的最大集电极电流。
这个参数对于功率放大和开关应用非常重要。
5. 饱和压降（VCEsat）：晶体管在饱和状态下的集电极至发射极压降。
这个参数对于开关应用和数字逻辑电路非常重要。
6. 放大倍数（hfe或β）：晶体管的放大倍数，即集电极电流与基极电流的比值。
这个参数对于放大应用非常重要。
7. 输入电阻（Rin）：晶体管输入电阻，即基极电阻。
这个参数对于信号输入和电路匹配非常重要。
8. 输出电阻（Rout）：晶体管输出电阻，即集电极电阻。
这个参数对于信号输出和电路匹配非常重要。
9.噪声系数（NF）：晶体管的噪声性能，表示增益下降的程度。
这个参数对于接收机和低噪声放大器应用非常重要。
10.温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率。
这个参数对于在高温环境下的应用非常重要。
晶体管的电路符号
晶体管的电路符号
晶体管是发明于1947年的，它是一种可以控制电流方向的分立器件，可以对电流进行放大或者阻断。
随着计算机和电子产品的发展，晶体管在电路中的应用越来越广泛，同时晶体管的电路符号也逐渐成型并被业界普遍接受。
晶体管的电路符号可以分为NPN和PNP两种，NPN分为一极晶体管、二极和三极，他们的符号分别为：
一极晶体管电路符号：由三条直线和一条弧线组成，分别表示收集极、基极和控制极，弧线表示栅极，代码为2N4401。
二极晶体管电路符号：由四条直线和一条弧线组成，分别表示收集极、基极、控制极和栅极，代码为2N1111；
三极晶体管电路符号：由五条直线和一条弧线组成，分别表示收集极、基极、控制极、栅极和负栅极，代码为2N3553。
PNP晶体管电路符号的形式与NPN晶体管类似，但是其中的三个直线的顺序相反，代表了晶体管的流向不同，代码为2N5671。
晶体管的电路符号是非常重要的，可以帮助建立图形模型，使维护者更好的理解电路结构，节省调试时间。
- 1 -。
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Diode肖特基二极管 (Schottky Diode)Symbol Para m eterV RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V R DC Blocking Voltage 反向直流电压V R(RMS)RMS Reverse Voltage 反向电压有效值I F(AV)Average Rectified Forward Current 正向平均电流Current 反向电流I R ReverseI FSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流Voltage 正向直流电压V F ForwardC j Typical Junction Capactiance 结电容Dissipation 耗散功率P D PowerT j Operating Junction Temperature 工作结温T stg Storage Temperature Range 存储温度R th(j-a)Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻Pin二极管 (Pin Diode)Symbol Para m eterV R Continuous reverse voltage 反向直流电压I F Continuous forward current 正向直流电流voltage 正向电压V F Forwardcurrent 反向电流I R Reversecapacitance 二极管电容C d dioder d diode forward resistance 二极管正向电阻P tot total power dissipation 总的功率损耗Temperature 结温T j Junctiontemperature 存储温度T stg storageTVS二极管 (TVS Diode)Symbol Para m eterI PP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流voltage 钳位电压V C ClamplingI R Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流voltage 击穿电压V(BR) BreakdownV RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V F Forwardvoltage 正向电压current 正向电流I F Forwardcurrent 测试电流I T Test可控硅(SCR)Symbol Para m eterV DRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压I T(RMS)RMS On-state current 额定通态电流I TSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流I GM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流V TM peak forward on-state voltage 通态峰值电压I GT Gate trigger current 控制极触发直流电流V GT Gate trigger voltage 控制极触发电压current 维持电流I H HoldingI DRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流I RRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流P G(AV)Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度稳压管(Three Terminal Voltage Regulator)Symbol Para m eterV I inputvoltage 输入电压Vo outputvoltage 输出电压ΔVo Loadregulation 输出调整率ΔVo Lineregulation 输入调整率Iq quiescentcurrent 偏置电流ΔIq quiescent current change 偏置电流变化量V N Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripplerejection 纹波抑制比Vd dropoutvoltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peakcurrent 峰值输出电流T opr operating junction temperature range 结温T stg storage temperature range 存储温度43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)Symbol Para m eterV KA Cathodevoltage 阴极电压I K Cathode current range(continous) 阴极电流I ref Reference input current range,continous 基准输入电流P D Powerdissipation 耗散功率R th(j-a)Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻T opr operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度V ref Reference input voltage 基准输入电压ΔV ref(dev)Deviation of reference input voltage over fulltemperature range全温度范围内基准输入电压的偏差ΔV ref/ΔV KA Ratio of change in reference input voltage to the changein cathode voltage基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比ΔI ref(dev)Deviation of reference input current over fulltemperature range全温度范围内基准输入电流的偏差I min Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流I off Off-state cathode current 关断状态阴极电流|Z KA| Dynamicimpedance 动态阻抗普通晶体管 (T ransistor)Symbol Para m etervoltage 发射极开路,集电极-基极电压V CBO Collector-Basevoltage 基极开路,集电极-发射极电压V CEO Collector-emittervoltage 集电极开路,发射极-基极电压V EBO Emitter-basecurrent 集电极电流I C CollectorP C Collector power dissipation 集电极耗散功率temperature 结温T j JunctionT stg storagetemperature 存储温度V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压breakdownvoltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)CEO Collector-emitterV(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压I CBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流current 集电极开路,发射极-基极截止电流cut-offI EBO EmitterI CEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流h FE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值saturation voltage 集电极-发射极饱和电压V CEsat Collector-emittersaturation voltage 基极-发射极饱和电压V BEsat Base-emittervoltage 基极-发射极电压V BE Base-emitterf T Transitionfrequency 特征频率C obo Collector output capacitance 共基极输出电容C ibo Collector input capacitance 共基极输入电容figure 噪声系数F Noisetime 开通时间t on Turn-ontime 关断时间t off Turn-offtime 上升时间t r Risetime 存储时间t s Storagetime 下降时间t f Falltime 延迟时间t d Delay数字晶体管(Digital Transistor)Symbol Para m etervoltage 直流电压V CC Supplyvoltage 输入电压V IN inputcurrent 输出电流I O outputdissipation 功率损耗P D Powervoltage 输入截止电压V I(off) Input-offvoltage 输入开启电压V I(on) Input-onvoltage 输出电压V O(on) outputcurrent 输入电流I I inputcurrent 输出截止电流I O(off) outputG I DC current gain 直流增益R1 Inputresistance 输入电阻ratio 电阻率R2/R1 Resistancefrequency 传输频率f T Transitiontemperature 结温T j junctionT stg storage temperature range 存储温度voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压V CBO Collector-baseV CEO Collector-emittervoltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压V EBO Emitter-baseMOS管(MOSFET)Symbol Para m eterI D Continousdraincurrent 漏极直流电流V GS Gate-sourcevoltage 栅-源电压V DS Drain-sourcevoltage 漏-源电压E AS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量R th(j-a)Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻R th(j-c)Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压I GSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流I DSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流r DS(on) Drain-sourceon-resistance 漏源通态电阻g fs Forwardtransconductance 跨导V SD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降C iss Inputcapacitance 栅-源电容C oss Outputcapacitance 漏-源电容C rss Reverse transfer capacitance 反向传输电容R g Gateresistance 栅极电阻t d(on)Turn-on delay time 开通延迟时间t r Risetime 上升时间t d(off)Turn-off delay time 关断延迟时间t f Falltime 下降时间I DM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流P D Powerdissipation 耗散功率T j operating junction temperature range 结温T stg storage temperature range 存储温度。