模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)一、单选题(共100题,每题1分,共100分)1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。
( )A、错误B、正确 ;正确答案:B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。
()A、对 :B、错正确答案:A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。
A、仍为正弦波。
B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案:D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案:C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案:A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
()A、错B、对 :正确答案:A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
( )A、正确 ;B、错误正确答案:B8、N型半导体中的多数载流子是()A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案:C9、集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案:C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。
A、共模B、模拟C、差模正确答案:A11、理想集成运放的输出电阻为()。
A、不定。
B、∞;C、0;正确答案:C12、PN结两端加正向偏置电压时,其正向电流是由()而成。
A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案:D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为()A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案:C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案

模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, u i2=500µV,则差模输入电压u id为µV,共模输入信号u ic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE的变化情况为()。
A.β增加,I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加,u BE减小C.β与u BE减小,I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比K CMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案

4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)

《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级:姓名总分:一、填空(每空1分,共15分)1. 二极管最主要的特性是(),它的两个主要参数是反映正向特性的()。
2. 三极管工作在三个区域的条件是:放大区(),饱和区()截止区()。
3. 场效应管从结构上分成()和()两大类型,它属于()控制型器件。
4. 集成运算放大器是一种采用()耦合方式的放大电路,最常见的问题是()。
5. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的()作用和对共模信号的()作用。
6. 小功率直流稳压电源由变压器、()、()、()四部分组成。
二、选择题(每空2分,共10分)1. 在图示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V,则()。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以()。
A. 减小温漂B.增大放大倍数C. 提高输入电路D. 减小噪声3. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入()负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联4. 欲实现Au=-100的放大电路,应选用()电路。
模拟电子技术试题.(答案)

模拟电子技术试题(答案)一.判断题1.N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
(×)2.点接触型晶体二极管因其结电容很小,因此工作频率也很小,比较适用于做小信号检波。
(×)3.室温下,当锗晶体二极管导通后,在正常使用的电流范围内,管压降一般取0.7V。
(×)4.最大整流电流是指二极管运行时允许承受的最大正向平均电流。
(√)5.正常情况下,二极管的正向电阻阻值小于反向电阻阻值。
(√)6.晶体二极管的阳极电位是10V,阴极电位是20V,则该晶体二极管处于导通状态。
(×)7.稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向导通来实现的。
(×)8.若把二个稳压值相同的稳压二极管正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值为二个稳压值相加。
(×)9.变容二极管是一只工作在正向偏压下的二极管,只是在制造工艺上采取了某些措施,以保证它的结电容能随外加电压显著地改变。
(×)10.发光二极管是利用PN结内电光效应发光的,当有电流流过时,就能发出光来。
(√)11.光电二极管PN结工作在反向偏置状态,在光的照射下,反向电流随光照强度的增加而上升。
(√)12.三极管工作于饱和状态时,其外加偏置电压为发射结正偏,集电结正偏。
(√)13.在三极管放大电路放大区,基极电流与集电极电流的比值保持不变,为一常数。
(√)14.根据输出特性曲线,三极管的工作区域可以分为截止区和饱和区,相当于一个开关。
(×)15.晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BV<sub>ceo</sub>的值是指基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。
(√)16.用直流电压表测量某放大电路中的一只PNP型晶体三极管,各电极对地的电位是:U<sub>1</sub>=-2.7V,U<sub>2</sub>=-6V,U<sub>3</sub>=-2V,则该晶体三极管各管脚分别为1脚为b、2脚为c、3脚为e。
大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案

模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分,共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。
( )2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
( )3、BJT的.值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是值越大越好。
( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。
因此, RC的值越大,输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。
( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大,工作点稳定性越好。
但Re过大,会使BJT的VCE减小,影响放大器的正常工作。
( )7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,因此,具有较高的电流放大倍数。
( )8、在OTL 功放电路中,输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路。
( )9、在运放电路中,闭环增益AF是指电流放大倍数。
( )10、只要满足AF=1,a+f=2n这两个条件,就可以产生正弦波振荡。
模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分,共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流( )漂移电流。
a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时,二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V,VC=3.6V,VE=3.4V,则该BJT工作在( )状态。
a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时,三个极的电位特征是( )。
a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻,集成运放的输出级多采用( )电路。
a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好,因为它越大,表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后,VO基本不变,应引入( )负反馈。
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练习一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性就是___________ 。
2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱与区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL与fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者就是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9、3 V,则这只三极管就是( )。
A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。
A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。
D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这就是因为它的( )。
A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小RiB.减小C,增大RiC.增大C,减小RiD.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。
A.1500B.80C.50D.307.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络与( )。
A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路8.已知某电路输入电压与输出电压的波形如图所示,该电路可能就是( )。
A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
1.分别指出V1、V2的电路组态;2.画出图示电路简化的H参数微变等效电路;3.计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri与输出电阻Ro。
(12分)四、图示运算放大电路中,已知uI1 = 10 mV,uI2 = 30 mV,求uO = ?(10分)五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8分)六、分析图示两个电路的级间反馈。
回答:(12分)1.它们就是正反馈还就是负反馈?2.就是直流反馈、交流反馈还就是交、支流反馈兼有?3.它们属于何种组态?4.各自的电压放大倍数大约就是多少?七、电路如图所示。
试回答:1.该电路就是否满足正弦波振荡的相位平衡条件?2.如不满足,应如何改动使之有可能振荡?如果满足,则它属于哪种类型的振荡电路?3.在满足振荡条件的情况下,电路的振荡频率为多少?(10分)八、电路如图所示,已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V,IZmin = 5 mA,IZmax = 40 mA,变压器二次电压有效值U2 = 20 V,电阻R = 240Ω,电容C = 200 μF。
求:(8分)1.整流滤波后的直流电压UI(AV) 约为多少伏?2.当电网电压在±10%的围内波动时,负载电阻允许的变化范围有多大?练习二一、填空:(18分)1.为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用__耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用____耦合方式。
2.在三极管多级放大电路中,,总的电压增益 = ;Au1就是__放大器;Au2就是__放大器;Au3就是___ 放大器。
3.单相桥式整流电路中,若输入电压U2 = 30V,则输出电压Uo = V;若负载电阻RL = 100 W,整流二极管ID(AV) =___A。
4.文氏桥正弦波振荡器用网络选频,当这种电路产生正弦波振荡时,该选频网络的反馈系数(即传输系数) 、jF = 。
5.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用? 滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用? 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用滤波器。
6.甲类放大电路就是指放大管的导通角为 ;乙类放大电路则其放大管的导通角为 ;在甲乙类放大电路中,放大管的导通角为。
二、选择正确答案填空(9分)1.图示电路中二极管就是理想的,电阻R为6Ω。
当普通指针式万用表置于R X 1 Ω 档时,用黑表笔(通常带正电)接A点,红表笔(通常带负电)接B 点,则万用表的指示值为。
a.18Ω ;b.9 Ω ;c.3 Ω ;d.2 Ω ;e.0 Ω 。
2.有两个放大倍数相同、输入与输出电阻不同的放大电路A与B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A的。
a.输入电阻大;b.输入电阻小;c.输出电阻大;d.输出电阻小3.某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V,接入3 kΩ 的负载电阻后输出电压降为3 V。
这说明放大电路的输出电阻为。
a.10 kΩ ;b.2 kΩ ;c.1 kΩ ;d.0、5 kΩ 。
三、判断下列管子的工作状态(10分)1.测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示,试判断它们分别工作在什么状态(饱与、截止、倒置)。
设所有的三极管与二极管均为硅管。
2.电路如图所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱与区、夹断区、可变电阻区)。
四、图示差分放大电路中,调零电位器RP的动端处在中点位置,已知 b1 = b2 = 50,UBE1 = UBE2 = 0、7 V,其它参数如图所示。
1.求静态工作点(IB、IC、UCE);2.画出半边对称放大电路的微变等效电路;3.当uS1 = -uS2 = 10 mV时,求uO = ?(12分)五、已知集成运放的BWG = 1 MHz,试估算图示交流放大电路的下限频率与上限频率。
(8分)六、图示电路中各运算放大器就是理想的,试写出各输出电压Uo的值。
(10分)七、电路如图所示,设满足深度负反馈条件。
1.试判断级间反馈的极性与组态;2.试求其闭环电压放大倍数Auf。
(10分)八、题图电路为两个三端集成稳压器,已知电流IQ = 5 mA。
1.写出图(a)中的I0的表达式,并算出具体数值;2.写出图(b)中的Uo的表达式,并算出当R2 = 5 W 时的具体数值;3.指出这两个电路分别具有什么功能。
(9分)九、画出图中各电路的电压传输特性,要求uI的变化幅度足够大,并在图中表明有关数值。
设所有集成运放具有理想的特性,所有电源电压为±12 V。
(12分)练习三一、填空(26分)1.杂质半导体有__型与__型两种;双极型晶体管的结构有__型与__型两种;场效应管根据导电沟道不同有__与__两种。
2.图中二极管为理想器件,V1工作在__状态;V2工作在__状态;UA为__V。
3.三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为:UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5、2 V,则三极管对应的电极就是:A为__极、B为__极、C为__极,晶体管为__型三极管。
4.在图示电路中2CW5的参数为:稳定电压Uz = 12 V,最大稳定电流IZmax = 20 mA。
图中电压表中流过的电流忽略不计。
当开关S闭合时,电压表V与电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、 ;当开关S断开时,其读数分别为__ 、 __、。
5.若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益为__dB,折合为__倍。
6.差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE,使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ 。
7.三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V,而CW7809的输出电压则为___V。
二、已知图示电路中的三极管 b = 60,rbb¢ = 200 W,UBEQ = 0、7 V,RB1 = RB2 = 150 kW,RC = 5、1 kW,Rs = 300 W,Vcc = 12 V。
试求:1.静态工作点;2.画出微变等效电路;3.电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro。
(12分)三、判断图示电路的级间反馈极性与组态;设满足深度负反馈条件,试估算闭环电压增益 (8分)四、在图示电路中,设A1、A2、A3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12 V。
1.试说明A1、A2、A3各组成什么电路?2.A1、A2、A3分别工作在线形区还就是非线形区?3.若输入为1 V的直流电压,则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大?(12分)五、电路如图所示。
1.正确连接A、B、P、N四点,使之成为RC桥式振荡电路;2.电路的频率f0就是多少?3.若R1 = 2 千欧,求Rf的最小值。
(12分)六、图为一高通有源滤波电路。
设A为理想运算放大器,试推导传递函数Uo(jw)/Ui(jw) 的表达式,并求出截止频率fp。
(8分)七、在图示两个电路中,A为理想运算放大器,输出电压的极限值为Uomax。
1.指出这就是两个什么类型的电路;2.画出它们的电压传输特性。
(10分)八、在图示电路中,Rf与Cf均为反馈元件,设三极管饱与管压降为0 V。
1.为稳定输出电压uO,正确引入负反馈;2.若使闭环电压增益Auf = 10,确定Rf = ?3.求最大不失真输出电压功率Pomax = ?以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少?(12分)练习四一、填空(20分)1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为__V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V;锗二极管的门槛电压约为 __V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V。
2.场效应管属于__控制型器件,而晶体三极管则就是___控制型器件。
3.某场效应管的转移特性曲线如图所示,由此可知该管就是 (N或P)沟道 (增强或耗尽)型的 (结型或绝缘栅)场效应管,图中UGS = -2 V称为该管的电压。