微电子10-si片制造中的污染控制
护清洁。
净化间布局 由早期的舞厅式布局到了现在的间格和夹 层布局。
早期净化间的舞厅式布局来自净化间间格和夹层的概念
气流原理 为了实现净化间的超净环境，气流种类是关键的。 层状气流意味着气流是平滑的，无湍流气流模式（见图）。
空气过滤 图是空气过滤系统的简化图。
金属杂质导致了半导体杂质中器件成品率的减少， 包括氧化物－多晶硅栅结构中的结构性缺陷。 额外的问题包括pn结上泄露电流的增加以及少数载 流子寿命的减少。 可动离子沾污（MIC）能迁移到栅结构的氧化硅界 面，改变开启晶体管所需的阈值电压（见图）。 由于它们的性质活泼，金属离子可以在电学测试和 运输很久以后沿着器件移动，引起器件在使用期间 失效。 半导体制造的一个主要目标是减少与金属杂质和 MIC的接触。
温度和湿度 对硅片加工设备温度和湿度的设定 有特别的规定。一个1级0.3um净化间温度控制 的例子是68％±0.5°F。相对湿度（RH）很重要， 因为它对侵蚀有贡献。典型的RH设定为40％ ±10％。
静电释放 多数静电释放（ESD）可以通过合理 运用设备和规程得到控制。主要的ESD控制方法 有：
•静电消耗性的净化间材料 •ESD接地 •空气电离
水
为了制造半导体，需要大量的高质量、超纯去离子（DI）水 （UPW）。据估计在1条现代的200nm工艺线中，制造每个 硅片的去离子水消耗量达到2000加仑。
超纯去离子水中不允许的沾污有： •溶解离子 •有机材料 •颗粒 •细菌 •硅土 •溶解氧
图展示了水中的各种颗粒及其尺寸
自然氧化层引起的另一个问题在于金属导体的接触区。接触 使得互连与半导体器件的源区及漏区保持电学连接。如果有 自然氧化层存在，将增加接触电阻，减少甚至可能阻止电流 流过（见图）。
静电释放
静电释放（ESD）也是一种形式的沾污，因为它 是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制地转 移，可能损坏微芯片。ESD产生于两种不同静电 势的材料接触或摩擦。带过剩负电荷的原子被相 邻的带正电荷的原子吸引。这种吸引产生的电流 泄放电压可以高达几万伏。
沾污的源与控制
加工硅片的净化间必须严格控制沾污以减小危害微 芯片性能的致命缺陷。几乎每一接触硅片的物体都 是潜在的沾污来源。硅片生产厂房的7种沾污为：
•空气 •人 •厂房 •水 •工艺用化学品 •工艺气体 •生产设备
空气
净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气 中的颗粒尺寸和密度表征的。这一数字描述了要怎样控制颗 粒以减少颗粒沾污。净化级别起源于美国联邦标准209。表 展示了不同净化间净化级别每立方英尺可以接受的颗粒数和 颗粒尺寸。
有机沾污
有机物沾污是指那些包含炭的物质，几乎总是同炭 自身及氢结合在一起，有时也和其他元素结合在一 起。有机物沾污的一些来源包括细菌、润滑剂、蒸 汽、清洁剂、溶剂和潮气等。 现在用于硅片加工的设备使用不需要润滑剂的组件 来设计，例如，无油润滑泵或轴承等。
在特定工艺条件下，微量有机物沾污能降低栅氧化 层材料的致密性。工艺过程中有机材料给半导体表 面带来的另一问题是表面的清洗不彻底，这种情况 使得诸如金属杂质之类的沾污在清洗之后仍完整保 留在硅片表面。
半导体制造中特别容易产生静电释放，因为硅片 加工保持在较低的湿度中，典型条件为40％±10 ％相对湿度（RH）。这种条件容易使较高级别的 静电荷生成。虽然增加相对湿度可以减少静电生 成，但是也会增加侵蚀带来的沾污，因而这种方 法并不实用。
尽管ESD发生时转移的静电总量通常很小（纳库仑级别）， 然而放电的能量积累在硅片上很小的一个区域内。发生在几 个纳秒的静电释放能产生超过1A的峰值电流，简直可以蒸 发金属导体连线和穿透氧化层。放电也可能成为栅氧化层击 穿的诱因。ESD带来的另一个重大问题在于，一旦硅片表面 有了电荷积累，它产生的电场就能吸引带电颗粒或极化并吸 引中性颗粒到硅片表面（见图所示）。电视屏幕能吸引灰尘 就是一个例子。此外，颗粒越小，静电对它的吸引作用就越 明显。随着器件关键尺寸的缩小，ESD对更小颗粒的吸引变 得重要起来，能产生致命缺陷。为减小颗粒沾污，硅片放电 必须得到控制。
自然氧化层
如果曝露与室温的空气或含溶解氧的去离子水中， 硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化 层。硅片上最初的自然氧化层生长始于潮湿。当硅 片表面曝露在空气中时，一秒钟内就有几十层水分 子吸附在硅片上并渗透到硅表面，这引起硅表面甚 至在室温下就发生氧化。 天然氧化层的厚度随曝露时间的增长而增加。 硅片表面无自然氧化层对半导体性能和可靠性是非 常重要的。 自然氧化层将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄 膜的生长和超薄栅氧化层的生长。 自然氧化层也包含了某些金属杂质，它们可以向硅 中转移并形成电学缺陷。
颗粒带来的问题有引起电路开路或短路。 如图的短路:
半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸的粗糙度尺寸的粗略法 则,是它必须小于最小器件特征尺寸的一半。大于这个尺寸 的颗粒会引起致命的缺陷。例如，0.18um的特征尺寸不能 接触0.09um以上尺寸的颗粒。如下图的人类头发对0.18um 颗粒的相对尺寸。
人
人是颗粒的产生者。人员持续不断地进入净化间，是净化间 沾污的最大来源。人类颗粒来源如表所示。
为了减少人类带来的沾污，使用了超净服，制定了净化间操 作规程。
厂房
为使半导体制造在一个超洁净的环境中进行， 有必要采用系统方法来控制净化间区域的输 入和输出。有三种基本的策略用于消除净化 间颗粒：
1.从未受颗粒沾污的净化间着手开始。 2.尽可能减少通过设备、器具、人员和净化间
金属杂质
硅片加工厂的沾污也可能来自金属化合物。危害半导体工艺 的典型金属杂质是碱金属，它们在普通化学品和工艺都很常 见。这些金属在所有用于硅片加工的材料中都要严格控制 （见表）。碱金属来自周期表中的IA族，是极端活泼的元素， 因为它们容易失去一个价电子成为阳离子，与非金属的阴离 子反应形成离子化合物。
微电子工艺基础污染控制和芯片制造基本工艺(ppt版)
第3章 污染控制、芯片制造根本工艺概述(ɡài shù) 二、洁净室的建设
1、洁净室要素
2、人员产生(chǎnshēng)的污染〔**〕 3、工艺用水〔**〕
4、工艺化学品 5、化学气体
6、设备 7、洁净室的物质和供给
27 微电子工艺基础
27
第二十七页，共七十六页。
第3章 污染控制、芯片制造(zhìzào)根本工艺概
述
二、洁净室的建设
3、工艺(gōngyì)用水
〔1〕工艺(gōngyì)用水的重要性
在晶圆制造的整个过程中，晶圆要经过多次的化学刻蚀 与清洗，每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲刷 。在整个的 制造过程中，晶圆总共要在冲洗的系统中待上好几个小时， 一个现代的晶圆制造厂每天要使用多达几百万加仑的水，这 样实际上产生了一个投资项目，包括水的加工处理、向各个 加工工艺区的水的传输、废水的处理与排放。由于半导体器 件容易受到污染，所以所有工艺用水，必须经过处理，达到 非常严格的洁净度要求。
〔2〕人类的呼吸(hūxī)也包含着大量的污染，每次呼 气向空气中排出大量的水汽和微粒。而一个吸烟者的 呼吸(hūxī)在吸烟后在很长时间里仍能带有上百万的微 粒〔。3〕而体液，例如(lìrú)含钠的唾液也是半导体器件 的主要杀手。
解决方法：全封闭、穿衣顺序、详见教材。
26 微电子工艺基础
26
第二十六页，共七十六页。
23 微电子工艺基础
第二十三页，共七十六页。
第3章 污染控制、芯片(xīn piàn)制造根本工艺
概述
二、洁净室的建设
1、洁净室要素(yào
sù)
24 微电子工艺基础
24
第二十四页，共七十六页。
第3章 污染控制、芯片制造(zhìzào)根本工艺概述
半导体 排放标准
半导体排放标准
半导体工业是指生产集成电路、光电子元件、功率电子元件等半导体产品的产业。
由于半导体工艺制造过程中涉及到一些有害物质和废弃物的排放，因此有关部门针对半导体工业制定了相关的排放标准。
具体来说，半导体工业的排放标准主要涉及以下几个方面：
1. 废气排放：半导体生产过程中会产生一些有机物、氮氧化物和氟化物等废气物质。
排放标准会规定这些有害废气物质的排放浓度限制，通过精密的气体处理系统进行处理，确保废气排放符合环保要求。
2. 废水排放：半导体工艺制造过程中产生的废水含有一定的金属离子、硅、有机溶剂等物质。
排放标准会规定废水中各种有害物质的浓度限制，同时要求进行有效的废水处理，以达到环保排放要求。
3. 固体废弃物处理：半导体生产过程中会产生一些固体废弃物，包括废旧设备、废弃产品和废弃材料等。
排放标准会规定这些固体废弃物的处理方法和处置要求，以减少对环境的影响。
4. 特定化学品的使用和排放：半导体制造过程中使用一些特定的化学品，如酸、碱、有机溶剂等。
排放标准会要求对这些化学品的使用进行严格管理，并规定排放浓度限制，以减少对环境和人体的危害。
综上所述，半导体工业的排放标准主要是为了保护环境和人体健康，规定了废气、废水、固体废弃物和特定化学品的排放浓度限制，以及相应的处理和处置要求。
这些标准的制定和执行，有助于推动半导体工业的可持续发展。
微电子洁净技术领域空气化学污染控制研究进展
微电子洁净技术领域空气化学污染控制研究进展摘要：现如今，我国工业发展迅速，在工业发展中，做好环境污染防治工作十分重要。
在当前时代下，对于环境保护的重视程度不够，造成我国生态环境破坏严重。
因此，为了改善当前生态环境以及经济发展形势，积极开展环境保护工作。
采用针对性治理措施，控制空气污染，提升环境工程建设水平，推动我国生态环境良性发展。
关键词：微电子；洁净技术；空气化学污染；控制研究引言随着我国经济飞速发展，在工业化、城市化进程中，重污染工业企业相继关停搬迁，留下了大量工业污染场地，对周边生态环境、人体健康构成严重威胁。
由于这些场地大部分位于市区，普遍具有较高的开发利用价值，其治理工作迫在眉睫。
然而传统的污染物修复技术，如挖掘－处置、热脱附、化学氧化等，存在修复技术成本高、环境扰动大、二次污染严重以及修复后的污染物反弹等诸多问题。
风险管控技术是一种旨在通过切断污染物的传播途径来控制、减轻或预防污染风险的新兴技术，近年来，随着绿色可持续修复理念在污染场地治理领域的深入，在强调绿色、可持续、经济性的同时，风险管控技术逐步得到应用并且发展迅速，已经成为我国工业污染场地治理的必然趋势。
1空气污染所谓空气污染，就是一些物质进入到了大气层中，并在其中达到了一定的浓度、含量和积累时间，从而对空气环境的平衡产生了危害。
目前，空气污染已经成为了很多国家和地区所面临的一大环境治理难题，尤其是在工业化发展和汽车保有量不断增加的情况下，空气污染问题更是愈演愈烈，而空气污染的治理技术也一直备受关注。
2我国空气污染现状在工业以及农业发展中，产生大量的废弃物，而相关人员对废弃物净化处理的意识不强，对我国生态环境造成严重的影响，特别在我国工业相对发达的地区，环境污染的现象更为明显，尤其是空气污染问题，空气污染会诱发癌症、支气管炎、缺血性心脏病等疾病，严重威胁当地人们的身体健康。
同时，随着我国经济水平的提升，交通工具的数量不断增加，汽车尾气会加剧空气污染情况。
半导体行业污染管理及解决方案
半导体行业污染管理及解决方案真空应用，真空系统解决方案01介绍在半导体制造业中，如集成电路的生产过程，许多关键的工艺步骤都是基于真空技术的。
在硅加工过程中使用真空技术有几个原因：⏹真空允许对条件进行控制，因为它排除了硅晶片中的环境空气，如反应气体和粉尘。
⏹真空允许硅和氧化硅的异性蚀刻，这是对硅晶片表面形成图案的基本工艺步骤。
⏹几种基于真空的工艺允许所有类型的绝缘薄层和具有可控性的导电膜沉积在硅晶片上。
最新研发的集成电路由固体硅制成，其最大的特点是由于每个设备集成部件数量的不断增加和图案尺寸的不断缩小，使得部件的性能也得到不断的提高。
在集成电路的开发过程中，戈登·E.摩尔曾预言，自20世纪60年代起，电路性能大约每两年翻一番，这就是著名的摩尔定律。
经过了世纪之交，集成电路的最小结构（如微处理器和随机存储器）从1970年的10µm减少到0.1µm，摩尔定律得到了充分的体现。
在此期间，硅晶片的尺寸从1"直径增加到300mm(-12")，提高了吞吐量并降低了成本。
图1:摩尔定律（由Intel和AMD微处理器中的晶体管数量记录）通过引入300mm技术，所谓临界尺寸，截止到此文本撰写时（即2012年）已经从150nm缩小到22nm。
凭借300mm的晶圆尺寸，生产技术也从开放式盒子（图8.2左侧）转变到封闭式小环境，即：晶圆在封闭式盒子里在生产现场中从一个工艺设备传送到另一个（FOUP=前端开启式晶圆传送盒，图2，右侧）。
图2: 使用盒子（左）和FOUP（右）的晶圆传送02污染灰尘是小尺寸器件集成电路生产的天敌。
在开发集成电路的过程中，已经开发了有效的方法来消除生产环境中的灰尘。
如有尺寸与电路结构元件相当的灰尘颗粒（临界尺寸，CD）或更大的灰尘颗粒意外进入设备中，会引发很多问题。
22nm的硅结构只包括41个Si原子。
根据这一标准，不仅颗粒构成了挑战，甚至分子造成的污染也成为越来越大的挑战。
半导体产业之—污染控制（一）
半导体产业之—污染控制（一）这几节小编将为大家解释污染对器件工艺、器件性能和器件可靠性的影响，以及芯片生产区域存在的污染类型和主要的污染源。
同时，也将对净化间规划、主要的污染控制方法和晶片表面的清洗工艺进行讨论。
首先来看看什么是污染。
污染是可能将芯片生产工业扼杀在摇篮里的首要原因之一。
半导体工业起步于由空间技术发展而来的净化间技术。
然而，事实表明，对于大规模集成电路的生产，这些技术水平是远远不够的。
净化间不得不与芯片设计和密度进步保持同步。
产业生长的能力依赖于每一代芯片提出的污染问题的解决。
昨天的小问题可能变成明天芯片的致命缺陷。
污染物类型半导体器件极易受到多种污染物的损害。
这些污染物可以归纳为四类：1.微粒；2.金属离子；3.化学物质；4.细菌；5.空气中分子污染。
接下来我们逐一的进行介绍。
微粒：半导体器件，尤其是高密度的集成电路，易受到各种污染的损害。
器件对于污染的敏感度取决于较小的特征图形的尺寸和晶片表面沉积层的厚度。
目前的量度尺寸已经降到亚微米级。
1um是非常小的。
1cm是它的1000倍。
人的头发的直径为100um。
这种非常小的器件尺寸导致器件极易受到由人员、设备和工艺操作中使用的化学品所产生的，存在于空气中的颗粒污染的损害。
由于特征图形尺寸越来越小，膜层越来越薄，所允许存在的微粒尺寸也必须被控制在更小的尺度上。
由经验所得出的一条法则是：为例的大小必须是第一层金属半个节距的一半。
半个节距是相邻金属条之间间距的一半。
落于器件的关键部位并毁坏了器件功能的微粒被称为致命缺陷。
致命缺陷还包括晶体缺陷和其他由工艺过程引入的问题。
在任何晶片上，都存在大量微粒。
有些属于致命性的，而其他一些位于器件不太敏感的区域则不会造成器件缺陷。
2011版国际半导体技术路线图良品率增强部分确定缺陷与良品率的相关性，并开发更敏感缺陷和污染检测设备，作为未来技术代良品率增强的基础。
金属离子：之前我们曾介绍过，半导体器件在整个晶圆上N型和P型的掺杂区域，以及在精确的N和P相邻区域，都需要具有可控的电阻率。
半导体工艺设备污染控制
半导体工艺设备污染控制摘要：半导体被称为制造业皇冠上的明珠，半导体产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，其技术水平和发展规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。
半导体设备的沾污的控制，直接影响到半导体前道制程的先进性，基于此方向，分享一下半导体设备沾污的来源及控制的方法。
关键词：半导体；硅片；沾污；集成电路；晶圆；缺陷；掩模板；1、引言一片硅片表面有多个微芯片，每个微芯片又有数以百万计的器件和互联线路，他们对沾污物都非常敏感。
一直以来，芯片的关键尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求而缩小，控制晶圆表面沾污的需求变得越来越关键。
这些沾污的来源主要是由于空气和设备中存在的微粒、金属离子、化学物质、静电等，在半导体工艺制造的过程中，这些沾污会落到半导体晶片和掩模板上，不但影响器件关键尺寸的缩小，还会导致集成电路中的器件产生缺陷，影响器件工艺良率、器件性能以及可靠性，进而导致集成电路失效。
比如，尘埃粒子进入栅氧化层会增加其电导率，降低击穿电压，导致器件失效。
在光刻工艺领域，尤其是前道制程的光刻领域，如果尘埃粒子粘附在光掩模板表面，如同在掩模板上增加了不透光的图形，尘埃的形状和掩模板上的电路图形，会被一起转移到要被光刻的晶圆上，导致电路失效。
2、污染的种类半导体器件，尤其是高密度的集成电路，容易受到各种污染的损害，器件对污染的敏感度，取决于较小的特征图形尺寸和晶片表面沉积层的厚度。
在净化间内的污染大致可分为颗粒、金属离子、有机物沾污、自然氧化层以及静电释放。
颗粒污染，在半导体芯片的制造过程中，可以接收的颗粒尺寸的粗略计算法则是它必须小于最小器件特征尺寸的一半。
如果将颗粒细分，还可以分为粉尘、固态雾、烟、微生物、液态雾等。
其中粉尘来源广泛，大多是固态有机或无机物。
固态雾是固态物质经过熔融之后，在蒸发和凝结之后而形成的颗粒，与粉尘区别在于凝聚力强。
西安交通大学 微电子制造技术 第六章 硅片制造中的沾污控制
静电释放带来的问题
尽管ESD发生时转移的静电总量通常很小(钠库 伦级别)，然而放电的能量积累在芯片上很小的一个 区域内。发生在几钠秒内的静电释放能产生超过1A 的峰值电流，从而达到蒸发金属连线和穿透氧化层 ，成为栅氧化层击穿的原因。下图是带电硅片吸引 颗粒的一个例子。
硅上有源区
Figure 6.6
钨塞
氧化层隔离 接触
微电子制造技术
电信学院 微电子学系 13
静电释放 静电释放(ESD)也是一种形式的沾污， 因为它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制 地转移，可能损坏微芯片。 ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩 察。带过剩负电荷的原子被相邻的带正电荷的原子 吸引。这种由吸引产生的电流泄放电压可以高达几 万伏。 微芯片制造中特别容易静电释放，因为芯片 加工通常保持在较低的湿度(典型条件为40％ ± 10 ％)中，这种条件容易使较高级别的静电荷生成。 虽然增加相对湿度可以减少静电荷生成，但也会增 加浸湿带来的污染，因而这种方法并不实用。
微电子制造技术 电信学院 微电子学系 17
美国联邦标准 209E中各净化间级别 对空气漂浮颗粒的限制
颗粒/立方英尺 级别 1 10 100 1,000 10,000 100,000 0.1 mm
3.50 x 10 3.50 x 102
0.2 mm
7.70 7.50 x 10 7.50 x 102
0.3 mm
微电子制造技术 电信学院 微电子学系 5
颗 粒 颗粒是指能沾污在硅片表面的小物体。 悬浮在空气中传播的颗粒被称为浮质。从鹅卵石 到原子的各种颗粒的相对尺寸分布如下图所示。
烟云颗粒 原子
薄雾
大气灰尘
微电子10-si片制造中的污染控制
温度和湿度 对硅片加工设备温度和湿度的设定 有特别的规定。一个1级0.3um净化间温度控制 的例子是68％±0.5°F。相对湿度（RH）很重要， 因为它对侵蚀有贡献。典型的RH设定为40％ ±10％。
静电释放 多数静电释放（ESD）可以通过合理 运用设备和规程得到控制。主要的ESD控制方法 有：
•静电消耗性的净化间材料 •ESD接地 •空气电离
金属杂质
硅片加工厂的沾污也可能来自金属化合物。危害半导体工艺 的典型金属杂质是碱金属，它们在普通化学品和工艺都很常 见。这些金属在所有用于硅片加工的材料中都要严格控制 （见表）。碱金属来自周期表中的IA族，是极端活泼的元素， 因为它们容易失去一个价电子成为阳离子，与非金属的阴离 子反应形成离子化合物。
人
人是颗粒的产生者。人员持续不断地进入净化间，是净化间 沾污的最大来源。人类颗粒来源如表所示。
为了减少人类带来的沾污，使用了超净服，制定了净化间操 作规程。
厂房
为使半导体制造在一个超洁净的环境中进行， 有必要采用系统方法来控制净化间区域的输 入和输出。有三种基本的策略用于消除净化 间颗粒：
1.从未受颗粒沾污的净化间着手开始。 2.尽可能减少通过设备、器具、人员和净化间
自然氧化层
如果曝露与室温的空气或含溶解氧的去离子水中， 硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化 层。硅片上最初的自然氧化层生长始于潮湿。当硅 片表面曝露在空气中时，一秒钟内就有几十层水分 子吸附在硅片上并渗透到硅表面，这引起硅表面甚 至在室温下就发生氧化。 天然氧化层的厚度随曝露时间的增长而增加。 硅片表面无自然氧化层对半导体性能和可靠性是非 常重要的。 自然氧化层将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄 膜的生长和超薄栅氧化层的生长。 自然氧化层也包含了某些金属杂质，它们可以向硅 中转移并形成电学缺陷。
半导体产业之-污染控制（二）
半导体产业之-污染控制（二）本节小编将为大家介绍一些由污染引起的问题和常见的一些污染源。
在上节介绍的5种污染物的影响下，将在以下3个特定的功能领域对工艺过程和器件产生影响。
它们是：1.器件工艺良品率；2.器件性能；3.器件可靠性。
下面我们逐一介绍这三个方面。
器件工艺良品率：在一个污染环境中制成的器件会引起多种问题。
污染会改变器件的尺寸，改变表面的洁净度，和造成有凹痕的表面。
在晶片生产的过程中，有一系列的质量检验和检测，它们是为检测出被污染的晶圆而特殊设计的。
高度的污染使得仅有少量的晶圆能够完成全工艺过程，从而导致成本升高。
器件性能：一个更为严重的问题是在工艺过程中漏检的小问题。
在工艺步骤中的不需要的化学物质和AMC可能改变器件尺寸或材料质量。
在晶圆中高密度的可移动离子污染物可能会改变器件的电性能。
这个问题通常是在晶圆制造工艺完成后的电测试（也成为晶圆或芯片拣选）中显现出来的。
器件可靠性：最令人担心的莫过于污染对器件可靠性的失效影响。
小剂量的污染物可能会在工艺过程中进入晶圆，而未被通常的器件测试检验出来。
然而，这些污染物会在器件内部移动，最终停留在电性敏感区域，从而引起器件失效。
这一失效模式成为航天工业和国防工业的首要关注点。
在之后的小节中，将讨论对半导体器件生产中产生影响的各类污染的来源、性质及其控制。
随着20世纪70年代LSI电路的出现，污染控制成为这一产业的基本问题。
从那时起，大量的关于污染控制的认识逐渐发展起来。
如今污染的控制本身已成为一门学科，是制造固态器件必须掌握的关键技术之一。
那么，常见的污染来源有哪些呢？污染源普通污染源净化间内的污染源是指任何影响产品生产或产品功能的一切事物。
由于固态器件的要求较高，所以就决定了它的洁净度要求远远高于大多数其他工业的洁净程度。
实际上生产期间任何与产品相接触的物质都是潜在的污染源。
主要的污染源有：1.空气；2.厂务设备；3.净化间工作人员；4.工艺使用水；5.工艺化学溶液；6.工艺化学气体；7.静电；8.工艺设备。
半导体制造业空气污染管制及排放标准
【法规名称】半导体制造业空气污染管制及排放标准【颁布部门】【颁布时间】2002-10-16【效力属性】已修正【正文】半导体制造业空气污染管制及排放标准本标准依空气污染防制法第二十条第二项、第二十二条第二项及第二十三条第二项规定订定之。
本标准专有名词及符号定义如下：一半导体制造业：指从事积体电路晶圆制造、晶圆封装、磊晶、光罩制造、导线架制造等作业者。
二积体电路晶圆制造作业(Wafer Fabricaten):指将各种规格晶圆生产各种用途之晶圆之作业，包括经由物理气相沈积(Physical Vapor Deposition)、化学气相沈积(Chemical Vapor Deposition)、光阻、微影(Photolithography) 、蚀刻(Etching)、扩散、离子植入(Ion Implantation) 、氧化与热处理等制程。
三积体电路晶圆圭寸装作业(Wafer Package):指将制造完成之各种用途之晶圆生产成为半导体产品之作业，包括经由切割成片状的晶粒(Dice)，再经焊接、电镀、有机溶剂清洗和酸洗等制程。
四光阻剂：指实施积体电路晶圆制造之选择蚀刻时，所需耐酸性之感光剂。
五光阻制程：指晶圆经过光组剂的涂布、曝光、显像，使晶圆上形成各类型电路的制程。
六挥发性有机物(Volatile Organic Compounds,VOCs):系指有机化合物成份之总称。
但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳化物、碳酸盐、碳酸铵等化合物。
七密闭排气系统(Closed Vent System):系指可将设备或制程设备元件排出或逸散出之空气污染物，捕集并输送至污染防制设备，使传送之气体不直接与大气接触之系统。
该系统包括管线及连接装置。
八污染防制设备：系指处理废气之热焚化炉、触媒焚化炉、锅炉或加热炉等密闭式焚化设施、冷凝器、吸附装置、吸收塔、废气燃烧塔、生物处理设施或其它经中央主管机关认定者。
九工厂总排放量：系指同一厂场周界内所有排放管道排放某单一空气污染物之总和；单位为kg/hr。