808nm半导体红外一字线
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源
第 ２期
光 学 精 密 工程
Ｏｐｔｃ ｎｄ Ｐｒ ｃｓｏ ｇｉ ｅ ｉ ｉｓ ａ ｅ ｉｉｎ Ｅｎ ｎｅ ｒｎｇ
Ｖ ０ｌ ９ ＮＯ． －ｌ ２
２１ ０ １年 ２月
Ｆｅ ．２ １ ｂ Ｏ１
文 章 编号
１ ０ — ２ Ｘ（ ０ １ ０ — ４ ２０ ０ ４ ９ ４ ２ １ ） ２０ ５ — ５
１ ｋ ｏ ｔ ｕ ｏ ｒＯ ｈ ｏ ａ ｌｎ 。ｏ ｕ ｅ ｐ ｔｏ Ｗ ｕ ｐ ｔｐ ｗｅ ｎ ｔ ｅｆ ｃ ｌｐａ ｅ ｆ ｃ ｓ ｄ ｓ ｏ ｆ１ｍｍ × １ｍｍ ｎ ｏ ｐｉｇ ｅｆｃｅ ｃ ｆ９ ％ ， ａ ｄ ｃ ｕ ｌ ｆｉｉｎ ｙｏ ０ ｎ
ｗｈ ｃ ａ ｉａ ｌ ａ ｉｆｅ ｈ ｅ ｓ ｏ ａ ｅ ｌ ｄ ｎｇ ａ ｌ ｉ ． ｉ ｈ ｂ ｓｃ ｌｙ ｓ ｔｓ ｉｓ ｔ ｅ ｎｅ ｄ ｆ ｌｓ ｒ ｃａ ｄｉ ｎｄ ｗｅｄ ｎｇ Ｋｅ ｒ ｓ ｉ ｈ ｐ ｗｅ ａ ｅ ； ｅ ｃ ｄｕ ｔ ａ ｅ ； ｅ ｍ ｈ ｐｉ ｙ ｗｏ ｄ ：ｈ ｇ ｏ ｒ ｌ ｓ ｒ ｓ ｍｉｏｎ ｃ ｏｒ ｎｄ ｂ ａ ａ ｌ ｗ ｘ ｓ ｔ ｒ ｇ ｅ ｅ ｃ ｅ ｓ ｔ ｍ ， ｎｄ ａｓ ｅ ｏ ｕ ｉ ｅ ｏ ｆ ｃ ｓ ｏ ｏ ｈ ｘ ａ ｅ ｍ ｔａ ｓ ｏ ａ ｉ ｈ ｏｕ ｈ ａ ｔ ｌ ｓ ｏｐ ｙｓ ｅ ａ ｌ ｏ ｕｓ ｓａ ｆ ｃ ｓｎｇ ｌ ｎｓｔ ｏ ｕ ｎ ｂ ｔ
ｔ ｅ ｓ ｏ ａ ｉ ｎ ｈ ａ ｔｏ ｔ ｔ ａ ｅ ｔｍ ｅ Ｅｘ ｅ ｉ ｅ ｔ ｈｏ ｔ ａ ｈ ｅ ｈｎ ｑ ａ ｃ ｉｖｅ ｔ ｅ ｈ ｌ ｗ ｘ ｓ ａ ｄ ｔ ｅ ｆ ｓ ｎｅ ａ ｈｅ ｓ ｍ ｉ ． ｐ ｒｍ ｎ ｓ ｓ ｗ ｈ ｔｔ ｅ ｔ ｃ ｉ ｕｅ ｃ ｎ ａ ｈ ｅ ｈ
红外808nm激光器
红外808nm激光器在照明领域中应用的最大优势在于激光具有极高的发光效率和发光强度，半导体激光的光电转换效率最高可达80%，大大的降低能耗，增加照明距离。
其中，红外808nm激光器可轻易实现100-1000米照明距离，满足风光供电监控项目对远距离监控的需要。
如在野外建立监控点，距离一般都比较远。
还在监控夜领域也逐渐被广泛的使用。
技术参数均可拨打零贰玖-陆捌伍捌壹柒零捌
输出波长：780nm 808nm 980nm
输出功率：780nm 5～150mw
808nm 100～5000mw
980nm 50～3000mw
工作电压：3~6V DC
工作电流：≤5500mA
光束发散度：0.5～50mrad
光学透镜：光学镀膜玻璃或塑胶透镜
尺寸：Φ10.8×25mm；Φ12×40mm；Φ16×55mm；Φ22×80mm；Φ26×100mm；
39×39×100mm；49×49×130mm（可定制）
工作温度：－10～40℃
储存温度：－40～85℃
激光等级：Ⅲb
yxl。
高功率808nm红外激光灯
• 描述： • 高功率808nm红外激光灯在照明领域中应用的最大优势在于激光 具有极高的发光电零贰玖捌捌柒贰陆柒柒叁效率和发光强度， 高功率808nm红外激光灯的光电转换效率最高可达 80%，大大的 降低能耗，增加照明距离。 • 高功率808nm红外激光灯可轻易实现100-1000米照明距离，满足 风光供电监控项目对远距离监控的需要。如在野外建立监控点， 距离一般都比较远。还在监控夜领域也逐渐被广泛的使用。技 术参数均可按客户实际需要订பைடு நூலகம்。 • yyz • 对本公司售出的产品一律保证一年保修，三年维修的原则，在 保修期内出现的任何质量问题将给予认真负责的处理。欢迎用 户提供宝贵的改进意见yyz
不可见点状激光
新品808nm近红外激光灯的应用
新品808nm近红外激光灯
新品808nm近红外激光灯管芯采用日本进口半导体激光二极管，内置电路板经改良，具有很强的抗干扰性、高稳定性、抑制浪涌电流及缓启动等特点，新品808nm近红外激光灯特别适于工业工作环境，能有效保证产品的稳定性和使用寿命。
新品808nm近红外激光灯多用于触摸桌面类、互动投影类产品中，该激光器出光后打出一个扇面，在目标上形成一条人眼看不到的直线，配合专门的设备观察（如CCD摄像机）等实现触控-互动投影。
同类产品还有：
808nm半导体红外一字线、多点触控-互动投影用808nm--200mw红外一字线激光器、电子
1）激光定位灯使用应注意相关的激光使用安全规定，不能直射人眼；
2）激光器中半导零贰玖陆捌伍捌壹柒零捌体激光管属静电敏感器件，应遵守相关的静电防护规定。
测试和使用环境应保证没有静电；
3）电源线请勿用力拽拉；
4）电源电压不要超过DC 5 V，最好选用激光器专用直流稳压电源供电，“+”（红线）、“−”（黑线）极性绝对不可接反；
5）激光器通电时，“+”（红线）、“−”（黑线）极电源线绝对不可短路，以免烧毁激光器；
6）自制稳压电源请注意消除浪涌脉冲电压电流，稳压5V或<5V将延长使用寿命，避免在各种浪涌脉冲较大的场合中使用激光器；Yxl。
808硅片自发光
808硅片自发光808硅片自发光是指808nm波长的红外激光照射到硅片上后，硅片自身发出光的现象。
这种现象在光电子学领域中被广泛研究和应用。
我们需要了解什么是808nm波长。
波长是指光波在空间中一个完整波动所需的最小距离，通常用纳米（nm）表示。
808nm波长属于红外光的范畴，它的波长相对较长，对人眼来说是看不见的。
硅片是一种常见的半导体材料，具有良好的光电转换性能。
当808nm波长的激光照射到硅片上时，硅片吸收光能量，激发内部的电子跃迁。
这些激发的电子会从高能级跃迁到低能级，释放出能量。
部分能量以光的形式辐射出来，形成自发光现象。
808硅片自发光具有一些特点和应用价值。
首先，808nm波长的红外光能够穿透一些物体，具有较强的穿透力，因此在一些特定的应用场景中非常有用。
其次，硅片具有优良的光电转换性能，能够高效地将光能转化为电能，可以应用在太阳能电池、光电传感器等领域。
此外，硅片还具有相对较低的成本和广泛的应用基础，使得808硅片自发光技术更具有商业化的前景。
在实际应用中，808硅片自发光可以有许多应用场景。
例如，在太阳能电池中，808nm波长的红外激光可以提供光源，激发硅片的自发光，从而增加太阳能电池的发电效率。
另外，808硅片自发光还可以应用在光电传感器中，用于测量环境光强度、距离等参数。
此外，808硅片自发光还可以用于光通信领域，提供高效的红外光源。
然而，808硅片自发光也存在一些问题和挑战。
首先，硅片自身的发光效率相对较低，需要进一步提高。
其次，808nm波长的红外光在传输过程中容易受到光纤的吸收和散射，影响传输质量和距离。
此外，808硅片自发光技术的商业化应用还需要进一步研究和探索，包括降低成本、提高稳定性等方面。
808硅片自发光是一种具有潜力和应用前景的技术。
通过研究和探索，我们可以进一步提高硅片的自发光效率，解决光纤传输中的问题，推动该技术在太阳能电池、光电传感器、光通信等领域的应用。
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源单肖楠;刘云;曹军胜【摘要】A kind of beam shaping technique was presented to improve the beam quality of a semiconductor laser and to achieve the beam splitting, translating, and rearranging by a parallel plate glass stack. The experiment uses a 20-layer 808 nm semiconductor laser array designed by ourselves with the output power of 60 W per bar, 19 light-emitting points of 1 μm× 135 μm each and 30％ filling factor to expand beam at a slow axis through a telescope system,and also uses a focusing lens to focus on both the slow axis and the fast one at the same time. Experiments show that the technique can achieve the 1 kW output power on the focal plane, focused spot of 1 mm × 1 mm and coupling efficiency of 90 ％,which basically satisfies the needs of laser cladding and welding.%提出了一种新型光束整形技术,该技术通过平行平板玻璃堆实现光束的分割、平移、重排,从而改善半导体激光的光束质量.该试验采用自主设计的中心波长为808 nm,连续输出功率为60W/bar,填充因子为30 %,具有19个发光点,每个发光点尺寸为1μm×135μm的20层半导体激光叠阵,通过望远镜系统对慢轴方向进行扩束后用一个聚焦镜同时对快慢轴聚焦,最终在焦平面上得到了1kW输出,且聚焦光斑达到1mm×1mm,耦合效率达到90%,基本满足激光熔覆和激光焊接的要求.【期刊名称】《光学精密工程》【年(卷),期】2011(019)002【总页数】5页(P452-456)【关键词】高功率激光器;半导体激光器;光束整形【作者】单肖楠;刘云;曹军胜【作者单位】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033【正文语种】中文【中图分类】TN248.4千瓦级半导体激光系统在工业、军事、核能等领域都有广泛的应用。
808nm和980nm半导体激光迭阵波长耦合技术
808nm和980nm半导体激光迭阵波长耦合技术一、引言半导体激光迭阵技术是指将多个半导体激光器按照一定的规则排列在一起，并通过特定的耦合结构实现它们之间的波长耦合。
其中，808nm和980nm波长的半导体激光器在光通信、激光打印、材料加工等领域有广泛的应用。
本文将深入探讨808nm和980nm半导体激光迭阵波长耦合技术的原理、应用和发展前景，旨在帮助读者更好地理解和应用这项技术。
二、原理半导体激光迭阵波长耦合技术的核心是通过耦合结构将多个波长相近的激光器有效地耦合在一起，实现更高的光功率输出和更好的光束质量。
1. 波长耦合原理在波长耦合技术中，通过特殊的设计和制备工艺，使得不同波长的光在耦合结构中发生波长转换，达到波长耦合的目的。
在808nm和980nm半导体激光迭阵中，可以通过选择适当的设计参数，使808nm激光器和980nm激光器的波长分别转换为980nm和808nm，实现双向的波长耦合。
2. 迭阵结构设计半导体激光迭阵的结构设计决定了波长耦合的效率和性能。
通常采用的迭阵结构包括线状迭阵和面状迭阵两种。
线状迭阵是将多个激光器按照一条直线排列，通过波导结构将它们有效地耦合在一起。
面状迭阵则是将激光器排列在一个二维阵列上，通过波导阵列的设计实现波长耦合。
3. 波导耦合结构波导耦合结构是实现波长耦合的重要部分，其设计决定了波长耦合效果的好坏。
常见的波导耦合结构包括反射镜结构、布喇格光栅结构和光子晶体结构。
反射镜结构通过特殊的反射镜设计，将不同波长的光线反射到同一位置，从而实现波长耦合。
布喇格光栅结构则通过特殊的光栅设计，将不同波长的光线经过光栅衍射合成一束光。
4. 泵浦设计泵浦设计是指在激光迭阵中提供泵浦光源的设计。
对于808nm和980nm半导体激光迭阵，可以采用电流注入的方式提供泵浦光源，泵浦光源通过波导结构耦合到激光器中，使激光器产生激射。
三、应用808nm和980nm半导体激光迭阵波长耦合技术广泛应用于光通信、激光打印和材料加工等领域。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
808nm半导体红外一字线
本产品是专为红外夜视系统配置的、远距离红外照光源；配合红外摄像机、黑白CCD机或微光夜视系统用于夜间及24小时的、全天候条件的监视摄像，照明距离从几米到数公里。
我们还可以根据用户的要求（光波长、光功率、发散角、供电方式、工作条件、外形等）为您研制专用半导体激光光源，使您能够在任何环境下，都可以获得最佳的监视效果。
应用：夜视照明；黑白CCD摄像机夜间照明；对准/瞄准
特点：低功能、输出功率高；工作距离远；体积小
输出波长：780nm 808nm 980nm
输出功率：780nm 5~150mW
808nm 100~5000mW
980nm 50~3000mW
工作电压：3~6V DC
工作电流：≤5500mA
光束发散度：0.5~50mrad
光学透镜：光学镀膜玻璃透镜或塑胶透镜
尺寸：Φ10.8×25mm；Φ12×40mm；
Φ16×55mm；Φ22×80mm；
Φ26×100mm；
39×39×100mm；Φ49×49×130mm（可定制）
工作温度：-10℃~40℃
储存温度：-40℃~85℃
激光等级：Ⅲb
日成科技是一家专业从事半导体激光产品研发、设计和生产的高新技术企业。
面向国内外激光、光电子市场，重点针对半导体激光应用领域，先后开发了点光源、线光源、十字光源、功率调制激光器、频率调制激光器、光器耦合激光器等几大类数百种产品，产品应用于工业指示、激光测距、建筑放线、扫平类仪器、医疗器械、军事、实验教学、舞台灯光、激光指向等领域。