1.5电力电子器件的驱动

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电力电子技术(第4版)第3讲 电力电子器件

电力电子技术(第4版)第3讲 电力电子器件
过程快,承受di/dt能力强 。
电力电子技术
第1章:
电力电子器件
⑵ GTO的动态特性
iG
开通过程:与普通晶闸管相同 关断过程:与普通晶闸管有所不同 储存时间 t s ,使等效晶体退出饱 和 。 下降时间 t f ,
O t
尾部时间 t —残存载流子复
t
iA IA 90%合。
10%IA 0
电力电子器件
③最大可关断阳极电流 I A T O ——GTO额定电流。 ④ 电流关断增益off ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电 流最大值IGM 之比称为电流关断增益。
o ff
I ATO I GM
off一般很小,只有5左右,这是GTO的一个主要缺点。
1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 电力电子技术
A 强 G K O U AK 光强度 弱
a)
b)
因此目前在高压大功率 的场合。
图1-10 光控晶闸管的电气 图形符号和伏安特性
a) 电气图形符号 b) 伏安特性
电力电子技术
第1章:
电力电子器件
1.6
典型全控型器件
1.6.0 引言
门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。
20世纪80年代以来,电力电子技术进入了一个崭新时 代。
第1章:
电力电子器件
1.6.2
术语用法:
电力晶体管
电力晶体管(Giant Transistor——GTR,直译为 巨型晶体管) 。
耐 高 电 压 、 大 电 流 的 双 极 结 型 晶 体 管 ( Bipolar Junction Transistor——BJT),英文有时候也称 为Power BJT。 应用:

电力电子器件概述

电力电子器件概述
4. 最高工作结温 TJM:125~175℃
5. 反向恢复时间trr 6. 浪涌电流IFSM
1.2.4 主要类型
1. 普通二极管——又称整流二极管 1KHZ以下 数千安和数千伏以上
2. 快恢复二极管 5μs以下 3. 肖特二极管
1.3 半控型器件——晶闸管(SCR)
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
Id
1
2
3
Im
sin td
t
3
4
Im
0.24Im
I
1
2
Im
sin t
2
d
t
0.46Im
3
Kf
I Id
0.46 0.24
1.92
IT ( AV )
100 2
50
Id
1.57 50 1.92
41 A
Im
Id 0.24
41 0.24
171
A
⑵ 维持电流IH 使晶闸管维持通态所必需的最小主电流。 ⑶ 擎住电流IL ⑷ 浪涌电流ITSM
4. 光控晶闸管LTT
⑴又称光触发晶闸 管,是利用一定 波长的光照信号 触发导通的晶闸 管。
⑵光触发保证了主 电路与控制电路 之间的绝缘,且 可避免电磁干扰 的影响。
⑶在高压大功率的 场合占有重要地位。
1.4 典型全控型器件
门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来,电力电子技术进入了一个崭新时代。
不可控器件:电力二极管
半控型器件:晶闸管及其派生器件 全控型器件:功率场效应管、绝缘栅双极性晶体管、
门极可关断晶闸管
⑵ 按照控制信号性质可分为: 电流控制型 电压控制型:控制功率小

电力电子器件的模块化设计优化考核试卷

电力电子器件的模块化设计优化考核试卷
7.为了提高电力电子模块的电磁兼容性,可以采取的措施有______、______和______。()
8.在电力电子器件的串联应用中,主要目的是为了______电压处理能力。()
9.电力电子模块化设计中,______是一种常用的封装形式,具有良好的热性能和电气性能。()
10.在电力电子器件的测试中,______测试是评估器件长期可靠性的重要手段。()
3.为了提高电力电子器件的散热效果,常用的散热材料有______、______等。()
4.电力电子模块化设计时,应考虑器件的______、______和______等性能指标。()
5.在电力电子器件中,______通常用于实现电能的高效转换。()
6.电力电子器件的驱动电路设计时,需要考虑的主要因素有______、______和______。()
1.以下哪些因素会影响电力电子器件的选型?()
A.电压等级
B.ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ流等级
C.开关频率
D.器件成本
2.模块化设计在电力电子器件中主要考虑以下哪些方面?()
A.热管理
B.尺寸
C.重量
D.成本
3.以下哪些是电力电子器件的常见封装形式?()
A. TO-3
B. DIP
C. SIP
D. SMD
4.以下哪些措施可以减少电力电子器件的开关损耗?()
C.震动测试
D.安全测试
20.以下哪些方法可以优化电力电子器件的散热设计?()
A.增大散热器面积
B.优化风扇布局
C.使用热管
D.提高器件的热传导性
三、填空题(本题共10小题,每小题2分,共20分,请将正确答案填到题目空白处)
1.电力电子器件中,用于控制电流方向的器件称为______。()

电力电子技术教案

电力电子技术教案

第 1 次课 3 学时授课时间06.2.22 教案完成时间06.2.15 第一章电力电子器件 1.1 1.2 1.3 (包括绪论)课题(章节)教学目的与要求:通过该部分内容学习,使学生明白什么是电力电子技术? 电力电子技术的应用领域是什么? 电力电子技术与自动化专业、电子信息工程专业之间的的关系是什么?通过前三节的学习,学生应了解电力二极管、晶闸管等电力电子器件的基本结构、工作原理、主要参数、应用场合等。

教学重点、难点:器件的动态过程的波形的理解、器件的灵活应用是本次教学的重点和难点。

教学方法及师生互动设计:启发式,帮助学生回忆已学过的“电子技术基础”的相关知识,进而更好地理解“电力电子技术”知识,使学生建立知识的联想链。

课堂练习、作业:1、电力电子器件与信息电子器件的区别表现在哪些方面?2、试述在变频空调器中,哪些属于自动化技术,哪些属于电力电子技术?本次课堂教学内容小结介绍了电力电子技术背景知识、发展趋势。

介绍了电力二极管、晶闸管工作原理、基本特性和主要参数。

本次课堂教学达到预期目的,不少学生通过听讲表现出对电力电子技术课程的兴趣,课堂提问效果较好。

学好该课程需要较好的电子技术、电路方面的基础知识。

第 1 页第 2 次课 3 学时授课时间06.3.1 教案完成时间06.2.23 第一章电力电子器件 1.4 1.5 1.6课题(章节)教学目的与要求:通过该部分内容学习,使学生理解典型的全控型电力电子器件的工作原理、主要参数工程应用情况。

充分了解电力电子器件的驱动方式。

对其它新型器件也有所了解。

教学重点、难点:重点介绍晶闸管、IGBT、电力MOSFET三种应用最为广泛的器件的工作原理及其主要参数和工程应用。

教学方法及师生互动设计:以实际生活中见到的的实例,启发学生对于晶闸管、IGBT、电力MOSFET等器件的应用的理解。

如:调光台灯、风扇无极调速、电磁炉等。

课堂练习、作业:1、P42. 1.22、说出所知道的电力电子器件的名称及其应用场合、工作原理。

电力电子技术第三章 全控型器件的驱动

电力电子技术第三章 全控型器件的驱动

第一节 全控型电力电子器件的驱动
2.专用集成驱动电路芯片 1)驱动电路与IGBT栅射极接线长度应小于1m,并使用双绕线,以提 高抗干扰能力。
图3-9 电力MOSFET的一种驱动电路
第一节 全控型电力电子器件的驱动
3z10.tif
第一节 全控型电力电子器件的驱动
2)如果发现IGBT集电极上产生较大的电压脉冲,应增加栅极串接电 阻RG的阻值。 3)图3-10中外接两个电容为47μF,是用来吸收电源接线阻抗变化引 起的电源电压波动。
图3-6 抗饱和电路
第一节 全控型电力电子器件的驱动
图中VD1、VD2为抗饱和二极管,VD3为反向基极电流提供回路。在 轻载情况下,GTR饱和深度加剧使UCE减小,A点电位高于集电极电 位,二极管VD2导通,使流过二极管VD1的基极电流IB减小,从而减 小了GTR的饱和深度。抗饱和基极驱动电路使GTR在不同的集电极 电流情况下,集电结处于零偏或轻微正向偏置的准饱和状态,以缩 短存储时间。在不同负载情况下以及在应用离散性较大的GTR时, 存储时间趋向一致。应当注意的是,VD2为钳位二极管,它必须是 快速恢复二极管,该二极管的耐压也必须和GTR的耐压相当。因电 路工作于准饱和状态,其正向压降增加,也增大了导通损耗。
图3-2 门极控制电路 结构示意图
第一节 全控型电力电子器件的驱动
(1)开通控制 开通控制要求门极电流脉冲的前沿陡、幅度高、宽 度大及后沿缓。
图3-3 推荐的GTO门极控制 信号波形
第一节 全控型电力电子器件的驱动
(2)关断控制 GTO的关断控制是靠门极驱动电路从门极抽出P2基区 的存储电荷,门极负电压越大,关断的越快。 (3)GTO的门极驱动电路 GTO的门极控制电路包括开通电路、关断 电路和反偏电路。 间接驱动是驱动电路通过脉冲变压器与GTO门极相连,其优点是: GTO主电路与门极控制电路之间由脉冲变压器或光耦合器件实现电 气隔离,控制系统较为安全;脉冲变压器有变换阻抗的作用,可使 驱动电路的脉冲功率放大器件电流大幅度减小。缺点是:输出变压 器的漏感使输出电流脉冲前沿陡度受到限制,输出变压器的寄生电 感和电容易产生寄生振荡,影响GTO的正确开通和关断。此外,隔 离器件本身的响应速度将影响驱动信号的快速

电力电子技术课程教学大纲

电力电子技术课程教学大纲

《电力电子技术》课程教学大纲课程类别:专业基础课程性质:必修英文名称:Power Electronic Technology总学时:64讲授学时:48 实验学时:16学分:3.5先修课程:电路原理、模拟电子技术、数字电子技术适用专业:自动化开课单位:信息工程学院自动化教研室一、课程简介《电力电子技术》是电气工程及其自动化专业、自动化专业本科生的一门专业基础课,是一门理论与应用相结合,实践性很强的课程。

它包括电力电子器件、电力电子变流技术以及以微电子技术和计算机为代表的控制技术三大组成部分。

本课程的目的和任务是使学生熟悉各种电力电子器件的特性和使用方法;掌握各种电力电子电路的结构、工作原理、控制方法、设计计算方法及实验技能;熟悉各种电力电子装置的应用范围及技术经济指标,培养学生的分析问题和解决问题的能力,为《运动控制》等后续课程以及从事与电气工程有关的技术工作和科学研究打下一定的基础。

二、教学内容及基本要求0 绪论(2学时)教学内容:0.1电力电子技术的定义0.2电力电子技术的发展历史(自学)0.3电力电子技术的内涵及其相关工业0.4电力电子技术所研究的基本问题0.5电力电子技术的主要内容0.6本课程的学习方法及考核方法教学要求:1.理解电力电子技术的定义,电力电子技术所研究的基本问题。

2.了解电力电子学科的发展历史、电力电子技术的内涵及其相关工业、电力电子技术的主要内容以本课程的学习方法及考核方法。

授课方式:讲授+自学第一章:电力电子器件(10 学时)教学内容:1.1电力电子器件概述1.2不可控器件——电力二极管1.3半控型器件——晶闸管1.4典型全控型器件1.5其他新型电力电子器件1.6电力电子器件的驱动1.7电力电子器件的保护1.8电力电子器件的串联和并联使用教学要求:1.掌握各种电力电子器件的基本特性、应用场合和使用方法。

2.理解各种全控型器件、半控型器件的工作原理和主要参数选择依据.3.了解典型触发、驱动和缓冲电路的组成、工作原理和特点。

电力电子技术_洪乃刚_第二章电力电子器件

电力电子技术_洪乃刚_第二章电力电子器件

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2、晶闸管的电流参数 通态平均电流和额定电流 通态平均电流IAV国际规 定是在环境温度为40°C和在规定冷却条件下,稳定结 温不超过额定结温时,晶闸管允许流过的最大正弦半 波电流的平均值。晶闸管以通态平均电流标定为额定 电流。 当通过晶闸管的电流不是正弦半波时,选择额定 电流就需要将实际通过晶闸管电流的有效值IT折算为 正弦半波电流的平均值,其折算过程如下: 通过晶闸管正弦半波电流的平均值 :
晶闸管开通和关断过程
晶闸管在受反向电压关断时,反向阻断恢复时间 trr,正向电压阻断能力恢复的这段时间称为正向阻断 恢复时间tgr,晶闸管的关断时间toff=trr+tgr,约为 数百微秒。 (2)dv/dt和di/dt限制 晶闸管在断态时,如果加在阳极上的正向电压上 升率dv/dt很大会使晶闸管误导通,因此,对晶闸管正 向电压的dv/dt需要作一定的限制。 晶闸管在导通过程中,如果电流上升率di/dt很 大 会引起局部结面过热使晶闸管烧坏,因此,在晶闸 管导通过程中对di/dt也要有一定的限制。
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二、电力二极管的伏安特性
当施加在二极管上的正向电压大于UTO 时, 二极管导通。当二极管受反向电压时,二极管仅 有很小的反向漏电流(也称反向饱和电流)。
二极管的伏安特性
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三、电力二极管的主要参数
A、额定电压 B、额定电流 C、结温
电力二极管实物图
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A、电力二极管的额定电压 反向重复峰值电压和额定电压: 额定电压即是能够反复施加在二极管上,二极 管不会被击穿的最高反向重复峰值电压URRM,该电压 一般是击穿电压UB的2/3。在使用中额定电压一般取 二极管在电路中可能承受的最高反向电压(在交流 电路中是交流电压峰值),并增加一定的安全裕量。

电力电子期末考试20套题库电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子期末考试20套题库电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子期末考试20套题库电力电子技术期末考试试题及答案电力电子复习姓名:电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、 _双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

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0
升率为10—50A/μs。
⑤ 关断门极电流脉冲要有一定 的幅度,该幅度与欲关断的 阳极电流的大小和关断增益 βOFF有关。
⑥ 关断脉冲要有一定的宽度, 从而保证可靠关断
GTO的驱动波形
t
2020/8/15
7
1.5.2 GTO的驱动电路——驱动电路实例


V1
VT2
源+
驱 动
E


V2

VT1
开通:晶闸管V1,V2导通, 电源供给GTO门极正向电流,
③ 脉冲要有一定的宽度,对于 开通正脉冲,其持续时间要 为GTO开通时间的数倍以上, 如果负载为电感性,开通正 脉冲的持续时间要大于阳极 电202流0/8/15建立的时间。
GTO的驱动波形
t
6
1.5.2 GTO的驱动电路——要求
iG
对触发电流的波形的要求:
④ 关断门极电流的上升沿要陡,
一般要求关断门极电流的上
2020/8/15
(4)输入信号变0以后,或 者变压器初级电流稳定以 后, IG消失;
5
1.5.2 GTO的驱动电路——要求
iG
对触发电流的波形的要求:
① 开通时门极电流的上升率尽可能
陡,一般取门极电流上升率为
5—10A/μs。
0
② 开通门极电流要具有一定的幅
度,刚开始的强触发阶段要求
门极电流IG为门极直流额定触 发电流IGM的3—10倍,也是为 了缩短开通时间。
2020/8/15
10
1.5.3 GTR的驱动电路——驱动电路
驱动电路举例1
VT截止,GTR基极为负电位,保证可 靠截止;
当输入控制信号为低时,VT饱和导通, GTR基极为两个电源经过电阻分压以后 的电位,可以为正,令GTR饱和导通;
当输入控制信号为高时,VT截止,
负电源可在GTR基极形成负电位,产生 反向电流,加速其关断。关断后 GTR 基极为负电位,保证可靠截止;
1.5 电力电子器件的驱动
1 1.5.1 晶闸管驱动电路 2 1.5.2 GTO驱动电路 3 1.5.3 GTR驱动电路 4 1.5.4 场控器件的驱动电路
1 2020/8/15
电力电子器件驱动电路概述
■驱动电路 ◆是电力电子主电路与控制电路之间的接口。晶闸管的驱动电路 常称为触发电路.
■驱动电路的基本任务 ◆按控制目标的要求给器件施加开通或关断的信号。 ◆对半控型器件只需提供开通控制信号;对全控型器件则既要提 供开通控制信号,又要提供关断控制信号。 ◆驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节,一 般采用光隔离或磁隔离。
2020/8/15
8
1.5.3 GTR的驱动电路——要求
对GTR驱动的要求:
① 在的使幅度GT要R从足阻够断大转,为以导使通得过GT程R中尽,快导IB Ic 通并进入饱和状态,这样可以减少 GTR的开通损耗。
② GTR导通后,必须有一定的基极 电流来维持,这个电流必须GTR 工作在饱和状态,但又不能过大 使GTR进入深度饱和,以免增加 关断GTR的难度,同时基极电流 过大也会使GTR的基极功耗增加, O 这同样是应该避免的。
2020/8/15
放大区 i
b3
i
b2
i
b1
i <i <i
b1 b2 b3
截止区 U
ce
9
1.5.3 GTR的驱动电路——要求
对GTR驱动的要求:
③ 关断GTR的过程中应提供反向基极电流,抽取器件内部 的载流子,使GTR快速关断。
④ 当GTR处于阻断状态时最好在其基极-发射极之间加一定的 反向电压,增加GTR的阻断能力和防止误导通。
电流方向:电源正极,电阻, V1门极,阴极,V2,电源负 GTO 极。电阻限制电流,决定正脉 冲的幅度。
关断:仅仅关断V1和V2不行,必须有反向电流流通的电路。 触发晶闸管VT1、VT2导通,给门极和阴极间加上反向电压, 门极形成反向电流。电流方向:电源正极,VT2,GTO阴极、
GTO门极、电感、VT1,电源负极。其中电感的作用是限制电流的 上升率(VT1和VT2的保护)。
2、随后IG下降到一个较小的数值并维持到脉冲结束,这样有利于减少门极及
驱动电路的功耗。 3、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额,且在门极伏安特 性的可靠触发区域之内。 4、由于晶闸管的阴极与强电回路连接,电压很高,而驱动电路为电压很低的 电2子020/8线/15 路,一般要将两者进行电气隔离,通常采用脉冲变压器或光电耦合器4 。
3 2020/8/15
1.5.1 晶闸管的驱动电路——强触发
阳极A
I
M
I
门极G 阴极K
电电电电
tt
t
t
12
3
4
希望触发电流(控制其开通)IG有以下特点: 0、晶闸管从门极得到正电压到真正进入导通状态需要一定的时间,这一时间称为开通
时间tgt,门极控制电压作用的时间不应小于tgt。
1、脉冲前沿陡峭,并且脉冲刚开始的一段时间有较大的幅度,这样有利于晶闸 管的快速开通(普通应用也可以不要求强触发);
缺点:GTR开通过程中,正向偏置电压 恒定,无法避免过饱和。
2020/8/15
11
1.5.3 GTR的驱动电路——驱动电路
驱动电路举例2
稳态:
u=0时, VT1饱和导通,VT2导通, GTR基极为高,GTR导通,电容 被充电,稳态时,电容上电压左 正右负;
u=1时, VT1截止,VT2截止,电 容通过VT3发射极、R3、-VEE 放 电,GTR截止,稳态时,电容上 电压左负右正;
ID
IC E
R
R1
R
Uin
E
R1
R
E
R1
图 光耦合器的类型及接法 a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型
UoutΒιβλιοθήκη a) 2020/8/15b)
c)
2
电力电子器件驱动电路概述
■驱动电路的分类 ◆按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共 端之间信号的性质,可以将电力电子器件分为电 流驱动型和电压驱动型两类。 ◆驱动电路具体形式可为分立元件的,但目前的 趋势是采用专用集成驱动电路(有的将光耦隔离电 路也集成在内的混合集成电路)。 为达到参数最佳配合,首选所用器件生产厂家 专门开发的集成驱动电路。
1.5.1 晶闸管的驱动电路——强触发
(1)在输入信号为低电平
时,30V电源通过R为C充
电,稳态30V,VD1不通。
(2)输入信号为1时,C
实例电路图
通过变压器,V放电,信 号经过变压器耦合到次级,
P24图1-21
并且电流较大。
(3)当电容放电电压低于 12V后,VD1导通,初级 电流逐渐减少(电压低了) 趋于稳定(达到稳态), 则IG减少;
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