关于几个晶体学术语
晶体的名词解释
晶体的名词解释我不得不承认晶体是奇妙的，是美丽的，它使无数的艺术家为之着迷。
晶体的名词解释：(1)异常晶体：指晶格中某一原子被异常电子或空穴占据而造成晶体缺陷时形成的晶体，也就是非整比化合物。
如碳钢的共析组织、过共析组织和亚共析组织。
(2)另类晶体：指除了具有晶体结构外，还具有单轴晶体的某些特征的晶体，如低温蜡，高温玻璃。
4．等轴晶体：晶体中相邻各晶面互相平行。
2．单轴晶体：指几何对称性一致的晶体，即同一个晶体内的所有晶面都在一个平面内，没有两个完全重合的晶面。
3．单形晶体：由一种原子组成的晶体称为单形晶体，如Na， Rb。
3．复形晶体：由多种原子组成的晶体称为复形晶体，如Ca。
2．位错晶体：晶体中由于晶体滑移(切变)，原子的密度沿其滑移面方向发生变化而形成的晶体称为位错晶体，如Ba。
2．面心立方晶体：具有简单立方结构的单质是面心立方晶体，如金刚石。
2．简单立方晶体：由立方结构的金属组成的晶体称为简单立方晶体，如铝。
2．六方晶系：空间点阵类型属于六方晶系，其晶体中所有相同的晶面与晶向在空间上都呈正交关系。
(1)一轴晶体：指几何对称性一致的晶体，其空间点阵具有如下对称性：具有一个平行于{001}-{010}的一条完整的公共棱，具有两个互相垂直的面，它们互相垂直，具有三个互相垂直的棱。
(2)两轴晶体：几何对称性一致的晶体，但它不是任意的三维晶体，而是处于两个特定的空间点阵类型之间，在三个特定的空间点阵类型中，它们彼此间的差别表现在不同方向的两个基本对称性上。
两轴晶体又分为简单两轴晶体和复杂两轴晶体，前者是指具有一个平行于{001}-{010}的一条完整的公共棱，而后者则是具有两个互相垂直的面。
(3)三轴晶体：几何对称性一致的晶体，且空间点阵具有如下对称性：具有一个平行于{001}-{010}的三条完整的公共棱，具有三个互相垂直的面，它们互相垂直，而且彼此平行。
一个六方晶系点群，其中每个晶胞可以用30个三个轴互相垂直的矢量来表示，三个矢量的空间指向为( -1，0， 0)。
固体物理名词解释总结
固体物理名词解释总结固体物理是研究固体物质性质及其在物理学和工程中的应用的学科领域。
以下是一些常见的固体物理名词和解释：1. 纹波结构（Wavestructure）：固体物质中存在的周期性排列的结构，如晶格结构或周期性的自旋排列。
2. 晶体（Crystal）：具有有序的三维排列的原子、分子或离子的固体物质。
晶体具有定向性和周期性。
3. 非晶体（Amorphous）：没有长程有序结构的固体物质。
非晶体具有随机的结构排列。
4. 晶格（Lattice）：晶体中原子、分子或离子的周期性排列。
晶格是晶体性质的基础。
5. 倍半径（Ionic Radius）：离子半径的测量。
离子半径是指正负电荷中心到离子外部电子排布边缘的距离。
6. 位错（Dislocation）：晶体中存在的原子排列异常或错位的部分。
位错对材料的力学性质和导电性质起着重要作用。
7. 赝势（Pseudopotential）：一种近似描述原子中电子-核子相互作用的计算方法。
赝势可以简化计算，提高计算效率。
8. 激子（Exciton）：由于电子与空穴之间的库伦相互作用形成的粒子。
激子可以通过吸收或发射光子来转换能量。
9. 能带（Energy band）：固体物质中电子能量的禁闭区域。
能带理论用来解释导体、绝缘体和半导体的性质。
10. 考虑自旋（Spintronics）：一种利用电子的自旋来储存和传输信息的技术。
与传统电子学不同，考虑自旋可以提供更高的信息存储密度和更低的功耗。
以上是一些常见的固体物理名词的解释，这个领域还有很多其他的名词和概念。
材料科学基础名词解释(全)
晶体：即内部质点在三维空间呈周期性反复分列的固体.非晶体：原子没有长程的分列,无固定熔点.各向同性等.晶体构造：指晶体华夏子或分子的分列情形,由空间点阵和构造基元构成.空间点整：指几何点在三维空间作周期性的规矩分列所形成的三维阵列,是工资的对晶体构造的抽象.晶面指数：结晶学顶用来暗示一组平行晶面的指数.晶胞：从晶体构造中掏出来的反应晶体周期性和对称性的反复单元.晶胞参数：晶胞的外形和大小可用六个参数来暗示,即晶胞参数.离子晶体晶格能：1mol离子晶体中的正负离子,由互相远离的气态联合成离子晶体时所释放的能量.原子半径：从原子核中间到核外电子的几率散布趋势于零的地位间的距离.配位数：一个原子或离子四周同种原子或异号离子的数量.极化：离子慎密聚积时,带电荷的离子所产生的电厂必定要对另一个离子的电子云产生吸引或排挤感化,使之产生变形,这种现象称为极化.同质多晶：化学构成雷同的物资在不合的热力学前提下形成构造不合的晶体的现象.类质同晶：化学构成类似或邻近的物资在雷同的热力学前提下形成具有雷同构造晶体的现象.铁电体：指具有自觉极化且在外电场感化下具有电滞回线的晶体.正.反尖晶石：在尖晶石构造中,假如A离子占领四面体闲暇,B离子占领八面体闲暇,称为正尖晶石.假如半数的B离子占领四面体闲暇,A离子和别的半数的B离子占领八面体闲暇则称为反尖晶石.反萤石构造：正负离子地位刚好与萤石构造中的相反.压电效应：因为晶体在外力感化下变形,正负电荷中间产生相对位移使晶体总电矩产生变更.构造缺点：平日把晶体点阵构造中周期性势场的畸变称为构造缺点.空位：斧正常结点没有被质点占领,成为空结点.间隙质点：质点进入正常晶格的间隙地位.点缺点：缺点尺寸处于原子大小的数量级上,三维偏向上的尺寸都很小.线缺点：指在一维偏向上偏离幻想晶体中的周期性.规矩性分列而产生的缺点.面缺点：是指在二维偏向上偏离幻想晶体中的周期性.规矩性分列而产生的缺点.弗伦克尔缺点：质点分开正常格点落后入到晶格间隙地位,特点是空位和间隙质点成对消失.肖特基缺点：质点由概况地位迁徙到新概况地位,在晶体概况形成新的一层,同时在晶体内部留下空位,特点是正负离子空位成比例消失.非化学计量缺点：是指构成上偏离化学中的定比定律所形成的缺点.电荷缺点：是指质点分列的周期性未受到损坏,但因电子或空穴的产生,使周期性势场产生畸变所产生的缺点.辐照缺点：指材料在辐照下所产生的构造的不完全性.位错：晶体已滑移部分和未滑移部分的交线.混杂位错：晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不服行滑移偏向的位错.晶界：不合取向的晶粒之间的界面.堆垛层错：是斧正常堆垛次序中引入不正常次序堆垛的原子面而产生的一类面缺点.固溶体：将外来组元引入晶体,占领基质晶体质点地位或间隙地位的一部分,仍保持一个晶相,这种晶体称为固溶体.置换型固溶体：溶质原子位于点阵结点上,替代了部分溶剂原子.间隙型固溶体：溶质原子位于点阵的间隙中.非化学计量化合物：正负离子比例不成固定比例关系的一些化合物.色心：是因为电子抵偿而引起的一种缺点.熔体：特指加热到较高温度才干液化的物资的液体,即较高熔点物资的液体.熔融石英的分化进程：在氧化钠感化下,使架状{sio4}断裂的进程.缩聚：由分化进程产生的低聚合物不是一成不变的,它可以互相产生感化,形成级次较高的聚合物,同时释放出部分氧化钠,这个进程称为缩聚.桥氧.非桥氧：在硅酸盐熔体中,与两个si相连的氧称为桥氧,与一个si相连的氧称为非桥氧.粘度：是流体抵抗流淌的量度.物理意义：指单位面积.单位速度梯度下两层液体间的内摩擦力.硼反常现象：这种因为硼离子配位数变更引起机能曲线上消失转折的现象称为概况张力物理意义：感化于概况单位长度上与概况相切的力.概况能：在恒温恒压下增长一个单位概况积时所做的功.玻璃：由熔体过冷而形成的一种无定形固体.均态核化：假如熔体内部自觉成核,称为~.非均态核化：假如是由概况.界面效应,杂质或引入晶核剂等各类身分安排的成核进程,称为~.依据单键能的大小,可将氧化物分为三类：（1）玻璃收集形成体：其单键强度大于335kj/mol,这类氧化物能单独形成玻璃.（2）收集改变体：单键强度小于250,这类氧化物不克不及形成玻璃,但能改变收集构造,从而使玻璃性质改变.（3）收集中央体：其单键强度介于250~335,这类氧化物的感化介于玻璃形成体和收集改变体之间.界面：相邻两个结晶空间的接壤面.物体概况：晶体三维周期构造和真空之间的过渡区域润湿现象分为：沾湿.浸湿.铺展.接触角小于90,可润湿,大于90,不成润湿扬德方程：粘附功：指把单位粘附界面拉开所需的功.相：体系中具有雷同物理与化学性质的完全平均部分的总和称为相.组元：体系中每一个能单独分别出来并能自力消失的化学纯物资称为组元.自力组元：足以暗示形成均衡体系中各相构成所须要的起码数量标组元称为自力组元.自由度：在必定规模内,可以随意率性改变而不引起旧相消掉或新相产生的自力变量.吉布斯相律：F=C-P+n相律肯定了多相均衡体系中,体系的自由度数.自力组元数.相数和对体系的均衡状况可以或许产生影响的外界影响身分数之间的关系.运用相律可以很快的肯定均衡体系的自由度数量.凝集体系：没有气相或气相影响可疏忽不计的体系称为~.相均衡：当外界前提不变时假如体系的各类性质不随时光而改变,则体系处于均衡状况.相图：依据多相均衡的实验成果,可以绘制成几何图形用来描写这些在均衡状况下的变更关系,这种图形称为~.一致熔熔化合物：是一种稳固的化合物,与正常的纯物资一样具有固定的熔点,熔化时所产生的液相与化合物构成雷同.不一致熔熔化合物：是一种不稳固的化合物,加热这种化合物到某一温度便产生分化,分化的产品是一种液相和一种晶相,二者构成和化合物构成皆不合.可逆多晶改变相图特色：多晶改变温度低于两种晶型熔点.不成逆相反.一级变体之间的改变：不合系列和熔体之间的改变.二级变体间的改变：同系列的不合形态之间的改变,也称高下温型改变.集中：当物资内有梯度消失时,因为热活动而触发的质点定向迁徙即集中.（集中是一种传质进程,宏不雅上表示为物资的定向迁徙,本质是质点的无规矩活动）集中通量：单位时光内经由过程垂直于X轴的单位面积的原子数量.集中系数：单位浓度梯度下的集中通量.稳态集中：集中体系中,空间中随意率性一点的浓度不随时光变更,集中通量不随地位变更.非稳态集中：···,空间随意率性一点的浓度随时光变更,集中通量随地位变更.相变：在外界前提产生变更的进程中,物相于某一特定的前提下产生突变.一级相变：在临界温度.临界压力时,两相化学位相等,但化学位的一阶偏导数不相等的相变.二级相变：相变时化学位及其一阶偏导数相等,而二阶偏导数不相等的相变.集中型相变：在相变时依附原子的集中来进行的相变.无集中型相变：相变进程不消失原子的集中,或虽消失集中,但不是集中所必须的或不是重要进程的相变即为.重构型相变：相变前后有旧键损坏和新键形成,相变所需的能量高.速度慢,此类相变称为.位移型相变：相变时只是原子间键长.键角的调剂,没有旧键损坏和新键形成,相变的能量低,速度快,此类相变称为.成核速度：单位时光单位体积母相中形成新相焦点的数量.晶化速度（长大速度）：单位时光新相尺寸的增长.液相不混溶或玻璃的分相：一个平均的液相或玻璃相在必定的温度和构成规模内有可能分成两个互不消融或部分消融的液相或玻璃相,并互相共存的现象.上坡集中：改变时产生浓度低的向浓度高的偏向集中,产生成分的偏聚而不是成分的均化.集中掌握的长大：新相长大速度受溶质原子的集中速度所掌握.界面掌握的长大：晶体发展取决于分子或原子从熔体中向界面集中与其反向集中之差.固态反响：固体直接介入反响并起化学变更,同时至少在固体内部或外部的一个进程中起掌握感化的反响.固态反响的两个进程：相界面上的化学反响和固相内的物资迁徙.持续反响：在固态反响中,有时反响不是一步完成,而是经由不合的中央产品才最终完成,称为持续反响.当集中速度弘远于化学反响速度时,解释化学反响掌握此进程,称为化学动力学规模.特色是：反响物经由过程产品层的集中速度弘远于接触面上的化学反响速度.泰曼温度：一种反响物开端呈现明显集中的温度.烧结宏不雅界说：粉体原料经由成型.加热到低于熔点的温度,产生凝结.气孔率降低.压缩加大.致密度进步.晶粒增大,成为坚硬的烧结体,这个进程称为烧结.烧结微不雅界说：固体平分子或原子间消失互相吸引,经由过程加热使质点获得足够的能量进行迁徙,使粉末体产生颗粒粘结,产生强度并导致致密化和再结晶的进程称为烧结.固相烧结：是指松散的粉末或经压抑具有必定外形的粉末压坯被置于不超出其熔点的设定温度中在必定的氛围呵护下,保温一准时光的操纵进程.液相烧结：烧结温度超出某一构成的熔点,因而形成液相.初次再结晶：指从塑性变形的.具有应变的基质中,发展出新的无应变晶粒的成核和长大进程.二次再结晶：是坯体中少数大晶粒尺寸的平常增长,其成果是个体晶粒尺寸的增长.。
006_晶体化学中的一些概念和定律
晶体学中的一些概念（术语）和定律晶面角守恒定律有理指数定律（整数定律） Miller 指数（Miller Indices ）
晶体的定向
布拉威定律
即结晶多面体
晶面角守恒定律 晶面的形状和大小随外界条件而变，
但同一品种的晶体的相应晶面（或
晶棱）间的夹角却不受外界条件的
影响，它们保持恒定不变的值.
有理数定律
把相交于一点的三个晶棱当作坐标
轴，把作为单位晶面在坐标 轴上的
截距当作度量单位，则任何晶面在
坐标轴上的截数之比为简单整数比。
有理指数定律
阿羽（Haur ）在1802年提出
在晶体中，选三个不相平行又不共面的晶棱的方向当作坐标轴OI 、OII 和OIII 的方向，并将某一晶面 A 1B 1C 1，在坐标轴OI 、OII 和OIII 上的截距OA 1、OB 1和OC 1定为坐标轴OI 、OII 和OIII 的单位长度，那么，晶体上一切可能出现的晶面（如A 2B 2C 2）的截数比为一简单整数比，即：
式中p 、q 和r 为较小之整数
OA 2 OA 1 OA 2 OA 1
OA 2
OA 1 : : = p:q:s O II。
材料科学基础---名词解释
第一部分名词解释第二章晶体学基础1、晶体结构：反映晶体中全部基元之间关联特征的整体。
晶体结构有4种结构要素，质点、行列、面网、晶胞。
晶体：原子按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列，有固定熔点、|各向异性。
非晶体:原子没有长程的周期排列，无固定的熔点，各向同性等。
空间点阵：指几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列，是人为的对晶体结构的抽象。
晶胞：在点阵中取出一个具有代表性的基本单元（最小平行六面体）作为点，阵的组成单元，称为晶胞。
空间格子：为便于描述空间点阵的图形，可用许多平行的直线将所有阵点连接起来，于是就构成一个三维几何构架，称为空间格子。
2、晶带定律：晶带轴[uvw]与该晶带的晶面（hkl）之间存在以下关系：hu+kv+lw=0。
凡满足此关系的晶面都属于以[uvw]为晶带轴的晶带，故…该关系式也称为晶带定律。
布拉格定律：布拉格定律用公式表示为：2dsinx=nλ(d为平行原子平行平面的间距，λ为入射波长，x为入射光与晶面的夹角)。
晶面间距：两相邻平行晶面间的平行距离。
晶带轴：所有平行或相交于某一晶向直线的的晶面构成一个晶带，该直线称·为晶带轴，属此晶带的晶面称为共带面。
3、合金：两种或两种以上的金属或金属与非金属经熔炼、烧结或其他方法组合而成并具有金属特性的物质。
固溶体：是以某一组元为溶剂，在其晶体点阵中溶入其他组元原子（溶剂原子）所形成的均匀混合的固态溶体，它保持溶剂的晶体结构类型。
>固溶强化：由于合金元素（杂质）的加入，导致的以金属为基体的合金的强度得到加强的现象。
中间相：两组元A 和B 组成合金时，除了形成以A 为基或以B 为基的固溶体外，还可能形成晶体结构与A，B 两组元均不相同的新相。
由于它们在二元相图上的位置总是位于中间，故通常把这些相称为中间相。
&置换固溶体：当溶质原子溶入溶剂中形成固溶体时，溶质原子占据溶剂点阵的阵点，或者说溶质原子置换了溶剂点阵的部分溶剂原子，这种固溶体就称为置换固溶体。
材料科学基础基本概念-名词解释
材料科学基础基本概念-名词解释单晶体：是指在整个晶体内部原子都按照周期性的规则排列。
多晶体：是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同，因此多晶体也可看成由许多取向不同的小单晶体（晶粒）组成点缺陷（Point defects）：最简单的晶体缺陷，在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列。
在空间三维方向上的尺寸都很小，约为一个、几个原子间距，又称零维缺陷。
包括空位vacancies、间隙原子interstitial atoms、杂质impurities、溶质原子solutes等。
线缺陷（Linear defects）：在一个方向上的缺陷扩展很大，其它两个方向上尺寸很小，也称为一维缺陷。
主要为位错dislocations。
面缺陷（Planar defects）：在两个方向上的缺陷扩展很大，其它一个方向上尺寸很小，也称为二维缺陷。
包括晶界grain boundaries、相界phase boundaries、孪晶界twin boundaries、堆垛层错stacking faults等。
空位：晶体中点阵结点上的原子以其平衡位置为中心作热振动，当振动能足够大时，将克服周围原子的制约，跳离原来的位置，使得点阵中形成空结点，称为空位vacancies肖脱基（Schottky）空位：迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置，使晶体内部留下空位。
弗兰克尔（Frenkel）缺陷：挤入间隙位置，在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子。
晶格畸变：点缺陷破坏了原子的平衡状态，使晶格发生扭曲，称晶格畸变。
从而使强度、硬度提高，塑性、韧性下降；电阻升高，密度减小等。
热平衡缺陷：由于热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷称为热平衡缺陷（thermal equilibrium defects），这是晶体内原子的热运动的内部条件决定的。
过饱和的点缺陷：通过改变外部条件形成点缺陷，包括高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照等，这时的点缺陷浓度超过了平衡浓度，称为过饱和的点缺陷(supersaturated point defects) 。
半导体及晶体术语
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
晶体相关知识点总结
晶体相关知识点总结一、基本概念1. 晶体的定义晶体是由原子、离子或分子按照一定的规则排列而形成的固体结构。
晶体具有高度有序性，具有一定的周期性和对称性。
晶体是凝聚态物质的一种主要形式，占据了固态物质的绝大部分。
2. 晶体的种类根据晶体结构的不同，晶体可以分为离子晶体、共价晶体、金属晶体和分子晶体等几种基本类型。
不同类型的晶体具有不同的物理性质和化学性质。
3. 晶体的分类根据晶体的外部形态，晶体可以分为单斜晶、正交晶、菱形晶、六方晶、四方晶、立方晶等几种基本类型。
不同类型的晶体具有不同的外部形态和对称性。
二、晶体结构1. 晶体的晶体结构晶体结构是指晶体中原子、离子或分子的排列方式和规律。
晶体结构可以分为周期性结构和非周期性结构两种形式。
周期性结构是指晶体中原子、离子或分子的排列具有一定的周期性，具有明显的晶格和对称性。
非周期性结构是指晶体中原子、离子或分子的排列没有明显的周期性，没有规则的晶格和对称性。
2. 晶体的晶格晶体的晶格是指晶体中原子、离子或分子所构成的三维空间排列的规则结构。
晶格可以分为周期性晶格和非周期性晶格两种类型。
周期性晶格是指晶格具有明显的周期性，有规则的排列和对称性。
非周期性晶格是指晶格没有明显的周期性，没有规则的排列和对称性。
3. 晶体的晶胞晶胞是指晶体中最小的具有完整晶体结构的基本单位。
晶胞可以分为原胞和扩展晶胞两种类型。
原胞是指晶体中最小的具有完整晶体结构的基本单位，包含了一个或多个原子、离子或分子。
扩展晶胞是指原胞在晶体结构中的重复排列，是构成晶体的基本单位。
三、晶体的生长1. 晶体生长的基本过程晶体生长是指在溶液、熔体或气相中，原子、离子或分子从溶液中萃取并在已生成的晶体上沉积，形成新晶体的过程。
晶体生长的基本过程包括成核、生长和成形几个阶段，成核是指溶液中原子、离子或分子聚集形成晶体的核心；生长是指晶体核心上原子、离子或分子的进一步沉积和排列生长；成形是指晶体的表面形态和结晶过程。