GaAs太阳能电池
《太阳能电池基础与应用》GaAs电池第一讲
AM0, 30.6%
III-V族半导体多结电池
1.0带隙问题
晶格匹配电池
GaInNAs材料与N相关 的本征缺陷多，质量差， 少子扩散长度小。 短路电流小，成为限制 电池（特别是三结电池） 性能的瓶颈因素。（电流 匹配）
III-V族半导体多结电池
晶格应变电池图示
特点:
1）电池间晶格参数不再完 全匹配； 2) 解决了InGaNAs电流限 制的问题；
有隧道结
III-V族半导体多结电池
两结GaInP/GaAs电池
晶格匹配电池
第一款效率超过30%的双结电池(1 个太阳)，Japan Energy, 1997。
2013年, Alta公司将效 率提升至30.8%；柔性 电池。
目前世界纪录是31.1%，美国NREL。
III-V族半导体多结电池
晶格匹配电池
III-V族半导体应用
应用领域
GaAs及III-V族半导体基础
MOCVD
金属有机物化学气 相外延(MOCVD)， GaAs及III-V族太阳 电池的主流制备技 术。
设备原理图
商用衬底
材料制备
设备外观
多片衬底，适合大规模工业生产
GaAs及III-V族半导体基础
电学掺杂
电学掺杂
GaAs及III-V族半导体基础
EQE测量
EQE测量
Chopper EQE vs.
Monochromator equipped with more gratings
EG
单结电池只需要与标准电池(具有已知的量 子效率曲线)响应谱比较即可得到量子效率谱。
思考: 1) 双结电池的量子效率谱如何测量? 2) 三结电池呢？
砷化镓太阳能电池研究报告
砷化镓太阳能电池研究报告英文回答：Research Report on Gallium Arsenide Solar Cells.Introduction:Gallium arsenide (GaAs) solar cells have gained significant attention in recent years due to their high efficiency and potential for use in various applications. In this research report, I will discuss the advantages, challenges, and future prospects of GaAs solar cells.Advantages of GaAs Solar Cells:1. High Efficiency: GaAs solar cells have a higher conversion efficiency compared to traditional silicon-based solar cells. This is due to the direct bandgap of GaAs, which allows for efficient absorption of sunlight and higher energy conversion.2. Wide Spectral Range: GaAs solar cells can convert a broader range of the solar spectrum into electricity, including both visible and infrared light. This makes them suitable for use in space applications where sunlight is limited.3. Temperature Stability: GaAs solar cells exhibit better temperature stability compared to silicon-based solar cells. They can maintain their efficiency even at high temperatures, making them suitable for use in hot climates.4. Flexibility: GaAs solar cells can be fabricated on flexible substrates, allowing for the production of lightweight and flexible solar panels. This makes themideal for applications where weight and portability are important, such as portable chargers and wearable devices.Challenges of GaAs Solar Cells:1. Cost: GaAs solar cells are more expensive to producecompared to silicon-based solar cells. The high cost is mainly attributed to the complex manufacturing process and the use of expensive materials like gallium and arsenic.2. Limited Availability: Gallium and arsenic, the key materials used in GaAs solar cells, are relatively rare and expensive. This limits the availability and scalability of GaAs solar cell production.3. Toxicity: Arsenic, a component of GaAs solar cells, is highly toxic and poses environmental risks during the manufacturing and disposal processes. Proper handling and disposal measures are necessary to mitigate these risks.Future Prospects:Despite the challenges, GaAs solar cells hold great promise for the future of solar energy. Ongoing research and development efforts are focused on addressing the cost and availability issues associated with GaAs solar cells. For example, researchers are exploring alternative materials and manufacturing techniques to reduce productioncosts. Additionally, advancements in nanotechnology may enable the development of more efficient and cost-effective GaAs solar cells.In conclusion, GaAs solar cells offer several advantages over traditional silicon-based solar cells, including higher efficiency, wider spectral range, temperature stability, and flexibility. However, they also face challenges such as high production costs, limited availability of materials, and toxicity concerns. With continued research and technological advancements, GaAssolar cells have the potential to revolutionize the solar energy industry and contribute to a more sustainable future.中文回答：砷化镓太阳能电池研究报告。
砷化镓 前景
砷化镓前景砷化镓（GaAs）是一种半导体材料，具有广泛的应用前景。
以下是砷化镓在不同领域的前景。
1. 光电子学砷化镓是光电子学领域中的关键材料之一。
由于其能隙匹配与光的能量范围，砷化镓被广泛应用于光电探测器、光电二极管、光电倍增管等器件中。
它具有良好的光电转换效率和快速的响应速度，可用于光通信、光纤传感和光电显示等领域。
2. 太阳能电池砷化镓太阳能电池具有光电转换效率高、能量损失小等优点，已成为太阳能领域的热门研究方向。
砷化镓太阳能电池在高光照度和室温下表现出色，并且对光谱范围较宽，可在较高温度下运作。
因此，砷化镓太阳能电池有望成为替代传统硅太阳能电池的高效能源选择。
3. 通信和雷达系统砷化镓在通信和雷达系统中的应用已得到广泛验证。
它具有高频高速度的特性，可用于高速数据传输、卫星通信和雷达系统。
砷化镓集成电路与频率可达60 GHz及以上，可以实现更高效的通信和雷达系统。
4. 微波集成电路砷化镓广泛应用于微波集成电路中。
它的高电子迁移率、高饱和漂移速度和良好的线性特性使得砷化镓电路在射频和微波应用中具有竞争力。
砷化镓微波集成电路可用于无线通信、高速数据处理和雷达系统等领域。
5. 传感器技术由于砷化镓具有高电子迁移率和高饱和漂移速度，它在传感器技术中具有广泛应用前景。
砷化镓传感器对温度、压力、光强度和气体浓度等物理量的检测具有高灵敏度和快速响应的特点，可应用于环境监测、生物医学和军事领域。
总之，砷化镓作为一种优良的半导体材料，在光电子学、太阳能电池、通信和雷达系统、微波集成电路和传感器技术等领域具有广阔的应用前景。
随着科学技术的不断发展，砷化镓的性能和应用将进一步得到优化和拓展。
三结砷化镓太阳电池
三结砷化镓太阳电池一、简介三结砷化镓太阳电池是一种高效的光电转换器件，由三个不同材料的层叠组成。
其中，砷化镓（GaAs）是最常用的材料之一，它具有良好的光电性能和高效率。
这种太阳电池可以在高温和强光环境下工作，并且具有长寿命。
二、结构三结砷化镓太阳电池由三个不同材料的层叠组成，分别是n型砷化镓层、p型磷酸铝层和n型硅层。
其中，n型砷化镓层和p型磷酸铝层形成了第一级pn结，n型硅层和p型磷酸铝层形成了第二级pn结。
这两个pn结之间形成了一个内建电场，在光子作用下可以产生光生载流子。
三、工作原理当太阳辐射到三结砷化镓太阳电池上时，光子被吸收并激发出电子-空穴对。
这些载流子被内建电场分离，并在两个pn结中产生漂移运动。
最终，在外部负载上产生一个电压和电流。
由于三个不同材料的层叠，这种太阳电池具有更广泛的吸收光谱和更高的光电转换效率。
四、优点1. 高效率：三结砷化镓太阳电池具有高达40%的转换效率，是目前最高的太阳电池之一。
2. 高温工作：由于材料的特性，这种太阳电池可以在高温环境下工作，并且不会损失效率。
3. 长寿命：三结砷化镓太阳电池具有长寿命，可以在20年以上的时间内保持高效率。
4. 宽谱响应：由于三个不同材料的层叠，这种太阳电池可以吸收更广泛的光谱，从紫外线到红外线。
五、应用1. 航空航天：由于其高温工作和长寿命特性，三结砷化镓太阳电池被广泛应用于航空航天领域。
2. 大型光伏系统：这种太阳电池也被用于大型光伏系统中，以提高整个系统的发电效率。
3. 军事领域：由于其宽谱响应和高效率，三结砷化镓太阳电池也被用于军事领域，例如用于卫星电源等。
六、总结三结砷化镓太阳电池是一种高效、高温工作、长寿命、宽谱响应的光电转换器件，具有广泛的应用前景。
随着科技的不断发展，相信这种太阳电池将会在更多领域得到应用。
《太阳能电池基础与应用》GaAs电池第二讲
电池效率表LM？ MM? IMM?基础知识LM、MM、IMM定义LM、MM、IMM定义LM：晶格匹配电池(子电池晶格匹配) MM：晶格应变电池(子电池晶格 不全匹配) MM：逆向晶格应变电池 (子电池晶格不全匹配+反 向生长)LM：晶格匹配电池MM：晶格应变电池 1.0 eV IMM：逆向晶格应变电池基础知识什么是聚光光伏基础知识什么是聚光光伏聚光光伏概念分类: 高倍聚光：聚光比大于100倍； 中度聚光：聚光比介于10和 100倍之间； 低倍聚光：聚光比小于10。
优点: 通过菲涅耳透镜, 将入射光汇聚 — 光强 大幅增加； 单位面积电池片能量输出大幅度增加 — 降低电池发电成本（以空间换成本）。
基础知识什么是聚光光伏聚光比越大效率越高？出现最佳聚光比的原因: 串阻的影响；串阻功率损耗：I2R； 温度的影响; 电池温度系数为负, 温度 越高, 效率越低; 隧道结影响：隧道结峰值电流一旦小 于电池光电流, 会有较大的电阻贡献。
理想状况短路电流与开路电压: I’SC = X ISC 隧道结I-V曲线 效率与聚光比关系聚光电池进展三结电池基于Ge底电池的三结LM及MM电池 晶格应变电池：利用了Ge衬 底及Ge底电池，但GaInP及 InGaAs子电池晶格参数略大于 GaAs，同时带隙略小于LM结 构中相应子电池的带隙。
美国Spectrolab，2007晶格匹配电池晶格应变电池聚光电池进展三结电池基于Ge底电池的三结LM及MM电池效率首次突 破40大关！聚光电池进展三结电池基于Ge底电池的改进三结MM电池 顶、中电池带隙略为变 小(MM2)，效率更高！ Fraunhofer, 2009。
聚光电池进展三结电池基于InGaNAs底电池的三结LM电池 考虑到聚光光学系统会大 幅度增加红外波段损耗，设 计时优化了各子电池的厚度， 使底电池设计短路电流更大； 电池电流更匹配。
43.5%，400-600倍聚光。
半导体GaAs太阳能电池制备
半导体GaAs太阳能电池制备一：GaAs材料简介1：GaAs材料做太阳能电池的优势：GaAs材料有良好的吸收系数，在波长0.85μm一下，GaAs的光吸收系数急剧升高，达到104 cm-1以上，比硅材料要高一个数量级，而这正是太阳光谱中最强的部分。
因此，对于GaAs太阳能电池而言，只要厚度达到3μm，就可以吸收太阳光谱中约95％的能量。
GaAs太阳能电池的抗辐射能力强，有研究指出，经过1×1015cm-2的1MeV的高能电子辐射，高效空间硅太阳能嗲吃的效率降低为原来的66％，而GaAs太阳能电池的效率仍保持在75％以上。
显然，GaAs太阳能电池在辐射强度大的空间飞行器上有更明显的优势。
2：GaAs材料的能带结构：图1.11GaAs的能带结构由图1.1可以看出，它的导带的极小值位于K=0处，等能面是球型等能面。
导带底电子有效质量是各向同性的。
3：GaAs材料具有负阻特性。
这是因为，GaAs的[100]方向上具有双能谷能带结构，除K=0处导带有极小值外，在[100]方向边缘上存在另一个比中心极小值仅高0.36eV的导带极小值，因此电子可处于主，次两个能谷。
在室温下，主能谷的电子很难跃迁到次能谷中去，因为室温时电子的平均热能约为0.026eV。
但电子在主能谷中有效质量较小，迁移率大，而在次能谷中有效质量大，迁移率小，且次能谷中的状态密度又比主能谷大。
一旦外电场超过一定的阈值，电子就能由迁移率大的主能谷转移到迁移率小的次能谷，从而出现电场增大，电流减小的负阻现象。
【1】4：GaAs材料特征。
GaAs材料在室温下呈暗灰色，有金属光泽，较硬，性脆，相对分子质量为144.64；在空气或水蒸气中能稳定存在；但在空气中，高温600 度时可以发生氧化反应，高温800度以上可以产生化学离解，常温下化学性质也很稳定，不溶于盐酸，但溶于硝酸和王水。
【2】和其他三五族化合物半导体能带结构的一些共同特征。
因为闪锌矿和金刚石型结构类似，所以第一布里渊区也是截角八面体的形式。
砷化镓太阳能电池发展趋势
转化效率
砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想 的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效 单结电池。
砷化镓太阳能电池的发展趋势
目前的发展情况
在2008年，全球的砷化镓电池的生产取得突破性的发展，4 月，作为砷化镓生产的全球主要厂家之一SpectroLab，获 得350兆瓦，9300万美元（1000倍聚光）的电站订单。
制备方法
砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种磊晶圆的直径通常为4—6英寸，比硅晶圆的 12英寸要小得多。磊晶圆需要特殊的机台，同时砷化镓原材料成本高出硅很多， 最终导致砷化镓成品IC成本比较高。磊晶目前有两种，一种是化学的MOCVD，一 种是物理的MBE。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用MOVPE和LPE技术， 其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错，反应压力，III-V比率，总流量等 诸多参数的影响。 GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。 用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右) ，产品耐高温和辐射， 但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。
2007年8月开始，由于聚光技术的采用，砷化镓电池从卫星 上的使用转变为聚光的太阳能发电站的规模应用。为此， Emcore公司花了1000万美元，将产能增加到目前的每年 150兆瓦。 在东亚地区，也有初步的生产推广，2008年5月，韩国电站 就接到70兆瓦，2800万美元（500倍聚光）的订单。
目前应用
砷化镓太阳能电池发展趋势
目录
一、砷化镓太阳能电池简介 定义及制造方法 制备方法 转化效率 二、砷化镓太阳能电池的发展趋势 目前发展情况 目前应用 发展趋势和壁垒
gaas量子阱太阳能电池转换效率的计算
近年来，太阳能电池作为清洁能源的重要组成部分，受到了越来越多的关注。
而在太阳能电池中，基于gallium arsenide (GaAs) 材料的量子阱太阳能电池因其优异的光电转换性能备受青睐。
对于这种高效率的太阳能电池，其转换效率是评价其性能优劣的重要指标之一。
本文将从深度和广度的角度探讨如何计算GaAs量子阱太阳能电池的转换效率，并对该主题作全面的评估和解析。
1. GaAs量子阱太阳能电池的基本原理GaAs量子阱太阳能电池是一种基于III-V族化合物半导体材料的太阳能电池。
其工作原理是通过光吸收和电子-空穴对的形成来转化太阳能光子能量为电能。
量子阱的引入可以有效地提高电子和空穴的迁移率，从而提高光电转换效率。
2. 计算GaAs量子阱太阳能电池转换效率的方法要计算GaAs量子阱太阳能电池的转换效率，首先需要考虑光吸收效率、载流子的输运和捕获过程、以及光电转换效率等多个因素。
其中，光吸收效率与量子阱的材料结构、厚度以及光谱响应等有关；载流子的输运和捕获过程则与材料的电学性能、结构设计等因素密切相关；而光电转换效率则取决于载流子对的寿命和输运长度等因素。
综合考虑这些因素，并通过数值模拟和实验数据拟合等方法，可以得到GaAs 量子阱太阳能电池的转换效率。
3. 个人观点和理解作为一名专注于太阳能电池研究的文章撰写手，我对GaAs量子阱太阳能电池的转换效率计算也有一些个人的见解。
在我看来，要提高GaAs量子阱太阳能电池的转换效率，除了优化材料和结构设计外，还可以通过提高光吸收效率、减小载流子的捕获和复合过程、以及改善光电转换效率等途径来实现。
将量子阱太阳能电池与其他光伏技术相结合，也是提高转换效率的重要途径之一。
在本文中，我们对GaAs量子阱太阳能电池的转换效率进行了全面评估和解析，探讨了其计算方法和影响因素，并共享了个人的观点和理解。
希望本文能为读者提供一些有价值的信息和思考，促进太阳能电池领域的进一步研究和发展。
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GaAs太阳能电池李永富太阳光辐射主要是以可见光为中心，分布于0.3微米至几微米光谱范围，对应光子能量0.4eV~4eV之间，总体来说，理想太阳能电池材料需要具备：能带在1.1eV~1.7eV之间(对应光波长范围0.73~1.13μm)直接能带半导体组成材料无毒性可利用薄膜沉积技术且可大面积制备有良好的光电转换效率具有长期稳定性GaAs是典型的III-V族化合物半导体材料，具有直接能带隙，带隙宽度为1.42eV（300K），可以良好的吸收太阳光，因此，是很理想的太阳能电池材料。
GaAs材料的主要特点：光吸收系数高。
GaAs太阳能电池的有源区厚度多选取5um 左右，就可以吸收95%的太阳光谱中最强的部分。
带隙宽度与太阳光谱匹配。
GaAs的带隙宽度正好位于最佳太阳电池材料所需要的能隙范围，具有更高的理论转换效率。
耐高温性能好。
GaAs 太阳能电池效率随温度升高降低比较缓慢，可以工作在更高的温度范围。
抗辐照性能强。
GaAs 是直接带隙材料，少数载流子寿命较短，在离结几个扩散度外产生损伤，对光电流和暗电流均无影响，因此，GaAs 太阳能电池具有较好的抗辐照性能。
多结叠层太阳电池的材料。
由于III-V族三、四元化合物（GaInP、AlGaInP、GaInAs等）半导体材料生长技术日益成熟，使电池的设计更为灵活，从而大幅度提高太阳电池的效率并降低成本。
GaAs基太阳能电池基本上可分为单结和多结叠层式太阳能电池两类，如图1所示。
对于单结GaAs太阳能电池，根据其生长方式的不同又可以分为LPE GaAs及MOVPE GaAs太阳能电池，衬底可选用GaAs或Ge，不过GaAs是直接带隙材料，光吸收系数大，有源层厚度只需3微米左右，所以原则上在生长好GaAs电池后，可以选择把衬底完全腐蚀掉，只剩下5 微米左右的有源层，从而制成超薄GaAs电池，这样就可以获得很高的单位质量比功率输出。
目前超薄(UT)GaAs电池的比功率可达670W/kg，而100微米高效Si电池的比功率仅为330W/kg。
但是，无论如何，单结也只能吸收和转换特定波长范围内的太阳光，其理论效率也只有27%，为提高能量转换效率，可以将太阳光光谱分成连续的若干部分，用能带宽度与这些部分有最好匹配的材料做成电池，并按带隙的不同从大到小的顺序从上到下叠合起来，选择性吸收和转换太阳光光谱的不同子区域，这就有可能最大限度地将光能变成电能，这样的电池结构就是叠层电池。
叠层太阳能电池的制备可以通过两种方式得到，图2所示。
一种是机械堆叠法，先制备出两个独立的太阳能电池，一个是高带宽的，一个则是低带宽的，然后把高带宽的堆叠在低带宽的电池上面，这种方式需要分别制备多个子电池，然后再进行堆叠，体积受到限制，但是无需进行电流匹配，也不再需要考虑晶格匹配；另一种是单片式多结电池，先制备出一个完整的太阳能电池，再在第一层电池上生长或直接沉积在第一层电池上面，这种电池结构紧凑，便于集成，但是对衬底材料质量要求高，图1 GaAs 基太阳能电池分类图2 机械叠层式多结电池(左)和单片式多结电池(右)且必须要考虑各外延层的晶格失配问题。
多结GaAs太阳能电池技术已经成为国内外研究的主流，2009年，比利时IMEC展示了其最新的机械叠层GaAs/Ge多结太阳能电池，据称其机械叠层的GaAs/Ge多结太阳能电池转换率直指40%以上，电池制备过程中，首先制造锗电池以及单独的引出端，然后将GaAs子电池集成在该锗电池之上，各自分离的引出端可以用来单独提取某个子电池的电流，降低了对电流匹配的需求，由于不同材料并非依次生长在底层材料之上，因此也无需进行晶格匹配。
目前对于这种机械叠层多结太阳能电池的研究还较少，主要还是采用单片叠层式，如德国Azurspace公司已经具有了单片式GaInP/GaAs/Ge 三结太阳能电池的批量生产能力，产品级别(27%，28%，30%)，产品采用Ge衬底。
美国Spectralab 及Emcore等公司的三结GaInP/GaAs/Ge也具有了批量生产能力。
其部分最新产品的参数如表1所示[各公司网站产品]。
表1. 美国Spectralab、Emcore公司及德国Azurspace公司三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池相关参数[注] GaInP2为三元化合物Ga0.51In0.49P的简称福建三安是目前国内GaAs基太阳能电池生产的领跑者，其聚光光伏发电系统采用GaInP/GaAs/Ge多结太阳能电池，主要采用MOCVD技术在Ge衬底上进行外延层的生长。
并对GaAs/Ge 多结太阳能电池外延片生长的一系列基础关键技术进行了研究，包括：解决非极性－极性外延问题,在Ge衬底上成功外延生长GaAs；抑制GaAs-Ge界面可能出现的“活性结”；外延结构设计，并探索各外延层的厚度、载流子浓度、表面形貌、厚度均匀性、组份均匀性等结构参数与生长室压力、生长温度、V/Ⅲ比、源流量、衬底托盘旋转速率等MOCVD生长工艺参数之间的关系。
GaAs/Ge多结太阳能电池外延片生长的批生产技术，包括均匀性、重复性、产能、成品率等批量生产工艺研究。
整个太阳电池制作过程包括电池结构的设计、各层电池材料的外延生长和电池的后续工艺制作三个最基本环节，然后是太阳能电池性能测试，并根据相关性能进行结构及生长条件的优化。
一．G aAs太阳能电池的制作多结太阳能电池的结构设计以及外延材料的生长是电池制备中非常重要的环节，国内对这方面的研究单位主要有中国科学院西安光学精密机械研究所，四川大学，上海交通大学等，目前武汉光电国家实验室也在进行相关的研究，外延材料的生长主要采用MOCVD技术，多结电池结构多采用GaInP2/GaAs/Ge级联式。
1．GaAs太阳能电池结构设计及外延生长以GaInP2/GaAs双结电池为例进行分析，电池由宽禁带的顶电池、隧道结和窄禁带的底电池三部分依次串联而成，如图3所示。
顶电池用于吸收太阳光谱中的短波部分、低电池用于吸收太阳光谱中的长波部分，隧道结用于对各子电池进行电流匹配。
图3. NREL公司GaInP2/GaAs双结太阳能电池图3和图4所示的是美国NREL先后开发的光电转换效率分别是27.3%(AM1.5)和29.5%(AM1.5)GaInP2/GaAs级联电池。
这两种都是用MOCVD法生长，III族元素气源是TMIn，TMGa，TMAI，V族元素气源是AsH3，PH3，掺杂剂是DEZn和H2Se。
图3的电池其生长温度Tg=700℃，GaInP2(AlInP2,)的生长速率是80-100nm/min, V/III是30；GaAs(AlGaAs)120-150nm/min V/III是35。
GaAs隧道结生长速率40nm/min。
该电池的两个子电池的基区掺杂水平是2×1017cm-3。
发射层、窗口层Se掺杂水平是1018cm-3，而GaAs隧道结的掺杂浓度是1019cm-3左右。
级联电池的短路电流J SC=13 .6mA/cm2，开路电压V OC=2.29V，填充因子FF=0.87，电池面积是0.25cm2，顶电池带宽Eg=1.85eV。
图4电池生长工艺与图3相似。
该电池的参量J SC =16.4mA/ cm 2，开路电压Voc =2.398V ，填充因子FF=0.882。
这个电池与图3电池相比，有三大技术突破:栅线设计、顶电池上表面钝化和两个子电池背面钝化。
对栅线，在保证FF 无损失的情况下，将栅线接触面积从4.9%减小到1.9%(指占电池总面积)，并使效率提高了0.8%；第二就是用较高质量的AlInP 窗口层作顶电池上表面钝化层。
由于太阳光的短波部分主要在顶电池的表面被吸收，如果顶电池窗口层的质量较差，则器件在蓝光尾部波长范围内的量子效率会降低，这大约会造成顶电池电流10%的损失；第三就是用背电场(BSF)层作顶底子电池的背面钝化层。
BSF 层用来减小界面复合，提高入射光子的利用率。
而界面复合会减小基区的载流子浓度，导致电池暗电流增大。
图5为日本学者在1997年开发出的转换效率达30.28%的GaInP 2/GaAs 级联电池。
采用立式旋转托盘MOCVD 设备，衬底材料是掺锌的GaAs(100)5°(110)，以TMIn ，TMGa ，TMAs 为III 族源，以AsH 3，PH 3为V 族源，以H 2Se, DEZn 为掺杂剂。
GaInP 2生长速率为2.5μm/h 。
GaAs 底电池包括p+-InGaP BSF 层、p-GaAs 基区、n+-GaAs 发射区和n+-AIInP 窗口层。
InGaP 顶电池则包括p+-AlInP/p+-GaInP BSF 层、p-InGaP 基区，n-InGaP 发射区和n+-AlInP 窗口层。
作者采用时间分辨光致发光谱估计p-InGaP 基区的少子寿命约10-50ns ，n-InGaP 发射区和n+-AlInP 窗口层界面复合速率约5800cm/s 。
另外该级联电池采用AlInP-GaInP 双异质结构隧道结，也即n+-AlInP/ n++-InGaP/ p++-GaInP/p+-AlInP 多层结构。
研究表明，AlInP-GaInP 双异质结构使GaInP 隧道结的峰值电流密度从5mA/cm 2，增加到400mA/cm 2。
级联电池的上下电极分别采用Au-Ge/Ni/Au 和Au 材料。
顶电极栅线设计面积小于2%，MgF 2/ZnS 双层抗反膜在波长400-900nm 范围内反射率小于2%。
在室温和100mW/cm 2，光强下，测得电池的短路电流密度图4. NREL 公司改进型GaInP 2/GaAs 双结太阳能电池结构参数J SC=14.22mA/cm2，开路电压V OC=2.488V，填充因子FF=0.856，转换效率Eff=30.28%，性能良好。
图5. GaInP2/GaAs双结太阳能电池根据以上分析可知，GaAs多结太阳能电池的结构设计主要包括GaInP2顶电池、GaAs电池，以及隧道结的设计，相对于GaAs衬底材料，Ge具有更低的成本，更高的机械强度，且可以极大地提高太阳能光谱的利用率。
如果采用Ge衬底，需引入Ge底电池以实现三结电池的制备，则还需要考虑Ge 电池的设计以及GaAs/Ge界面的控制。
图6. 三结GaAs太阳能电池对太阳光谱的利用率图7. GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池鉴于公司目前该方面经验的欠缺，建议借鉴国内同行的研究，从Ge底电池的开始，对其中的一系列关键技术进行研究。
以美国Emcore公司的三结太阳能电池为例，包括(1) 多结太阳电池结构材料的MOCVD工艺生长控制技术研究(各外延层的厚度、载流子浓度、表面形貌、厚度均匀性、组份均匀性等结构参数与生长室压力、生长温度、V/III比、源流量、衬底托盘旋转速率等MOCVD生长工艺参数之间的关系)。