整流二极管模块MDC182A

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常用整流二极管技术参数

常用整流二极管技术参数

常用整流二极管技术参数
1.最大正向峰值电流(ITAVM):它是指整流二极管在恒定的正向电压下可以安全的承受的最大峰值电流。

2.最大逆向峰值电流(ITAV):它是指整流二极管可以安全承受的最大逆向峰值电流。

3.最大正反向击穿电压(VBR):它是指整流二极管的正反向击穿电压,它决定了整流二极管可以正反向受到的最大电压承受度。

4.最大正向峰值电压(VRRM):它是指整流二极管可以安全的承受的最大正向峰值电压。

5.最大正向浪涌电流(IFSM):它是指整流二极管可以承受的最大的短暂的正向电流,它可以帮助在应用中有效的降低过流保护的要求。

6.最大正向持续电流(IFM):它是指整流二极管在给定的温度条件下可以持续的承受的最大正向电流。

7.最大反向持续电流(IRM):它是指整流二极管可以持续承受的最大反向持续电流。

8.最大正向漏电流(IFRM):它是指整流二极管在给定的正向电压条件下所能发射的最大漏电流。

9.最大反向漏电流(IRRM):它是指整流二极管在给定的反向电压条件下所能发射的最大漏电流。

10.最大热阻(Rth):它是指整流二极管可以安全的承受的最大的热阻。

5822二极管参数

5822二极管参数

5822二极管参数5822二极管,也叫做狭缝二极管,是一种恒流放大器,于1953年由R.N.Hall和D.A.James,他们在埃克斯维尔大学研究所开发出来的。

由于其狭缝结构,它的性能优于普通二极管,并且被用于模拟电路中处理信号的放大,以提高信号的信噪比。

5822二极管有许多参数,这些参数在不同的应用中起着重要的作用,从而影响了整个电路的性能。

5822二极管的主要参数包括:放大器的静态电流、放大器的增益带宽特性、放大器的偏置和稳定特性、放大器的热特性、放大器的输出阻抗、放大器的输入阻抗、电流池输入阻抗等。

首先,关于5822二极管的静态电流,一般来说,它的静态电流可以由其静态电压以及采用的功率放大器来确定。

在使用普通功率放大器时,它的静态电流一般在3mA ~ 6mA之间;而使用精密功率放大器时,它的静态电流可以达到10mA。

其次,5822二极管的增益带宽特性,它的增益带宽特性是根据信号的频率范围而定的。

通常来说,它的增益带宽特性取决于器件的类型,通常大于500KHz,但有的器件的增益带宽特性可以达到40MHz。

紧接着,5822二极管的偏置和稳定特性,它的偏置特性是该器件本身的参数,它受到功率放大器的影响。

关于稳定,一般来说,5822二极管具有较好的稳定性,可以达到低于1dB的稳定性。

接下来,5822二极管的热特性,与其它二极管器件的热特性一样,它的热特性将器件的温度影响信号的流量。

一般来说,它的热特性较好,可以根据不同温度环境而调节。

之后,5822二极管的输出阻抗,它的输出阻抗受到器件的过电流和热特性的影响。

一般来说,它的输出阻抗为50V ~ 70V,可以根据不同的应用环境选择不同的输出阻抗。

其次,5822二极管的输入阻抗,由于它所采用的功率放大器的性能有限,它的输入阻抗一般为800k ~ 1.2MΩ,可以根据不同的应用环境来要求不同的输入阻抗。

最后,5822二极管的电流池输入阻抗,它的电流池输入阻抗一般为200Ω~400Ω,可以根据不同的应用环境来要求不同的输入阻抗。

常用整流二极管常用整流二极管参数

常用整流二极管常用整流二极管参数

常用整流二极管常用整流二极管参数最大正向电压(VF)指的是整流二极管在正向导通时的最大电压值。

它是整流二极管正常工作时所能承受的最大电压。

一般情况下,VF的典型值为0.7V。

如果超过最大正向电压,整流二极管可能会被击穿或烧毁。

最大正向电流(IFM)指的是整流二极管能够连续承受的最大电流值。

它是整流二极管正常工作时所能够通过的最大电流。

通常来说,整流二极管的IFM值较高,可以达到几十安培甚至几百安培。

最大反向电压(VRM)指的是整流二极管能够承受的最大反向电压值。

它是整流二极管在反向失效时所能够承受的最大电压。

如果反向电压超过最大值,整流二极管可能会被击穿或烧毁。

一般来说,VRM的典型值为几十伏特。

最大反向电流(IRM)指的是整流二极管在反向导通时所能够承受的最大电流值。

它是整流二极管在反向失效时所能够通过的最大电流。

通常情况下,IRM的值相对较小,一般为几百毫安。

正向压降(VF)是整流二极管在正向导通时的电压降。

它是整流二极管正常工作时的特性之一、正常情况下,VF的值为0.7V,不同的整流二极管类型和材料可能会有略微不同。

反向恢复时间(TRR)是指整流二极管从正向导通到反向失效,再到再次正向导通之间所需的时间。

TRR可以影响整流二极管的正常工作速度和效率。

一般来说,TRR的值越小,整流二极管的反向恢复速度越快。

除了以上参数,整流二极管还有一些其他常见的参数,如最大正向功耗(PD)、最大逆向耗散功耗(PRM)、击穿电压(VBR)、正向导通电阻(Rθjc)等。

这些参数通常在整流二极管的数据手册或规格表中可以找到,用于指导使用者在设计和选择电路时进行合适的选型和配置。

整流二极管的参数

整流二极管的参数

整流二极管的参数整流二极管是一种常见的半导体器件,用于将交流电转换为直流电。

它具有许多重要的参数,以确保正常工作和应用。

以下是一份2000字的整流二极管参数的详细解释。

1. 正向导通电压(VF):正向导通电压是整流二极管的一个重要参数,表示在正向工作时,需要施加在二极管两端才能开始导通的电压。

通常表示为VF,单位为伏特(V)。

2. 正向峰值电流(IFM):正向峰值电流是整流二极管正向电流的最大允许值。

超过这个数值,整流二极管有可能发生损坏。

通常表示为IFM,单位为安培(A)。

3. 反向击穿电压(VRM):反向击穿电压是整流二极管在反向电压下发生击穿的最大允许值。

当反向电压超过这个数值,整流二极管将会损坏。

通常表示为VRM,单位为伏特(V)。

4. 最大工作温度(Tj max):最大工作温度是整流二极管可以安全工作的最高温度。

超过这个温度范围,整流二极管的性能将会下降甚至发生故障。

通常表示为Tj max,单位为摄氏度(℃)。

5. 正向导通电阻(RD):正向导通电阻表示整流二极管在正向导通状态下的电阻大小。

通常低于几十欧姆。

6. 反向漏电流(IR):反向漏电流是指在整流二极管反向电压下,从外壳到端子的反向漏电流。

通常表示为IR,单位为安培(A)。

7. 峰值反向重复电压(PRV):峰值反向重复电压是整流二极管可以承受的最大反向电压峰值。

8. 反向恢复时间(trr):反向恢复时间是指整流二极管在正向导通至反向封锁状态转换时的时间。

通常表示为trr,单位为纳秒(ns)。

9. 最大导通电流(IF max):最大导通电流是指整流二极管在正向导通状态下的最大允许电流。

超过这个电流,整流二极管有可能发生过载和损坏。

10. 最大反向电流(IR max):最大反向电流是指整流二极管在反向电压下的最大允许漏电流。

超过这个电流,整流二极管有可能发生损坏。

以上就是关于整流二极管的一些重要参数的详细描述,这些参数对于选择和应用整流二极管非常重要,希望这些信息可以对你有所帮助。

防逆流二极管MD135

防逆流二极管MD135

结温 T(j ℃) 最小
150 150 150 600
150 150 150
ITM=210A 180°正弦半波,单面散热 180°正弦半波,单面散热 50HZ,R.M.S, t=1min Iiso:1mA(max)
与散热器固定
150 25
2500
-40
M225
参数值 典型
1600
1.2
4.0±15% 5.0±15%
150
最大 135 173 2200
5 3.90 77.5 0.80 1.58 1.3 0.31 0.20
125
单位
A
A
V
mA
KA 103A2S
V mΩ
V ℃/W ℃/W
V N·m N·m
℃ g杭州西整电力电子科技源自限公司Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
防反二极管模块
Diode Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘,2500V 交流绝缘 ■优良的温度特性和功率循环能力 ■国际标准封装 ■符合 CE、Rohs 认证
typical application
■光伏发电防反应用 ■交直流电机控制 ■电机软启动 ■各种整流电源
MD135A
IF(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
135A 600~2200V 3.90 KA 77.5 103A2S
符号
参数
IF(AV)
通态平均电流
IF(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM IFSM
I2t VFO RF VFM Rth(j-c) Rth(c-h)

LP20R100S高性能副边同步整流驱动芯片说明书

LP20R100S高性能副边同步整流驱动芯片说明书

概述
LP20R100S 是一款高性能高耐压的副边同步整流控制芯片,适用于AC-DC 的同步整流应用,适用于正激系统和反激系统。

LP20R100S 支持DCM ,BCM ,QR 和CCM 多种工作模式。

特点
⏹ 隔离型的同步整流控制应用 ⏹ 适用正激和反激系统
⏹ 兼容DCM ,BCM ,QR ,CCM 多种工作模式 ⏹ 100V 功率管耐压
图2 LP20R100S 正激典型应用图
定购信息
极限参数(注1)
电气参数(注4, 5)(无特别说明情况下,V
=6 V,T A =25℃)
CC
内部结构框图
电容充电,输出电压上升。

LP20R100S通过D脚
连接输出电压,当输出电压上升时,经过芯片内部供电电路,给VCC电容充电,当VCC的电压充到开启阈值电压时,芯片内部控制电路开始工作,MOS正常的导通和关断。

MOS正常的导通时,电流不再从体二极管流过,而从MOS的沟道流过。

同步整流管关断
为了避免同步整流管导通时,因激磁振荡幅度较大,导致误检测关断信号,使同步整流管异常的关断;LP20R100S通过设置最小死区时间以及设
定的整流管关断第一电压阈值和第二电压阈值,能准确地判断同步整流管的关断。

保护功能
LP20R100S集成了VCC欠压保护,过压钳位,以及驱动脚去干扰等技术。

PCB设计
在设计LP20R100S PCB时,需要遵循以下指南:主功率回路走线要短粗;
VCC旁路电容紧靠芯片VCC管脚和GND管脚;D引脚的铺铜面积适当大些以提高芯片散热。

封装信息。

固特控制技术 MDC300A MDA300A MDK300A MD300A整流管模块 说明书

GOLD CONTROL固特控制技术有限公司Power Diode/ Diode Modules整流管模块特 性:●国际标准封装●压接结构,优良的温度特性和功率循环能力主要用途:●低通态压降≤1.35●直流屏●引线端与底板电气绝缘,2500V 交流电压●变频器●阻断电压高达1600V ●直流充电电源●高达12倍抗浪涌能力●直流电动机●安装方便●各种整流电源●环保产品(符合ROHS 要求)结温T j (℃)最小典型最大单面散热,Tc=100℃I F(RMS)150471A I RRM 15020mA I FSM 10ms 底宽,正弦半波,15012500A I 2t V R =0.6V RRM797A 2S *103V FO 0.75V r F 0.55m ΩV FM I FM =900A251.35V Rth(j-c)0.130℃/W Rth(c-h)0.04℃/W V iso 50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max)2500V 4.5N ·m 3.0N ·m T stg -40125℃W t940g固特电力半导体模块通过欧盟CE 、ISO9001、符合ROSH 认证企业Page 5of 12007-01产品热线:TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ :453742705Email:***************** 移动电话Mobile :139****0504MDC MDA MDK MD180°正弦半波,50HZ V RsM=V RRM +200V15060016002500V 主要技术参数MDC300A MDA300A MDK300A MD300A正向有效值电流参数符号测试条件参数值正向平均电流150斜率电阻门槛电压单位正向不重复浪涌电流反向重复峰值电流V RM =V RRM300A V RRM I F(AV)重量正向峰值电压热阻抗(结至壳)180°正弦半波,单面散热热阻抗(壳至散)180°正弦半波,单面散热绝缘电压Gold Power贮存温度V RRM tp=10ms 150安装扭矩(M5)Fm 安装扭矩(M6)浪涌电流平方时间积反向重复峰值电压MDCMDAMDKMD字母c :串联K:共阴器件类别: A :共阳Q:单相全桥D: 普通整流管S:三相全桥G:三相共阳半桥T :普通晶闸管 Y :三相共阴半桥F :D 和T加()为混合型器件顺序单位:mmMD图1图2Page 5of 22007-01产品热线:TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ :453742705Email:*****************移动电话Mobile :139****0504内部电路 circuit外 形 尺 寸 max115mm*53mm*61mm(图1) 54mm*54mm*48mm(图2)说 明表中的参数为每个整流管芯片的额定值和特性参数适用型号:MDC MDA MDK MD 模块内部电路形式:额定通态平均电流I T(AV)电力半导体模块命名示例M字母数字功率半导体模块性能曲线图额定正向平均电流I F(AV) 直流输出电流I o外形图、接线图、安装孔尺寸温度性能曲线图Page 5of 32007-01产品热线:TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ:453742705Page 5of 42007-01产品热线:TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ:453742705 Email:*****************移动电话Mobile:139****0504●使用说明为了本公司的半导体功率模块能满足您的高可靠使用要求,请注意以下几点事项:1、过电流的保护可采用半导体专用快熔;2、RC吸收(缓冲)建议使用吸收模块(本公司可供应);3、使用环境条件:a)半导体功率模块工作温度为:-40℃~+125℃(结温);整流为:-40℃~150℃;b)环境相对湿度≤85%;海拔1000米以下;c)使用环境应无剧烈振动和冲击,环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质气氛;d)模块采用强制风冷时风速应>6米/分,环境温度一般应控制在-40℃~60℃,散热器温度一般应控制在80℃以下。

晶闸管模块MTC182A


B
绝缘电压
F mB
B
T sbg B
B
W tB B
Outline
安装扭矩(M5) 安装扭矩(M6) 储存温度 质量(约)
180°正弦半波,单面散热
50HZ , R.M.S , t=1min
IBiso
:1mA
B
(ma
x)
与散热器固定
M234
MTC182A
0.08 ℃/W
2500
V
4.0±15%
5.0±15%
-40
125
205
N·m N·m

g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
第2页
可控硅(晶闸管)模块 Thyristor Module
MTC182A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
可控硅(晶闸管)模块 Thyristor Module
MTC182A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器,需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时,应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热,在设备未断电及模块未完全冷却降温之前,严禁用手触摸模块
B
DRM B
B
RBth(j-c)B
热阻抗(结至壳)
180°正弦半波,单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
30
25
0.8
20
125
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.

73种常用整流二极管技术参数

设计、制作常用二极管资料大全分类:元器件封装知识字号:大中小020104020805060312061210181220102512 10.050.100.100.100.100.100.100.100.1020201 0603 250402 1005 500603 1608 500805 2012 1501206 3216 2001210 3225 2001812 4832 2002010 5025 2002512 6432 2003125105141080506030402 0.050603 0.10 0.100805 0.20 0.201206 0.20 0.201210 0.30 0.301808 0.201812 0.302225 0.50 3035 0.053216352860327343235102004020603080512060402 3 100 455 0405 5 25.2 350315 0603 10 25 280210 1005 20 10 2001608 25 7.96 150135001500500201209 260321825 2102常用肖特基二极管的主要参数常用稳压二极管的参数六.常用贴片三极管的主要参数常用FET的主要参数七. IC类零件IC为Integrated Circuit英文缩写,业界一般以IC的封装形式来划分其类型,传统IC 、SOJ、QFP、PLCC等等,现在比较新型的IC有BGA、CSP、FLIP CHIP等等。

1、基本贴片IC类型(1)、SOP(Small outline Package):零件两面有脚,脚向外张开(一般称为鸥翼型引脚).(2)、SOJ(Small outline J-lead Package):零件两面有脚,脚向零件底部弯曲(J型引脚)。

(3)、QFP(Quad Flat Package):零件四边有脚,零件脚向外张开。

AM182_产品手册_v1.0



Tstg
-40
+85

发射机
发射频率
f
24.000 24.125 24.250
GHz
输出功率(EIRP)
Pout
12
接收机
dBm
IF输出电压 I/Q幅度平衡 I/Q相位平衡
UIF
-200
+200
mV
∆UIF
3
dB
∆φ
80
90
100
º
天线
水平方向-3dB波束宽度
WE
80
º
垂直方向-3dB波束宽度
WH
34
º
垂直方向旁瓣抵制比
DH
13
dB
注:在操作、组装、测试雷达收发器时,须注意静电防护,静电易造成雷达收发器损伤。
v1.0
第 2 页 2018-03
产品尺寸
AM182
产品接口
引脚 序号
1 2 3 4 5
AM182-I
引脚名称
说明
IFI
中频同相信号I
IFQ
中频正交信号Q
GND

VCC
电源
NC

AM182-R
产品应用:
移动物体探测器 安防系统 物体测速系统 工业传感
v1.0
第 1 页 2018-03
产品拓扑
TX
RX
I
90°
Q
AM182
产品参数
参数名称
符号
最小
数值 典型
最大
单位
工作条件
工作电压 工作电流 工作温度 存储温度
Vcc
4.75
5.0
5.25
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Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩(M5) 安装扭矩(M6) 储存温度 质量
测试条件
结温 Tj(℃)
180°正弦半波,50HZ 单面散 150
热,Tc=85℃
150
VDRM&VRRM tp=10ms 150
VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V
VDM= VDRM 150
VRM= VRRM
10ms 底宽,正弦半波
150
VR=0.6 VRRM
150
最小 600
150
ITM=550A
25
180°正弦半波,单面散热
180°正弦半波,单面散热
50HZ , R.M.S , t=1min
Iiso:1mA(max)
与散热器固定
2500 -40
M234
参数值 典型
1600
1.2
4.0±15% 5.0±15%
整流桥模块 Diode Module
MDC182A
模块外型图、安装图
M 234 杭州西整电力电子科技有限公司
第3页
整流桥模块 Diode Module
MDC182A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器,需提供良好的通风条件。 2、模块管芯工作结温:二极管和可控硅为-40℃∽150℃;工作环境温度高于 40℃时,
应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热,在设备未断电及模块未完全冷却降温之前,严禁用手触摸模块
的任何部位。
杭州西整电力电子科技有限公司
第4页
IF(AV)
182A
VDRM/VRRM 600~1800V
IFSM
6.40 KA
I2t
20.9 103A2S
符号
参数
IF(AV)
通态平均电流
IF(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM IFSM
I2t VFO rF VFM Rth(j-c) Rth(c-h)
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(结至散)
210
最大
单位
182
A
286
A
1800
V
5
mA
6.40 20.9 0.80 0.96 1.3 0.220 0.08
KA 103A2S
V mΩ
V ℃/W ℃/W
V
N·m
N·m
125

g
杭州西整电力电子科技有限公司
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整流桥模块 Diode 公司
第2页
整流桥模块
Diode Module
attribute data:
■芯片与底板电气绝缘,2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接,优良的温 度特性和功率循环能力 ■体积小,重量轻
typical application:
■变频器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源
MDC
A1K2
K1
A2
MDC182A
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