晶振电容的选择
12.5pf负载电容晶振的外接电容
一、概述12.5pf负载电容是一个在晶振电路设计中常见的参数，它对晶振的性能以及整个电路的稳定性起着至关重要的作用。
借助适当的外接电容，我们可以有效地调节晶振的振荡频率，保证其在指定范围内稳定工作。
本文将重点探讨12.5pf负载电容晶振的外接电容设计，并对其原理和注意事项进行深入分析。
二、12.5pf负载电容的作用12.5pf负载电容在晶振电路中的作用主要有两个方面：1. 调节晶振的振荡频率：晶振在工作时需要和外部电路形成谐振，而12.5pf负载电容则可以影响晶振的谐振频率。
适当调节12.5pf负载电容的数值，可以使晶振的振荡频率在设计要求的范围内稳定工作。
2. 提高电路的稳定性：通过12.5pf负载电容的加入，可以有效抑制晶振的共振峰值，使得整个电路在外部环境变化等因素的影响下保持较好的稳定性。
三、12.5pf负载电容的外接原理为了充分发挥12.5pf负载电容的作用，我们需要合理选择外接电容的数值。
一般来说，外接电容的数值可以通过以下公式计算得到：Cp = (CL - Ci - Cstray) / 2其中，Cp为外接电容的数值，CL为晶振的额定负载电容，Ci为晶振自带电容，Cstray为电路布线与晶振之间的杂散电容。
通过以上公式，我们可以根据实际情况计算得到12.5pf负载电容晶振的外接电容数值，并进行合理的选取和设计。
四、12.5pf负载电容外接设计的注意事项在进行12.5pf负载电容的外接设计时，需要注意以下几个方面：1. 充分考虑布线电容：电路布线可能会带来一定的杂散电容，这些电容会对外接电容的选择产生影响。
在设计时需要充分考虑电路布线的影响，进行合理的校正和补偿。
2. 注意电容的精度和稳定性：外接电容的精度和稳定性对晶振电路的性能有着重要的影响。
选择高精度、稳定性好的外接电容可以提高电路的稳定性和可靠性。
3. 避免共振和串扰：在进行外接电容设计时，需要避免电路出现共振或者串扰等问题。
因此需要根据实际情况进行电路的布线和外接电容的合理安排，以减小电路的干扰和噪声。
25m晶振匹配电容
25m晶振匹配电容摘要：1.晶振与电容的基本概念2.25MHz 晶振的特点3.匹配电容的作用4.25MHz 晶振匹配电容的选择与计算5.实际应用中25MHz 晶振与匹配电容的注意事项正文：在电子电路设计中，晶振与电容的搭配是非常重要的，它们共同组成了电路中的谐振回路。
本文将详细介绍25MHz 晶振匹配电容的相关知识，包括晶振与电容的基本概念、25MHz 晶振的特点、匹配电容的作用、25MHz 晶振匹配电容的选择与计算以及实际应用中25MHz 晶振与匹配电容的注意事项。
首先，我们需要了解晶振与电容的基本概念。
晶振是一种能够产生稳定频率振荡的电子元件，它将电能转化为机械能，再将机械能转化为电能。
而电容是一种能够储存电荷的电子元件，具有筛选信号、滤波等功能。
在电路中，晶振与电容共同组成谐振回路，晶振产生的振荡信号经过电容滤波后，输出稳定的振荡信号。
接下来，我们来了解25MHz 晶振的特点。
25MHz 晶振，即频率为25MHz 的晶体振荡器，具有较高的频率稳定性。
在通信、遥控、导航等领域有着广泛的应用。
由于25MHz 晶振的谐振特性，其与匹配电容的搭配至关重要。
那么，匹配电容的作用是什么呢？匹配电容主要是为了使晶振的输出信号能够更好地传输到下一个电路元件，它的选取要与晶振的特性相匹配，以达到最佳的传输效果。
匹配电容的选择与计算需要根据晶振的谐振频率、工作电压、负载电容等参数来确定。
在实际应用中，25MHz 晶振与匹配电容的搭配需要注意以下几点：1.选择合适的匹配电容值，使晶振的输出信号能够有效地传输到下一个电路元件。
2.确保匹配电容的稳定性，避免由于电容变化导致的频率漂移。
3.在布局和安装时，注意将晶振与电容尽可能靠近，以减小传输线效应和噪声影响。
总之，25MHz 晶振匹配电容的选择与计算以及实际应用中的注意事项对于保证电路性能至关重要。
有源晶振电容
有源晶振电容什么是有源晶体振荡器电容？有源晶体振荡器电容是指在有源晶体振荡器（Active Crystal Oscillator，ACO）中使用的一种特殊类型的电容器。
有源晶体振荡器是一种基于晶体振荡器的电路，可以产生高频稳定的振荡信号。
而在这种电路中，电容器扮演着非常重要的角色，它的选择和设计可以直接影响到有源晶体振荡器电路的性能和稳定性。
在有源晶体振荡器电路中，电容器通常被用来起到频率稳定的作用。
而且，电容器的选择也非常重要，因为它的参数和特性可以直接影响到整个振荡器电路的性能。
通常情况下，有源晶体振荡器电容使用的是高精度、低失真的电容器。
有源晶体振荡器电容的性能指标对于有源晶体振荡器电容来说，它的性能指标主要包括以下几个方面：1. 温度稳定性：有源晶体振荡器电容的温度稳定性是非常重要的，因为在工作过程中，温度的变化会对电路的频率稳定性产生非常大的影响。
2. 精度和失真度：有源晶体振荡器电容的精度和失真度也是非常关键的，因为这直接关系到振荡器电路的输出信号的稳定性和准确性。
3. 长期稳定性：在工作过程中，有源晶体振荡器电路的长期稳定性也是非常重要的，因为它可以直接决定振荡器电路的寿命和可靠性。
有源晶体振荡器电容的应用领域有源晶体振荡器电容主要用于高频振荡电路中，比如：无线通信系统、雷达系统、卫星通信系统、导航系统等。
它的高频稳定性和频率准确性使得有源晶体振荡器电路在这些领域中有非常广泛的应用。
而且，有源晶体振荡器电容也可以用于高精度的测试和测量设备中，比如：频谱分析仪、网络分析仪、数字示波器等。
它能够提供高频稳定的振荡信号和频率准确的输出，使得这些设备的性能和精度得到了极大的提升。
有源晶体振荡器电容的设计与选择设计与选择有源晶体振荡器电容需要考虑到几个关键因素，包括：1. 负载容量：有源晶体振荡器电容的选择需要考虑到电路的负载容量，这样才能保证电容器的工作性能和稳定性。
2. 频率范围：不同的有源晶体振荡器电路对电容器的频率范围有不同的要求，需要根据实际的应用情况选择合适的电容器。
有源晶振电容大小选取规则_概述说明以及解释
有源晶振电容大小选取规则概述说明以及解释1. 引言1.1 概述本文旨在探讨有源晶振电容大小选取规则，并对其进行概述和说明。
有源晶振是一种常见的电子元器件，广泛应用于各种电路中。
而电容作为有源晶振中重要的组成部分，其大小的选取对有源晶振的性能至关重要。
1.2 文章结构本文分为四个主要部分：引言、正文、有源晶振电容大小选取规则和结论。
引言部分将介绍本文的目的和主要内容，正文部分将深入探讨相关理论知识。
而在有源晶振电容大小选取规则部分，我们将详细解释电容大小的作用，并列举一些常见的选取规则，同时考虑实际因素及应用场景。
最后，在结论部分，我们将总结全文并提出未来研究方向。
1.3 目的本文的目标是帮助读者更好地理解有源晶振电容大小选取规则，并提供一些实用指导。
通过阐述不同情况下选择合适大小的电容可以提升有源晶振性能，并减少可能出现的问题。
同时，我们也希望激发读者对有源晶振电容大小的更深入研究，并为未来相关领域的发展提供一些建议。
以上是文章“1. 引言”部分的详细内容，希望对您有所帮助！2. 正文在设计电路板时，选择合适的有源晶振电容大小至关重要。
有源晶振电容的大小直接影响到晶振的稳定性、频率精度和启动时间等方面。
本节将详细探讨有源晶振电容大小的选取规则。
在确定有源晶振电容大小之前，首先需要了解晶振所处的应用场景和系统要求。
不同的应用场景和系统对于有源晶振电容大小可能会有不同的要求。
一般来说，较大的电容可以提高晶振的稳定性，并降低由温度变化、供电波动和负载变化引起的频率误差。
然而，选择过大的电容也可能导致启动时间延长和功耗增加。
为了确定合适的有源晶振电容大小，可以考虑以下几个因素：首先是工作频率范围。
根据实际需求选择相应频率范围内的有源晶振，并参考其数据手册中给出的推荐电容范围。
其次是系统要求对频率精度及稳定性的要求。
如果系统对频率精度和稳定性要求较高，则可以选择较大的电容值。
此外，还需要考虑晶振的启动时间和功耗。
晶振的匹配电容
在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然可调范围一般在10ppm量级。
晶振的稳定性是产品的内在品质，与匹配电容无关（当然电容的稳定性不好是另一个问题）。匹配电容决定了晶振的运行精度。在晶振的产品参数中，有一项是负载电容CL，匹配电容的选择与它有关。例如你选的两个匹配电容都是20p，电路衍生电容为2.5p，则有CL=20×20/(20+20)+2.5=12.5p。你应选CL为12.5p的晶振。
晶振和普通的振荡器起振原理一样，要满足：1增益足够大；2正反馈回路；3相位2npai;
晶体的负载电容要和振荡电路匹配，只有负载电容和振荡电路的等效负载电容相等时，振荡电路输出的频率才和晶体频率一致。
如果晶体负载电容偏大，得到的振荡输出频率则会低于晶体的频率，反之则高于晶体频率。
单片机晶振旁的2个电容是晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下，振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。
晶振电容选择
按晶振规格的Load Capacitance (CL)
选择C1 C2 以符合以下公式
CL = Cstray + (C1 C2)/(C1+C2)
Cstray: 实际电路上的杂散电容
今天要做晶振的second source，把晶振焊上去后发现普遍比较低，要求是25M +/-20ppm，就是说偏差不超过500Hz，但是测量三片，只有一片合格，其他两片均偏小几百赫兹。
查了数据手册得知实际频率和标称频率之间的关系：
Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2);
而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容，通常大家取值相等，它们对串联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.
具体公式不用细想，我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大，
我们可以改变的只有Cg和Cd，通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz。
原有电路使用的是33pF的两个电容，则并联起来是16.5pF，我们的贴片电容只有27pF,33pF，39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联，则电容为15.95pF。
电容焊好后，测量比原来大了200多赫兹，落在了设计范围内。
结论：晶振电路上的两个电容可以不相等，通过微调电容的值可以微调晶振的振荡频率，不过如果你测了几片晶振，频率有大有小，而且偏移较大，那么这个晶振就是不合格的。
晶振谐振电容
晶振谐振电容晶振谐振电容是指在晶体振荡电路中用于谐振的电容元件。
晶振谐振电容在电子设备中起到重要的作用，它能够使晶体振荡器以稳定的频率工作，从而保证设备的正常运行。
晶振谐振电容的选择对于晶体振荡器的性能有着直接的影响。
首先，晶振谐振电容的数值应该与晶振器的谐振频率相匹配。
通常，晶振谐振电容的数值比晶振器的额定电容稍大一些，这样可以提高晶振器的稳定性。
其次，晶振谐振电容的精度也是非常重要的，精度越高，晶振器的频率稳定性越好。
因此，在选用晶振谐振电容时，需要考虑到晶振器的要求和实际应用环境。
晶振谐振电容的种类繁多，常见的有陶瓷电容、瓷介电容和有机电解电容等。
这些电容元件具有不同的特点和适用范围。
陶瓷电容是一种常用的晶振谐振电容，它具有体积小、价格低廉、耐高温等特点，在一些低频振荡电路中应用广泛。
瓷介电容是一种高频电容元件，具有低损耗、高稳定性等特点，适用于高频振荡电路。
有机电解电容则具有体积小、容量大、工作稳定等特点，适用于一些对容量要求较高的振荡电路。
在实际应用中，选择适合的晶振谐振电容不仅要考虑电容元件本身的性能，还需要考虑晶振器的工作环境。
例如，如果晶振器需要在高温环境下工作，就需要选择耐高温的电容元件。
另外，晶振谐振电容的引线长度和布局也会对振荡器的性能产生影响，因此需要合理设计电路布局。
晶振谐振电容是晶体振荡电路中不可或缺的元件之一，它能够保证晶振器稳定工作，从而保证设备的正常运行。
在选择晶振谐振电容时，需要考虑晶振器的要求和实际应用环境，选择合适的电容元件。
通过合理布局电路和选用合适的电容元件，可以提高晶振器的性能和稳定性，从而提高整个电子设备的可靠性和性能。
tc397 晶振内部电容配置
tc397 晶振内部电容配置
TC397晶振是一种高精度、高稳定性的晶振，被广泛应用于数字电路、计算机、通信设备等领域。
在TC397晶振内部，存在着一定量的电容，这些电容对于晶振的稳定性和精确性有着至关重要的作用。
晶振内部电容配置主要包括两部分，一部分是晶片内部的电容，另一部分是晶片与外部电路之间的电容。
晶片内部的电容主要由晶片的晶体结构决定，而晶片与外部电路之间的电容则可以通过外部电路的设计和布局来进行控制。
晶片内部的电容主要包括晶片内部的载流子电容和晶片的结电容。
其中，载流子电容是指晶片中自由载流子和掺杂离子之间的电容，是晶体振荡器的主要电容之一。
而结电容是指PN结两侧的电容，也是晶体振荡器中的一个重要电容。
晶片与外部电路之间的电容则主要包括引脚电容和PCB布局电容。
引脚电容是指晶振引脚与外部电路之间的电容，可以通过引脚的设计和排列来进行控制。
而PCB布局电容则是指晶振引脚与周围PCB 布局之间的电容，可以通过PCB的设计和布局来进行控制。
在晶振的设计和选型过程中，晶振内部电容配置的选择需要考虑多方面因素。
首先需要考虑晶振的应用场景和要求，选择合适的晶振型号和内部电容配置。
其次需要考虑晶振引脚的设计和排列，以及PCB的布局和设计，从而控制晶片与外部电路之间的电容。
还需要
考虑晶片的工艺和制造工艺，以确保晶振的稳定性和精确性。
晶振内部电容配置在晶振的稳定性和精确性方面起着至关重要的作用。
在晶振的设计和选型过程中，需要充分考虑晶振内部电容配置的影响因素，从而选择合适的晶振型号和内部电容配置，并进行合理的引脚设计和PCB布局。
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晶振电容的选择
1：如何选择晶振
对于一个高可靠性的系统设计，晶体的选择非常重要，尤其设计带有睡眠唤醒(往往用低电压以求低功耗)的系统。
这是因为低供电电压使提供给晶体的激励功率减少，造成晶体起振很慢或根本就不能起振。
这一现象在上电复位时并不特别明显，原因是上电时电路有足够的扰动，很容易建立振荡。
在睡眠唤醒时，电路的扰动要比上电时小得多，起振变得很不容易。
在振荡回路中，晶体既不能过激励(容易振到高次谐波上)也不能欠激励(不容易起振)。
晶体的选择至少必须考虑：谐振频点，负载电容，激励功率，温度特性，长期稳定性。
一般来说某一种单片机或外围芯片都会给出一个或几个典型适用的晶振，常用的像51单片机用12M晶振，ATmega系列单片机可以用8M，16M，7.3728M等。
这里有一个经验可以分享一下，如果所使用的单片机内置有PLL即锁相环，那么所使用的外部晶振都是低频率的，如32.768K的晶振等，因为可以通过PLL倍频而使单片机工作在一个很高的频率下。
2：如何选择电容起振电容
从原理上讲直接将晶振接到单片机上，单片机就可以工作。
但这样构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他
频率的波),这个波对电路的影响不大,但会降低电路的时钟振荡器的稳定性.为了电路的稳定性起见，建议在晶振的两引脚处接入两个瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响,所以晶振必须配有起振电容，但电容的具体大小没有什么普遍意义上的计算公式，不同芯片的要求不同。
（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
（2）：在许可范围内，C1,C2值越低越好。
C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间，比较常用的为15p-30p 之间。