晶振与匹配电容的总结
晶振负载电容和匹配电容
晶振负载电容和匹配电容
晶振是用来产生精准的时钟信号的微小电子元器件。
在晶振中，
晶体是其中的关键部件，晶体可以被沿着某个明确的振荡方向激励，
从而产生稳定的振荡效果。
但是，晶体的高稳定性也需要被匹配电容
和负载电容来保证。
晶振的负载电容是在晶振电路中位于振荡电路晶体和地之间的一
个电容器。
负载电容的目的是帮助晶体振荡，在晶振电路的共振频率
产生的共振点附近，电容将允许电流流过晶体来创造振荡效果。
因此，负载电容也被称为“晶体振荡器负载电容”。
负载电容的参数需要与晶振的额定参数相匹配。
如果负载电容过
大或过小，可能会导致晶振频率的偏差，从而影响电子产品的正常工作。
因此，选择正确的负载电容十分重要。
晶振的匹配电容指的是电路中用于控制晶体电容性能的电容器。
选择合适的匹配电容，可调节晶振电路的频率并增加晶振电路的稳定性。
基本上，匹配电容被用来控制晶体的共振频率，并帮助晶体产生
稳定的振荡效果。
匹配电容需要根据晶体和负载电容的参数来选择。
选择不当的匹
配电容可能会导致频率偏差和稳定性不足的问题。
在大多数情况下，晶振负载电容和匹配电容是一起考虑的。
它们
必须被精确选择和匹配，以确保晶振器内部所有电子元件的协调运作。
因此，选择晶振器电容器时，必须要遵循生产商规定的规格和技术资料，以保证系统的稳定性和可靠性。
总的来说，晶振负载电容和匹配电容是非常重要的元件。
正确地
匹配和选择它们，可确保晶振器的出色性能和精密运作。
晶振和电容并联的作用
晶振和电容并联的作用
晶振和电容并联是电子电路中常见的一种组合方式，它们的作用在不同的电路中也有所不同。
下面将从不同的角度来探讨晶振和电容并联的作用。
一、在振荡电路中的作用
晶振和电容并联在振荡电路中起到了关键的作用。
振荡电路是一种能够产生周期性信号的电路，它的核心部件就是晶振和电容并联。
晶振是一种能够产生稳定频率的元件，而电容则是用来调节振荡频率的。
当晶振和电容并联时，它们的频率会相互影响，从而产生稳定的振荡信号。
这种振荡信号在无线电通信、计算机等领域都有广泛的应用。
二、在滤波电路中的作用
晶振和电容并联在滤波电路中也有着重要的作用。
滤波电路是一种能够滤除特定频率信号的电路，它的核心部件也是晶振和电容并联。
当晶振和电容并联时，它们的频率会相互影响，从而产生特定的滤波效果。
这种滤波效果在音频、视频等领域都有广泛的应用。
三、在稳压电路中的作用
晶振和电容并联在稳压电路中也有着重要的作用。
稳压电路是一种能够稳定输出电压的电路，它的核心部件也是晶振和电容并联。
当晶振
和电容并联时，它们的频率会相互影响，从而产生稳定的输出电压。
这种稳压效果在电源、电池等领域都有广泛的应用。
综上所述，晶振和电容并联在电子电路中有着广泛的应用，它们的作用也是多种多样的。
无论是在振荡电路、滤波电路还是稳压电路中，晶振和电容并联都是不可或缺的元件。
因此，我们需要深入了解晶振和电容并联的原理和应用，才能更好地应用它们，为电子技术的发展做出更大的贡献。
25m晶振匹配电容
25m晶振匹配电容摘要：1.晶振与电容的基本概念2.25MHz 晶振的特点3.匹配电容的作用4.25MHz 晶振匹配电容的选择与计算5.实际应用中25MHz 晶振与匹配电容的注意事项正文：在电子电路设计中，晶振与电容的搭配是非常重要的，它们共同组成了电路中的谐振回路。
本文将详细介绍25MHz 晶振匹配电容的相关知识，包括晶振与电容的基本概念、25MHz 晶振的特点、匹配电容的作用、25MHz 晶振匹配电容的选择与计算以及实际应用中25MHz 晶振与匹配电容的注意事项。
首先，我们需要了解晶振与电容的基本概念。
晶振是一种能够产生稳定频率振荡的电子元件，它将电能转化为机械能，再将机械能转化为电能。
而电容是一种能够储存电荷的电子元件，具有筛选信号、滤波等功能。
在电路中，晶振与电容共同组成谐振回路，晶振产生的振荡信号经过电容滤波后，输出稳定的振荡信号。
接下来，我们来了解25MHz 晶振的特点。
25MHz 晶振，即频率为25MHz 的晶体振荡器，具有较高的频率稳定性。
在通信、遥控、导航等领域有着广泛的应用。
由于25MHz 晶振的谐振特性，其与匹配电容的搭配至关重要。
那么，匹配电容的作用是什么呢？匹配电容主要是为了使晶振的输出信号能够更好地传输到下一个电路元件，它的选取要与晶振的特性相匹配，以达到最佳的传输效果。
匹配电容的选择与计算需要根据晶振的谐振频率、工作电压、负载电容等参数来确定。
在实际应用中，25MHz 晶振与匹配电容的搭配需要注意以下几点：1.选择合适的匹配电容值，使晶振的输出信号能够有效地传输到下一个电路元件。
2.确保匹配电容的稳定性，避免由于电容变化导致的频率漂移。
3.在布局和安装时，注意将晶振与电容尽可能靠近，以减小传输线效应和噪声影响。
总之，25MHz 晶振匹配电容的选择与计算以及实际应用中的注意事项对于保证电路性能至关重要。
20pf晶振匹配电容
20pf晶振匹配电容以20pf晶振匹配电容为标题，我们来探讨一下晶振匹配电容的相关内容。
晶振匹配电容是指在电子电路中，为了确保晶振的稳定工作，需要使用适当的电容与晶振进行匹配。
匹配电容的选择对于电路的性能和稳定性有着重要的影响。
我们需要了解晶振的工作原理。
晶振是一种利用晶体的谐振特性来产生稳定频率的振荡器。
在电子设备中，晶振被广泛应用于时钟电路、通信电路、计算机电路等领域。
晶振的频率由晶体的物理特性决定，通常以赫兹（Hz）为单位表示。
在晶振的工作中，它需要与外部电路相互作用，而这个作用是通过电容来实现的。
晶振匹配电容的作用是为了调节晶振的频率，使之达到设计要求。
匹配电容的选择需要根据晶振的频率和电路的要求进行合理的设计。
在选择匹配电容时，我们需要考虑以下几个因素：1. 电容值：匹配电容的电容值与晶振的频率有关。
一般来说，晶振的频率越高，所需的匹配电容的电容值越小。
对于20pf晶振，我们需要选择适当的匹配电容，以确保晶振的稳定工作。
2. 电容精度：匹配电容的精度也是一个重要的考虑因素。
晶振对电容的精度要求较高，一般在1%或更高的精度范围内。
因此，在选择匹配电容时，我们应尽量选择具有较高精度的电容，以满足晶振的要求。
3. 温度特性：晶振在工作过程中会受到温度的影响，而电容的特性也会随着温度的变化而发生变化。
因此，在选择匹配电容时，我们需要考虑其温度特性，选择具有较好温度稳定性的电容。
4. 封装形式：匹配电容的封装形式也是需要考虑的因素。
根据实际应用需求，我们可以选择贴片电容、插件电容等不同形式的电容进行匹配。
总结起来，匹配电容的选择需要综合考虑晶振的频率、电容的精度、温度特性和封装形式等因素。
合理的匹配电容设计可以确保晶振的稳定工作，提高电路的性能和可靠性。
需要注意的是，不同的应用场景可能对匹配电容的要求有所差异，因此在实际应用中，我们还需要根据具体情况进行合理的选择和调试。
同时，为了确保匹配电容的质量和可靠性，我们应选择具有良好声誉和品质保证的厂家提供的电容产品。
晶振需接电容的启振条件
晶振需接电容的启振条件1. 你知道吗，晶振要启振，电容可不能随便接呀！就好比一辆汽车要跑起来，得有合适的燃料才行。
比如在一个电路中，晶振就像那汽车，电容就是让它跑起来的关键燃料呀！2. 哎呀呀，晶振需接电容的启振条件可真不简单呢！这就像搭积木，得一块一块恰到好处地放才行。
像那种小的晶振，不接好电容能起振吗？肯定不行啊！3. 晶振接电容的启振条件很重要哦！这就如同人要呼吸新鲜空气才能有活力一样。
想想看，如果电容接错了，晶振还能正常启振吗？不可能的啦！4. 嘿，晶振要想顺利启振，电容的接法可得搞清楚呀！这就跟划船似的，方向不对怎么能前进呢。
比如在某个电子设备里，晶振和电容的搭配不对可就糟糕啦！5. 哇塞，晶振需接电容的启振条件真的很关键呀！就像一场比赛需要合适的规则一样。
要是电容接得不合适，晶振还怎么愉快地启振呀？6. 晶振接电容的启振条件可别小瞧呀！这跟建房子一样，基础不牢怎么行呢。
你想想，没有合适的电容，晶振能起振吗，那不是开玩笑嘛！7. 哎呀呀，一定要知道晶振需接电容的启振条件呢！这就像弹钢琴，每个键都要按对位置才有美妙的音乐。
要是电容接错了，晶振启振不就乱套啦？8. 晶振接电容的启振条件真的超级重要呀！好比走路要选对鞋子一样。
如果电容接得不好，晶振能正常启振吗，那肯定不行呀！9. 哇哦，晶振需接电容的启振条件可得牢记呀！就像跳舞要有合拍的节奏一样。
要是电容和晶振不匹配，那还怎么启振呀？10. 晶振接电容的启振条件是必须要清楚的哟！这就像做菜要放对调料一样关键。
没有合适的电容，晶振还启振个啥呀！我的观点结论就是：晶振和电容的搭配真的太重要啦，一定要重视它们的启振条件，不然会出大问题的哟！。
晶振 匹配电容
晶振匹配电容晶振是一种非常常见的电子元件，它在电路中起到产生稳定的时钟信号的作用。
而匹配电容则是在晶振电路中常用的元件之一，它的作用是调整晶振的频率，使其能够工作在预期的频率范围内。
本文将从晶振的工作原理、匹配电容的选择和调试等方面进行介绍，帮助读者更好地理解和应用晶振和匹配电容。
一、晶振的工作原理晶振是一种利用晶体的谐振特性产生稳定时钟信号的元件。
晶体的晶格结构具有谐振频率，当施加外加电场时，晶体会发生压电效应，从而使晶体发生机械振动。
而晶体的机械振动又会产生电场效应，使晶体产生电压信号。
当外加电场的频率等于晶体的谐振频率时，晶体会产生最大的电压信号，这就是晶振的工作原理。
二、匹配电容的选择匹配电容是用来调整晶振的频率的元件，它的值决定了晶振的谐振频率。
匹配电容的选择需要根据晶振的规格参数来确定。
通常晶振的规格参数中会标明所需的匹配电容范围。
在选择匹配电容时，应该优先选择与晶振规格参数相匹配的电容值，以确保晶振能够正常工作。
三、匹配电容的调试当晶振电路中的匹配电容选择好之后，还需要进行调试。
调试过程中，可以通过改变匹配电容的值来调整晶振的频率，以满足实际应用的需要。
调试时可以采用示波器等测量工具来观察晶振的输出信号，并根据实际需求来调整匹配电容的值。
调试时应该逐步调整，每次调整后都观察输出信号的变化，直到满足要求为止。
四、晶振和匹配电容的应用晶振广泛应用于各种电子设备中，例如计算机、手机、电视等。
在这些设备中，晶振起到产生稳定的时钟信号的作用，确保设备能够正常工作。
匹配电容则是晶振电路中的重要组成部分，它的选择和调试对于晶振的性能和稳定性至关重要。
总结：晶振是一种产生稳定时钟信号的元件，而匹配电容则是晶振电路中常用的元件之一，它的作用是调整晶振的频率。
本文从晶振的工作原理、匹配电容的选择和调试等方面进行了介绍。
希望通过本文的阐述，读者能够更好地理解和应用晶振和匹配电容，为电子设备的设计和维修提供帮助。
晶振匹配电容设计
负载（匹配）电容的计算方法：在做电路设计的时候，很多工程师不知道晶振的负载电容改如何计算，在设计的时候，很多人都凭借的经验加个20PF，或者22PF，18PF。
晶振的两个引脚与芯片（如单片机）内部的反相器相连接，再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2，组成一个皮尔斯振荡器（Pierce oscillator）。
如下图所示：CL1CL2上图中，U1为增益很大的反相放大器，CL1、CL2为匹配电容，是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。
以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以保证电路持续振荡，它们会稍微影响振荡频率，主要用与微调频率和波形，并影响幅度。
X1是晶体，相当于三点式里面的电感，R1是反馈电阻（一般≥1M），它使反相器在振荡初始时处于线性工作区，R2与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。
这里涉及到晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL（Load capacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
负载电容的公式如下所示：C_L=C_S+(C_D×C_G)/(C_D+C_G )其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容（Shunt Capacitance）CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2 CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1一般CS为1pF左右，CI与CO一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册（这里假设CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。
晶振旁边的电容
晶振旁边的电容电子产品中的晶振电路是很常见的，它可以用来产生一个精密的频率信号，例如用在时钟电路、无线通信电路或是计算机硬件上。
而作为晶振电路中的重要元件，电容也同样重要。
本文将从两个方面阐述晶振旁边的电容。
一、电容的作用晶振在正常工作状态下需要一个稳定的电场环境，电容就是用来营造这样的环境。
具体来说，晶振旁边的电容有以下两种作用：1.跟晶振一起形成谐振电路。
晶振通电后震荡产生的电能需要在谐振电路中完成吸收和发射，而电容则扮演着谐振电路中的耦合元件，帮助晶振形成一个稳定的电场环境。
在谐振电路中，电容会影响谐振频率的大小和质量因数。
2.过滤环境噪声。
晶振通电后产生了稳定的电场环境，但是外界环境可能存在杂音、电磁辐射等不稳定的因素，这些因素会对晶振产生干扰，导致晶振频率发生变化。
电容作为一个滤波元件，能够屏蔽这些环境噪声，保证晶振正常工作。
二、电容的选择在晶振电路设计中，电容的选择是至关重要的。
不同类型的电容在晶振电路中的表现也不同。
因此，以下是在选择电容时需要注意的几个问题：1.电容的品质因数。
电容的品质因数（Q值）越高，它在谐振电路中的品质越好，频率稳定性也就越高。
因此，当需要精准的频率时，需要选择Q值较高的电容。
2.电容的串并联。
在实际电路设计中，容易出现电容串并联的情况。
串并联电容对晶振频率的影响很大，在选择电容时需要将这个因素考虑进去，选择合适的电容组合。
3.电容的容量。
电容容量的大小决定了晶振震荡的频率，一般来说，晶振旁边的电容容量与晶振本身的频率有关，设计时需要根据晶振所需的频率来选择合适的电容容量。
总之，在晶振电路中，电容的作用十分重要，精确地选择电容品质、容量和串并联方式，能够保证晶振的正常工作。
因此，在进行电路设计时，我们需要仔细、认真地考虑这些因素，从而设计出一款稳定高效的晶振电路。
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晶振与匹配电容的总结 Document number：PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。
一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。
要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。
一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。
这样并联起来就接近负载电容了。
2．负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。
他是一个测试条件，也是一个使用条件。
应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。
此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。
3．一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高4．负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。
负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。
标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。
因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。
所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。
一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。
用来调整drive level和发振余裕度。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。
过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从 100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。
晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢晶体的串联等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。
Q一般达到10^-4量级。
避免信号太强打坏晶体的。
电阻一般比较大，一般是几百K。
串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看 IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。
晶体的等效Rp很大很大。
外面并的电阻是并到这个Rp上的，于是，降低了Rp值 -----＞增大了Re -----＞降低了Q关于晶振石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。
一、石英晶体振荡器的基本原理1、石英晶体振荡器的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
2、压电效应若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。
反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。
如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。
在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。
它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。
3、符号和等效电路当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个PF到几十PF。
当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L来等效。
一般L的值为几十mH 到几百mH。
晶片的弹性可用电容C来等效，C的值很小，一般只有～。
晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效，它的数值约为 100Ω。
由于晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因此回路的品质因数Q很大，可达1000～10000。
加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定度。
4、谐振频率从石英晶体谐振器的等效电路可知，它有两个谐振频率，即（1）当L、C、R支路发生串联谐振时，它的等效阻抗最小（等于R）。
串联揩振频率用fs表示，石英晶体对于串联揩振频率fs呈纯阻性，（2）当频率高于fs时L、C、R支路呈感性，可与电容C。
发生并联谐振，其并联频率用fd表示。
根据石英晶体的等效电路，可定性画出它的电抗—频率特性曲线。
可见当频率低于串联谐振频率fs或者频率高于并联揩振频率fd时，石英晶体呈容性。
仅在fs＜f＜fd极窄的范围内，石英晶体呈感性。
二、石英晶体振荡器类型特点石英晶体振荡器是由品质因素极高的石英晶体振子（即谐振器和振荡电路组成。
晶体的品质、切割取向、晶体振子的结构及电路形式等，共同决定振荡器的性能。
国际电工委员会（IEC）将石英晶体振荡器分为4类：普通晶体振荡（TCXO），电压控制式晶体振荡器（VCXO），温度补偿式晶体振荡（TCXO），恒温控制式晶体振荡（OCXO）。
目前发展中的还有数字补偿式晶体损振荡（DCXO）等。
普通晶体振荡器（SPXO）可产生10^(-5)～10^(-4)量级的频率精度，标准频率1—100MHZ，频率稳定度是±100ppm。
SPXO没有采用任何温度频率补偿措施，价格低廉，通常用作微处理器的时钟器件。
封装尺寸范围从21×14×6mm及5××1.5mm。
电压控制式晶体振荡器（VCXO）的精度是10^(-6)～10^(-5)量级，频率范围1~30MHz。
低容差振荡器的频率稳定度是±50ppm。
通常用于锁相环路。
封装尺寸14×10×3mm。
温度补偿式晶体振荡器（TCXO）采用温度敏感器件进行温度频率补偿，频率精度达到10^(-7)～10^(-6)量级，频率范围1—60MHz，频率稳定度为±1～±，封装尺寸从30×30×15mm至× ×3.9mm。
通常用于手持电话、蜂窝电话、双向无线通信设备等。
恒温控制式晶体振荡器（OCXO）将晶体和振荡电路置于恒温箱中，以消除环境温度变化对频率的影响。
OCXO频率精度是10^(-10)至10^(-8)量级，对某些特殊应用甚至达到更高。
频率稳定度在四种类型振荡器中最高。
三、石英晶体振荡器的主要参数晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。
不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标明在晶振外壳上。
如常用普通晶振标称频率有：48kHz、500 kHz、 kHz、1MHz～ MHz等，对于特殊要求的晶振频率可达到1000 MHz以上，也有的没有标称频率，如CRB、ZTB、Ja等系列。
负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。
负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。
标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。
因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。
所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。
频率精度和频率稳定度：由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度。
频率精度从10^(-4) 量级到10^(-10)量级不等。
稳定度从±1到±100ppm不等。
这要根据具体的设备需要而选择合适的晶振，如通信网络，无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。
因此，晶振的参数决定了晶振的品质和性能。
在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，因不同性能的晶振其价格不同，要求越高价格也越贵，一般选择只要满足要求即可。
四、石英晶体振荡器的发展趋势1、小型化、薄片化和片式化：为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求，石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。
例如TCXO这类器件的体积缩小了30～100倍。
采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已经上市。
2、高精度与高稳定度，目前无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm，VCXO的频率稳定度在10～7℃范围内一般可达±20～100ppm，而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。
3、低噪声，高频化，在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的，相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。
目前OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善。
除VCXO外，其它类型的晶体振荡器最高输出频率不超过200MHz。
例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器，其频率为650～1700 MHz，电源电压～，工作电流8～10mA。
4、低功能，快速启动，低电压工作，低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。
电源电压一般为。
目前许多TCXO和VCXO产品，电流损耗不超过2 mA。
石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。