邹世昌院士：我国集成电路芯片仍待掌握核心技术

邹世昌院士：我国集成电路芯片仍待掌握核心技术作者简历邹世昌材料学家，1931年7月27日生，1952年毕业于唐山交通大学，1958年在莫斯科有色金属学院获副博士学位，1979-1980年受聘为德国弗朗霍夫学会客座教授。

曾任中国科学院上海冶金研究所所长、上海华虹NEC电子有限公司副董事长、上海宏力半导体制造有限公司董事长、上海浦东新区科学技术协会主席、上海市集成电路行业协会会长、上海市信息化专家委员会副主任、国际离子注入和材料改性学术会议国际委员。

现任中国科学院上海微系统研究所研究员、博士生导师，上海宏力半导体制造有限公司科学顾问，上海市集成电路行业协会名誉会长。

1991年当选为中国科学院院士。

在我刚懂事时，“八·一三”战争爆发。

目睹日本帝国主义侵略暴行，懂得了我国之所以受侵略遭压迫，国力不强与技术落后是一个很重要的原因。

上海解放后，我开始接触新的思想，迫切追求进步，决心投身到国家经济建设中去。

于是舍近求远，转学唐山交通大学冶金工程系，这是我响应国家建设与重工业发展的需要作出的一次重要选择。

1952年，我从唐山交通大学毕业后，进入中国科学院上海冶金研究所，开始了我的科研生涯。

科学研究与生产实际相结合是中国科学院上海冶金研究所创办数十年来一贯坚持的传统。

老一辈科学家的献身精神和言传身教引导我沿着正确的轨道成长。

协同研制甲种分离膜钱三强副部长说：“有人扬言，苏联专家走后，中国的浓缩铀工厂将成为一堆废铜烂铁。

其中关键之一就是我们不会制造分离铀235的分离膜元件。

这个技术是绝密的，不可能得到任何资料。

党和国家决定把研制分离膜的任务交给你们去完成。

”天然铀中，核燃料铀235的含量只占0.7％，其余99.3％是铀238。

用于制造核武器的浓缩铀中，铀235的丰度要达到90%以上。

分离铀同位素是一项十分关键的技术，因为铀的两个同位素在物理和化学性质方面都极相似，在上世纪60年代，唯一可行的工业规模分离铀同位素的技术是气体扩散法。

这种分离技术的关键元件是分离膜。

当时只有美国、英国、苏联掌握制造分离膜的技术，但均被列为重点国防机密，严禁扩散。

苏联把这种分离膜称为“社会主义阵营安全的心脏”。

1960年8月，苏联专家撤完的前几天，我正在长春出差，一封紧急电报把我召到了北京原子能所。

二机部副部长、原子能所所长钱三强亲自向我们下达了研制“甲种分离膜”的任务。

钱副部长说：“有人扬言，苏联专家走后，中国的浓缩铀工厂将成为一堆废铜烂铁。

其中关键之一就是我们不会制造分离铀235的分离膜元件。

这个技术是绝密的，不可能得到任何资料。

党和国家决定把研制分离膜的任务交给你们去完成。

”大家深感责任重大，回到上海后，立即组织人力，开展“甲种分离膜”（代号“真空阀门”）的研制。

同时沈阳金属所、复旦大学、北京原子能所等单位也分头开展研究。

鉴于任务的迫切性，1961年，有关科研人员和设备被集中到上海冶金所联合攻关。

副所长吴自良兼任室主任，下设三个大组。

我领导的第二大组负责分离元件制造工艺的研究，包括粉末成型、压力加工、热处理、焊接、物理性能测量等环节。

焊接成型是其中一个难题，当时我国能生产供应的焊头材料性能较差，达不到分离膜焊接工艺的要求。

我曾研究出一种高强度、高电导、热稳定的铜合金新材料，将这一材料加工成焊接电极，使用效果非常好，为甲种铀分离膜的研制成功铲平了一大障碍。

1964年，符合要求的分离膜元件终于研制成功。

试用结果表明，性能超过了苏联的元件。

1965年，它通过了国家鉴定并于同年建成了生产厂，可以大批量生产，使中国成为世界上第四个独立掌握浓缩铀生产技术的国家。

为我国的核工业的建设作出了重要贡献。

这项技术在1984年被授予国家发明一等奖。

研究开发离子束技术1975年9月我在德国卡尔斯鲁厄“离子束表面分析”国际学术会议上发表的论文引起了国际同行的惊讶，国际上一般都要用百万以上电子伏特能量加速器及精密仪器进行的实验，中国竟在自制的低能量设备上完成了。

上世纪70年代初，我回到了科研岗位，但我的研究已转向离子束与固体材料的相互作用及其在半导体材料与器件方面的应用。

当时，能用的设备仅是国内制造的第一台20万电子伏特能量离子注入机，性能很不稳定。

1974年，我们与上海原子核研究所合作，在该离子注入机上配置束流准直器及精密定角器，建立背散射能谱测量及沟道效应分析系统，应用于离子注入半导体的表面层组分浓度分布的测定、晶格损伤的分析以及掺杂原子晶格定位。

1975年完成了氖离子背面注入损伤吸收硅中重杂质以改善p-n结反向漏电特性的研究工作。

1975年9月我在德国卡尔斯鲁厄“离子束表面分析”国际学术会议上发表的论文引起了国际同行的惊讶，国际上一般用百万以上电子伏特能量加速器及精密仪器进行的实验，中国竟在自制的低能量设备上完成了。

1978年，我们又与上海光机所合作在国内率先开展了半导体激光退火等一系列研究工作。

1985年我们创建了中国科学院离子束开放研究实验室，对离子束和固体材料的相互作用的物理机理作了系统研究，并应用于材料的掺杂、改性、合成与分析，获得了中国科学院自然科学、科技进步、发明奖等10项奖励。

近年来，其中一项科研成果SOI材料已被实现了产业化并获得了国家科技进步一等奖。

1984年我被推选并担任了国际离子束领域两个主要学术会议（离子注入技术和离子束材料改性）的国际委员会委员。

给年轻人创造更好条件作为所长，我在位一天，就要创造一切条件让年轻人尽快成长起来。

我铁了心：采取超常规的政策和措施，吸引、稳定、留住年轻人。

1983年，我被推上了研究所所长的岗位，作为一个专业研究人员，要离开长期从事而且执着热爱的研究工作，复杂的感情恐怕常人难以理解。

走上所长岗位后，我要求自己廉政勤政、秉公办事、坚持原则、关心群众，时常提醒自己：当了领导，责任就越重，越要谦虚谨慎，要善于听取各方面的意见，切忌独断独行。

凡是要“下面”做的事情我必须率先做到，凡是不允许“下面”做的事我坚决不做。

上世纪八九十年代，年轻科技人员流失问题相当严重。

我十分清楚面临的难题：资金不足、住房紧张、陈旧的论资排辈思想等。

经过反复思考，到了90年代初，我认为是下决心的时候了。

一个研究单位的竞争能力，归根到底取决于科技队伍的素质与水准。

作为所长，我在位一天，就要创造一切条件让年轻人尽快成长起来。

我铁了心：采取超常规的政策和措施，吸引、稳定、留住年轻人。

在晋升高级专业技术职称中，至少有20%－30％的比例用于青年科技人员；吸收、选拔他们参加研究所的学术、学位评定、职称评审三个委员会和担任各级领导；出国考察要优先考虑年轻人；在住房分配中，青年科技人员的比例不少于20％；对优秀青年人才要一事一议，特事特办，创造脱颖而出的环境与条件。

为吸引优秀的年轻人，我找他们逐个谈心，以我的亲身经历言传身教，希望他们把发展祖国的科技事业作为己任。

1992年，一位留德博士研究生来信，愿学成后回国。

我复信表示一定尽责安排好回国以后的工作和生活条件。

我培养的二十多名博士硕士中就有一半在国外进修后回国效力，他们以优异的业绩晋升为研究员并分别担任了国家重点实验室、工程中心主任，有的已被推上了研究所所长的领导岗位并被选为中国科学院院士。

建设我国半导体产业引进是手段，创新是目的。

引进不是照搬，而是为了超越。

在扩大生产规模的同时，更要把整机、集成电路设计和制造有机地连接起来。

在我国的重大科技项目中，20世纪60年代的“两弹一星”与集成电路研制形成了强烈反差。

“两弹一星”使我国一举跻身少数拥有核武器的国家行列，而当时起步并不晚的集成电路却与国际集成电路产业的发展渐行渐远。

说来也巧，我倒是极少数同时参与了这两个重大国家项目的科技人员之一。

我作为“两弹一星”研制体系大家庭中的一员，曾为“两弹一星”付出辛劳和汗水。

也在集成电路与半导体材料科研领域摸爬滚打了近30年。

由于种种原因，我国仍未建立起规模经营的半导体产业。

早在1965年，上海冶金所和上海元件五厂就共同研究试制出上海第一块集成电路，几乎与日本同步。

30年后的上世纪90年代初，我看到起步比我国晚得多的新加坡甚至马来西亚的半导体产业都后来居上了，我感到寝食不安。

出于这种不甘人后的心态，怀着振兴中国微电子产业的愿望，1997年，我从研究所所长岗位退下来时又接受委任，从科研转向产业，参加集成电路产业建设，至今已经12年了。

我参与筹建了我国第一条8英寸集成电路生产线，1999年初华虹NEC公司比计划提前7个月投片生产，标志我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路生产线。

华虹NEC拥有了自己的知识产权和技术队伍，制作了交通一卡通、社保卡、身份证卡芯片，走出了一条半导体企业的成功之路。

随着该项目的成功建设，一批半导体制造线相继落户浦东地区。

经过近年来的快速发展，上海已形成了由电路设计、晶圆制造、封装测试、设备材料、智能卡等不同领域300余家企业构建的完整集成电路产业链，产能约占全国的三分之一。

但是发展微电子产业仍然任重而道远。

面临的问题是，这些生产线的产能80%以上是为国外设计公司服务的，我国集成电路市场规模已跃居世界第一位，但我们的自供比例始终保持在15%左右。

引进是手段，创新是目的。

引进不是照搬，而是为了超越。

在扩大生产规模的同时，更要把整机、集成电路设计和制造有机地连接起来。

这是我作为上海市集成电路行业协会会长和浦东新区科协主席一直在奔走、呼吁与推动的事情。

我要求自己在还能工作的年限里“继续奋斗，自强不息”，再为自主研发和人才培养这两方面作出一点新的贡献。

相关链接20世纪60年代，邹世昌负责甲种分离膜项目的工艺优选工作，70年代起对荷能离子与固体相互作用进行了系统研究，80年代创建了中国科学院离子束开放研究实验室，90年代起参与在上海浦东建设华虹NEC与宏力半导体等集成电路公司。

邹世昌获国家发明一等奖、科学院自然科学、科技进步等14项奖励，发表文章200篇，培养博士生30名。

2003年被评为上海浦东开发建设杰出人才。

中国科学院院士、材料学家邹世昌近日在“相约名人堂——与院士一起看世博”活动上说，我国的信息技术需要进一步发展，不光会制造，还要自行设计，“目前，好多产品还靠从国外引进，这是解决核心竞争力必须攻克的难题”。

在邹世昌看来，我国集成电路工艺技术较国际先进水平相差两代，要缩小差距，还需要在核心技术上取得突破。

“虽然目前已经取得了一些进展，比如，世博会门票、交通卡、电子身份证，还有移动通信的TD-SCDMA技术……国产芯片已有了广泛应用，但是，现在的通信方面以及计算机领域，好多产品还靠从国外引进。

”邹世昌介绍说，我国现在的集成电路工艺还在0.18微米、0.25微米，而国际先进工艺已达到32纳米（0.032微米），技术已经成熟。

目前，我国集成电路芯片80%依靠进口，在这方面消耗的外汇超过石油，成为第一外汇消耗大户。