集成电路芯片封装技术 第二章 封装工艺流程

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半导体集成电路封装技术复习大纲第一章集成电路芯片封装技术1.(P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用(膜技术)及(微细加工技术),将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺.广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。

2。

集成电路封装的目的:在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能.3.芯片封装所实现的功能:①传递电能,②传递电路信号,③提供散热途径,④结构保护与支持.4.在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数:性能,尺寸,重量,可靠性和成本目标。

5.封装工程的技术的技术层次?第一层次,又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次的组装进行连接的模块元件.第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。

第三层次,将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。

第四层次,将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。

6.封装的分类?按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类,按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类,按照器件与电路板互连方式,封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。

依据引脚分布形态区分,封装元器件有单边引脚,双边引脚,四边引脚,底部引脚四种。

常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装,双边引脚元器件有双列式封装小型化封装,四边引脚有四边扁平封装,底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。

7。

芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面?1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多对封装的要求:1小型化2适应高发热3集成度提高,同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性9。

集成电路封装工艺流程

集成电路封装工艺流程

集成电路封装工艺流程集成电路封装是将完成芯片设计的集成电路芯片封装在封装底座上的过程。

根据芯片的不同要求,有多种封装方式,如插针式(DIP)、贴片式(SOP)、无引脚式(BGA)等。

然而,无论采用何种封装方式,整个封装过程都有一套相对固定的工艺流程。

首先,封装前的准备非常关键。

这包括封装材料的准备、底座的选择和准备、以及芯片的测试。

为了确保封装材料的质量和稳定性,需要从可信的供应商购买标准封装材料,如胶水、密封剂等。

底座的选择也要根据芯片的封装方式和尺寸进行合适的选择,并进行必要的清洁处理。

此外,对芯片进行必要的测试,检查其性能和功能是否正常,以消除不合格产品。

接下来是封装材料的应用。

首先,在底座的合适位置上涂抹胶水或敷设密封剂。

然后,将芯片放置在底座上,并确保芯片正确地与底座对中。

接下来,进行必要的焊接和接线,以确保芯片与底座的连接牢固可靠。

此外,还需要进行封装材料的固化,以保证封装的完整性和稳定性。

这一过程需要严格控制时间和温度,以确保封装材料可以有效地固化。

完成封装后,还需要进行质量检验和测试。

这包括对封装的外观进行检查,确保没有明显的缺陷和损坏。

同时,还需要对封装后的芯片进行功能测试和性能测试,验证芯片的正常工作和满足设计要求。

这些测试可以通过连接芯片的引脚和仪器进行,如测量信号的电压、电流和频率等。

如果芯片不合格,将进行必要的修复和调整,直到通过测试为止。

最后,封装后的芯片需要进行包装和存储。

这包括将封装的芯片放置在特定的包装盒或封装胶袋中,并进行合适的标记和标签。

同时,还需要将封装后的芯片存放在适当的环境条件下,以确保其稳定性和可靠性。

这一过程需要注意防潮、防尘和防静电等措施,以保护封装后的芯片不受外界环境的干扰。

总的来说,集成电路封装工艺流程是一个细致而复杂的过程,需要严格控制各个环节,以确保封装的质量和可靠性。

只有这样,才能生产出满足设计需求的优质封装芯片,为各种电子产品的生产和应用提供坚实的基础。

集成电路封装技术-封装工艺流程介绍

集成电路封装技术-封装工艺流程介绍
芯片凸点金属材料:一般包括金属Au、Cu、Au/Sn、 Pd/Sn。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB的关键技术
芯片凸点制作技术
TAB载带制作技术
载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线 焊接技术
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB的关键技术--芯片凸点制作技术
一般工艺方法 将芯片反面淀积一定厚度的Au或Ni,同时在焊盘上淀积
Au-Pd-Ag和Cu的金属层。然后利用合金焊料将芯片焊接在 焊盘上。焊接工艺应在热氮气或能防止氧化的气氛中进行。
硬质焊料
合金焊料
软质焊料
第二章 封装工艺流程
2.3.3 导电胶粘贴法 导电胶是银粉与高分子聚合物〔环氧树脂〕的混合物。银
第二章 封装工艺流程
2.3.1共晶粘贴法 预型片法,此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优点是
可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完全 的影响。
第二章 封装工艺流程
2.3.2 焊接粘贴法
变形方式的不同,继而产生的各种应力。当材料在外力作用下不能产生位移时,它的几何形状和尺寸将发
在一点的集度焊称为接应粘力〔贴St法res是s〕利。物用体合由于金外反因而响变进形时行,芯在物片体粘内各贴局的部之方间法产生。相优互作点用是的内力, 应变方向平热行,传而导切应性力好的方。向与应变垂直。按照载荷〔Load〕作用的形式不同,应力又可以分为拉伸压
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路芯片集成度的限制各有 打线键合适用引脚数为3-257;载带自动键合的适用引脚数为12-600;
第二章 封装工艺流程
2.4.1 打线键合技术
打线键合技术
超声波键合(Ultrasonic Bonding ,U/S bonding)

第二章 封装工艺流程

第二章 封装工艺流程

各种连线技术依IC集成度区分的应用范围
3.1 打线键合技术
打线键合(焊接)技术 打线键合(焊接)技术为集成电路芯片与封装结构之间的电路连线最常被使用的方 法。其方法是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的键合点 (Pad)上而形成电路连接。 超声波键合(Ultrasonic Bonding U/ S Bonding ) 打线键合技术 热压键合( Thermocompression Bonding T/C ) 热超声波焊接(Thermosonic Bonding T/S Bonding)
焊接粘结法
2.3 导电胶粘贴法
导电胶是大家熟悉的填充银的高分子材料聚合物,是具有良好导热导电性能的环氧 树脂。导电胶粘贴法不要求芯片背面和基板具有金属化层,芯片粘贴后,用导电胶 固化要求的温度时间进行固化,可在洁净的烘箱中完成固化,操作起来简便易行。 因此成为塑料封装常用的芯片粘贴法。以下有三种导电胶 三种导电胶的配方可以提供所需的电 三种导电胶 互连: (1)各向同性材料( ICA,isotropic conductive adhesive ),它能沿所 有方向导电,代替热敏元件上的焊料,也能用于需要接地的元器件 (2)导电硅橡胶,它能有助于保护器件免受环境的危害,如水、汽,而且 可屏蔽电磁和射频干扰(EMI/RFI) (3)各向异性导电聚合物(ACA,anisotropic conductive adhesive ), 它只允许电流沿某一方向流动,提供倒装芯片元器件的电连接和消除应变 以上三种类型导电胶都有两个共同点 两个共同点:在接合表面形成化学结合和导电功能。 两个共同点 导电胶填充料是银颗粒或者是银薄片,填充量一般在75%~80%之间,粘贴剂都是导电的。 但是,作为芯片的粘贴剂,添加如此高含量的填充料,其目的是改善粘贴剂的导热性,即 为了散热。因为在塑料封装中,电路运行过程产生的绝大部分热量将通过芯片粘贴剂和框 架散发出去。

集成电路封装技术封装工艺流程介绍

集成电路封装技术封装工艺流程介绍

集成电路封装技术封装工艺流程介绍集成电路封装技术是指将芯片封装在塑料或陶瓷封装体内,以保护芯片不受外界环境的影响,并且方便与外部电路连接的一种技术。

封装工艺流程是集成电路封装技术的核心内容之一,其质量和工艺水平直接影响着集成电路产品的性能和可靠性。

下面将对集成电路封装技术封装工艺流程进行介绍。

1. 芯片测试首先,芯片在封装之前需要进行测试,以确保其性能符合要求。

常见的测试包括电性能测试、温度测试、湿度测试等。

只有通过测试的芯片才能进行封装。

2. 芯片准备在封装之前,需要对芯片进行准备工作,包括将芯片固定在封装底座上,并进行金线连接。

金线连接是将芯片的引脚与封装底座上的引脚连接起来,以实现与外部电路的连接。

3. 封装材料准备封装材料通常为塑料或陶瓷,其选择取决于芯片的性能要求和封装的环境条件。

在封装之前,需要将封装材料进行预处理,以确保其表面光滑、清洁,并且具有良好的粘附性。

4. 封装封装是整个封装工艺流程的核心环节。

在封装过程中,首先将芯片放置在封装底座上,然后将封装材料覆盖在芯片上,并通过加热和压力的方式将封装材料与封装底座紧密结合。

在封装过程中,需要控制封装温度、压力和时间,以确保封装材料与芯片、封装底座之间的结合质量。

5. 封装测试封装完成后,需要对封装产品进行测试,以确保其性能和可靠性符合要求。

常见的封装测试包括外观检查、尺寸测量、焊接质量检查、封装材料密封性测试等。

6. 封装成品通过封装测试合格的产品即为封装成品,可以进行包装、贴标签、入库等后续工作。

封装成品可以直接用于电子产品的生产和应用。

总的来说,集成电路封装技术封装工艺流程是一个复杂的过程,需要精密的设备和严格的工艺控制。

只有通过合理的工艺流程和严格的质量控制,才能生产出性能优良、可靠性高的集成电路产品。

随着科技的不断进步,集成电路封装技术也在不断创新和发展,以满足不断变化的市场需求。

相信随着技术的不断进步,集成电路封装技术将会迎来更加美好的发展前景。

芯片封装工艺流程

芯片封装工艺流程

芯片封装工艺流程芯片封装是集成电路制造中非常重要的一个环节,它直接影响到芯片的稳定性、可靠性和性能。

芯片封装工艺流程是指将芯片封装在塑料、陶瓷或金属封装体内,并进行封装测试,最终形成成品芯片的一系列工艺步骤。

本文将介绍芯片封装的工艺流程及其关键步骤。

首先,芯片封装的工艺流程包括准备工作、封装设计、封装材料准备、封装生产、封装测试和封装成品等步骤。

在准备工作阶段,需要对封装设备进行检查和维护,确保设备正常运行。

同时,需要准备好封装所需的材料和工艺参数,为后续的封装工作做好准备。

其次,封装设计是芯片封装工艺流程中的关键环节。

封装设计需要根据芯片的功能、尺寸和工作环境等要求,选择合适的封装形式和材料。

不同的芯片封装形式包括裸片封装、贴片封装、球栅阵列封装等,而封装材料则包括塑料封装、陶瓷封装和金属封装等。

封装设计的合理与否直接影响到芯片的性能和成本。

接下来,封装材料准备是芯片封装工艺流程中不可或缺的一环。

封装材料的选择和准备需要根据封装设计的要求进行,确保封装材料的质量和稳定性。

在封装生产阶段,需要将芯片放置在封装体内,并通过焊接、封胶等工艺步骤,将芯片与封装体牢固地连接在一起。

随后,封装测试是芯片封装工艺流程中至关重要的一步。

封装测试需要对封装后的芯片进行可靠性、性能和环境适应性等多方面的测试,以确保封装后的芯片能够正常工作并在各种环境下稳定可靠。

最后,封装成品是芯片封装工艺流程的最终目标,经过前期的工艺步骤和测试验证,最终形成符合要求的成品芯片。

总的来说,芯片封装工艺流程是一个复杂而严谨的过程,需要精密的设备、严格的工艺控制和专业的技术人员来保障。

只有通过科学合理的工艺流程和严格的质量控制,才能生产出高质量、高可靠性的芯片产品,满足不同领域的需求。

希望本文对芯片封装工艺流程有所帮助,谢谢阅读。

集成电路封装工艺流程-PPT文档资料

集成电路封装工艺流程-PPT文档资料
凸块式芯片TAB,先将金属凸块长成于IC芯片的铝键合 点上,再与载带的内引脚键合。预先长成的凸块除了提供引 脚所需要的金属化条件外,可避免引脚与IC芯片间可能发生 短路,但制作长有凸块的芯片是TAN工艺最大的困难。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
芯片凸点制作技术 凸点因形状不同可分为两种
板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法:
打线键合(WB wire bonding)
倒装芯片键合(FCB flip chip bonding,C4)
载带自动键合(TAB tape automate bonding)
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路 芯片集成度的限制各有不同的应用范围。
打线键合适用引脚数为3-257;载带自动键合的适 用引脚数为12-600;倒装芯片键合适用的引脚数为616000。可见C4适合于高密度组装。
IC芯片制作完成后其表面均镀有钝化保护层,厚度高于 电路的键合点,因此必须在IC芯片的键合点上或TAB载带的 内引线前端先长成键合凸块才能进行后续的键合,通常TAB 载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化芯片TAB两大类。
地状金属凸块;单层载带可配合铜箔引脚的刻蚀制成凸 块,在双层与三层载带上,因为蚀刻的工艺容易致导带变形, 而使未来键合发生对位错误,因此双层与三层载带较少应用 于凸块载带TAB的键合。
这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起 的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害,大大增强了 芯片的抗碎能力。
第二章 封装工艺流程
2.3 芯片贴装 芯片贴装,也称芯片粘贴,是将芯片固定于封装基板或引
脚架芯片的承载座上的工艺过程。
贴装方式
• 共晶粘贴法 • 焊接粘贴法 • 导电胶粘贴法 • 玻璃胶粘贴法

第2章-IC封装

第2章-IC封装

第二章集成电路芯片封装工艺流程传统封装与装配硅片测试和拣选引线键合分片塑料封装最终封装与测试贴片芯片封装技术工艺流程图硅片减薄硅片切割芯片贴装芯片互连打码上焊锡切筋成形去毛刺成型技术2.1 硅片减薄硅片尺寸较大,(6寸、8寸、12寸);硅片上电路层有效厚度300μm,加厚为700~900µm,因此,封装之前,要对硅片进行减薄。

减薄技术:研磨、化学机械抛光(CMP)、干式抛光、电化学腐蚀、等离子化学腐蚀等。

硅片减薄转动和摆动秆转动卡盘上的硅片向下施加力Figure 20.42.2 芯片切割(分片)减薄后的芯片贴在一个带有金属环的薄膜(蓝膜)上,送到划片机进行划片。

方式:手动操作(老式划片机);自动划片机(配备脉冲激光束或金刚石划片刀)。

划片工艺:采用DBG 、DBT技术。

分片硅片台锯刃Figure 20.52.3 芯片粘贴共晶粘贴法(Au-Si合金)焊接粘贴法(Pb-Sn合金焊接)环氧树脂粘结(重点)玻璃胶粘贴法贴装方式4种:装架芯片引线引线框架塑料DIPFigure 20.62.3.1 共晶粘贴法金—硅共晶(Au-Si)粘贴,在陶瓷封装中广泛应用。

利用金—硅合金,在高温时共晶熔合反应使IC芯片粘贴固定。

工艺方法—看下页图缺点:工艺温度高,生产效率低,不适应高速自动化生产。

只应用于大功率元件。

芯片粘结-Au-Si共晶贴片Silicon Gold film 金/硅共晶合金Al2O3 Figure 20.82.3.2 焊接粘贴法另一种利用合金反应进行芯片粘贴的方法。

优点:热传导性好,适合高功率器件的封装。

2.3.3 导电胶粘贴法也称环氧树脂粘结;优点:操作简单、成本低、大量用于塑料封装;缺点:热稳定性较差、易在高温下劣化、可靠性差。

芯片粘结-环氧树脂粘贴芯片环氧树脂引线框架Figure 20.7导电胶粘贴法工艺过程和导电胶材料涂布粘贴剂放芯片到粘贴剂上固化处理。

固化条件:150℃,1h 或(186℃,0.5h)三种导电胶材料配方:①各向同性②导电硅橡胶③各向异性导电聚合物导电胶功能:(形成化学结合、具有导电功能)2.3.4 玻璃胶粘贴法为低成本芯片粘贴材料,适用于低成本的陶瓷封装。

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第二章
封装材料成型技术
• • • • ① ② ③
即:将芯片与引线框架包装起来。 金属封装、塑料封装、陶瓷封装等; 塑料封装最常用方式,占90%的市场。 塑料封装的成型技术包括: 转移成型技术 (主要方法) 喷射成型技术 预成型技术
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第二章
封装材料成型技术
塑料等高分子聚合物是当前使用较多的封装成型材料, 塑料等高分子聚合物是当前使用较多的封装成型材料, 塑料材料通常分为热固性聚合物和热塑性聚合物两种。 塑料材料通常分为热固性聚合物和热塑性聚合物两种。 热固性和热塑性聚合物的区别? 热固性和热塑性聚合物的区别? 热塑性聚合物:聚合物分子间以物理力聚合而成,加热 时可熔融,并能溶于适当溶剂中。热塑性聚合物受热时可 塑化,冷却时则固化成型,并且可反复进行。 热固性聚合物:低温时聚合物是塑性或流动的, 热固性聚合物:低温时聚合物是塑性或流动的,当加热 到一定温度时,聚合物分子发生交联反应,形成刚性固体, 到一定温度时,聚合物分子发生交联反应,形成刚性固体, 并不能反复加热使之塑性流动,不可回收利用。 并不能反复加热使之塑性流动,不可回收利用。
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封装工艺流程—切筋成型 封装工艺流程 切筋成型 切筋成型其实是两道工序:切筋和打弯,通 常同时完成。 切筋工艺,是指切除框架外引脚之间的堤坝 (dam bar)及在框架带上连在一起的地方; 打弯工艺则是将引脚弯成一定的形状,以适 合装配的需要。
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第二章
第二章
第二章 封装工艺流程
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第二章
前课回顾
1.微电子封装技术发展的驱动力有哪些方面? 1.微电子封装技术发展的驱动力有哪些方面? 微电子封装技术发展的驱动力有哪些方面
IC发展+电子整机发展+市场驱动= IC发展+电子整机发展+市场驱动=微电子技术产业 发展
2.微电子封装技术发展对封装的要求体现在哪里? 2.微电子封装技术发展对封装的要求体现在哪里? 微电子封装技术发展对封装的要求体现在哪里
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第二章
封装工艺流程—芯片互连 封装工艺流程 芯片互连 • WB中,引线过长引起短路,压焊过重引起引线损 伤、芯片断裂,压焊过轻或芯片表面膨胀会导致虚 焊等。 • TAB和FCB中,芯片凸点高度不一致,点阵凸点与 TAB FCB 基板的应力不匹配也会引起基板变形、焊点失效。
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成本低、 上胶加热至玻璃熔 成本低、去除有机成 分和溶剂需完全 融温度
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第二章
实例: 实例:共晶芯片粘贴法
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封装工艺流程—芯片互连 封装工艺流程 芯片互连
第二章 是微系统封装的 基础技术和专有技术
芯片互连是指将芯片焊区与电子封装外壳的 I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接,实现芯 片功能的制造技术。 芯片互连的常见方法包括引线键合(又称打线 键合)技术(WB)、载带自动键合技术(TAB)和 倒装芯片键合技术(FCB)三种。其中,FCB又称为 C4—可控塌陷芯片互连技术。
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第二章
主要内容
封装工艺流程概述 芯片切割 芯片贴装 芯片互连 成型技术 去飞边毛刺 上焊锡 切筋成型与打码
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第二章
封装工艺流程概述
芯片封装始于IC晶圆完成之后,包括IC晶圆 的粘片固化、互连、成型固化、切筋成形、引 线电镀、打码等主要过程。
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溶剂去飞边毛刺和水去飞边毛刺:
利用高压液体流冲击模块, 利用高压液体流冲击模块,利用溶剂的溶解性去除毛 刺飞边,常用于很薄毛刺的去除。 刺飞边,常用于很薄毛刺的去除。
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封装材料成型技术
当前使用的封装材料多为高分子聚合材料, 当前使用的封装材料多为高分子聚合材料,以 塑料封装为例,成型技术主要包括以下几种: 塑料封装为例,成型技术主要包括以下几种:
[1] 转移成型技术(Transfer Molding) 转移成型技术( ) 热固性塑料转移成型工艺是将“热流道注塑” 热固性塑料转移成型工艺是将“热流道注塑”和“压力 成型” 组合工艺。传统热流道注塑成型中, 成型” 组合工艺。传统热流道注塑成型中,熔体腔室中 保持一定的温度, 保持一定的温度,在外加压力作用下塑封料进入芯片模具 型腔内,获得一定形状的芯片外形。 型腔内,获得一定形状的芯片外形。
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第二章
封装工艺流程—测试、 封装工艺流程 测试、包装 测试 测试 在完成打码工序后,所有器件都要100%进行测 %进行测 在完成打码工序后,所有器件都要 试。这些测试包括一般的目检、老化试验和最终的 产品测试。 包装 对于连续生产流程,元件的包装形式应该方便拾 取,且不需作调整就能够应用到自动贴片机上。
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封装材料成型技术 [3] 预成型技术(Pre-Molding) 预成型技术( )
预成型工艺是将封装材料预先做成封装芯片外形对应 的形状,如陶瓷封装,先做好上下陶瓷封盖后, 的形状,如陶瓷封装,先做好上下陶瓷封盖后,在两封盖 间高温下采用硼硅酸玻璃等材料进行密封接合。 间高温下采用硼硅酸玻璃等材料进行密封接合。
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第二章
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毛刺飞边去除工艺:
介质去毛刺飞边:研磨料和高压空气一起冲洗模块, 介质去毛刺飞边:研磨料和高压空气一起冲洗模块, 研磨料在去除毛刺的同时,可将引脚表面擦毛, 研磨料在去除毛刺的同时,可将引脚表面擦毛,有助于后 续上锡操作。 续上锡操作。
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封装材料转移成型过程 芯片及完成互连的框架置于模具中; 1、芯片及完成互连的框架置于模具中; 将塑封料预加热后放入转移成型机转移罐中; 2、将塑封料预加热后放入转移成型机转移罐中; 3、在一定温度和转移成型活塞压力作用下,塑封 在一定温度和转移成型活塞压力作用下, 料注射进入浇道,通过浇口进入模具型腔; 料注射进入浇道,通过浇口进入模具型腔; 4、塑封料在模具内降温固化,保压后顶出模具进 塑封料在模具内降温固化, 一步固化。 一步固化。
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封装材料成型技术 喷射成型技术( Molding) [2] 喷射成型技术(Inject Molding)
喷射成型工艺是将混有引发剂和促 喷射成型工艺是将混有引发剂和促 的两种聚酯分别从喷枪两侧喷出, 进剂的两种聚酯分别从喷枪两侧喷出 进剂的两种聚酯分别从喷枪两侧喷出, 同时将塑封料树脂由喷枪中心喷出,使 同时将塑封料树脂由喷枪中心喷出, 其与引发剂和促进剂均匀混合, 其与引发剂和促进剂均匀混合,沉积到 模具型腔内,当沉积到一定厚度时, 模具型腔内,当沉积到一定厚度时,用 辊轮压实,使纤维浸透树脂,排除气泡, 辊轮压实,使纤维浸透树脂,排除气第二章
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第二章
封装流程分段
芯片封装的流程又通常分两个阶段: 芯片封装的流程又通常分两个阶段: 1)封装材料成型之前的工艺步骤称为前段操作 2)材料成型之后的工艺步骤称为后段操作 其中,前段操作所需的环境洁净度要求高于后段操 其中, 作,但随着芯片的复杂化和微型化,整体操作环境要求 但随着芯片的复杂化和微型化, 均得到了提高。 均得到了提高。
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封装工艺流程—芯片贴装 封装工艺流程 芯片贴装 芯片贴装(Die Mount)又称芯片粘贴,是将 IC芯片固定于封装基板或引脚架承载座上的工艺 过程。 芯片应贴装到引脚架的中间焊盘上,焊盘 尺寸要与芯片大小相匹配,大小不匹配会产生什 么现象? 芯片贴装方式主要有四种:共晶粘贴法、焊接 粘贴法、导电胶粘贴法和玻璃胶粘贴法。
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封装工艺流程—打弯工艺 封装工艺流程 打弯工艺
对于打弯工艺,最主要的问题是引脚变形。对于PTH装 配,由于引脚数较少且较粗,基本没有问题。对SMT装配来 讲,尤其是高引脚数目框架和微细间距框架器件,一个突 出的问题是引脚的非共面性(lead non Coplanarity)。
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