芯片封装工艺详解.

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芯片封装工艺过程简介

芯片封装工艺过程简介

SMT SMT
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IC Package (IC的封装形式)
• 按封装外型可分为:
SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等;
封装形式和工艺逐步高级和复杂
• 决定封装形式的两个关键因素:
封装效率。芯片面积/封装面积,尽量接近1:1; 引脚数。引脚数越多,越高级,但是工艺难度也相应增加;
Key Words:
Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool,内部为 空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形 成第一和第二焊点;
EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温, 将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一 焊点(Bond Ball);
IC Package种类很多,可以按以下标准分类:
• 按封装材料划分为: 金属封装、陶瓷封装、塑料封装
• 按照和PCB板连接方式分为: PTH封装和SMT封装
• 按照封装外型可分为: SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等;
IC Package (IC的封装形式)
• 按封装材料划分为:
FOL– Wire Bonding 引线焊接
※利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
FOL– Wire Bonding 引线焊接
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割

芯片封装原理及分类

芯片封装原理及分类

芯片封装原理及分类1.芯片封装原理芯片封装是指将微电子器件(包括集成电路、晶体管等)连接到封装基座上的工艺过程。

其原理是将芯片导线通过焊接或焊球连接到封装基座上的金属脚,然后采用封装材料将芯片进行封装。

这样可以保护芯片免受外界环境的影响,并且提供了芯片与外部世界之间的连接接口。

2.芯片封装分类(1)DIP封装(Dual In-line Package)DIP封装是最早的一种芯片封装方式,其特点是通过两排金属脚与外部电路连接。

这种封装方式成本低、可焊接,但体积大,适用于较低密度的集成电路。

(2)SOP封装(Small Outline Package)SOP封装是DIP封装的改进版,其特点是脚距更近,体积更小,适用于较高密度的集成电路。

SOP封装有多种形式,如SOIC(Small Outline Integrated Circuit)、TSOP(Thin Small Outline Package)等。

(3)QFP封装(Quad Flat Package)QFP封装是一种表面贴装封装方式,其特点是四个侧面都带有金属端子,适用于较高密度、中等规模的集成电路。

QFP封装有多种形式,如TQFP(Thin Quad Flat Package)、LQFP(Low-profile Quad Flat Package)等。

(4)BGA封装(Ball Grid Array)BGA封装是一种表面贴装封装方式,在封装基座上布置了一定数量的焊球来实现与外部电路的连接。

BGA封装的特点是密封性好、性能稳定,并且适用于超高密度的集成电路。

BGA封装有多种形式,如CABGA (Ceramic Ball Grid Array)、TBGA(Thin Ball Grid Array)等。

(5)CSP封装(Chip Scale Package)CSP封装是一种紧凑型封装方式,其特点是尺寸和芯片相似,在封装基座上布置了少量焊球或焊盘。

CSP封装的优势在于占据空间小、重量轻、功耗低,并且适用于高密度的集成电路。

芯片玻璃封装工艺

芯片玻璃封装工艺

芯片玻璃封装工艺一、玻璃片准备玻璃片是芯片封装的主要材料之一,需要按照封装要求进行选择和加工。

在准备过程中,需要对玻璃片进行清洗、切割、研磨等处理,以确保其表面质量和尺寸符合要求。

二、芯片放置与固定将芯片放置在玻璃片上,并对其进行固定,是封装工艺中的重要环节。

在放置和固定过程中,需要保证芯片的位置准确、稳定,以避免在封装过程中出现位移或损坏。

三、引脚与导线焊接将芯片的引脚与导线焊接在一起,是实现芯片与外部电路连接的关键步骤。

在焊接过程中,需要控制温度、时间和焊接质量,以确保焊接点的可靠性和稳定性。

四、玻璃与芯片封接将玻璃片与芯片封接在一起,可以保护芯片免受外界环境的影响,同时也可以实现芯片与外部电路的电气连接。

在封接过程中,需要控制温度、压力和时间等参数,以确保封接质量和可靠性。

五、引脚导出与修剪将芯片的引脚导出并修剪整齐,是保证成品外观和质量的重要步骤。

在导出和修剪过程中,需要控制力度和精度,以确保引脚的完整性和一致性。

六、质量检测与控制在封装过程中,需要进行一系列的质量检测和控制,以确保每个环节的质量符合要求。

例如,需要对玻璃片、芯片、焊接点等进行外观检测、尺寸测量、电气性能测试等。

七、成品测试与筛选对封装好的成品进行测试和筛选,可以确保其性能和质量符合要求。

测试项目包括电气性能测试、环境适应性测试、可靠性测试等。

筛选则主要是根据测试结果对成品进行分类和筛选。

八、包装与运输最后,需要对成品进行包装和运输。

包装主要是为了保护成品免受外界环境的影响和损坏,运输则主要是为了将成品送达目的地。

在包装和运输过程中,需要采取相应的措施和注意事项,以确保成品的完整性和安全性。

bga封装工艺流程

bga封装工艺流程

BGA封装工艺流程1. 概述BGA(Ball Grid Array)封装是一种常见的集成电路封装技术,它通过将芯片引脚连接到一组小球形焊点上,实现芯片与PCB(Printed Circuit Board)之间的连接。

BGA封装具有高密度、高可靠性和良好的电气性能等优点,广泛应用于电子产品中。

本文将详细介绍BGA封装的工艺流程。

2. BGA封装工艺流程BGA封装的工艺流程主要包括芯片前处理、基板制备、球阵布置、焊球连接、后处理和测试等步骤。

下面将逐步介绍每个步骤的具体内容。

2.1 芯片前处理芯片前处理是BGA封装的第一步,主要包括芯片去毛刺、清洗和粘接等操作。

2.1.1 芯片去毛刺芯片去毛刺是为了去除芯片表面的毛刺,保证后续工艺的顺利进行。

具体步骤如下:- 使用刷子或刮刀等工具将芯片表面的毛刺清除干净。

- 使用去毛刺剂进行清洗,去除表面的污垢。

2.1.2 清洗清洗是为了去除芯片表面的杂质和污垢,保证焊接质量。

具体步骤如下: - 将芯片浸入清洗液中,进行超声波清洗。

超声波的作用可以将污垢从芯片表面剥离。

- 取出芯片,用去离子水进行冲洗,去除清洗液的残留。

2.1.3 粘接粘接是为了将芯片固定在基板上,防止在后续工艺中移动。

具体步骤如下: - 在芯片背面涂布一层粘合剂,均匀覆盖整个芯片背面。

- 将芯片放置在基板上,保持对位精度。

- 将芯片按压固定,使其与基板紧密贴合。

2.2 基板制备基板制备是BGA封装的第二步,主要包括基板选择、基板去毛刺、基板涂布和基板烘干等操作。

2.2.1 基板选择基板的选择是根据芯片的尺寸、引脚数量和电气要求等因素进行的。

一般情况下,基板材料选用FR-4玻璃纤维板,具有良好的绝缘性能和机械强度。

2.2.2 基板去毛刺基板去毛刺是为了去除基板表面的毛刺,保证焊接质量。

具体步骤如下: - 使用刷子或刮刀等工具将基板表面的毛刺清除干净。

- 使用去毛刺剂进行清洗,去除表面的污垢。

集成电路封装技术封装工艺流程介绍

集成电路封装技术封装工艺流程介绍

集成电路封装技术封装工艺流程介绍集成电路封装技术是指将芯片封装在塑料或陶瓷封装体内,以保护芯片不受外界环境的影响,并且方便与外部电路连接的一种技术。

封装工艺流程是集成电路封装技术的核心内容之一,其质量和工艺水平直接影响着集成电路产品的性能和可靠性。

下面将对集成电路封装技术封装工艺流程进行介绍。

1. 芯片测试首先,芯片在封装之前需要进行测试,以确保其性能符合要求。

常见的测试包括电性能测试、温度测试、湿度测试等。

只有通过测试的芯片才能进行封装。

2. 芯片准备在封装之前,需要对芯片进行准备工作,包括将芯片固定在封装底座上,并进行金线连接。

金线连接是将芯片的引脚与封装底座上的引脚连接起来,以实现与外部电路的连接。

3. 封装材料准备封装材料通常为塑料或陶瓷,其选择取决于芯片的性能要求和封装的环境条件。

在封装之前,需要将封装材料进行预处理,以确保其表面光滑、清洁,并且具有良好的粘附性。

4. 封装封装是整个封装工艺流程的核心环节。

在封装过程中,首先将芯片放置在封装底座上,然后将封装材料覆盖在芯片上,并通过加热和压力的方式将封装材料与封装底座紧密结合。

在封装过程中,需要控制封装温度、压力和时间,以确保封装材料与芯片、封装底座之间的结合质量。

5. 封装测试封装完成后,需要对封装产品进行测试,以确保其性能和可靠性符合要求。

常见的封装测试包括外观检查、尺寸测量、焊接质量检查、封装材料密封性测试等。

6. 封装成品通过封装测试合格的产品即为封装成品,可以进行包装、贴标签、入库等后续工作。

封装成品可以直接用于电子产品的生产和应用。

总的来说,集成电路封装技术封装工艺流程是一个复杂的过程,需要精密的设备和严格的工艺控制。

只有通过合理的工艺流程和严格的质量控制,才能生产出性能优良、可靠性高的集成电路产品。

随着科技的不断进步,集成电路封装技术也在不断创新和发展,以满足不断变化的市场需求。

相信随着技术的不断进步,集成电路封装技术将会迎来更加美好的发展前景。

IC封装工艺简介

IC封装工艺简介

IC封装工艺简介集成电路(IC)封装工艺是制造IC的重要步骤之一,它关系到IC的稳定性、散热效果和外形尺寸等方面。

通过不同的封装工艺,可以满足不同类型的IC器件的需求。

封装工艺分类目前常见的IC封装工艺主要有以下几种类型:1.贴片封装:是将IC芯片直接粘贴在PCB基板上的封装方式,适用于小型、低功耗的IC器件。

2.裸片封装:IC芯片和封装基板之间没有任何封装材料,可以获得更好的散热效果。

3.塑封封装:将IC芯片封装在塑料基板内部,并封装成标准尺寸的芯片,适用于多种场合。

4.BGA封装:球栅阵列封装是一种高端封装技术,通过焊接球栅来连接芯片和PCB基板,适用于高频高性能的IC器件。

封装工艺流程IC封装工艺包括以下几个主要步骤:1.芯片测试:在封装之前,需要对芯片进行测试,确保芯片的功能正常。

2.粘贴:在贴片封装中,IC芯片会被粘贴到PCB基板上,需要精确的定位和固定。

3.焊接:通过焊接技术将IC芯片和PCB基板连接起来,确保信号传输的可靠性。

4.封装:将IC芯片包裹在封装材料中,形成最终的封装芯片。

5.测试:封装完成后需要进行最终的测试,确保IC器件性能符合要求。

封装工艺发展趋势随着技术的不断进步,IC封装工艺也在不断发展,主要体现在以下几个方面:1.多功能集成:随着对IC器件功能和性能需求的提高,封装工艺需要支持更多的功能集成,如封装中集成无源器件或传感器等。

2.微型化:随着电子产品体积的不断缩小,IC封装工艺也在朝着微型化的方向发展,以满足小型化产品的需求。

3.高性能封装:为了提高IC器件的性能和可靠性,封装工艺需要支持更高频率、更高功率的IC器件。

综上所述,IC封装工艺在集成电路制造中扮演着重要的角色,通过不断的创新和发展,可以满足各类IC器件的需求,推动整个电子产业的不断进步。

芯片封装工艺流程

芯片封装工艺流程

芯片封装工艺流程芯片封装是集成电路制造中非常重要的一个环节,它直接影响到芯片的稳定性、可靠性和性能。

芯片封装工艺流程是指将芯片封装在塑料、陶瓷或金属封装体内,并进行封装测试,最终形成成品芯片的一系列工艺步骤。

本文将介绍芯片封装的工艺流程及其关键步骤。

首先,芯片封装的工艺流程包括准备工作、封装设计、封装材料准备、封装生产、封装测试和封装成品等步骤。

在准备工作阶段,需要对封装设备进行检查和维护,确保设备正常运行。

同时,需要准备好封装所需的材料和工艺参数,为后续的封装工作做好准备。

其次,封装设计是芯片封装工艺流程中的关键环节。

封装设计需要根据芯片的功能、尺寸和工作环境等要求,选择合适的封装形式和材料。

不同的芯片封装形式包括裸片封装、贴片封装、球栅阵列封装等,而封装材料则包括塑料封装、陶瓷封装和金属封装等。

封装设计的合理与否直接影响到芯片的性能和成本。

接下来,封装材料准备是芯片封装工艺流程中不可或缺的一环。

封装材料的选择和准备需要根据封装设计的要求进行,确保封装材料的质量和稳定性。

在封装生产阶段,需要将芯片放置在封装体内,并通过焊接、封胶等工艺步骤,将芯片与封装体牢固地连接在一起。

随后,封装测试是芯片封装工艺流程中至关重要的一步。

封装测试需要对封装后的芯片进行可靠性、性能和环境适应性等多方面的测试,以确保封装后的芯片能够正常工作并在各种环境下稳定可靠。

最后,封装成品是芯片封装工艺流程的最终目标,经过前期的工艺步骤和测试验证,最终形成符合要求的成品芯片。

总的来说,芯片封装工艺流程是一个复杂而严谨的过程,需要精密的设备、严格的工艺控制和专业的技术人员来保障。

只有通过科学合理的工艺流程和严格的质量控制,才能生产出高质量、高可靠性的芯片产品,满足不同领域的需求。

希望本文对芯片封装工艺流程有所帮助,谢谢阅读。

芯片常用封装

芯片常用封装

芯片常用封装芯片常用封装是指对芯片进行包装和封装的一种技术,它可以保护芯片,提高芯片的可靠性和稳定性,并方便芯片的使用和安装。

芯片常用封装形式主要有晶圆级封装和后封装两种。

1. 晶圆级封装晶圆级封装是指将芯片直接封装在晶圆上。

这种封装方式具有高度集成、高密度、高性价比等优点。

晶圆级封装主要有以下几种形式。

(1) 裸芯封装:将芯片直接封装在晶圆上,没有任何其他材料进行封装。

这种封装方式适用于一些对成本要求较高、不需要对芯片进行保护的应用场景。

(2) 热压封装:将芯片通过热压工艺与晶圆封装。

这种封装方式可以提高芯片的可靠性和热导性能。

(3) 胶粘封装:将芯片封装在晶圆上,并使用胶粘剂进行固定。

这种封装方式可以提高芯片的抗震性和抗振动性能。

(4) 焊接封装:将芯片封装在晶圆上,并通过焊接工艺进行连接。

这种封装方式可以提高芯片的可靠性和连接性能。

2. 后封装后封装是指将已经完成芯片制造的芯片进行封装。

这种封装方式可以根据不同的应用需求选择不同的封装形式。

(1) DIP封装:DIP封装是一种早期的常用封装形式,它可以直接插入到电路板上。

DIP封装具有安装方便、维修性好等优点,但是不适用于集成度高的芯片。

(2) BGA封装:BGA封装是一种较新的封装技术,它将芯片通过球形焊盘进行连接。

BGA封装具有高集成度、高密度、高可靠性等优点,适用于高性能芯片的封装。

(3) QFP封装:QFP封装是一种表面贴装封装技术,它将芯片通过引脚焊接到电路板上。

QFP封装具有体积小、重量轻、适用于高速信号传输等优点,适用于一些对体积要求较小的应用场景。

(4) CSP封装:CSP封装是一种超小型封装技术,它将芯片直接封装在引脚上。

CSP封装具有体积小、能耗低、适用于高光性能等优点,适用于一些对体积和能耗要求较高的应用场景。

综上所述,芯片常用封装形式有晶圆级封装和后封装两种,各有不同的优点和适用场景。

在选择封装形式时,需要根据芯片的性能要求、应用场景和成本等因素进行综合考虑选择。

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IC Package (IC的封装形式)
• QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 • SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 • TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 • QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 • BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 • CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
Back Grinding 磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割

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IC Package Structure(IC结构图)
Lead Frame 引线框架 Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire 金线 Epoxy 银浆
TOP VIEW
Mold Compound 环氧树脂
SIDE VIEW
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Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺详解
2012-10
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IC Process Flow
Customer 客 户
IC Design IC设计 SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
金属封装
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IC Package (IC的封装形式)
• 按与PCB板的连接方式划分为:
PTH
SMT
PTH-Pin Through Hole, 通孔式;
SMT
SMT-Surface Mount Technology ,表面贴装式。
目前市面上大部分IC均采为SMT式 的
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Wafer】晶圆
……

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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Lead Frame】引线框架
提供电路连接和Die的固定作用;
主要材料为铜,会在上面进行镀银、 NiPdAu等材料;
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IC Package (IC的封装形式)
• 按封装材料划分为:
塑料封装
陶瓷封装
金属封装主要用于军工或航天技术,无 商业化产品; 陶瓷封装优于金属封装,也用于军事产 品,占少量商业化市场; 塑料封装用于消费电子,因为其成本低 ,工艺简单,可靠性高而占有绝大部分 的市场份额;

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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Mold Compound】塑封料/环氧树脂
主要成分为:环氧树脂及各种添加剂(固化剂,改性剂,脱 模剂,染色剂,阻燃剂等); 主要功能为:在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来, 提供物理和电气保护,防止外界干扰; 存放条件:零下5°保存,常温下需回温24小时;

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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Epoxy】银浆
成分为环氧树脂填充金属粉末(Ag); 有三个作用:将Die固定在Die Pad上; 散热作用,导电作用;
-50°以下存放,使用之前回温24小时;


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IC Package (IC的封装形式)
• 按封装外型可分为: SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等;
封装形式和工艺逐步高级和复杂
• 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积,尽量接近1:1; 引脚数。引脚数越多,越高级,但是工艺难度也相应增加; 其中,CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装,达到了 芯片面积/封装面积=1:1,为目前最高级的技术;
L/F的制程有Etch和Stamp两种; 易氧化,存放于氮气柜中,湿度小 于40%RH; 除了BGA和CSP外,其他Package都会采用Lead Frame, BGA采用的是Substrate;
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Raw Material in Assembly(封装原材料)

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IC Package (IC的封装形式)
Package--封装体:
指芯片(Die)和不同类型的框架(L/F)和塑封料(EMC) 形成的不同外形的封装体。 IC Package种类很多,可以按以下标准分类:
• 按封装材料划分为: 金属封装、陶瓷封装、塑料封装 • 按照和PCB板连接方式分为: PTH封装和SMT封装 • 按照封装外型可分为: SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等;
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Typical Assembly Process Flow
FOL/前段
EOL/中段
Plating/电镀
EOL/后段
Final Test/测试
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FOL– Front of Line前段工艺
Wafer 2nd Optical 第二道光检 Die Attach 芯片粘接
【Gold Wire】焊接金线
实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连同时,出于成本考虑,目前有采用铜 线和铝线工艺的。优点是成本降低, 同时工艺难度加大,良率降低; 线径决定可传导的电流;0.8mil, 1.0mil,1.3mils,1.5mils和2.0mils;
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