集成电路芯片封装技术
集成电路芯片封装技术
集成电路芯片封装技术集成电路芯片封装技术是指将芯片封装在外部封装材料之中，以保护芯片，并为其提供供电和信号传输的功能。
封装技术是集成电路制造中的关键环节，对于集成电路芯片的可靠性、电气性能和尺寸要求都具有重要影响。
下面将介绍几种常见的集成电路芯片封装技术。
第一种是无引脚封装技术。
无引脚封装技术是指将芯片直接封装在基板上，通过使用焊嘴和焊球等来连接芯片和基板。
这种封装技术的特点是结构简单、可靠性高、成本低，适用于较小尺寸的芯片。
但由于需要直接焊接，对于芯片的布线密度有一定要求。
第二种是引脚封装技术。
引脚封装技术是指将芯片焊接在引脚上，然后将引脚与基板连接。
这种封装技术可以适应不同的尺寸和布线密度要求，适用于各种集成电路芯片。
根据引脚的形式，可以分为直插式封装和表面贴装封装。
直插式封装适用于较大尺寸的芯片，而表面贴装封装则适用于较小尺寸的芯片。
第三种是球栅阵列（BGA）封装技术。
BGA封装技术是指将芯片封装在一个带有焊球的基板上，焊球与基板之间通过焊锡球形成连接。
这种封装技术具有高密度、高可靠性和良好的电性能，因此被广泛应用于高性能计算机芯片和移动设备芯片等领域。
第四种是系统级封装技术。
系统级封装技术是指将多个芯片集成在一个封装中，形成一个完整的系统。
这种封装技术可以节省空间、降低能耗，提高芯片的可靠性和性能。
系统级封装技术适用于复杂的系统芯片，如通信芯片、传感器芯片等。
除了以上几种常见的封装技术外，还有一些其他的封装技术，如三维封装技术、系统级封装技术等。
随着技术的不断发展，集成电路芯片封装技术也在不断创新，以适应日益增长的需求。
总的来说，集成电路芯片封装技术的发展对于集成电路产业的发展起着重要的推动作用，这些技术的进步将为我们带来更加高效、可靠和多样化的集成电路产品。
集成电路的封装形式
QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。
2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小
三、PGA插针网格阵列封装
(Pin Grid Array Package) 特点
插拔操作更方便，可靠性高。 可适应更高的频率
BGA球栅阵列封装 BGA封装技术又可详分为五大类：
六、MCM多芯片模块
为解决单一芯片集成度低和功能不够完善的问题， 把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，
在高密度多层互联基板上用SMD技术组成 多种多样的电子模块系统，从而出现MCM(Multi Chip Model)多芯片模块系统。
MCM具有以下特点：
1.封装延迟时间缩小，易于实现模块高速化。
2.缩小整机/模块的封装尺寸和重量。
3.系统可靠性大大提高。
IC面积只比晶粒（Die）大不超过1.4倍。
CSP封装具有以下特点： 1.满足了芯片I/O引脚不断增加的需要。 2.芯片面积与封装面积之间的比值很小。
3.极大地缩短延迟时间
SOIC 封装 BGA 封装 TSOP 封装 TQFP 封装 DIP 封装 QFP 封装 SOP 封装 SSOP 封装 CLCC 封装
提高了成品率。
虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌 陷芯片法焊接，
从而可以改善电热性能。
三．信号传输延迟小，适应频率大大提高。 组装可用共面焊接，可靠性大大提高。
五、CSP芯片尺寸封装 随着全球电子产品个性化、轻巧化的需求蔚为风潮， 封装技术已进步到CSP(Chip Size Package)。 它减小了芯片封装外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大 ，封装尺寸就有多大。即封装后的IC尺寸边长不大于芯片的1.2倍，
模拟电子技术基础知识集成电路的制造与封装技术
模拟电子技术基础知识集成电路的制造与封装技术模拟电子技术基础知识：集成电路的制造与封装技术集成电路（Integrated Circuit，简称IC）作为现代电子技术的核心组成部分，广泛应用于电子设备、通信系统、计算机等领域。
而集成电路的制造与封装技术则是实现IC产品生产的关键环节。
本文将介绍模拟电子技术基础知识之集成电路的制造与封装技术，以帮助读者更好地了解和应用这一领域的知识。
一、集成电路的制造技术集成电路的制造技术主要包括晶圆加工、薄膜制备、光刻、扩散与离子注入、接触制作、金属化、封装等过程。
1. 晶圆加工晶圆加工是集成电路制造的第一步，它是以硅为原料，通过一系列工艺步骤将硅晶圆加工成初具集成电路结构的基片。
晶圆加工主要包括晶圆切割、去除表面氧化层、清洗等过程。
2. 薄膜制备薄膜在集成电路中发挥着重要作用，用于隔离电路层与电路层之间、保护电路元件以及形成电路元件等功能。
常见的薄膜制备技术有化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等。
3. 光刻光刻是一种利用光刻胶和光源对薄膜进行图案转移的技术。
通过将光刻胶覆盖在薄膜上，然后使用光刻机将光源照射在光刻胶上，再进行显影、洗涤等步骤，最终形成期望的图案结构。
4. 扩散与离子注入扩散与离子注入是实现集成电路器件电学特性控制的关键步骤。
扩散是指将某种掺杂原子通过高温热处理使其在晶体中进行扩散，形成所需的电学特性。
离子注入则是利用离子注入设备将掺杂离子注入晶圆，以实现器件性能的控制。
5. 接触制作接触制作是在薄膜表面形成金属与半导体之间的接触，以实现电流的传输。
通过光刻和金属热蒸发等技术，将所需的金属导线和接触结构形成在晶圆表面。
6. 金属化金属化是在制造过程中，将金属层覆盖在晶圆上，实现器件之间电路的连通。
金属化过程包括金属蒸发、光刻、蚀刻等步骤。
二、集成电路的封装技术集成电路的封装技术是将芯片封装到塑料或金属封装中，以保护和连接芯片，同时便于与外部电路的连接。
芯片封装技术
芯片封装技术
芯片封装技术是一项科学技术，用于将集成电路连接在一起，以实现整个系统中各部件之间的正确通信。
它可以支持电路元件在成品系统中的互连、与环境之间的界面和故障检测和维护。
芯片封装技术被广泛应用于电子行业，是低成本大规模集成电路制造的基础。
芯片封装技术包括多项技术，主要由封装表面贴装技术、封装热接技术和封装互连技术组成。
封装表面贴装技术指将封装元器件表面连接在一起，它包括直接焊接、铜布网焊接和热接技术等；封装热接技术是将封装元件和PCB进行连接，其主要技术有热封技术和半封装技术;封装互连技术是将封装元件和其他集成电路元件互连，它主要包括DSBGA、PBGA、CSP、FC-BGA等。
芯片封装技术有助于工程师和研究人员更好地设计集成电路，改善准确性、效率和可靠性。
除了上述技术外，芯片封装技术还包括封装结构、有源和无源材料、封装工艺路线、封装设备和测试等技术。
它们能够满足集成电路的多样化需求，为电子产品的开发和制作提供技术支持。
集成电路芯片封装技术
微电子制造工程概述
芯片制造与封装工艺流程
[1] 前道工序 该过程包括： (1) 将粗糙的硅矿石转变成高纯度的单晶硅。 (2) 在wafer 上制造各种IC 元件。 (3) 测试wafer 上的IC 芯片。 [2] 后道工序 该过程包括： (1) 对wafer 划片（进行切割） (2) 对IC 芯片进行封装和测试
<16> 修正和定型（分离和铸型） 把芯片和FRAME 导线分离，使芯 片外部的导线形成一定的形状。
后道生产流程：（11）老化测试
<17> 老化（温度电压）测试 在提高环境温度和芯片工作电压的情 况下模拟芯片的老化过程，以去除发 生早期故障的产品
后道生产流程：（12）电性能测试
<18> 成品检测及可靠性测试 进行电气特性检测以去除不合格的芯片 成品检测： 电气特性检测及外观检查 可靠性检测： 实际工作环境中的测试、长期工作的寿 命测试
<9> 磨平（CMP） 将WAFER 表面磨平。
前道生产流程：（5）测试
<10> 形成电极 把铝注入WAFER 表面的相应位置， 形成电极。
<11>WAFER 测试 对WAFER 进行测 试，把不合格的芯片 标记出来。
后道生产流程：（6）芯片切割
<12> 切割WAFER 把芯片从WAFER 上切割下来。
电子封装层次
电子封装分类
按封装中芯片数量： 1) 单芯片封装 2) 多芯片封装,如MCM
按材料分类： 1) 陶瓷封装——高可靠性 2) 塑料封装——低成本(与陶瓷封装相比），
更通用
电子封装分类
按组装方法： 1) 通孔组装技术THP 2) 表面组装技术SMT 3) 特殊的组装技术
集成电路封装技术
集成电路封装技术一、概述集成电路封装技术是指将芯片封装成实际可用的器件的过程，其重要性不言而喻。
封装技术不仅仅是保护芯片，还可以通过封装形式的不同来满足不同应用领域的需求。
本文将介绍集成电路封装技术的基本概念、发展历程、主要封装类型以及未来发展趋势等内容。
二、发展历程集成电路封装技术随着集成电路行业的发展逐渐成熟。
最早的集成电路封装形式是引脚直插式封装，随着技术的不断进步，出现了芯片级、无尘室级封装技术。
如今，随着3D封装、CSP、SiP等新技术的出现，集成电路封装技术正朝着更加高密度、高性能、多功能的方向发展。
三、主要封装类型1.BGA封装：球栅阵列封装，是一种常见的封装形式，具有焊接可靠性高、散热性好等优点。
2.QFN封装：裸露焊盘封装，具有体积小、重量轻、成本低等优点，适用于尺寸要求严格的应用场合。
3.CSP封装：芯片级封装，在尺寸更小、功耗更低的应用场合有着广泛的应用。
4.3D封装：通过将多个芯片垂直堆叠，实现更高的集成度和性能。
5.SiP封装：系统级封装，将多个不同功能的芯片封装在一起，实现更复杂的功能。
四、未来发展趋势随着物联网、人工智能等领域的兴起，集成电路封装技术也将迎来新的挑战和机遇。
未来，集成电路封装技术将朝着更高密度、更低功耗、更可靠、更环保的方向发展。
同时，新材料、新工艺和新技术的应用将为集成电路封装技术带来更多可能性。
五、结语集成电路封装技术是集成电路产业链中至关重要的一环，其发展水平直接关系到整个集成电路的性能和应用范围。
随着技术的不断进步，集成电路封装技术也在不断演进，为各个领域的技术发展提供了强有力的支撑。
希望本文能够帮助读者更好地了解集成电路封装技术的基本概念和发展趋势，为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
集成电路封装技术封装工艺流程介绍
集成电路封装技术封装工艺流程介绍集成电路封装技术是指将芯片封装在塑料或陶瓷封装体内，以保护芯片不受外界环境的影响，并且方便与外部电路连接的一种技术。
封装工艺流程是集成电路封装技术的核心内容之一，其质量和工艺水平直接影响着集成电路产品的性能和可靠性。
下面将对集成电路封装技术封装工艺流程进行介绍。
1. 芯片测试首先，芯片在封装之前需要进行测试，以确保其性能符合要求。
常见的测试包括电性能测试、温度测试、湿度测试等。
只有通过测试的芯片才能进行封装。
2. 芯片准备在封装之前，需要对芯片进行准备工作，包括将芯片固定在封装底座上，并进行金线连接。
金线连接是将芯片的引脚与封装底座上的引脚连接起来，以实现与外部电路的连接。
3. 封装材料准备封装材料通常为塑料或陶瓷，其选择取决于芯片的性能要求和封装的环境条件。
在封装之前，需要将封装材料进行预处理，以确保其表面光滑、清洁，并且具有良好的粘附性。
4. 封装封装是整个封装工艺流程的核心环节。
在封装过程中，首先将芯片放置在封装底座上，然后将封装材料覆盖在芯片上，并通过加热和压力的方式将封装材料与封装底座紧密结合。
在封装过程中，需要控制封装温度、压力和时间，以确保封装材料与芯片、封装底座之间的结合质量。
5. 封装测试封装完成后，需要对封装产品进行测试，以确保其性能和可靠性符合要求。
常见的封装测试包括外观检查、尺寸测量、焊接质量检查、封装材料密封性测试等。
6. 封装成品通过封装测试合格的产品即为封装成品，可以进行包装、贴标签、入库等后续工作。
封装成品可以直接用于电子产品的生产和应用。
总的来说，集成电路封装技术封装工艺流程是一个复杂的过程，需要精密的设备和严格的工艺控制。
只有通过合理的工艺流程和严格的质量控制，才能生产出性能优良、可靠性高的集成电路产品。
随着科技的不断进步，集成电路封装技术也在不断创新和发展，以满足不断变化的市场需求。
相信随着技术的不断进步，集成电路封装技术将会迎来更加美好的发展前景。
集成电路芯片封装的概念
集成电路芯片封装的概念集成电路芯片封装的概念1. 引言集成电路芯片封装是现代电子技术中非常重要的一环。
它是将微小的芯片封装在保护性外壳中，以便保护芯片免受损坏，并提供电气连接和散热功能。
本文将深入探讨集成电路芯片封装的概念，从封装形式、封装材料、封装技术以及封装的发展趋势等多个方面展开，帮助读者更全面、深刻地了解这一关键电子技术。
2. 集成电路芯片封装的形式集成电路芯片封装有多种形式，每种形式都有不同的特点和适用范围。
常见的封装形式包括：2.1 芯片级封装（Chip-scale Package，CSP）：CSP封装将芯片直接封装在微小的外壳中，尺寸比传统封装更小。
它适用于高密度集成电路和轻薄移动设备等应用。
2.2 简单封装（Dual in-line Package，DIP）：DIP封装是最早的一种封装形式。
芯片被封装在具有导脚的塑料外壳中，易于插拔和焊接。
但该封装形式占用空间较大，适用于较低密度的应用。
2.3 小型封装（Small Outline Package，SOP）：SOP封装是一种相对较小的封装形式，兼具DIP封装的插拔性和CSP封装的高密度特点。
2.4 超薄封装（Thin Small Outline Package，TSOP）：TSOP封装比SOP封装更薄，适用于具有高密度布局的应用。
2.5 高温封装（High-Temperature Package，HTP）：HTP封装在高温环境下依然能够保持电性能，适用于高温工作环境中的电子设备。
3. 集成电路芯片封装的材料3.1 塑料封装材料塑料封装材料是集成电路芯片封装中最常见的材料之一。
它具有廉价、轻便、隔热、防潮的特点，适用于大规模生产。
常见的塑料封装材料有聚酰亚胺（Polyimides）、环氧树脂（Epoxy Resin）等。
3.2 陶瓷封装材料陶瓷封装材料的热导率较高，能够较好地散热，适用于高性能和高功率的集成电路芯片。
常见的陶瓷封装材料有氧化铝（Alumina）和氮化铝（Aluminium Nitrite）等。
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1、电阻温度系数（TCR）一般来说，金属的TCR为正，非金属为负，金属中，T增大，ρ增大，TCR为正，非金属T增大，ρ减小，TCR为负。若2个电阻随着温度变化朝着相同的方向变化，虽然具有高的绝对TCR，但可能具有低的TCR跟踪值。这个参数比低的绝对TCR更为重要。
第四章
1、锡铅63Sn/37Pb，熔点185℃
LCCC无引线陶瓷芯片载体
PLCC塑料短引线芯片载体
QFP四边扁平引线封装
PQFP塑料四边扁平引线封装
BGA球珊阵列封装
CSP芯片尺寸封装
MCM多芯片组件
8、摩尔定律（填空）：每3年提高一个技术代，即特征尺寸每3年缩小1/3，集成度每2年增加1倍。单位面积内晶体管集成度（单位面积上晶体管的数目）越高特征尺寸越小
无铅焊料的六种体系：1)Sn/Ag/Bi
2)Sn/Ag/Cu
3)Sn/Ag/Cu/Bi
4)Sn/Ag/Bi/In
5)Sn/Ag/Cu/In
6)Sn/Cu/In/Ga
第五章
1、PWB印制电路板：覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板，它的主要功能为提供第一层次封装完成的元器件与电容，电阻等电子电路元器件的承载与连接，用以组成具有特定功能的模块和产品。
4、墓碑现象：回流焊接后，片式元件的一端离开焊盘表面，整个元件呈斜立或直立，状如石碑的缺陷。
5、①桥接过程：元器件断头之间，元器件的引脚之间以及元器件断头或引脚与邻近的导线，过孔等电器上不该连接的部位被焊锡连接。
②发生情况：焊盘涉及不正，模板厚度及开口尺寸不正确，焊膏质量有问题，印刷和贴装质量不高。
T/C和T/S四大参数：热腔温度，冷腔温度，循环次数，芯片单次单腔停留时间。
第十二章
1、HTS测试：（Hightemperaturestorage）测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性试验。HTS测试是把封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。
HTS测试重点：因为在高温条件，半导体构成物质的活化性增强，会有物质间的扩散，从而导致电器的不良发生，两外因为高温，机械性较弱的物质也容易损坏。
第十章
1、气密性封装材料主要有哪些？那种最好？
材料有金属，陶瓷，玻璃，金属材料气密性封装密封速度，合格率，可靠率最佳。
第十一章
1、浴盆曲线：
早夭区是指短时间内就会被损坏的产品，也是生产厂商需要淘汰的，客户不能就受的产品；正常使用寿命区代表客户可以接受的产品；耐用区指性能特别好，特别耐用的产品。由图上的浴缸曲线可见，在早夭区和耐用区，产品的不良率一般比较高。在正常使用区，才有比较稳定的优良率。大部分产品都是在正常使用区的。可靠性测试就是为了分辨产品是否属于正常使用区的测试，解决早期开发中产品不稳定，优良率低等问题，提高技术，使封装生产线达到优良率，稳定运行的目的。在现代社会，高可靠性是现代封装技术的研发的重要指标。
按照密封材料——高分子材料封装陶瓷材料封装
按照器件与电路板互连方式——引脚插入型（PTH）表面贴装型（SMT）
6、DCA（名词解释）：芯片直接粘贴，即舍弃有引脚架的第一层次封装，直接将IC芯片粘贴到基板上再进行电路互连
7、TSV硅通孔互连封装
HIC混合集成电路封装
DIP双列直插式引线封装
SMT表面贴装技术
第二层次将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电路卡的工艺
第三层次将数个第二层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺
第四层次将数个子系统组装成为一个完整电子产品的工艺过程
5、封装的分类与特点：
按照封装中组合集成电路芯片的数目——单芯片封装（SCP）多芯片封装（MCP）
易引起缺陷：Kirkendall孔洞引起电路性能不好甚至断路。
2、扫描电镜通过二次电子和背散射电子成像。
3、翘曲的机理：翘曲变形的发生，是因为材料间彼此热膨胀系数的差异及流动应力的影响再加上黏着力的限制，导致了整个封装体在封装过程中受到了外界温度变化的影响，材料间为了释放温度影响所产生的内应力，故而通过翘曲变形来达到消除内应力的目的。
已切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘的尺寸要与芯片大小相匹配。若焊盘尺寸太大，则会导致引线跨度太大，在转移成型过程中会由于流动产生的应力而造成引线弯曲及芯片位移等现象
3、贴装方式：共晶粘贴法、焊接粘贴法、玻璃胶粘贴发（适合陶瓷封装）、导电胶粘贴法
4、导电胶：一般固化温度：150°C。
固化时间：1h固化前：“导电胶”不导电。固化后：溶剂挥发，银粉相互接触形成导电链。
6、下面哪些缺陷可以采用X射线检测出来？
焊料不足、焊点移位、桥接、气孔、虚焊、翘曲变形
能：桥接，焊点移位，翘曲变形
不能：焊料不足，气孔，虚焊（断面X-ray可查这些）
7、扩散引起的缺陷：铝钉，电荷迁移，金属间化合物。
分别解释这些现象。提出解决方案。
焊接粘贴技术与共晶粘贴技术，都是利用合金反应形成贴装。焊接粘贴使用的材料区分。
6、芯片互连常见的方法：打线键合（WB）倒装芯片键合（FCB）载带自动键合（TAB）
7、打线键合缺陷：金属间化合物IMC，比如紫斑和白斑，还会产生Kirkendall空洞。
电镀时会产生“狗骨头”现象。
【影响可靠度的因素：应力变化、封胶、芯片粘贴材料与线材的反应、金属间化合物形成、晶粒成长引起的疲劳等】可能不要
2、可靠性：产品可靠度的性能，具体表现在产品使用时是否容易出故障，产品使用寿命是否合理等。
3、T/C测试（Temperature cycling）测试，即温度循环测试。主要目的是测试半导体封装体热胀冷缩的耐久性。
T/S测试（Thermal shock）测试，即测试封装体抗热冲击的能力。测试炉与T/C测试相近，但T/S测试环境是在高温液体中转换，液体的导热比空气快，故具有较强热冲击力。
5、共晶粘贴：
利用金-硅合金，363℃时的共晶熔合反应使IC芯片粘贴固定。一般的工艺方法是将硅芯片置于已镀金膜的陶瓷基板芯片座上，再加热至约425℃，借助金-硅共晶反应液面的移动使硅逐渐扩散至金中而形成的紧密接合。在共晶粘贴之前，封装基板与芯片通常有交互摩擦的动作用以除去芯片背面的硅氧化层，使共晶溶液获得最佳润湿。
8、TAB技术（载带自动键合）（简答）
TAB技术就是将芯片焊区与电子封装外壳I/O或基板上的金属布线焊区用具有引线图形金属箔丝连接的技术工艺
9、TAB内引线焊接技术（简答）
当芯片凸点仍是上述金属，而载带Cu箔引线镀层为Pb/Sn时，或者芯片凸点具有Pb/Sn，而载带Cu箔引线是上述硬金属层是，就要使用热压再流焊。显然，完全使用热压焊的焊接温度高，压力大，而热压再流焊相应的温度较低，压力也较小
第2章
1、前段（塑料封装）中段（成型）后端（选择）
净化级别：前段高，芯片制造阶段高，净化级别数字小。
2、芯片贴装（填空）
●硅片的厚度一般为600um，上面电路有效层厚度一般300um，这样芯片厚度至少900um。
●为便于划片和减少体硅电阻，并有利于散热和适合封装外形外形逐渐薄型化的需要的需要，必须将圆片背面研磨到相应厚度，厚度一般为200um-350um,特殊薄型封装在150um-180um。
3、芯片封装实现的功能：传递电能传递电路信号提供散热途径结构保护与支持
4、封装工程的技术层次（论述题）：P4图
晶圆Wafer ->第零层次Die/Chip ->第一层次Module ->第二层次Card
->第三层次Board ->第四层次Gate
第一层次该层次又称芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层组装进行链接的模块
集成电路芯片封装技术（书）
第1章
1、封装定义：（狭义）利用膜技术及细微加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘帖固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺
（广义）将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程
2、集成电路的工艺流程：芯片设计（上）芯片制造（中）封装测试（占50%）（下）（填空）
10、C4（可控塌陷芯片连接Controlled-Collapse Chip Connection）它的凸缘制备只要是通过电子束蒸发，溅射等工艺，将UBM或BLM沉积在芯片的铝焊盘上。
UBM（Under bumpmetallurgy）一般有3层，分别为铬/铬-铜/铜，这个结构可以保证ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ缘于铝焊盘的粘贴性并防止金属间的互扩散。
载带(Carrier Tape)是指在一种应用于电子包装领域的带状产品，它具有特定的厚度，在其长度方向上等距分布着用于承放电子元器件的孔穴(亦称口袋)和用于进行索引定位的定位孔。（与PWB区别）
第七章
1、封胶技术是在哪一工艺步骤之后完成的？它的作用是什么？
IC芯片完成与印刷电路板的模块封装后完成的，用于提供成品表面保护，避免收到外来环境因素及后续封装工艺的损害。
●在研磨wafer背面时需保护Wafer正面避免产品功能失效，因此必须贴具有保护功能角色的蓝带（英文：Blue Tape）。
●划片的前置作业为芯片粘贴(Wafer Mount)，将晶圆背面贴在蓝带上，并置于不锈钢制之框架内，并避免芯片和胶带间有气泡产生；之后再将其送到晶圆切割机进行切割，对准芯片正面的切割槽（英文：scribe line）进行切割，切割后的晶粒仍会排列粘贴于引线框架上，框架的支撑可避免胶带产生皱折而导致晶粒相互碰撞。
第九章
1、解释塑料封装中转移铸模的工艺方法：
转移铸模是塑料封装中最常见的密封工艺技术，已经完成芯片黏结及打线接合的IC芯片与引脚置于可加热的铸孔中，利用铸模机的挤制杆将预热软化的铸模材料经闸口与流道压入模具腔体的铸孔中，在温度约175℃，1~3min的热处理使铸模材料产生硬化成型反应。封装元器件自铸模中推出后，通常需要再施予4~16h，175℃的热处理使铸模材料完全硬化。