集成电路芯片封装技术
集成电路芯片封装技术
集成电路芯片封装技术集成电路芯片封装技术是指将芯片封装在外部封装材料之中，以保护芯片，并为其提供供电和信号传输的功能。
封装技术是集成电路制造中的关键环节，对于集成电路芯片的可靠性、电气性能和尺寸要求都具有重要影响。
下面将介绍几种常见的集成电路芯片封装技术。
第一种是无引脚封装技术。
无引脚封装技术是指将芯片直接封装在基板上，通过使用焊嘴和焊球等来连接芯片和基板。
这种封装技术的特点是结构简单、可靠性高、成本低，适用于较小尺寸的芯片。
但由于需要直接焊接，对于芯片的布线密度有一定要求。
第二种是引脚封装技术。
引脚封装技术是指将芯片焊接在引脚上，然后将引脚与基板连接。
这种封装技术可以适应不同的尺寸和布线密度要求，适用于各种集成电路芯片。
根据引脚的形式，可以分为直插式封装和表面贴装封装。
直插式封装适用于较大尺寸的芯片，而表面贴装封装则适用于较小尺寸的芯片。
第三种是球栅阵列（BGA）封装技术。
BGA封装技术是指将芯片封装在一个带有焊球的基板上，焊球与基板之间通过焊锡球形成连接。
这种封装技术具有高密度、高可靠性和良好的电性能，因此被广泛应用于高性能计算机芯片和移动设备芯片等领域。
第四种是系统级封装技术。
系统级封装技术是指将多个芯片集成在一个封装中，形成一个完整的系统。
这种封装技术可以节省空间、降低能耗，提高芯片的可靠性和性能。
系统级封装技术适用于复杂的系统芯片，如通信芯片、传感器芯片等。
除了以上几种常见的封装技术外，还有一些其他的封装技术，如三维封装技术、系统级封装技术等。
随着技术的不断发展，集成电路芯片封装技术也在不断创新，以适应日益增长的需求。
总的来说，集成电路芯片封装技术的发展对于集成电路产业的发展起着重要的推动作用，这些技术的进步将为我们带来更加高效、可靠和多样化的集成电路产品。
集成电路芯片封装技术培训课程(ppt-35页)全
微电子技术发展对封装的要求
四、高密度化和高引脚数
高密度和高I/O数造成单边引脚间距缩短、封装难
度加大：焊接时产生短路、引脚稳定性差
解决途径：
采用BGA技术和TCP（载带）技术
成本高、难以进行外观检查等。
微电子技术发展对封装的要求
五、适应恶劣环境
密封材料分解造成IC芯片键合结合处开裂、断路
解决办法：寻找密封替代材料
Ceramic
Ceramic or
Thin Film on Ceramic
Thin Film on PWB
PWB-D
•Integration to
BEOL
•Integration in
Package level
PWB-Microation at
System level
1、电源分配：传递电能-配给合理、减少电压损耗
2、信号分配：减少信号延迟和串扰、缩短传递线路
3、提供散热途径：散热材料与散热方式选择
4、机械支撑：结构保护与支持
5、环境保护：抵抗外界恶劣环境（例：军工产品）
确定封装要求的影响因素
成本
外形与结构
产品可靠性
性能
类比：人体器官的构成与实现
微电子封装技术的技术层次
芯片，但两类芯片的可靠性和成本不同。
封装材料
芯片封装所采用的材料主要包括金属、陶瓷、
高分子聚合物材料等。
问题：如何进行材料选择？
依据材料的电热性质、热-机械可靠性、技术和
工艺成熟度、材料成本和供应等因素。
表1.2-表1.4
封装材料性能参数
介电系数：表征材料绝缘程度的比例常数，相对值，通常介
电系数大于1的材料通常认为是绝缘材料。
芯片封装技术
芯片封装技术
芯片封装技术是一项科学技术，用于将集成电路连接在一起，以实现整个系统中各部件之间的正确通信。
它可以支持电路元件在成品系统中的互连、与环境之间的界面和故障检测和维护。
芯片封装技术被广泛应用于电子行业，是低成本大规模集成电路制造的基础。
芯片封装技术包括多项技术，主要由封装表面贴装技术、封装热接技术和封装互连技术组成。
封装表面贴装技术指将封装元器件表面连接在一起，它包括直接焊接、铜布网焊接和热接技术等；封装热接技术是将封装元件和PCB进行连接，其主要技术有热封技术和半封装技术;封装互连技术是将封装元件和其他集成电路元件互连，它主要包括DSBGA、PBGA、CSP、FC-BGA等。
芯片封装技术有助于工程师和研究人员更好地设计集成电路，改善准确性、效率和可靠性。
除了上述技术外，芯片封装技术还包括封装结构、有源和无源材料、封装工艺路线、封装设备和测试等技术。
它们能够满足集成电路的多样化需求，为电子产品的开发和制作提供技术支持。
集成电路封装技术
集成电路封装技术一、概述集成电路封装技术是指将芯片封装成实际可用的器件的过程，其重要性不言而喻。
封装技术不仅仅是保护芯片，还可以通过封装形式的不同来满足不同应用领域的需求。
本文将介绍集成电路封装技术的基本概念、发展历程、主要封装类型以及未来发展趋势等内容。
二、发展历程集成电路封装技术随着集成电路行业的发展逐渐成熟。
最早的集成电路封装形式是引脚直插式封装，随着技术的不断进步，出现了芯片级、无尘室级封装技术。
如今，随着3D封装、CSP、SiP等新技术的出现，集成电路封装技术正朝着更加高密度、高性能、多功能的方向发展。
三、主要封装类型1.BGA封装：球栅阵列封装，是一种常见的封装形式，具有焊接可靠性高、散热性好等优点。
2.QFN封装：裸露焊盘封装，具有体积小、重量轻、成本低等优点，适用于尺寸要求严格的应用场合。
3.CSP封装：芯片级封装，在尺寸更小、功耗更低的应用场合有着广泛的应用。
4.3D封装：通过将多个芯片垂直堆叠，实现更高的集成度和性能。
5.SiP封装：系统级封装，将多个不同功能的芯片封装在一起，实现更复杂的功能。
四、未来发展趋势随着物联网、人工智能等领域的兴起，集成电路封装技术也将迎来新的挑战和机遇。
未来，集成电路封装技术将朝着更高密度、更低功耗、更可靠、更环保的方向发展。
同时，新材料、新工艺和新技术的应用将为集成电路封装技术带来更多可能性。
五、结语集成电路封装技术是集成电路产业链中至关重要的一环，其发展水平直接关系到整个集成电路的性能和应用范围。
随着技术的不断进步，集成电路封装技术也在不断演进，为各个领域的技术发展提供了强有力的支撑。
希望本文能够帮助读者更好地了解集成电路封装技术的基本概念和发展趋势，为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
集成电路封装技术封装工艺流程介绍
集成电路封装技术封装工艺流程介绍集成电路封装技术是指将芯片封装在塑料或陶瓷封装体内，以保护芯片不受外界环境的影响，并且方便与外部电路连接的一种技术。
封装工艺流程是集成电路封装技术的核心内容之一，其质量和工艺水平直接影响着集成电路产品的性能和可靠性。
下面将对集成电路封装技术封装工艺流程进行介绍。
1. 芯片测试首先，芯片在封装之前需要进行测试，以确保其性能符合要求。
常见的测试包括电性能测试、温度测试、湿度测试等。
只有通过测试的芯片才能进行封装。
2. 芯片准备在封装之前，需要对芯片进行准备工作，包括将芯片固定在封装底座上，并进行金线连接。
金线连接是将芯片的引脚与封装底座上的引脚连接起来，以实现与外部电路的连接。
3. 封装材料准备封装材料通常为塑料或陶瓷，其选择取决于芯片的性能要求和封装的环境条件。
在封装之前，需要将封装材料进行预处理，以确保其表面光滑、清洁，并且具有良好的粘附性。
4. 封装封装是整个封装工艺流程的核心环节。
在封装过程中，首先将芯片放置在封装底座上，然后将封装材料覆盖在芯片上，并通过加热和压力的方式将封装材料与封装底座紧密结合。
在封装过程中，需要控制封装温度、压力和时间，以确保封装材料与芯片、封装底座之间的结合质量。
5. 封装测试封装完成后，需要对封装产品进行测试，以确保其性能和可靠性符合要求。
常见的封装测试包括外观检查、尺寸测量、焊接质量检查、封装材料密封性测试等。
6. 封装成品通过封装测试合格的产品即为封装成品，可以进行包装、贴标签、入库等后续工作。
封装成品可以直接用于电子产品的生产和应用。
总的来说，集成电路封装技术封装工艺流程是一个复杂的过程，需要精密的设备和严格的工艺控制。
只有通过合理的工艺流程和严格的质量控制，才能生产出性能优良、可靠性高的集成电路产品。
随着科技的不断进步，集成电路封装技术也在不断创新和发展，以满足不断变化的市场需求。
相信随着技术的不断进步，集成电路封装技术将会迎来更加美好的发展前景。
集成电路芯片封装的概念
集成电路芯片封装的概念集成电路芯片封装的概念1. 引言集成电路芯片封装是现代电子技术中非常重要的一环。
它是将微小的芯片封装在保护性外壳中，以便保护芯片免受损坏，并提供电气连接和散热功能。
本文将深入探讨集成电路芯片封装的概念，从封装形式、封装材料、封装技术以及封装的发展趋势等多个方面展开，帮助读者更全面、深刻地了解这一关键电子技术。
2. 集成电路芯片封装的形式集成电路芯片封装有多种形式，每种形式都有不同的特点和适用范围。
常见的封装形式包括：2.1 芯片级封装（Chip-scale Package，CSP）：CSP封装将芯片直接封装在微小的外壳中，尺寸比传统封装更小。
它适用于高密度集成电路和轻薄移动设备等应用。
2.2 简单封装（Dual in-line Package，DIP）：DIP封装是最早的一种封装形式。
芯片被封装在具有导脚的塑料外壳中，易于插拔和焊接。
但该封装形式占用空间较大，适用于较低密度的应用。
2.3 小型封装（Small Outline Package，SOP）：SOP封装是一种相对较小的封装形式，兼具DIP封装的插拔性和CSP封装的高密度特点。
2.4 超薄封装（Thin Small Outline Package，TSOP）：TSOP封装比SOP封装更薄，适用于具有高密度布局的应用。
2.5 高温封装（High-Temperature Package，HTP）：HTP封装在高温环境下依然能够保持电性能，适用于高温工作环境中的电子设备。
3. 集成电路芯片封装的材料3.1 塑料封装材料塑料封装材料是集成电路芯片封装中最常见的材料之一。
它具有廉价、轻便、隔热、防潮的特点，适用于大规模生产。
常见的塑料封装材料有聚酰亚胺（Polyimides）、环氧树脂（Epoxy Resin）等。
3.2 陶瓷封装材料陶瓷封装材料的热导率较高，能够较好地散热，适用于高性能和高功率的集成电路芯片。
常见的陶瓷封装材料有氧化铝（Alumina）和氮化铝（Aluminium Nitrite）等。
集成电路三大核心工艺技术
集成电路三大核心工艺技术集成电路（Integrated Circuit，IC）是将电子元器件（如晶体三极管、二极管等）及其元器件间电路线路集成在一片半导体晶圆上的电子器件。
它的核心工艺技术主要包括晶圆加工工艺、印刷工艺以及封装工艺。
晶圆加工工艺是指对半导体晶圆进行切割、清洗、抛光等处理，形成器件所需要的晶圆片。
其中，切割工艺是将晶体生长过程中形成的硅棒切割成特定的薄片晶圆，通常采用钻石刀进行切割。
清洗工艺则是将晶圆片进行化学清洗，以去除表面的污染物和杂质。
抛光工艺是对晶圆片进行抛光处理，以平整晶圆表面。
印刷工艺是将电子元器件的电路线路印刷在晶圆上，形成集成电路的功能电路。
其中，最常用的是光刻工艺。
光刻工艺是将光刻胶涂在晶圆上，然后通过光刻机将设计好的电路图案投射在光刻胶上，形成光刻胶图案。
然后，用化学溶液浸泡晶圆，使得光刻胶图案中的未暴露部分被溶解掉，形成电路图案。
此外，还有电子束曝光和X射线曝光等印刷工艺。
封装工艺是将半导体芯片密封在封装盒中，以保护芯片，并方便与外部连接。
常用的封装工艺有直插封装、贴片封装和球栅阵列封装（BGA）等。
其中，直插封装是通过铅脚将芯片插入插座中，然后通过焊接来固定芯片。
贴片封装是将芯片贴在封装基片上，然后通过焊接或导电胶来连接芯片和基片。
球栅阵列封装是将芯片翻转面朝下，焊接在基片上，并通过小球连接芯片和基片。
总结来说，集成电路的核心工艺技术主要包括晶圆加工工艺、印刷工艺以及封装工艺。
通过这些工艺，我们能够制造出高度集成、小型化的集成电路，为电子产品的发展提供了强大的支持。
随着科技的不断进步，集成电路的工艺技术也在不断发展，为我们的生活带来越来越多的便利和创新。
集成电路中的封装技术研究
集成电路中的封装技术研究随着电子技术的不断发展，集成电路已经成为了今天信息化的基础。
集成电路中的封装技术在这一领域中发挥着至关重要的作用，不仅能够对芯片进行保护，同时也能够提高芯片的稳定性和可靠性。
本文将对集成电路中的封装技术进行深入研究，探究其原理、应用及未来发展趋势。
一、封装技术的原理集成电路封装技术是将一个或多个芯片、器件和元件等有机地结合成一个整体，以便于用于电子系统中，同时也能够对芯片进行保护。
封装技术可以分为塑封、金属封装、无铅封装、骨架式封装等，主要根据芯片大小、功耗、工艺和成本等因素来选用。
塑封是目前最常使用的集成电路组装和封装技术。
其原理是在硅芯片表面粘合一张具有安装封装引脚或焊脚的导体层，然后把芯片放入带针的封装口中，在打压、封装成型、回焊等工艺制程中，将导体层和芯片连接，封装成形。
这种技术成本低廉，生产效率高，成品稳定性也较为可靠。
二、封装技术的应用集成电路封装技术在电子产品制造中有着广泛的应用。
例如，智能手机、平板电脑、摄像头、芯片等优质电子器件中都使用了高性能的集成电路封装技术，使得在体积和性能方面都有了较大的提升。
在电子产品制造中，集成电路封装技术的应用还具有较强的实际意义。
当今社会信息化程度不断提高，它的应用范畴已经扩展到通讯、自动控制、图像处理、卫星遥感等行业。
在其中，封装技术的要求越来越高，例如，要求设备具有更高的速度、更小的尺寸和更低的功耗等。
无疑，集成电路封装技术在提高工效、降低成本、提高产品质量等方面发挥着巨大的作用。
三、封装技术发展趋势封装技术的未来发展也是值得关注的。
在未来的发展趋势中，封装技术具有更高的集成度、更高的可靠性和更低的功耗等优势。
例如，目前智能手机和平板电脑的芯片在进行封装时，采用了三维集成技术和超薄环形封装技术，减小了尺寸，重量和电气连接间的噪音，同时加强了信号的稳定性和可靠性。
另外，随着3C市场迅速发展，集成电路封装市场也在不断扩大，其中3D芯片封装市场的势头愈发强劲。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
引线键合应用范围:低成本、高可靠、高产量等特点使得它成为芯片互连的主要工艺方法,用于下列封装::1、陶瓷和塑料BGA、单芯片或者多芯片2、陶瓷和塑料(CerQuads and PQFPs)3、芯片尺寸封装(CSPs)4、板上芯片(COB)硅片的磨削与研磨:硅片的磨削与研磨是利用研磨膏以及水等介质，在研磨轮的作用下进行的一种减薄工艺，在这种工艺中硅片的减薄是一种物理的过程。
硅片的应力消除:为了堆叠裸片，芯片的最终厚度必须要减少到了30μm甚至以下。
用于3D互连的铜制层需要进行无金属污染的自由接触处理。
应力消除加工方法，主要有以下4种。
硅片的抛光与等离子体腐蚀:研磨减薄工艺中，硅片的表面会在应力作用下产生细微的破坏，这些不完全平整的地方会大大降低硅片的机械强度，故在进行减薄以后一般需要提高硅片的抗折强度，降低外力对硅片的破坏作用。
在这个过程中，一般会用到干式抛光或者等离子腐蚀。
干式抛光是指不使用水和研磨膏等介质，只使用干式抛光磨轮进行干式抛光的去除应力加工工艺。
等离子腐蚀方法是指使用氟类气体的等离子对工件进行腐蚀加工的去除应力加工工艺。
TAIKO工艺:在实际的工程应用中，TAIKO工艺也是用于增加硅片研磨后抗应力作用机械强度的一种方法。
在此工艺中对晶片进行研削时，将保留晶片外围的边缘部分（约3mm左右），只对圆内进行研削薄型化，通过导入这项技术，可实现降低薄型晶片的搬运风险和减少翘曲的作用，如图所示。
激光开槽加工:在高速电子元器件上逐步被采用的低介电常数(Low-k)膜及铜质材料，由于难以使用普通的金刚石磨轮刀片进行切割加工，所以有时无法达到电子元件厂家所要求的加工标准。
为此，迪思科公司的工程师开发了可解决这种问题的加工应用技术。
减少应力对硅片的破坏作用先在切割道内切开2条细槽(开槽)，然后再使用磨轮刀片在2条细槽的中间区域实施全切割加工。
通过采用该项加工工艺，能够提高生产效率，减少甚至解决因崩裂、分层(薄膜剥离)等不良因素造成的加工质量问题。
DFL7160将短脉冲激光聚焦到晶片表面后进行照射。
激光脉冲被Low-k膜连续吸收，当吸收到一定程度的热能后，Low-k膜会瞬间汽化。
由于相互作用的原理，被汽化的物质会消耗掉晶片的热能，所以可以进行热影响极少的加工。
GaAs化合物半导体的薄型晶片切割:GaAs晶片因为材料比较脆，在切割时容易发生破裂或缺损，所以难以提高通常磨轮刀片切割的进给速度。
如果利用激光全切割技术，加工进给速度可以达到磨轮刀片切割进给速度的10倍以上，从而提高生产效率。
(进给速度仅为一例。
实际操作时，因加工晶片的不同会有所差异。
)采用激光全切割工艺，加工后的切割槽宽度小，与刀片相比切割槽损失少，所以可以减小芯片间的间隔。
对于为了切割出更多小型芯片而致使加工线条数增多的化合物半导体晶片而言，通过减小芯片间的间隔，可以提高1枚晶片中可生产的芯片数量。
DBG＋DAF激光切割:1 DBG (Dicing Before Grinding) :这种技术将传统的“背面研削→晶片切断”的工艺倒过来，先将晶片半切割，然后利用背面研削进行芯片分割。
2DAF (Die Attach Film) :这是一种薄膜状的接合材料，用于薄型芯片叠层等。
DBG＋DAF激光切割的工艺: 将DBG加工后的晶片转放到框架上，剥离掉表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF进行全切割。
晶片已经分离成了芯片，所以就可以从芯片间照射激光，只将DAF切断。
DAF激光切割的优点:1、可改善DAF的加工质量采用激光切割技术可以抑制采用磨轮刀片切割DAF时产生的毛边。
2、能够进行高速切割，提高生产效率与磨轮刀片切割相比，可以提高DAF全自动切割时的加工速度。
3、利用特殊校准，可以解决芯片错位问题隐形切割技术:隐形切割是将激光聚光于工件内部，在工件内部形成改质层，通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法。
切割步骤： 1.激光切割在硅片内部形成改质层 2.扩展粘贴硅片的蓝膜使得硅片分离开共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段，是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。
其熔化温度称共晶温度。
共晶是在低于任一种组成物金属熔点的温度下所有成分的融合。
在大多数例子中，共晶合金中组成物金属的熔点与它在纯金属状态下的熔点相差100℃。
为什么不用单一金属？（热导率更好）因为热膨胀系数不匹配共晶粘贴材料：常见的组合为AuSi和AuSn共晶粘贴的其他方法（AuSn）：见图共晶粘贴（电镀法）：电镀Au/Sn多层结构——另一种可选择的蒸发Au/Sn多层结构的方法是使用电镀淀积元素层。
为了达到这种类型的结构，衬底将来回“穿梭”于一个金电镀槽和锡电镀槽。
在淀积步骤以后，层在共熔温度下(200-250℃)经过典型的退火，来达到互混合。
电镀的一个优势是，能够只在导电材料或者通过一个图形化的光掩膜来淀积层。
这使得非常昂贵的AuSn在需要图形化层的时候，可以很有效的被利用。
共晶粘贴法（蒸发法）：AuSn蒸发-蒸发工艺中，在一个高真空的腔室内，坩埚内容纳的淀积材料暴露在电子束下被蒸发。
所蒸发的金属于是就淀积在一个悬空于坩埚上方的衬底上。
由于蒸发工艺并不是高度方向性的，淀积同样也会发生在腔室的壁上。
通过在电子束下持续旋转多个坩埚，不同材料的层能够在同一轮工艺中被淀积。
蒸发的一个主要的优势是它的高淀积速率，金淀积速率10mm/秒是个典型的例子。
这将使大的衬底正面金属化获得理想的淀积，在此高淀积速率是个优势，淀积并不针对特定的区域。
除此之外，衬底在淀积工艺中要旋转，使得在一个200mm的晶圆上厚度均匀性偏差小于1%。
共晶粘贴注意事项：在塑料封装中此方法难以消除IC芯片与铜引脚架之间的应力，故使用较少。
这是由于芯片、框架之间的热膨胀系数（Coefficient of Thermal Expansion, CTE）严重失配，且应力又无处分散，所以合金焊料贴装可能会造成严重的芯片开裂现象。
由于Au-Si共晶合金焊接是一种生产效率很低的手工操作方法，不适应高速自动化生产。
因而，只在一些有特殊导电性要求的大功率管中，使用合金焊料或使用焊膏（Solder Paste）连接芯片与焊盘贴装，其他情况应用得很少。
各向异性导电胶（ACA）与传统锡铅焊料相比具有很多优点。
首先，适合于超细间距，可低至50μm，比焊料互连间距提高至少一个数量级，有利于封装进一步微型化；其次，ACA具有较低的固化温度，与焊料互连相比大大减小了互连过程中的热应力和应力开裂失效问题，因而特别适合于热敏感元器件的互连和非可焊性表面的互连；第三，ACA的互连工艺过程非常简单，具有较少的工艺步骤，因而提高了生产效率并降低了生产成本；第四，ACA具有较高的柔性和更好的热膨胀系数匹配，改善了互连点的环境适应性，减少失效；第五，节约封装的工序；第六，ACA 属于绿色电子封装材料，不含铅以及其他有毒金属。
由于上述的一系列优异性能，使得细间距而ACA技术迅速在以倒装芯片互连的IC封装中得以广泛地应用。
特别是许多电子长期用液晶显示屏作为人机信息交换的界面，如个人数字助理（PDA）、全球定位系统（GPS）、移动电话、游戏机、笔记本电脑等产品，其内部的IC连接大部分都是通过ACA或者ACF（ACF，anisotropic conductiveadhesive film，各向异性导电膜，ACA的一种形式）互连的，即COG（Chip-on-Glass）和COF（Chip-on-Flex）两种互连技术。
芯片粘贴方法的不同：1.共晶粘贴法：高功率器件，需要高速散热，成本很高。
（如高功率晶体管，Laser，LED显示，陶瓷封装）2.焊接粘贴法：普遍使用的粘贴方法，散热快，大功率器件（cpu，塑料封装）3.导电胶粘贴法：导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好、容易在高温时发生劣化及引发粘贴剂中有机物气体成分泄漏而降产品的可靠度，因此不适用于高可靠度的封装。
4.玻璃胶粘贴法：玻璃胶粘贴法的优点为可以得到无空隙、热稳定性优良、低接合应力与低湿气含量的芯片粘贴；它的缺点为胶中的有机成分与溶剂必须在热处理时完全去除，否则对封装结构及其可靠度将有所损害。
（陶瓷封装）导线键合应用范围: 低成本、高可靠、高产量等特点使得它成为芯片互连的主要工艺方法，用于下列封装：:•陶瓷和塑料BGA、单芯片或者多芯片•陶瓷和塑料(CerQuads and PQFPs)•芯片尺寸封装(CSPs) •板上芯片(COB)三种键合（焊接）机理:超声焊接：利用超声波（60～120KHz）发生器使劈刀发生水平弹性振动，同时施加向下的压力。
使得劈刀在这两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩擦，引线受能量作用发生塑性变形，在25ms内与键合区紧密接触而完成焊接。
常用于Al丝的键合。
键合点两端都是楔形。
热压焊：利用加压和加热，使得金属丝与焊区接触面的原子间达到原子的引力范围，从而达到键合目的。
基板和芯片温度达到约150 °C ，常用于金丝的键合，一端是球形，一端是且楔形，常用于金丝的键合。
热声焊：用于Au和Cu丝的键合。
它也采用超声波能量，但是与超声不同点的是：键合时要提供外加热源、键合丝线无需磨蚀掉表面氧化层。
外加热量的目的是激活材料的能级，促进两种金属的有效连接以及金属间化合物（IMC ）的扩散和生长。
球形键合:将键合引线垂直插入毛细管劈刀的工具中，引线在电火花作用下受热成液态，由于表面张力的作用而形成球状，在摄像和精密控制下，劈刀下降使球接触晶片的键合区，对球加压，使球和焊盘金属形成冶金结合完成焊接过程，然后劈刀提起，沿着预定的轨道移动，称作弧形走线，到达第二个键合点（焊盘）时，利用压力和超声能量形成月牙式焊点，劈刀垂直运动截断金属丝的尾部。
这样完成两次焊接和一个弧线循环。
楔形键合:其穿丝是通过楔形劈刀背面的一个小孔来实现的，金属丝与晶片键合区平面呈30～60°的角度，当楔形劈刀下降到焊盘键合区时，劈刀将金属丝按在其表面，采用超声或者热声焊而完成键合。
劈刀常常是通过氧化铝或者碳化钨进行粉末烧结而成。
对于一些单一用途的工具，也可以用玻璃、红宝石和碳化钛来代替键合头镀层光滑涂层•较长的使用寿命，•要进行抛光，•使得第二键合点光亮，•减少金属的残留和聚集粗糙的涂层•仅仅内斜面抛光，•第二键合点强度高，•第一键合点光亮•提高超声能作用TAB优点:1. 半导体上芯片的键合只需较少的键合区域，比丝焊更小的焊区间距。
这就在节约了芯片面积的同时使得芯片间的互连可容纳更多的终端（最高可达到1000左右）。
2. 相对于普通的组装而言，外引线键合对电路板的空间要求要少的多；也要比丝焊芯片互连要求的空间小。