最新41 结型场效应管 (2)汇总
场效应管对照表
场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。
在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。
每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。
同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。
1．"型号"栏表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。
同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。
2．"厂家"栏为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。
）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：ADV 美国先进半导体公司AEG 美国AEG公司AEI 英国联合电子工业公司AEL 英、德半导体器件股份公司ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司AMP 美国安派克斯电子公司AMS 美国微系统公司APT 美国先进功率技术公司ATE 意大利米兰ATES公司ATT 美国电话电报公司AVA 美、德先进技术公司BEN 美国本迪克斯有限公司BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司CDI 印度大陆器件公司CEN 美国中央半导体公司CLV 美国CLEVITE晶体管公司COL 美国COLLMER公司CRI 美国克里姆森半导体公司CTR 美国通信晶体管公司CSA 美国CSA工业公司DIC 美国狄克逊电子公司DIO 美国二极管公司DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司FCH 美国范恰得公司FER 英、德费兰蒂有限公司FJD 日本富士电机公司FRE 美国FEDERICK公司FUI 日本富士通公司FUM 美国富士通微电子公司GEC 美国詹特朗公司GEN 美国通用电气公司GEU 加拿大GENNUM公司GPD 美国锗功率器件公司HAR 美国哈里斯半导体公司HFO 德国VHB联合企业HIT 日本日立公司HSC 美国HELLOS半导体公司IDI 美国国际器件公司INJ 日本国际器件公司INR 美、德国际整流器件公司INT 美国INTER FET 公司IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司ITT 德国楞茨标准电气公司IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司KYO 日本东光股份公司LTT 法国电话公司SEM 美国半导体公司SES 法国巴黎斯公司SGS 法、意电子元件股份公司MAT 日本松下公司MCR 美国MCRWVE TECH公司MIC 中国香港微电子股份公司MIS 德、意MISTRAL公司MIT 日本三菱公司MOT 美国莫托罗拉半导体公司MUL 英国马德拉有限公司NAS 美、德北美半导体电子公司NEW 英国新市场晶体管有限公司NIP 日本日电公司NJR 日本新日本无线电股份有公司NSC 美国国家半导体公司NUC 美国核电子产品公司OKI 日本冲电气工业公司OMN 美国OMNIREL公司OPT 美国OPTEK公司ORG 日本欧里井电气公司PHI 荷兰飞利浦公司POL 美国PORYFET公司POW 美国何雷克斯公司PIS 美国普利西产品公司PTC 美国功率晶体管公司RAY 美、德雷声半导体公司REC 美国无线电公司RET 美国雷蒂肯公司RFG 美国射频增益公司RTC 法、德RTC 无线电技术公司SAK 日本三肯公司SAM 韩国三星公司SAN 日本三舍公司SEL 英国塞米特朗公司SHI 日本芝蒲电气公司SIE 德国西门子AG公司SIG 美国西格尼蒂克斯公司SIL 美、德硅技术公司SML 美、德塞迈拉布公司SOL 美、德固体电子公司SON 日本萦尼公司SPE 美国空间功率电子学公司SPR 美国史普拉格公司SSI 美国固体工业公司STC 美国硅晶体管公司STI 美国半导体技术公司SUP 美国超技术公司TDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司TEL 德国德律风根电子公司TES 捷克TESLA公司THO 法国汤姆逊公司TIX 美国德州仪器公司TOG 日本东北金属工业公司TOS 日本东芝公司TOY 日本罗姆公司TRA 美国晶体管有限公司TRW 英、德TRN半导体公司UCA 英、德联合碳化物公司电子分部UNI 美国尤尼特罗德公司UNR 波兰外资企业公司WAB 美、德WALBERN器件公司WES 英国韦斯特科德半导体公司VAL 德国凡尔伏公司YAU 日本GENERAL股份公司ZET 英国XETEX公司下一页3．"材料"栏本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性，没有注明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。
通信设备电子装接工理论题(一)
通信设备电子装接工理论题(一)一、填空1.趋肤效应指随着工作频率的______ ，流过导体的交流电流向 ______ 这一现象。
[填空题]空1答案：增高空2答案：导体表面集中2.计算机的CPU是由 ______ 和 ______ 两大部分组成。
[填空题]空1答案：控制器空2答案：运算器3.深度负反馈放大电路的闭环放大倍数______ [填空题]空1答案：A=1/F4.利用示波器测量电压时，被测信号的______不应超过示波器和______ 。
[填空题] 空1答案：峰值电压空2答案：允许的最大电压5.电阻器的标志方法有 ______ 、______ 、______ 和 ______ 四种。
[填空题]空1答案：直标法空2答案：文字符号法空3答案：色标法空4答案：数码表示法6.目前无线电装配中印制板清洗方法最常用的有 ______ 和 ______ 两种。
[填空题] 空1答案：液相清洗空2答案：汽相清洗7.产品装配选择散热孔时应根据 ______ 、______ 以及 ______ 、______ 等加以选择。
[填空题]空1答案：元件耐热极限温度空2答案：发热元件位置空3答案：机壳材料空4答案：机壳表面状况8.自动焊接技术从其工艺方法看,可归纳为______ 和______ 两大类 [填空题]空1答案：一次焊接法空2答案：二次焊接法9.SMT 装配方式可分为______ 、______ 、______ 三种。
[填空题]空1答案：单面混合装配空2答案：双面混合装配空3答案：完全表面装配10.整机技术文件是产品生产、试验、使用和维修的基本依据,它包括设计文件______ 和______ 。
[填空题]空1答案：工艺文件空2答案：研究试验文件二、选择题1、缩短辅助时间的措施有（）。
[单选题]A、缩短作业时间B、缩短休息时间C、缩短准备时间D、总结经验推出先进的操作法(正确答案)2、劳动的双重含义决定了从业人员全新的（）和职业道德观念。
场效应管大全
场效应管⼤全【TO-263/262封装】02N60C3 场效应管TO-263/262 INFINEON03N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON03N60C3 场效应管TO-263/262 INFINEON04N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON04N60CS 场效应管TO-263/262 INFINEON05N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON06N03LA 场效应管TO-263/262 INFINEON07N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON07N60C3 场效应管TO-263/262 INFINEON07N65C3 场效应管TO-263/262 INFINEON08N80C3 场效应管TO-263/262 INFINEON09N03LA 场效应管TO-263/262 INFINEON09N70R 场效应管TO-263/262 APEC100N03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS101N03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS108N03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS10J312 场效应管TO-263/262 TOSHIBA10N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON10N120BN 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD110N04 场效应管TO-263/262 NEC11N60 场效应管TO-263/262 INFINEON125N2 场效应管TO-263/262 ON12CN10N 场效应管TO-263/262 INFINEON12N60A4D 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD140N03L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD14CL36 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD14CL40 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD14N03LA 场效应管TO-263/262 INFINEON14N36GVL 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD14N40FVL 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 152NQ03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS 15J103 场效应管TO-263/262 TOSHIBA15N40 场效应管TO-263/262 MOTOROLA15N60CS 场效应管TO-263/262 INFINEON160N03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS16N50C3 场效应管TO-263/262 INFINEON17N80C3 场效应管TO-263/262 INFINEON18N40 场效应管TO-263/262 MOTOROLA20CL36 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD20N03S 场效应管TO-263/262 APEC20N36GVL 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD20N60 场效应管TO-263/262 HARRIS/INFINEON 20N65C3 场效应管TO-263/262 INFINEON21N10 场效应管TO-263/262 INFINEON21N50C3 场效应管TO-263/262 INFINEON24N06HL 场效应管TO-263/262 MOTOROLA25N06 场效应管TO-263/262 INFINEON2N03L08 场效应管TO-263/262 INFINEON2N0404 场效应管TO-263/262 INFINEON2N04H4 场效应管TO-263/262 INFINEON2N04L3 场效应管TO-263/262 INFINEON2N0605 场效应管TO-263/262 INFINEON2N0607 场效应管TO-263/262 INFINEON2N0608 场效应管TO-263/262 INFINEON2N0609 场效应管TO-263/262 INFINEON2N0612 场效应管TO-263/262 INFINEON2N06L5 场效应管TO-263/262 INFINEON2N0807 场效应管TO-263/262 INFINEON2N120CN 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 2SJ0441 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SJ138 场效应管TO-263/262 NEC2SJ214 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ219 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ220 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ224 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SJ241 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SJ257 场效应管TO-263/262 SANYO2SJ277 场效应管TO-263/262 SANYO2SJ280 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ296 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ297 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ302 场效应管TO-263/262 NEC2SJ312 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SJ328 场效应管TO-263/262 NEC2SJ369 场效应管TO-263/262 SHINDENGEN 2SJ371 场效应管TO-263/262 SHINDENGEN 2SJ373 场效应管TO-263/262 SHINDENGEN 2SJ375 场效应管TO-263/262 SHINDENGEN 2SJ400 场效应管TO-263/262 SANYO2SJ401 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SJ402 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SJ412 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SJ459 场效应管TO-263/262 SANYO2SJ476 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SJ479 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ505 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ522 场效应管TO-263/262 SANYO2SJ549 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ550 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ551 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ552 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ553 场效应管TO-263/262 HITACHI2SJ577 场效应管TO-263/262 SANYO2SJ603 场效应管TO-263/262 NEC2SJ604 场效应管TO-263/262 NEC2SJ605 场效应管TO-263/262 NEC2SJ607 场效应管TO-263/262 NEC2SK1293 场效应管TO-263/262 NEC2SK1313 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1314 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1315 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1540 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1541 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1620 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1622 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1623 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1624 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1625 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1636 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1647 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1648 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1663 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK1690 场效应管TO-263/262 SANYO2SK1691 场效应管TO-263/262 SANYO2SK1722 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK1746 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK1750 场效应管TO-263/262 NEC2SK1792 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK1793 场效应管TO-263/262 NEC2SK1820 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK1858 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK1865 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK1881 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK1918 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1919 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK1927 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK1928 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK1930 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK1945 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK2006 场效应管TO-263/2622SK2017 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK2048 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK214 场效应管TO-263/262 HITACHI2SK2140 场效应管TO-263/262 NEC2SK2213 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK2226 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK2249 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK2252 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK2266 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK2311 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK2360 场效应管TO-263/262 NEC2SK2365 场效应管TO-263/262 NEC2SK2366 场效应管TO-263/262 NEC2SK2376 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK2401 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK2411 场效应管TO-263/262 NEC2SK2484 场效应管TO-263/262 NEC2SK2491 场效应管TO-263/262 SHINDENGEN 2SK2499 场效应管TO-263/262 NEC2SK2501 场效应管TO-263/262 PANASONIC2SK2598 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK2604 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK2625 场效应管TO-263/262 SANYO 2SK2684 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK2688 场效应管TO-263/262 FUJITSU 2SK2701 场效应管TO-263/262 SANKEN 2SK2754 场效应管TO-263/262 FUJITSU 2SK2776 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK2777 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK2789 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK2826 场效应管TO-263/262 NEC2SK2883 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK2884 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK2885 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK2889 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK2912 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK2938 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK2940 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK2941 场效应管TO-263/262 NEC2SK2949 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK2957 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK2958 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK2983 场效应管TO-263/262 NEC2SK2984 场效应管TO-263/262 NEC2SK2986 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK2991 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK2993 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK3058 场效应管TO-263/262 NEC2SK3068 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK3070 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK3070 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK3084 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK3089 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK3090 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK3109 场效应管TO-263/262 NEC2SK3111 场效应管TO-263/262 NEC2SK3116 场效应管TO-263/262 NEC2SK3127 场效应管TO-263/262 TOSHIBA 2SK3135 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK3150 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK3161 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK3210 场效应管TO-263/262 HITACHI 2SK3211 场效应管TO-263/2622SK3299 场效应管TO-263/262 NEC2SK3305 场效应管TO-263/262 NEC2SK3311 场效应管TO-263/262 NEC2SK3322 场效应管TO-263/262 NEC2SK3325 场效应管TO-263/262 NEC2SK3334 场效应管TO-263/262 SHINDENGEN 2SK3353 场效应管TO-263/262 NEC 2SK3354 场效应管TO-263/262 NEC2SK3355 场效应管TO-263/262 NEC2SK3399 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK3403 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK3403 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK3404 场效应管TO-263/262 NEC2SK3405 场效应管TO-263/262 NEC2SK3407 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK3408 场效应管TO-263/262 NEC2SK3430 场效应管TO-263/262 NEC2SK3431 场效应管TO-263/262 NEC2SK3432 场效应管TO-263/262 NEC2SK3433 场效应管TO-263/262 NEC2SK3435 场效应管TO-263/262 NEC2SK3456 场效应管TO-263/262 NEC2SK3461 场效应管TO-263/262 RENESAS2SK3467 场效应管TO-263/262 NEC2SK3479 场效应管TO-263/262 NEC2SK3481 场效应管TO-263/262 NEC2SK3494 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK3512 场效应管TO-263/262 FUJITSU 2SK3556 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK3560 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK3570 场效应管TO-263/262 NEC2SK3572 场效应管TO-263/262 NEC2SK3581 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK3625 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK3674 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK3684 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK3713 场效应管TO-263/262 NEC2SK3729 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK3731 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK3774 场效应管TO-263/262 FUJITSU2SK3800 场效应管TO-263/2622SK3811 场效应管TO-263/262 NEC2SK3812 场效应管TO-263/262 NEC2SK3879 场效应管TO-263/262 TOSHIBA2SK3895 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK3896 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK3898 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK3899 场效应管TO-263/262 NEC2SK3900 场效应管TO-263/262 NEC2SK3943 场效应管TO-263/262 NEC2SK3995 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK4000 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK704 场效应管TO-263/262 NEC3055AS 场效应管TO-263/26230N20 场效应管TO-263/262 MOTOROLA 32N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON32N12 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD35N10 场效应管TO-263/262 INFINEON35N15 场效应管TO-263/262 MOTOROLA 35N40 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD3C45 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD3N60A4D 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD 40N03S 场效应管TO-263/262 APEC45N03 场效应管TO-263/262 PHILIPS/SI46N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON47N10 场效应管TO-263/262 INFINEON5401DM 场效应管TO-263/262 MOTOROLA/HARRIS 5501DM 场效应管TO-263/262 MOTOROLA/HARRIS 5503DM 场效应管TO-263/262 MOTOROLA/HARRIS 55N03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS56N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON5N2007 场效应管TO-263/262 HITACHI5N2307 场效应管TO-263/262 HITACHI5N2512 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD5N2901 场效应管TO-263/262 HITACHI5N3007 场效应管TO-263/262 HITACHI5N3301 场效应管TO-263/262 HITACHI6020V4 场效应管TO-263/26260L02S 场效应管TO-263/262 APEC60N03 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD/APEC 60N04 场效应管TO-263/262 NEC60N06 场效应管TO-263/262 INFINEON/APEC 65N02R 场效应管TO-263/262 ON65N03L 场效应管TO-263/26269N03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS6R099 场效应管TO-263/262 INFINEON70L02S 场效应管TO-263/262 APEC70N03 场效应管TO-263/262 SI/APEC70N10 场效应管TO-263/262 NEC/INFINEON70T03S 场效应管TO-263/262 APEC75321S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 75329S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 75332S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 75333S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 75339S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 75343S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 75344S 场效应管TO-263/262HARRIS/FAIRCHILD 75345S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 75545S 场效应管TO-263/262HARRIS/FAIRCHILD 75623S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 75637S 场效应管TO-263/262HARRIS/FAIRCHILD 75639S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 75645S 场效应管TO-263/262HARRIS/FAIRCHILD 75842S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 75N03 场效应管TO-263/262 SI76121S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 76122S 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场效应管TO-263/262 IRFBC30L 场效应管TO-263/262 IRFBC40L 场效应管TO-263/262 IRFDB035AN06AO 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB045AN08AO 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB050AN06AO 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB13AN06AO 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB140N03L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB20AN06AO 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB2532 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB2552 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB33N25 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB3632 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB3652 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB3682 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB42AN15AO 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB44N25 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB5645 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB5680 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB5690 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB6035AL 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB60N03L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB6670AL 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FDB6676 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB7030BL 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB7030L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB7042L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB7045L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB8447L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB8860 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB8870 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB8874 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB8880 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB8896 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDB95N03L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFDI038AN06AO 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FE09N50G 场效应管TO-263/262 FEFIS22N10 场效应管TO-263/262 HARRISFIS25N06 场效应管TO-263/262 HARRISFIS45N06 场效应管TO-263/262 HARRISFIS4N100 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFIS50N06 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD FIS60P03 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD FIS70N06 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD FIS80N06 场效应管TO-263/262 HARRISFK14VS-10 场效应管TO-263/262 MITSUBISHIFK14VS-9 场效应管TO-263/262 MITSUBISHIFK16VS-5 场效应管TO-263/262 MITSUBISHIFK20VS-5 场效应管TO-263/262 MITSUBISHIFKV460S 场效应管TO-263/262FQB10N20 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFQB10N60C 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB12N50 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFQB12N60 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFQB13N06L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB13N10L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB140N04L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB14N10 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFQB14N30 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFQB16N25 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFQB25N33 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB27N25 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB27P06 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB2N90 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB30N06L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFQB32N20C 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB33N10 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB34N20L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB44N10 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB46N15 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFQB47P06 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB4N90 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB50N06L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB55N10 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB5N50C 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFQB65N06 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB6N25 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB6N60 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB6N70 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB6N90 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB7N60S 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB7N65C 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB85N06 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB8N25 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB8N60C 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB9N25 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB9N50 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQB9P25 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQI13N50C 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQI19N20 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQI3N90 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFQI4N80 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQI5N60C 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQI6N40 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQI6N50 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQI7N80 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQI8N60C 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQP2N60C 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD FQP5N90 场效应管TO-263/262 FAIRCHILDFS100VS-3 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS10VS-12 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS10VS-2 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS10VS-6 场效应管TO-263/262 MITSUBISHIFS10VSJ-2 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS10VSJ-6 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS10VSJ-9 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS11N50A 场效应管TO-263/262 IRFS14VS-10 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS14VS-9 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS16VS-9 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS17N20D 场效应管TO-263/262 IRFS20VS-5 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS23N15D 场效应管TO-263/262 IRFS23N20D 场效应管TO-263/262 IRFS2VS-18 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS30VS-3 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS31N20D 场效应管TO-263/262 IRFS3207 场效应管TO-263/262 IRFS38N20D 场效应管TO-263/262 IRFS3VS-18 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS41N15D 场效应管TO-263/262 IRFS4310 场效应管TO-263/262 IRFS4610 场效应管TO-263/262 IRFS4710 场效应管TO-263/262 IRFS4VS-12 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS50VS-3 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS52N15D 场效应管TO-263/262 IRFS59N10D 场效应管TO-263/262 IRFS5VS-10 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS5VS-14 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS70VSJ-03 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS70VSJ-06 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS7VS-14 场效应管TO-263/262 MITSUBISHIFS7VS-18 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FS9N60A 场效应管TO-263/262 IRFSL11N50A 场效应管TO-263/262 IRFSL23N20D 场效应管TO-263/262 IRFSL3206 场效应管TO-263/262 IRFSL9N60A 场效应管TO-263/262 IRFX6VSJ-06 场效应管TO-263/262 MITSUBISHI FZ14NS 场效应管TO-263/262 IRFZ24NS 场效应管TO-263/262 IRFZ34NS 场效应管TO-263/262 IRFZ44NS 场效应管TO-263/262 IRFZ46NS 场效应管TO-263/262 IRFZ48NS 场效应管TO-263/262 IRG15N60HS 场效应管TO-263/262 INFINEONG20N60C3 场效应管TO-263/262 HARRISG4BC20 场效应管TO-263/262 IRG4BC30 场效应管TO-263/262 IRG7N60C3D 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD GB07N120 场效应管TO-263/262 INFINEONGB15N120 场效应管TO-263/262 INFINEONGB7NB60HD 场效应管TO-263/262 STGFB50N03 场效应管TO-263/262GFB75N03 场效应管TO-263/262HBA07M02 场效应管TO-263/262 HARRISHF75152 场效应管TO-263/262HUF75321S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF75329S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF75332S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF75333S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF75339S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF75343S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF75344S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF75345S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF75545S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF75623S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF75637S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF75639S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF75645S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF75842S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF76121S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF76122S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF76129S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF76131S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF76132S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF76137S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF76139S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF76143S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF76145S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF76419S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF76429S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF76432S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF76437S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD HUF76439S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILDHUF76633S 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD IAA03U02 场效应管TO-263/262 HARRISIKB20T60 场效应管TO-263/262 INFINEONIPB03N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON IPB04N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON IPB05N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON IPB06N03LA 场效应管TO-263/262 INFINEON IPB07N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON IPB09N03LA 场效应管TO-263/262 INFINEON IPB10N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON IPB14N03LA 场效应管TO-263/262 INFINEONIPB15N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON IRF1010NS 场效应管TO-263/262 IRIRF1310NS 场效应管TO-263/262 IRIRF1312S 场效应管TO-263/262 IRIRF1404S 场效应管TO-263/262 IRIRF1405S 场效应管TO-263/262 IRIRF2804S 场效应管TO-263/262 IRIRF2805S 场效应管TO-263/262 IRIRF2807S 场效应管TO-263/262 IRIRF2907ZC 场效应管TO-263/262 IRIRF3205S 场效应管TO-263/262 IR/HARRIS IRF3315S 场效应管TO-263/262 IRIRF3415S 场效应管TO-263/262 IRIRF3515S 场效应管TO-263/262 IRIRF3707ZCS 场效应管TO-263/262 IR IRF3709S 场效应管TO-263/262 IR IRF3710S 场效应管TO-263/262 IR IRF3711S 场效应管TO-263/262 IR IRF3803S 场效应管TO-263/262 IR IRF3808S 场效应管TO-263/262 IR IRF4905S 场效应管TO-263/262 IR IRF510NS 场效应管TO-263/262 IR IRF520NS 场效应管TO-263/262 IR IRF5210S 场效应管TO-263/262 IR IRF5305S 场效应管TO-263/262 IR IRF530NS 场效应管TO-263/262 IR IRF540NS 场效应管TO-263/262 IR IRF610NS 场效应管TO-263/262 IR IRF620NS 场效应管TO-263/262 IR IRF6215S 场效应管TO-263/262 IR IRF630NS 场效应管TO-263/262 IR IRF634S 场效应管TO-263/262 IR IRF640NS 场效应管TO-263/262 IR IRF710NS 场效应管TO-263/262 IR IRF720NS 场效应管TO-263/262 IR。
三极管、场效应管型号大全_贴片三极管型号大全(二)
IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应
IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应
IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应
IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应
IRF9610200V1A20W**PMOS场效应
原创文章："/public/tool/kbview/kid/498/cid/1"
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三极管型号大全：D1431NPN28B彩行1500V5A80Wβ=20D1433NPN28B彩行1500V7A80Wβ=20D1439NPNBCE彩行1500V3A80Wβ=8D1541NPN28B彩行1500V3A80Wβ=20D1545NPN28B彩行1500V5A50Wβ=20D1547NPNBCE彩行1500V7A80Wβ=20D1554NPNBCE彩行1500V3.5A80Wβ=12D1555NPNBCE彩行1500V5A80Wβ=12D1556NPNBCE彩行1500V6A80Wβ=12D1559NPNBCE达林顿功放100V20A100Wβ=5000/B1079D1590NPN28达林顿功放150V8A25Wβ=15000D1632NPN28B彩行1500V4A70WD1640N
l
BU2508DX NPN 30 开关功放1500V8A50W/600NS(带阻尼)
BU2520AF NPN 30 开关功放800V10A150W 1/50
BU2520AX NPN 30 开关功放1500V10A150W 1/500NS
BU2520DF NPN 30 开关功放800V10A150W1/500NS(带阻)
结型场效应管
模拟电子技术基础
(2) 放大区 a. 沟道预夹断 b. uDS≥ |UGS(off)| + uGS c. iD几乎与uDS无关
iD / mA 6 4 2
uDSuGSUGS (off) uGS0V 0.5V 1.0V
放大区1.5V
2.0V
uGSUGS(off)
0
10
20 uDS / V
iD IDS(S1UuGGSS(o)f2f)
称为零偏漏极电流 I i DSS
D
uG S0V uDSUG
S(
off
)
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uDS
返回
模拟电子技术基础
3.1.4 结型场效应管的主要电参数 1．直流参数
(1) 夹断电压UGS(off)
U u GS(offG ) S U ID D 测 S常试 (数 (15V 0μ 值 0) )A
uDS
曲线特点
(1) 对于不同的uDS，对应的转移特性曲线不同。
(2) 当管子工作于恒流区时，转移特性曲线基本重合。
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
iD iD
I DSS
uGS0V uGS1 uGS2 uGS3 uGS4
uGS(off)
uGS3 uGS1 uGS1 O uGS O
当管子工作于恒流区时
(b) 导电沟 道夹断
UGS(off)——
N
栅源截止电压或
夹断电压
PP+ +
N型导电沟道
P+
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模拟电子技术基础
当uDS=0时，uGS对沟道的控制作用动画演示
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模拟电子技术基础
2．当uGS =0时，uDS对沟道的控制作用
系列场效应管型号技术参数
2SK447
NMOS
SDG
高速低噪开关
250V15A150W0.24可驱电机
2SK511
NMOS
SDG
高速功放开关
250V0.3A8W5.0
2SK534
NMOS
GDS
高速开关
800V5A100W4.0
2SK539
NMOS
GDS
开关
900V5A150W2.5
2SK560
BS170
NMOS
60V0.3A0.63W12/12nS5.0
BUZ11A
NMOS
GDS
开关
50V25A75W60/110nS0.055
BUZ20
NMOS
GDS
功放开关
100V12A75W75/80nS
IRF130(铁)
NMOS
GD S
功放开关
100V14A79W75/45nS0.16
IRF230(铁)
NMOS
GDS
投影机用
500V10A85W60/40nS0.6
2SK1195
NMOS
GDS
电梯用
230V1.5A10W37/100nS
2SK1198
NMOS
GDS
高速开关
700V2A35W20/80nS3.2
2SK1217
NMOS
GDS
电源开关
90V8A100W280/460nS2.0
2SK1221
NMOS
GDS
电源开关
250V10A80W60/150nS0.4
2SK1247
NMOS
GDS
电源开关
500V5A30W50/90nS1.4
场效应管对照表
场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。
在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。
每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。
同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。
1．"型号"栏表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。
同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。
2．"厂家"栏为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。
）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：ADV 美国先进半导体公司AEG 美国AEG公司AEI 英国联合电子工业公司AEL 英、德半导体器件股份公司ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司AMP 美国安派克斯电子公司AMS 美国微系统公司APT 美国先进功率技术公司ATE 意大利米兰ATES公司ATT 美国电话电报公司AVA 美、德先进技术公司BEN 美国本迪克斯有限公司BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司CDI 印度大陆器件公司CEN 美国中央半导体公司CLV 美国CLEVITE晶体管公司COL 美国COLLMER公司CRI 美国克里姆森半导体公司CTR 美国通信晶体管公司CSA 美国CSA工业公司DIC 美国狄克逊电子公司DIO 美国二极管公司DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司FCH 美国范恰得公司FER 英、德费兰蒂有限公司FJD 日本富士电机公司FRE 美国FEDERICK公司FUI 日本富士通公司FUM 美国富士通微电子公司GEC 美国詹特朗公司GEN 美国通用电气公司GEU 加拿大GENNUM公司GPD 美国锗功率器件公司HAR 美国哈里斯半导体公司HFO 德国VHB联合企业HIT 日本日立公司HSC 美国HELLOS半导体公司IDI 美国国际器件公司INJ 日本国际器件公司INR 美、德国际整流器件公司INT 美国INTER FET 公司IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司ITT 德国楞茨标准电气公司IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司KYO 日本东光股份公司LTT 法国电话公司SEM 美国半导体公司MAR 英国马可尼电子器件公司MAL 美国MALLORY国际公司MAT 日本松下公司MCR 美国MCRWVE TECH公司MIC 中国香港微电子股份公司MIS 德、意MISTRAL公司MIT 日本三菱公司MOT 美国莫托罗拉半导体公司MUL 英国马德拉有限公司NAS 美、德北美半导体电子公司NEW 英国新市场晶体管有限公司NIP 日本日电公司NJR 日本新日本无线电股份有公司NSC 美国国家半导体公司NUC 美国核电子产品公司OKI 日本冲电气工业公司OMN 美国OMNIREL公司OPT 美国OPTEK公司ORG 日本欧里井电气公司PHI 荷兰飞利浦公司POL 美国PORYFET公司POW 美国何雷克斯公司PIS 美国普利西产品公司PTC 美国功率晶体管公司RAY 美、德雷声半导体公司REC 美国无线电公司RET 美国雷蒂肯公司RFG 美国射频增益公司RTC 法、德RTC 无线电技术公司SAK 日本三肯公司SAM 韩国三星公司SAN 日本三舍公司SEL 英国塞米特朗公司SES 法国巴黎斯公司SGS 法、意电子元件股份公司SHI 日本芝蒲电气公司SIE 德国西门子AG公司SIG 美国西格尼蒂克斯公司SIL 美、德硅技术公司SML 美、德塞迈拉布公司SOL 美、德固体电子公司SON 日本萦尼公司SPE 美国空间功率电子学公司SPR 美国史普拉格公司SSI 美国固体工业公司STC 美国硅晶体管公司STI 美国半导体技术公司SUP 美国超技术公司TDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司TEL 德国德律风根电子公司TES 捷克TESLA公司THO 法国汤姆逊公司TIX 美国德州仪器公司TOG 日本东北金属工业公司TOS 日本东芝公司TOY 日本罗姆公司TRA 美国晶体管有限公司TRW 英、德TRN半导体公司UCA 英、德联合碳化物公司电子分部UNI 美国尤尼特罗德公司UNR 波兰外资企业公司WAB 美、德WALBERN器件公司WES 英国韦斯特科德半导体公司VAL 德国凡尔伏公司YAU 日本GENERAL股份公司ZET 英国XETEX公司场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）3．"材料"栏本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性，没有注明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。
结型场效应管及其放大电路
一、场效应管概述
4、场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于 R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ 时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管， 另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是 正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以 区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小， 测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力 将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时 表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的 放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手 捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。 由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极 时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向 左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。 本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止 人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。 MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将 G-S极间短路一下即可。
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1.输出特性曲线
输出特性曲线（也叫漏极特性）是指在栅源电压UGS一定 时，漏极电流ID与漏源电压UDS之间关系。函数表示为:
ID f(UDS)UGS常数
从图中可以看出，管
iD / m A 可 变 电 阻 区
6 R
ID5 SS
DS
iD
小
/
m恒A流 区 (放 大 区 ) VGuSGS=＝ 00 V
uDS＝uGS－U P
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41 结型场效应管 (2)
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引言 二
由于半导体三极管工作在放大状态时，必须保 证发射结正偏。
－－－故输入端始终存在输入电流 改变输入电流就可改变输出电流，所以三极管 是电流控制器件。
因而三极管组成的放大器，其输入电阻不高。
断点，
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③ VGS和VDS同时作用时
当VP <VGS<0 时，导 电沟道更容易夹断。
对于同样的VDS ， ID 的值比VGS=0时的值要小。
在预夹断处： VGD=VGS-VDS =VP
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4.1.3 特性曲线
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②漏源电压VDS对iD的影响
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在栅源间加电压VGS＞VP， 漏源间加电压VDS。则因漏
端耗尽层所受的反偏电压为
VGD=VGS-VDS，比源端耗尽 层大V偏当源预P极夹V所电,=(D如方断S-受压继9向区:VV续的为,伸电G则增反-S长阻5=加漏V偏为很-2时，端电预大V，源耗,夹，压预V端尽断使DV夹S耗区主G层=断S要。尽受3点由VV层反向D,于S
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第四章 场效应管放大电路
4.1 结型场效应管 4.2 绝缘栅场效应管 4.3 场效应管的主要参数 4.4 场效应管的特点 4.5 场效应管放大电路
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4.1 结型场效应管 本节主要讨论结型场效应管JFET
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① VGS对沟道的控制作用
当VGS＜0时 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄 沟道电阻变大，ID减小；
VGS更负，沟道更窄，ID更小；
直至沟道被耗尽层全部覆盖， 沟道被夹断， ID≈0。这时所 对应的栅源电压VGS称为夹 断电压VP。
对于N沟道的JFET，VP <0。
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受降落反在偏该电区压，为由-此2产V)生,使的靠强近电场漏 端力能的把耗未尽夹层断比区源漂移端到厚其，边沟界道上
比影的饱载和源响流电端是子流窄不都。，均扫故 匀至的V漏D极，S对，使沟形沟道成道漏的呈极
楔形。 随VDS增大，这种不
均匀性越明显。
当VDS增加到使VGD=VGS-VDS =VP 时，在紧靠漏极处出现预夹
随着电子技术及半导体生产工艺的发展与进步， 出现了一种新型的半导体器件－－场效应晶体管。
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引言三
场效应晶体管(FET)是利用电压产生的电场效应来控制 电流的一种半导体器件。它与晶体管相比有以下重要特点：
(1) 它是一种电压控制器件。 工作时，管子的输入电流几乎为 0， 因此具有极高的 输入电阻(约数百兆欧以上)。 (2) 输出电流仅由多子运动而形成，故称单极型器件。 它的抗温度和抗辐射能力强，工作较稳定。 (3) 制造工艺比较简单，便于大规模集成，且噪声较小。 (4) 类型较多， 使电路设计灵活性增大。
包括： 结构 工作原理 伏安特性
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4.1 结型场效应管
在4.J结1F.E型1 T场中效，应源管也极是S具和有漏PN极结D的是半可导体以器互件换的。
N型半导体衬底 高掺杂P+型区
基底 ：N型半导体
两个PN结
D漏极
栅极(Gate)
电子发射端 称为源极(Source)
击穿区
子的工作状态可分为 4 可变电阻区、恒流区 3 和击穿区这三个区域。 2
－ 1V
预夹断
－ 2V
1
R DS 大
－ 3V
0 0 4 8 |V1p2| 16 20
截止区
U
＝
P
－
4V
24 BU DSS
uDS / V
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可变电阻区
特点:(1)当vGS 为定值时,iD 是 vDS 的线性函数，管子的 漏源间呈现为线性电阻。
漏极，用 D或d表示
符号
PP型型区区
N型导电沟道
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P沟道结型场效应管结构与符号：
结构
D漏极
G(栅极)
P NN
符号
D G
D G
S
S
S源极
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西安电子科技大学计号上的区别:
N沟道
D
D
P沟道
D
D
G
G
G
G
S
S
S
S
N沟道和P沟道结型场效应管符号上的区别，在于 栅极的箭头方向不同，但都要由P区指向N区。
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4.1.2 基本工作原理
以N型沟道JFET为例进行分析，研究JFET的工 作原理————输入电压对输出电流的控制作用。
N沟道场效应管工作时，
在栅极与源极之间加负电
压，栅极与沟道之间的PN
结为反偏。
在漏极、源极之间加一
定正电压，使N沟道中的多
数载流子(电子)由源极向漏
极漂移，形成iD。iD的大小 受VGS的控制。
P沟道场效应管工作时，
极性相反，沟道中的多子
为空穴。
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JFET工作原理
（动画2-9)
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引言四
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根据结构的不同，场效应管可分为两大类：结型
场效应管(JFET)和金属 -氧化物 -半导体场效应管
(MOSFET)。
FET 场效应管
JFET 结型
MOSFET (IGFET) 绝缘栅型
N沟道 （耗尽型）
P沟道
增强型
N沟道 P沟道
耗尽型
N沟道 P沟道
G(栅极)
N
电子接收端
PP
两边是P区
称为漏极(Drain)
导电沟道
导电沟道
S源极
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N沟道结型场效应管的结构与符号：
结构
D漏极
符号
G(栅极)
N PP
D G
D G
S S源极
S
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N沟道结型场效应管的具体结构：
源极，用S或s表示
栅极，用 G或g表示
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