电容使用注意事项与失效解决方案

电容使用注意事项与失效解决方案
电容使用注意事项与失效解决方案

电容使用注意事项与失效解决方案

电容的选用注意事项

在确认使用及安装环境时,作为按产品样本设计说明书所规定的额定性能范围内使用的电容器,应当避免在下述情况下使用:

a、高温(温度超过最高使用温度);

b、过流(电流超过额定纹波电流),施加纹波电流超过额定值后,会导致电容器体过热,容量下降,寿命缩短;

c、过压(电压超过额定电压),当电容器上所施加电压高于额定工作电压时,电容器的漏电流将上升,其电氧物性将在短期内劣化直至损坏;

d、施加反向电压或交流电压,当直流铝电解电容器按反极性接入电路时,电容器会导致电子线路短路,由此产生的电流会引致电容器损坏。若电路中有可能在负引线施加正极电压,选用无极性电容器;

e、使用于反复多次急剧充放电的电路中,如快速充电用途,其使用寿命可能会因为容量下降,温度急剧上升等而缩减;

f、在直接与水、盐水、油类相接触或结露的环境、充满有害气体的环境(硫化物、氨水等)、直接日光照射、臭氧、紫外线及有放射性物质的环境、振动及冲击条件超过了样本及说明书规定范围的恶劣环境下,禁止使用电容器;

g、电容器安装时,电容器防爆阀上方留有空间、爆阀上方避免配线及安装其他元件、电容器四周及电路板避免安装发热元件。

电容安装的注意事项

a、用过的电容器不能再使用,但作为周期检查可卸下来测试电性能;

b、如果电容器已充电,使用前要用一个约1kΩ的电阻放电;

c、如果电容器在超过35℃,湿度大于70%的条件下存放,其漏电流可能上升,使用前可通过一个约1kΩ的电阻施加额定电压处理;

d、安装前要确认电容器的额定容量、电压和极性;

e、掉在地面的电容器不要使用;

f、变形的电容器不要使用;

g、电容器的正负引线间距应与PCB板焊孔的位置相吻合。若将电容器强行插入孔距不配套的电路板,会有应力作用于引出线,会导致电容器短路或漏电流上升;

h、安装时把电容器引脚或焊针插入PCB板,直到电容器底部贴到PCB板表面;

i、不要施加超过规定的机械压力。当拉力施加到电容器引出线,该拉力将作用于电容器内部,会导致电容器内部短路,开路或漏电流上升。在电容器焊装到电路板,不强烈摇动电容器。

电容低电压失效的机理

在电路设计中,有一种常见的认识,“器件的裕度设计在没有把握的情况下,余量尽可能大就会可靠”,事实上这个观点是错误的。对于安规电容来说,耐压余量留的太大,也会导致一种失效,称之为“低电压失效”。

低电压失效的机理是介质漏电流的存在。在较大湿度情况下,因为电容的不密封性,会导致潮气渗入,在电容两极加电压时,渗入的潮气表面会因其导电性形成漏电流,过量的漏电流会使电容的储能特性大大降低,结果就表现为电容的

特性丧失。这个现象在湿度储存试验后加电运行时最容易出现。

但经过一段时间(不少于2h)的高温储存后,再开机,该电容的性能又可以恢复。

或者将电容拆下,给两端加较高电压(不低于0.7倍额定电压的电压值,如50V的电容,加不低于35V,不高于50V的电压),加压一小段时间后,再将电容焊上电路板,开机后,失效现象消失。

以上现象产生的机理如图。填充介质中,渗入潮气,会形成如图所示的漏电流通路,其上会产生漏电流,导通通路上有电阻,因此会产生热量I2R,当电容的额定耐压值较大,而实际施加的电压很小时(如施加10%的额定耐压),热量很小,不足以使潮气挥发掉,因此表现为电容失效。但施加的电压较大时,相同的电阻值,却能产生较大的热量,热量会使潮气快速挥发,电容特性很快恢复。因此,电容的耐压值降额幅度过大,容易引发低电压失效。一般以按照**降额到额定值的70%为宜。

高温储存试验后,潮气在高温下快速挥发,电容特性可恢复。

环境应力筛选试验(ESS试验)是考核产品整机质量的常用手段。在ESS试验中,随机振动的应力旨在考核产品在结构、装配、应力等方面的缺陷。体积较大的电容,在焊接后,如果没有施加单独的处理措施,在振动试验时容易发生引脚断裂的问题。这个实验模拟的是运输振动、运行振动、冲击碰撞跌落的应力条件。

断裂的机理是应力集中,一般发生在电容引出脚或焊盘连接点位置,如图。当振动环境下,电容引出脚和焊盘连接点承受的将是整个电容横向剪切和纵向拉伸方向的冲击力,尤其当电容较大的时候,如大的电解电容。

电容引脚断裂机理示意图

此现象的发生机理简单,解决方案也不复杂,常规经验是在电容的底部涂1圈硅橡胶GD414以粘接固定,但这种处理方式是不行的。

硅橡胶拉伸强度为4-5MPa,伸长率为100%-200%,分子间作用力弱,粘附性差,粘接强度低;用于粘接电容时,表面上看是固定住了,但实际上冲击应力较大的时候,硅橡胶的被拉伸程度较大,电容自身依然会受到较大的拉伸应力和剪切应力;所以,固定用的材料推荐首选E-4X环氧树脂胶,其拉伸强度大于83MPa,伸长率小于9%,粘合性好,粘接强度高,收缩率低,尺寸稳定。从性能上能明显看出,E-4X环氧树脂胶才能起到真正的固定作用。

对涂胶工序也须进行细化,要求环氧胶固定电容高度达到电容本体的1/3,并在两肋形成山脊状支撑,使电容与E-4X胶成为一体,振动中不再颤振,引脚得到保护。

另外,除了涂胶固定,电路板装配生产的流程也会引出,先装配电容,再装配其它元件,这样,立式电容为最高点,周转或放置时,易受到磕碰或外力而造成歪斜;更改工序,先装配其它元件和粘接立柱再装配高电容,这样周转或放置时,比电容稍高的立柱受力就保护了电容。

改进工序前,先对电路板真空涂覆(在电容陶瓷面上形成约15μm厚的派埃林薄膜材料),再涂硅橡胶固定。改进后,先在电容上涂环氧胶,再在整个电路板真空涂覆,这样在电容和胶外表面一体形成派埃林薄膜。由于派埃林薄膜表面粗糙度小于陶瓷面,胶在派埃林薄膜表而的接触角大于陶瓷表面(接触角越小润湿效果越好),改进后固定效果更好。

对以上问题和解决方法做一个总结结论有三:1、电容引脚断裂性质是疲劳

断裂;2、装配方式设计不合理,固定胶粘接强度不够和工艺不完善是导致引脚断裂的原因;3、改用环氧树脂胶和调整生产流程从工程上解决此问题。

钽电容的选用和使用标准

钽电容器设计指南 发布 前 言 本指南规定了电源类产品在设计生产中选择及使用钽电解电容时的基本原则、技术要求及注意事项。 本指南起草单位:XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX 本指南主要起草人: 本指南主要审查人: 本指南批准人:

目 录 1范围 4 2规范性引用文件 4 3概述 4 3.1.钽电容器的简要说明 4 3.2.符号说明 5 4术语定义 5 4.1.容量 5 4.2.电压 6 4.3.损耗因子和损耗角正切(tgδ) 7 4.4.阻抗(Z)和等效串联电阻(ESR) 7 4.5. D.C.漏电流 7 5选择时应注意的基本要求 8 5.1.固体电解质钽电容应考虑的主要因素 8 5.2.非固体电解质钽电容器应考虑的主要因素 9 5.3.不同电路类型对钽电容器类型的选择使用要求 10 5.4.对使用容量的选择要求 10 6使用时应注意的基本要求 11 6.1.固体电解质钽电容(主要以片式钽电容为例) 11 6.2.非固体电解质钽电容器 17 7钽电容器使用方式不同时电容器参数变化规律说明 20 8钽电容器的故障率计算 21 9保护电路与可靠性设计 21 10关于钽电容器的一些问题及解决方案 22 10.1.液体钽电容器的漏液问题 22 10.2.液体钽电容器的耐反向电压问题 22 10.3.固钽“不断击穿”又“不断自愈”的问题 22 10.4.固钽有“热致失效”问题 23 10.5.固钽有“场致失效”问题 23 10.6.解决方案 23 10.7.ESR和波纹电流之间的关系以及波纹电流对电路设计者的重要性 23 10.8.钽电容器的保存限期 24 11钽电容选用及使用总结 24 11.1.电压及纹波特性 24 11.2.使用环境温度 24 11.3.频率特性 25 11.4.可靠性 25 12供应商 25

陶瓷电容器简介及使用注意事项

陶瓷电容器简介及使用注意事项 1.分类 1类多层瓷介电容器,温度稳定性好,材料C0G或NP0(注意C0G里面的0是代表零,NP0里面的0也是代表零,不是英文字母O),随温度变化是0,偏差是±30ppm/℃、±0.3%或±0.05pF,这类电容量较小,耐压较低,主要用于滤波器线路的谐振回路中,但其中损耗小,绝缘电阻较高,制造误差J=±5% G=±2% F=±1%,执行标准:GB/T20141-2007 2类多层瓷介电容器,温度稳定性差,但容量大、耐压高, 例如:X7R 在-55℃~到+125℃内温度偏移±15%,X5R在-55℃~到+85℃内温度偏移也是±15%,Y5V在-30℃~到+85℃内温度偏移+22%~-82%,Z5U在+10℃~+85℃内温度偏移+22%~-56%,生产误差:K=±10%、M=±20%。 注意:生产电容器时产生的误差与温度偏差是不同的概念。 2类多层瓷介电容器主要用于旁路、滤波、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中,执行标准:GB/T20142-2007 2.在使用贴片电容器的PCB设计中,用于波峰焊的焊盘尺寸与用于回流焊的 焊盘尺寸不同,因为焊料的量的大小会影响零件的机械应力,从而导致电容器破碎或开裂。 3.在PCB设计时巧用适当多的阻焊层将2个或以上电容器焊盘隔开。 4.在靠近分板线附近,电容器要平行排列,即长边与分板线平行,减少分板 时的裂缝。 5.自动贴片机装配SMD时,适当的部位支撑PCB是完全必要的,单面板时和 双面板时支撑都要考虑两面SMD的裂缝。

6.在波峰焊工艺中,粘着胶的选用和点胶位置及份量直接影响SMD焊接后的 性能稳定性,胶的份量以不能接触PCB中焊盘为准。 7.焊接中使用助焊剂: 7.1如果助焊剂中有卤化物多或使用了高酸性的助焊剂,那么焊接后过多 的残留物会腐蚀电容器端头电极或降解电容器表面的绝缘。 7.2回流焊中如果使用了过多的助焊剂,助焊剂大量的雾气会射到电容器 上,可能影响电容器的可焊性。 7.3水溶助焊剂的残留物容易吸收空气中的水,在高湿条件下电容器表面 的残留物会导致电容器绝缘性能下降,并影响电容器的可靠性,所以,当选用了水溶性助焊剂时,要特别注意清洗方法和所使用的机器的清洗力。 7.4处理贴好电容器的板时,过程中温差不能超过100℃,否则会引起裂缝。 8. 焊料的使用量为电容器厚度的1/2或1/3. 9. 使用烙铁焊接时,烙铁头的顶尖直径最大为1.0mm,烙铁头尖顶不能直接 碰到电容器上,要接触在线路板上,加锡在线路板与电容器之间。 10. 在搬运和生产过程中,电容器包装箱应避免激烈碰撞,从0.5米或以上 高度落下的单个电容器可能会产生电容器瓷体破损或微裂,应不能在使用。 11. 储存条件: 温度范围:-10℃~+40℃ 湿度范围:小于70%(相对湿度) 存储期:半年 如果超过了6个月(从电容器发货之日算起),在使用电容器之前要对其进行可焊性检验,同时高介电常数的电容器的容量也会随时间的推移

电容失效分析详解

陶瓷电容失效分析: 多层片状陶介电容器由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成,失效形式为金属电极和陶介之间层错,电气表现为受外力(如轻轻弯曲板子或用烙铁头碰一下)和温度冲击(如烙铁焊接)时电容时好时坏。 多层片状陶介电容器具体不良可分为: 1、热击失效 2、扭曲破裂失效 3、原材失效三个大类 (1)热击失效模式: 热击失效的原理是:在制造多层陶瓷电容时,使用各种兼容材料会导致内部出现张力的不同热膨胀系数及导热率。当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂的现象,这种破裂往往从结构最弱及机械结构最集中时发生,一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面处、产生最大机械张力的地方(一般在晶体最坚硬的四角),而热击则可能造成多种现象: 第一种是显而易见的形如指甲狀或U-形的裂縫 第二种是隐藏在内的微小裂缝

第二种裂缝也会由裸露在外的中央部份,或陶瓷/端接界面的下部开始,并随温度的转变,或于组装进行时,顺着扭曲而蔓延开来(见图4)。 第一种形如指甲狀或U-形的裂縫和第二种隐藏在内的微小裂缝,两者的 区别只是后者所受的张力较小,而引致的裂缝也较轻微。第一种引起的破裂 明显,一般可以在金相中测出,第二种只有在发展到一定程度后金相才可测。 (2)扭曲破裂失效 此种不良的可能性很多:按大类及表现可以分为两种: 第一种情况、SMT阶段导致的破裂失效 当进行零件的取放尤其是SMT阶段零件取放时,取放的定中爪因为磨损、对位不准确,倾斜等造成的。由定中爪集中起来的压力,会造成很大的压力 或切断率,继而形成破裂点。

这些破裂现象一般为可见的表面裂缝,或2至3个电极间的内部破裂;表面破裂一般会沿着最强的压力线及陶瓷位移的方向。 真空检拾头导致的损坏或破裂﹐一般会在芯片的表面形成一个圆形或半月形的压痕面积﹐并带有不圆滑的边缘。此外﹐这个半月形或圆形的裂缝直经也和吸头相吻合。 另一个由吸头所造成的损环﹐因拉力而造成的破裂﹐裂缝会由组件中央的一边伸展到另一边﹐这些裂缝可能会蔓延至组件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能会令电容器的底部破损。 第二种、SMT之后生产阶段导致的破裂失效 电路板切割﹑测试﹑背面组件和连接器安装﹑及最后组装时,若焊锡组件受到扭曲或在焊锡过程后把电路板拉直,都有可能造成‘扭曲破裂’这类的损坏。 在机械力作用下板材弯曲变形时,陶瓷的活动范围受端位及焊点限制,破裂就会在陶瓷的端接界面处形成,这种破裂会从形成的位置开始,从45°角向端接蔓延开来。

最常用的电子元器件及使用常识.

最常用的电子元器件及使用常识 电阻 电阻在电路中用“R” 加数字表示,如:R1表示编号为 1的电阻。电阻在电路中的主要作用为 分流、限流、分压、偏置等。 1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Ω ,倍率单位有:千欧(KΩ ,兆欧(MΩ等。换算 方法是:1兆欧 =1000千欧 =1000000欧 电阻的参数标注方法有 3种,即直标法、色标法和数标法。 a 、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如: 472表示47×100Ω(即 4.7K ; 104则表示 100K b 、色环标注法使用最多,现举例如下: 四色环电阻五色环电阻(精密电阻 2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示: 颜色有效数字倍率允许偏差(% 银色 /x0.01±10 金色 /x0.1±5 黑色 0+0/ 棕色 1x10±1 红色 2x100±2

橙色 3x1000/ 黄色 4x10000/ 绿色 5x100000±0.5 蓝色 6x1000000±0.2 紫色 7x10000000±0.1 灰色 8x100000000/ 白色 9x1000000000/ 电容 1、电容在电路中一般用“C” 加数字表示(如 C13表示编号为 13的电容。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小, 电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πfc (f表示交流信号的频率, C 表示电容容量电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法 3种。电容的基本单位用法拉(F 表示,其它单位还有:毫法 (mF 、微法(uF 、纳法(nF 、皮法(pF 。其中:1法拉 =103毫法 =106微法 =109纳法 =1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明, 如 10uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000uF 1P2=1.2PF1n=1000PF数字表示法:一般用三位数字表示容量大小, 前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。如:102表示 10×102PF=1000PF224表示 22×104PF=0.22uF 3、电容容量误差

钽电容器使用指导

钽电容器使用指导 基础特征 1.电容量以标称电容量C n表示,单位为uF,为避免电源频率的影响,使用100Hz或120Hz 并采用串联等效电路测量,标准测量电压为U_= 2.20-1.0V(有效值)或更低,测量温度为25℃,允许15℃~35℃范围内变动。 2.电容量允许偏差 表示与标称电容量值的允许差异 用符号表示为:K:±10%,M:±20%Q:-10%~+30% 3.损耗角正切值tgδ 由于电容器的结构存在电阻,在春联等效电路是可以用电器对频率的响应Xc=1/2πfc和等效串联电阻ESR来表示损耗,即tgδ=ESR/Xc 损耗角正切值是在0.5VAC120Hz下测试算成百分比 4.额定电压 表示为可连续施加在电容器上的最大DC电压。用V R或V R表示,单位:伏(V)。 5.漏电流 漏电流测量须连接1KΩ电阻,施加额定电压5min读数,标准漏电流是不大于容量乘以额定电压再乘以一个常数。 6.等效串联电阻 串联等效电阻是电容器在串联等效回路中所测得的电阻,测量频率为100KHz。 7.使用温度范围 使用温度范围-55℃~125℃,额定电压下最大使用温度为+85℃,大于85℃时最大允许施加电压是类别电压,在各型号说明书另有规定。类别电压约为额定电压的0.65倍。 使用说明 1.使用电压 电容器的故障受使用电压和额定电压的比率影响很大,设计实际电路时,请考虑到所有要求的可靠性,适当降低电压。 使用低阻抗电路时(尤其开关电源中的滤波电容器),请将使用电压设定在额定电压的1/3以下,使用其他电路时,请将使用电压设立在额定电压的2/3以下。

在低阻抗电路中电容器并联使用时,将增加直流浪涌电流失效的危险,同时请注意并联电容器中储存的电荷,通过其他电容器放电。 钽电容器在电路中,应控制瞬间大电流对电容器的冲击,建议串联电阻以缓解这种冲击。请将3Ω/V以上的保护电阻器串联在电容器上,以限制电流在300mA以下。无法插入保护电阻时,请使用1/3额定电压以下作为工作电压。 2.反向电压 固体钽电容器为极性电容器,一般不允许加反向电压,不得已的情况下,允许在短时间内施加小量的反向电压,其值为2.5℃时不大于10%U R或1V(取小者)。 如果长期在有反向电压请先用双极性电容器。CA30型、CA35型等非固体钽电容器不能承受反向电压,在测量过程中如不慎使用钽电容器承受了不应有的反向电压,则该电容器报废处理,即使各参数当时测试仍然合格。禁止使用万用表电阻档对钽电容器或其本身进行不分极性的电阻测试。 3.失效率的影响因素 实际所加钽电容两端的电压越低于额定电压,钽电容器的失效也越低。钽电容器的失效率在85℃额定电压下最大允许负载条件下评定的,在实际电路中,往往存在电压或电流的峰值冲击及纹波电流,为了使钽电容器使用具有高可靠性,推荐使用电压为额定电压的1/2.对于大于85℃环境条件下,要以类别电压为基准,进行降压设计,类别电压约为额定电压的0.65倍。影响失效的另一因素是接在电容器上的串联电阻,在电路中通电容器串联的电阻越大,失效率也就越低。 失效率等级:2.0%/1000h表示为L;1.0%/1000h表示为M;0.1%/1000h表示为P;0.01%/1000h 表示为R;0.001%/1000h表示为S 4.纹波电流 直流偏压与交流分压峰值之和不得超过电容器的额定电压。交流负峰值与直流偏压之和不得超过电容器所允许的反向电压值。纹波电流流经电容器产生有功率损耗,导致产品自身温度增加致使热击穿概率增大,有必要在电路中对纹波电流或电容器允许功率损耗进行限制。各种非固体钽电容器按壳号允许最大纹波电流的有效值(+85℃40KHz0.66U R)见表1,在不同的使用电压,频率下纹波电流系数参见表2。

钽电容基本结构和生产工艺

钽电容基本结构和生产工艺 固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2,通过石墨层作为引出连接用钽电容性能优越,能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小,易于加工成小型和片状元件,适宜目前电子器件装配自动化,小型化发展,得到了广泛的应用,钽电容的主要特点有寿命长,耐高温,准确度高,但耐电压和电流能力相对较弱,一般应用于电路大容量滤波部分。 2.1.基本结构 二、固体钽电解电容生产工艺 固体钽电解电容其介质材料是五氧化二钽;阳极是烧结形成的金属钽块,由钽丝引出,传统的负极是固态MnO2,目前最新的是采用聚合物作为负极材料,性能优于MnO2。 钽电解电容有引线式和贴片两种安装方式,其制造工艺大致相同,现在以片钽生产工艺为例介绍如下。 1、生产工艺流程图成型→烧结→试容检验→组架→赋能→涂四氟→被膜→石墨银浆→上片点胶固化→点焊→模压固化→切筋→喷砂→电镀→打标志→切边→漏电预测→老化→测试→检验→编带→入库 2、主要生产工序说明 2.1成型工序:该工序目的是将钽粉与钽丝模压在一起并具有一定的形状,在成型过程中要给钽粉中加入一定比例的粘接剂。 2.1.1什么要加粘接剂? 为了改善钽粉的流动性和成型性,避免粉重误差太大,另外避免钽粉堵塞模腔。低比容粉流动性好可适当多加点粘接剂,高比容粉流动性差可适当少加点粘接剂。

2.1.2加了太多或太少有什么影响? 如果太多:脱樟时,樟脑大量挥发,易导致钽坯开裂、断裂,瘦小的钽坯易导致弯曲。如果太少:起不到改善钽粉流动性的作用。拌好后的钽粉如果使用时间较长,因为樟脑是易挥发物品,可适量再加入一点粘和剂。樟脑的加入会导致钽粉中杂质含量增加,影响漏电。每天使用完毕,需将钽粉装入聚四氟乙烯瓶或真空袋内密封保存,以防樟脑挥发、钽粉中混入杂质、钽粉中吸附空气中的气体。 2.1.3成型后不进行脱樟,可否直接放入烧结炉内进行烧结? 不行,因为樟脑是低温挥发物,如果直接放入烧结炉内进行烧结,挥发物会冷凝在炉膛、机械泵、扩散泵等排出管道内。 2.1.4丝埋入深度太浅会有什么影响? 钽丝易拔出,或者钽丝易松动,后道工序在钽丝受到引力后,易导致钽丝跟部漏电流大。所以强调钽丝起码要埋入三分之二的钽坯高度以上,在成型时经常要检查。 2.1.5粉重误差太大分有什么影响? 粉重误码差太大,导致容量严重分散,K(±10%)档的命中率会很低。成型时经常要称取粉重,误差要合格范围内(±3%)。如果有轻有重都是偏重或都是偏轻,可调整赋能电压或烧结温度。如果有轻有重,超过误差范围,要调整成型机,并将已压钽坯隔离,作好标识,单独放一个坩埚烧结。 2.1.6密要均匀不能有上松下紧,或下紧上松的现象。否则会导致松的地方耐压降低。钽坯高度要在允许差范围内。 2.1.7成型注意事项: (1)粉重 (2)压密 (3)高度 (4)钽丝埋入深度 (5)换粉时一定要将原来的粉彻底从机器内清理干净。 (6)不能徒手接触钽粉、钽坯,谨防钽粉、钽坯受到污染。杜绝在可能有钽粉的部位加油。 (7)成型后的钽坯要放在干燥器皿内密封保存,并要尽快烧结,一般不超过24小时。 (8)每个坩埚要有伴同小卡,写明操作者、日期、规格、粉重等情况,此卡跟随工单一起流转,要在赋能后把数据记在工单上才能扔掉,以防在烧结、赋能、被膜出了质量问题可以倒追溯。 2.2烧结工序 1.烧结:在高温高真空条件下将钽坯烧成具有一定机械强度的高纯钽块。 2.目的:一是提纯,二是增加机械强度。 3.烧结温度对钽粉比容有什么影响?

陶瓷电容MLCC漏电失效分析

MLCC漏电失效分析 1. 案例背景 客户端在老化实验测试阶段发现MLCC出现漏电失效,其不良比率不详,该MLCC焊接工艺为回流焊接工艺。 2. 分析方法简述 通过外观检查OK样品与NG样品表面未见明显异常。 通过X射线透视检查,OK样品和NG样品内部均未发现裂纹孔洞等异常。 将OK样品和NG样品分别切片,然后在金相显微镜下放大拍照观察MLCC内部结构,NG样品电容内 部存在镍瘤及热应力裂纹,而OK样品未见异常。 通过对样品剖面SEM/EDS分析, NG样品电容内部电极层不连续,存在明显镍瘤;其镍瘤周围多条向外延伸裂纹并在裂缝通道内发现明显碳化痕迹(EDS结果中C含量高达50%),此应为热应力裂纹,裂纹的存在直接导致电容性能异常;而OK样品电容内部电极层连续,陶瓷介质层致密未发现孔洞及镍瘤,电容性能良好。 3. 分析与讨论 失效模式分析: 多层陶瓷电容器(MLCC)本身的内在可靠性十分优良,可长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷,则会对可靠性产生严重的影响。陶瓷多层电容器(MLCC)失效的原因一般分为外部因素和内在因素。内在因素包括: 陶瓷介质内空洞、介质层分层;外部因素包括:热应力裂纹及机械应力裂纹。 1)陶瓷介质内的孔洞 所谓的陶瓷介质内的孔洞是指在相邻电极间的介质层中存在较大的孔洞,这些孔洞由于内部可能含有水汽或离子,在端电极间施加电压时,降低此处的耐压强度,导致此处发生过电击穿现象。 2)介质层分层 多层陶瓷电容的烧结为多层材料堆叠共烧,烧结温度在1000℃以上。层间结合力不强,烧结过程中内部污染物挥发,烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。值得一提的是,某些分层还可能导致陶瓷介质内部产生裂纹,或在介质层内出现断续的电极颗粒等,这些都与电容器的生产工艺有关。分层的直接影响是绝缘电阻降低,电容量减小。 3)热应力裂纹 实际使用中各种温度冲击往往容易产生热应力,热应力产生的裂纹主要分布区域为陶瓷靠近端电极的两侧,常见的表现形式为贯穿瓷体的裂纹,有的裂纹与内电极呈现90°。需要强调的是,这些

贴片电容注意事项

贴片电容注意事项 当高压贴片电容MLCC受到温度冲击时,容易从焊端开始产生裂纹。在这点上,小尺寸电容比大尺寸电容相对来说会好一点,其原理就是大尺寸的电容导热没这么快到达整个电容,于是电容本体的不同点的温差大,所以膨胀大小不同,从而产生应力。这个道理和倒入开水时厚的玻璃杯比薄玻璃杯更容易破裂一样。另外,在贴片电容MLCC焊接过后的冷却过程中,贴片电容MLCC和PCB的膨胀系数不同,于是产生应力,导致裂纹。要避免这个问题,回流焊时需要有良好的焊接温度曲线。如果不用回流焊而用波峰焊,那么这种失效会大大增加。MLCC更是要避免用烙铁手工焊接的工艺。然而事情总是没有那么理想。烙铁手工焊接有时也不可避免。比如说,对于PCB外发加工的电子厂家,有的产品量特少,贴片外协厂家不愿意接这种单时,只能手工焊接;样品生产时,一般也是手工焊接;特殊情况返工或补焊时,必须手工焊接;修理工修理电容时,也是手工焊接。无法避免地要手工焊接MLCC时,就要非常重视焊接工艺。 首先必须告知工艺和生产人员高压贴片电容热失效问题,让其思想上高度重视这个问题。其次,必须由专门的熟练工人焊接。还要在焊接工艺上严格要求,比如必须用恒温烙铁,烙铁不超过315°C(要防止生产工人图快而提高焊接温度),焊接时间不超过3秒选择合适的焊焊剂和锡膏,要先清洁焊盘,不可以使MLCC受到大的外力,注意焊接质量等等。的手工焊接是先让焊盘上锡,然后烙铁在焊盘上使锡融化,此时再把电容放上去,烙铁在整个过程中只接触焊盘不接触电容(可移动靠近),之后用类似方法(给焊盘上的镀锡垫层加热而不是直接给电容加热)焊另一头。 机械应力也容易引起MLCC产生裂纹。由于电容是长方形的(和PCB平行的面),而且短的边是焊端,所以自然是长的那边受到力时容易出问题。于是,排板时要考虑受力方向。比如分板时的变形方向于电容的方向的关系。在生产过程中,凡是PCB可能产生较大形变的地方都尽量不要放电容。比如PCB定位铆接、单板测试时测试点机械接 PCB板不能直接叠放等等。

电容器的基础知识及失效模式

电容器的基础知识的讲义 ——孔 星 1.电容器的基本概念 a.电容:使导体每升高单位电位所需要的电量。 C=q/U(库仑/伏特) b.单位(法拉 F) 1F=1库仑/1伏特=106μF=1012pF 1μF=103nF c.电容器:由多个导电体组成的能够存储电荷的容器。 C AB=Q A/(U A- U B) d.电容器的联接: 串联:1/Cs=1/C1+1/C2 并联:Cp=C1+C2 2.电容器的基本参数 2.1电容量 平板电容: C=εs/dε=ε0εr S=L*W 2.2损耗角正切D D=tgδ=P有/P 即通过电容器的总功率与在电容 器内的热功耗D=D(f×t); P=P无+P有P有=VI P无=t gδ=tgδS+tgδP tgδS=ωCRS tgδp=1/ωCR P R S:串联电阻 R P:并联电阻 2.3耐压Vt-t:穿介电场强度与电应力有关,V=V(f×t) e g:弹性势能E=1/2kX2 弹性力:f=-?E/?x=-1/2×k×2x =-kx

2.4绝缘电阻RI(漏电流):介质内部的本征漏电流及吸收电流; 本征漏电流:杂质决定 吸收电流:介质极化引起(例如偶极子⊕----Θ)运动 2.5过流能力(dv/dt) Ip=C dv/dt ; I=Ir+Ip Ir=2πfcu Ip=c*dv/dt 2.6耐温T : 电容器的最高/最低使用温度(-40/105); 2.7热稳定性(Δt-t):电容器正常发热时温升达到稳定所需要的时间,(2h,48h ); 热稳定时间越短(同体积),说明热稳定性越好。 2.8自愈性(SH):介质击穿后自我恢复能力(ΔC/C≤0.5%,自愈次数<2次); a.ΔC/C≤0.5% u≤3.5un 自愈声 0.8un <2次 介质自愈性:碳沉积量:ppa 1 pp 45 PET 55 b. 电板自愈性:焦耳热(cm2) AL:1.6*10-2J

贴片电容使用注意事项

贴片电容使用中的注意事项 (1)电容的工作电压必须低于额定电压,不得超过额定电压使用。例如工作电压为12V时,可选额定电压16~25V;工作电压为5V时,可选6~10V。另外电容器的电容量还与耐压值有关。例如片状钽电容耐压4~50V,0.1~4.7uF小容量电容有额定功率为50V的,而10uF以上,耐压至高于25V的就很少见到,因此,在进行电路设计时应引起注意。 (2)应合理的选择电容器精度及材料类别。市售的片状电容器的精度在103以下的,其精度可达J级(±5%);在103以上则J级较少,以K级(±10%)居多;在104以上则以M级(±20%)为主。例如,在谐振回路中,为保证性能稳定,要采用C0G Ⅰ类材料及J级片状多层陶瓷电容器;如在IC的电源正端往往要连接一个0.1PF的旁路电容,则可选Ⅲ类材料,M级精度的片状多层陶瓷电容器。这样既能保证产品精度要求,又能降低产品成本。 (3)市场上尺寸代码为0805片状电容器的容量规格(系列)最齐全,而0603一些偏僻的容量可能会缺货。在生产批量不太大的时候,为防止市场缺货而影响生产,可以将焊盘稍作延伸,使它能适用于0603及0805,避免造成因缺件而停产。 (4)片状多层陶瓷电容器都是卷装的,型号在带盘上,而电容器上无任何标志。虽然可以用测量的方法知道其容量,但是很难区别材料类别的精度等级,因此在使用过程中,尤其是手工装配时务必小心。 (5)敞开式片状微调电容器不能用波峰焊,而封闭式片状微调电容器可用波峰焊。 (6)在国外的不少电路图中,往往可见“OS——CON”商标的电容器,它就是日本SANYO(三洋)公司生产的有机半导体铝固体电解电容器。它最大的特点是虽然是电解电容,但却有与薄膜电容器相同的高频特性;其次是等效串联电阻小,并且对温度不敏感;第三是可通过更大的纹波电流。例如,用30uH及1500uF/10v铝电解电容器组成LC滤波器时,若采用OS-CON电解电容(L不变),只要22uF/20V的电容就可以达到效果。 另外,有可能看到一个大容量的普通铝电解电容器并联一个小容量的OS-CON电解电容。这是因为OS-CON的ESR低,并联后其ESR更低,但小容量的OS-CON电解电容却可通过大部分的纹波电容电流,从而获得极好的滤波效果,使输出纹波电压减小很多,并且可减少损耗。 (7)片状电容器普遍采用多层结构,在使用时有些人采用烙铁手工焊接,此时一定要注意焊接速度,避免过热,造成基化端头因温差大而断裂,使容量下降。 (8)片状电容器使用的是陶瓷基片,薄而脆。有些电路板较薄,安装时受力不均匀会变形,很容易造成电容器折断。解决的方法除了改进设计工艺外,还可在容易造成折断的地方改用管状电容,因为管状电容强度高,不易折损。

电容失效模式和机理

电容的失效模式和失效机理 电容器的常见失效模式有: ――击穿短路;致命失效 ――开路;致命失效 ――电参数变化(包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降或漏电流上升等;部分功能失效 ――漏液;部分功能失效 ――引线腐蚀或断裂;致命失效 ――绝缘子破裂;致命失效 ――绝缘子表面飞弧;部分功能失效 引起电容器失效的原因是多种多样的。各类电容器的材料、结构、制造工艺、性能和使用环境各不相同,失效机理也各不一样。 各种常见失效模式的主要产生机理归纳如下。 3.1失效模式的失效机理 3.1.1 引起电容器击穿的主要失效机理 ①电介质材料有疵点或缺陷,或含有导电杂质或导电粒子; ②电介质的电老化与热老化; ③电介质内部的电化学反应; ④银离子迁移; ⑤电介质在电容器制造过程中受到机械损伤; ⑥电介质分子结构改变; ⑦在高湿度或低气压环境中极间飞弧;

⑧在机械应力作用下电介质瞬时短路。 3.1.2 引起电容器开路的主要失效机理 ①引线部位发生“自愈“,使电极与引出线绝缘; ②引出线与电极接触表面氧化,造成低电平开路; ③引出线与电极接触不良; ④电解电容器阳极引出箔腐蚀断裂; ⑤液体电解质干涸或冻结; ⑥机械应力作用下电介质瞬时开路。 3.1.3 引起电容器电参数恶化的主要失效机理 ①受潮或表面污染; ②银离子迁移; ③自愈效应; ④电介质电老化与热老化; ⑤工作电解液挥发和变稠; ⑥电极腐蚀; ⑦湿式电解电容器中电介质腐蚀; ⑧杂质与有害离子的作用; ⑨引出线和电极的接触电阻增大。 3.1.4 引起电容器漏液的主要原因 ①电场作用下浸渍料分解放气使壳内气压上升; ②电容器金属外壳与密封盖焊接不佳; ③绝缘子与外壳或引线焊接不佳;

(整理)陶瓷电容失效分析

多层陶瓷电容器(MLCC)的典型结构中导体一般为Ag或AgPd,陶瓷介质一般为(SrBa)TiO3,多层陶瓷结构通过高温烧结而成。器件端头镀层一般为烧结 Ag/AgPd,然后制备一层Ni阻挡层(以阻挡内部Ag/AgPd材料,防止其和外部Sn 发生反应),再在Ni层上制备Sn或SnPb层用以焊接。近年来,也出现了端头使用Cu的MLCC产品。 根据MLCC的电容数值及稳定性,MLCC划分出NP1、COG、 X7R、 Z5U 等。根据MLCC的尺寸大小,可以分为1206,0805,0603,0402,0201等。 MLCC 的常见失效模式 多层陶瓷电容器本身的内在可靠性十分优良,可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷,则会对其可靠性产生严重影响。 陶瓷多层电容器失效的原因分为外部因素和内在因素 内在因素主要有以下几种: 1.陶瓷介质内空洞 (Voids) 导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染,烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电,而漏电又导致器件内部局部发热,进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生,不断恶化,严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸,甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹 (firing crack) 烧结裂纹常起源于一端电极,沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关,裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层 (delamination) 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强,烧结过程中内部污染物挥发,烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿,为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。 外部因素主要为: 1.温度冲击裂纹(thermal crack) 主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致,不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。

贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)

AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 容量精度在5%左右,但选用这种材质只能做容量较小的,常规100PF以下,100PF-1000PF也能生产但价格较高 介质损耗最大0。15% 封装DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。适用于低损耗,稳定性要求要的高频电路 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 X7R此种材质比NPO稳定性差,但容量做的比NPO的材料要高,容量精度在10%左右。常规10000PF以下,10000PF-1UF也能生产但价格较高 介质损耗最大2。5%(25V与50V)3。5%(16V) 封装DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

钽电容知识总结(结构、工艺、参数、选型)

一、钽电容简介和基本结构 固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2 ,通过石墨层作为引出连接用。 钽电容性能优越,能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小,易于加工成小型和片状元件,适宜目前电子器件装配自动化,小型化发展,得到了广泛的应用,钽电容的主要特点有寿命长,耐高温,准确度高,但耐电压和电流能力相对较弱,一般应用于电路大容量滤波部分。 2.1.基本结构 下图为MnO2为负极的钽电容

下图为聚合物(Polymer)为负极的钽电容

二、生产工艺 按照电解液的形态,钽电解电容有液体和固体钽电解电容之分,液体钽电解用量已经很少,本文仅介绍固体钽电解的生产工艺。 固体钽电解电容其介质材料是五氧化二钽;阳极是烧结形成的金属钽块,由 ,目前最新的是采用聚合物作为负极材料,性钽丝引出,传统的负极是固态MnO 2 。 能优于MnO 2 钽电解电容有引线式和贴片两种安装方式,其制造工艺大致相同,现在以片钽生产工艺 为例介绍如下。 一、生产工艺流程图 成型烧结试容检验组架赋能涂四氟被膜石墨银浆 上片点胶固化点焊模压固化切筋喷砂电镀打标志切边 漏电预测老化测试检验编带入库二、主要生产工序说明 (一)成型工序: 该工序目的是将钽粉与钽丝模压在一起并具有一定的形状,在成型过程中要给钽粉中加入一定比例的粘接剂。 1、什么要加粘接剂? 为了改善钽粉的流动性和成型性,避免粉重误差太大,另外避免钽粉堵塞模腔。 低比容粉流动性好可适当多加点粘接剂,高比容粉流动性差可适当少加点粘接剂。 2、加了太多或太少有什么影响? 如果太多:脱樟时,樟脑大量挥发,易导致钽坯开裂、断裂,瘦小的钽坯易导致弯曲。如果太少:起不到改善钽粉流动性的作用。拌好后的钽粉如果使用时间较长,因为樟脑是易挥发物品,可适量再加入一点粘和剂。樟脑的加入会导致钽粉中杂质含量增加,影响漏电。每天使用完毕,需将钽粉装入聚四氟乙烯瓶或真空袋内密封保存,以防樟脑挥发、钽粉中混入杂质、钽粉中吸附空气中的气体。 3、成型后不进行脱樟,可否直接放入烧结炉内进行烧结? 不行,因为樟脑是低温挥发物,如果直接放入烧结炉内进行烧结,挥发物会冷凝在炉膛、机械泵、扩散泵等排出管道内。 4、丝埋入深度太浅会有什么影响? 钽丝易拔出,或者钽丝易松动,后道工序在钽丝受到引力后,易导致钽丝跟部漏

电子元器件失效模式总结

元器件的失效模式总结 Beverly Chen 2016-2-4 一、失效分析的意义 失效分析(Failure Analysis)的意义在于通过对已失效器件进行事后检查,确定失效模式,找出失效机理,确定失效的原因或相互关系,在产品设计或生产工艺等方面进行纠正以消除失效的再次发生。 一般的失效原因如下: 二、失效分析的步骤 失效分析的步骤要遵循先无损,后有损的方法来一步步验证。比如先进行外观检查,再进行相关仪器的内部探查,然后再进行电气测试,最后才可以进行破坏性拆解分析。这样可以避免破坏性的拆解破坏证据。拿到失效样品,首先从外观检查开始。 1. 外观检查:收到失效样品后,首先拍照,记录器件表面Marking信息,观察器件颜色外观等有何异常。 2.根据器件类型开始分析:

2.1贴片电阻,电流采样电阻 A: 外观检查,顶面覆盖保护层有针状圆形鼓起或黑色击穿孔->内部电阻层烧坏可能->万用表测量阻值:测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁可能->可能原因:过电压或过电流烧毁—>检查改电阻的稳态功率/电压或者瞬时功率/电压是否已超出spec要求。 Coating 鼓起并开裂黑色击穿点 ●可失效样品寄给供应商做开盖分析,查看供应商失效报告:如发现烧毁位置位于激光切 割线下端,可确定是过电压导致失效。需要考虑调整应用电路,降低电压应力,或者换成能承受更大应力的电阻。 激光切割线 去除coating保护层后,可以看到烧毁位置位于激光切割线旁边,该位置电应力最集中。 B: 外观检查,顶面底面均无异常->万用表测量阻值:测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁或者电极因硫化断开或阻抗增大->检查改电阻的稳态功率或者瞬时功率是否已超出spec要求,如有可能是过电压或过功率烧毁;应力分析在范围内,考虑硫化->失效样品寄给供应商分析。查看供应商失效报告: ●如发现烧毁位置位于激光切割线下端,可确定是过电压导致失效。需要考虑降低应用电 路中的电压应力,或者换成能承受更大应力的电阻。 ●如果测试发现保护层附近电极硫元素含量高且电极沿保护层边缘发生断裂情况,可确认 是应用中硫化物污染导致银电极被硫化生成AgS而断开需确认应用环境是否硫含量比较高。如果有必要,更换为抗硫化电阻。

片式固体电解质钽电容器

片式固体电解质钽电容器 规格承认书 型号规格:CA45-B-10V-47μF-K 立创编码:C136658

1. 产品特点 该产品为模压封装、片式引出,具有密封性好、重量轻、电性能优良、稳定可靠等特点。适用于移动通讯、摄像机、程控交换机、计算机、汽车电子等各种电子设备的表面贴装直流或脉动电路。 2. 产品型号及编码说明 CA45 - B - 10V - 47μF - K 型号 壳号 额定电压 标称电容量 容量偏差 3. 产品外形及尺寸:见图1及表1 表1 电容器的外形尺寸 单位:mm 4.电性能参数 4.1 工作温度范围:-55℃~125℃;85℃以上施加降额电压。

4.2 标称电容量允许偏差(25℃,100Hz):K:±10%; 4.3 主要电性能参数:见表2 表2 电性能参数表 5.标志 5.1标志内容 (1)商标及正极标识 (2)标称电容量 (3)额定工作电压 5.2 标志说明:见图2(举例)。 6. 产品外观质量 6.1 产品本体应无针眼、缺角、缺块、发黑、漏封、裂纹、引出片断裂等现象。 6.2 产品标志:应清晰、完整、正确;无重影、漏打等现象。 7.包装 7.1 产品编带的尺寸及卷绕方向:见图3、图4、表4、表5。 注:用户未要求时,编带卷绕方向通常按左旋卷绕方向。 7.2包装数量:见表3

表3 包装数量 7.3产品内外包装盒应无破损,料盘、小盒及外包装箱上应有相应物料标识单,标识应清楚、准确。 7.4每批产品应附产品合格证,内容包括产品型号、规格、壳号、容量级别、数量、生产批号及执

图4 表 4 编带尺寸 单位:mm 表 5 卷盘尺寸和数量

贴片电容失效分析

由于贴片电容的材质是高密度、硬质、易碎和研磨的MLCC,所以在使用过程中,需要十分谨慎。经有关工程师分析,以下几种情况容易造成贴片电容的断裂及失效: 1、贴片电容在贴装过程中,若贴片机吸嘴头压力过大发生弯曲,容易产生变形导致裂纹产生; 2、如该颗料的位置在边缘部份或靠近边源部份,在分板时会受到分板的牵引力而导致电容产生裂纹最终而失效.建议在设计时尽可能将贴片电容与分割线平行排放.当我们处理线路板时,建议采用简单的分割器械处理,如我们在生产过程中,因生产条件的限制或习惯用手工分板时,建议其分割槽的深度控制在线路板本身厚度的1/3~1/2之间,当超过1/2时,强烈建议采用分割器械处理,否则,手工分板将会大大增加线路板的挠曲,从而会对相关器件产生较大的应力,损害其可靠性. 3、焊盘布局上与金属框架焊接端部焊接过量的焊锡在焊接时受到热膨胀作用力,使其产生推力将电容举起,容易产生裂纹. 4、在焊接过程中的热冲击以及焊接完后的基板变形容易导致裂纹产生:电容在进行波峰焊过程中,预热温度,时间不足或者焊接温度过高容易导致裂纹产生, 5、在手工补焊过程中.烙铁头直接与电容器陶瓷体直接接触,容量导致裂纹产生。焊接完成后的基板变型(如分板,安装等)也容易导致裂纹产生。 多层陶瓷电容(MLCC)应用注意事项 一、储存 为了保持MLCC的性能,防止对MLCC的不良影响储存时注意以下事项: 1.室内温度5~40℃,温度20%~70%RH; 2.无损害气体:含硫酸、氨、氢硫化合物或氢氯化合物的气体; 3.如果MLCC不使用,请不要拆开包装。如果包装已经打开,请尽可能地重新封上。缩带装产品请避 免太阳光直射,因为太阳光直射会使MLCC老化并造成其性能的下降。 请尽量在6个月内使用,使用之前请注意检查其可焊性。 二、物工操作 MLCC是高密度、硬质、易碎和研磨的材质,使用过程中,它易被机械损伤,比如开裂和碎裂(内部开裂需要超声设备检测)。MLCC在手持过程中,请注意避免污染和损伤。手工操作时,建议使用真空挑拣或使用塑料镊子挑拣。 三、预热 焊接过程中,为了减小对器件的热冲击,精确控制的预热是很有必要的,温度的上升率请不要超过4℃/秒,设预热好的温度与焊接最高温度的温度差为△T,则对于0603、0805、1206等尺寸的MLCC,最好△T≤100℃,对于1210、1808、1812、2220、2225等大尺寸的MLCC,最好△T≤50℃。 四、焊接 手焊时,请使用功率不超过30W且温度可调控的烙铁,烙铁头尖的直径不要超过1.2毫米。焊接过程中,请不要用烙铁头直接接触陶瓷体,烙铁的温度不要超过260℃。 对于大尺寸的MLCC,比如1210、1808、1812、2220、2225等,不推荐使用波峰焊和手焊。 五、冷却 焊接后,慢慢冷却MLCC和基板至室温,推荐使用空气自然冷却,以减小焊接处的应力。当进行强制冷却时,温度下降率请不要超过4℃/秒。

钽电容规格

特点: 1. 产品尺寸精高,于自动贴片机高效装配; 2. 端电极为三层电极,适合波峰焊和回流焊; 3. 介电体与外表为同种材料,环境条件影响小,高绝缘电阻,高可靠性; 4. 含有从 COG 到 Y5V 各种温度特性介质,适用于通讯、计算机、家用电器和仪器仪表等普通电子设备。 5. HQ产品与常规C0G相比,高频C0G具有更高Q值以及低ESR,适用于射频RF电路及要求Hi-Q、 低ESR、高频率响应的微波电路中. FEATURES 1. Stringent dimensional tolerance allow highly reliable,high speed automatic chip mounting on PCBS; 2. Terminal are plated with ni and solder,suited to flow and reflow soldering. 3. High insulation resistance and high reliability; 4. These capacitors have temperature characteristics ranging form COG to Y5V, applied to general electronic equipment,instrument panel and household electrical appliances. 5. HQ Product Comparing with general C0G capacitor, HQ C0G capacitor take on higher Q-value and lower ESR, are ideally suited for RF and microwave application requiring high Q, low ESR, and high resonant frequency. 产品结构图 PERFORMANCE CHARACTERISTICS 产品型号代码 ORDERING CODE 常规产品代码: 例 EX:PAGODA 0603 B 103 K 050 C T ①②③④⑤⑥⑦⑧ HQ产品代码: 例 EX:PAGODA 0603 B 103 K050 C T HQ ①②③④⑤⑥⑦⑧⑨

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