闪存型号容量对照
闪存颗粒命名规则
闪存颗粒命名规则
闪存颗粒的命名规则一般遵循以下原则：
1. 芯片功能和类型：第1位通常代表芯片功能，k代表的是内存芯片；第2位代表芯片类型，4代表的是DRAM。
2. 容量和刷新速率：第4、5位表示容量和刷新速率，例如64、62、63、65、66、67、6a代表64Mbit的容量；28、27、2a代表128Mbit的容量；
56、55、57、5a代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
3. 数据线引脚个数：第6、7位表示数据线引脚个数，例如08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
4. 厂商和内存类型：厂商通常会使用特定的字母或缩写来标识，例如Micron的厂商名称是MT。
第48位数字代表内存的类型，例如48代表SDRAM；46 代表DDR。
5. 供电电压和封装方式：LC代表3V供电电压；C 代表5V供电电压；V 代表供电电压。
封装方式通常会用特定的字母或缩写来表示，例如TG即TSOP封装。
6. 工作速率和内核版本号：-75代表内存工作速率是133MHz，-65则表示工作速率是150MHz。
内核版本号也会被记录下来，例如A2代表内存内核版本号。
请注意，以上规则可能因厂商和具体产品而有所不同，因此在实际应用中，建议查阅具体产品的技术规格书或联系厂商获取准确信息。
认识闪存的分类及参数介绍
认识闪存的分类及参数介绍我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器（NVRAM）的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。
而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。
闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
闪存的分类NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。
因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。
因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。
这种性能特点非常值得我们留意。
NAND型闪存的技术特点内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。
而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。
芯片容量识别
* K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)
* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)
* K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)
K9F1G08U0M-VIB0 128MB
K9F1G08U0M-FIB0 128MB
K9K2G08U0M-YCB0 256MB
量 128MB。工作电压2.4～2.9Vቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
芯片编号K9F5608U0A，32M×8bit规格50ns速度，单颗容量32MB。工作电压2.7～3.6V，内部分成块写区
域 大小（16K＋512）。
三星型号详解
K9×××××：Nand Flash
K8×××××：Nor Flash
samsung K9F4G08U0M 512M y
samsung K9F4G08U0A 512M y
samsung K9K8G08U0M 1G y
samsung K9K8G08U0A 1G n
samsung K9WAG08U1M 2G y
samsung K9G4G08U0M 512M n
samsung K9L8G08U0M 1G n
samsung K9HAG08U1M 2G n
Hynix HY27UG084G1M 512M y
Hynix HY27UG084G2M 512M y
Hynix HY27UH084G1M 512M n
Hynix HY27UH084G2M 512M y
HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte);
NOR ,SRAM,SDRAM,NAND结构和容量计算
NOR flash，NAND flash，SDRAM结构和容量分析1.NOR flash结构和容量分析例如：HY29LV160 。
引脚分别如图：HY29LV160 有20根地址线，16位的数据线。
所以：容量=220(地址线)X16(数据位数)bit=1MX16bit=1MX2B=2MB2.SRAM简单介绍SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM 也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。
所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
SRAM一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。
还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache 是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。
最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。
SRAM显然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。
无线路由器CPU_闪存_内存_芯片_列表
无线路由器CPU_闪存_内存_芯片_列表无线路由器 CPU、闪存、内存、芯片列表在当今数字化的时代，无线路由器已经成为了我们生活中不可或缺的一部分。
无论是在家中、办公室还是公共场所，稳定快速的无线网络连接都至关重要。
而无线路由器的性能，很大程度上取决于其内部的核心组件，如 CPU、闪存、内存和芯片。
接下来，让我们一起深入了解一下这些关键部件。
一、CPU（中央处理器）无线路由器的 CPU 就像是它的大脑，负责处理各种数据和任务。
不同型号和品牌的无线路由器所采用的 CPU 也各不相同。
常见的无线路由器 CPU 品牌包括博通（Broadcom）、高通（Qualcomm）、联发科（MediaTek）等。
博通的 CPU 在稳定性和性能方面表现出色，常用于一些高端路由器中；高通的芯片则在能耗控制和多设备连接处理上有优势；联发科的 CPU 则以性价比高而受到一些厂商的青睐。
例如，博通的 BCM4708 和 BCM4709 系列 CPU，具备强大的处理能力，能够同时处理多个数据流，为用户提供流畅的网络体验。
高通的 IPQ8074 则在支持 WiFi 6 标准的路由器中较为常见，其高效的多核心架构能够应对大量设备的连接需求。
二、闪存（Flash Memory）闪存主要用于存储无线路由器的操作系统和配置文件。
它的容量大小会影响路由器的功能扩展性和升级能力。
一般来说，低端无线路由器的闪存容量可能在4MB 到16MB 之间，而中高端路由器通常会配备 128MB 甚至更大容量的闪存。
较大的闪存容量可以让路由器支持更多的功能插件，例如 VPN 服务、广告拦截等。
同时，也为后续的系统升级提供了足够的空间，确保路由器能够跟上技术发展的步伐，不断优化性能和增加新的特性。
三、内存（Random Access Memory，RAM）内存则是无线路由器在运行时用于临时存储数据的部件。
类似于电脑的内存，它的大小直接影响着路由器同时处理多个任务和连接多个设备的能力。
Flash规格介绍[1]..
![Flash规格介绍[1]..](https://img.taocdn.com/s3/m/79075200a6c30c2259019e19.png)
闪存目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻译成中文就是"闪动的存储器"，通常把它称作"快闪存储器"，简称"闪存"。
闪存盘是一种移动存储产品，可用于存储任何格式数据文件便于随身携带，是个人的“数据移动中心”。
闪存盘采用闪存存储介质（Flash Memory）和通用串行总线（USB）接口，具有轻巧精致、使用方便、便于携带、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特征，是大家理想的便携存储工具.我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器(NVRAM)的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。
而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM 两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。
闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
闪存的分类NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。
因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。
因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。
内存芯片型号对照表
AET760UD00-30DB97X
1GB
V OK
(AENEON AET93R30DB)
V OK
Apacer 78.01G9O.9K5 1GB
V OK
(Apacer AM4B5808CQJS7E)
V OK
Bufaullo D2U667C-1GMDJ 1GB
AENEON AET860UD00-30DB08X 2GB
V OK
(AENEON AET03F30DB)
V OK
Apacer 78.A1G9O.9K4 2GB
V OK
(Apacer AM4B5808CQJS7E)
V OK
Buffalo Select D2U667C-2GMEJ 2GB
PSC AL7E8E63B-6EA1T 1GB V OK
(PSC A3R12E3GEF-G6EA) V OK
Qimonda HYS64T128020EU-3S-B2 1GB
V OK
(Qimonda HYB18T512800B2F3S)
V OK
V OK
(UMAX U2S24D30TP-6E)
V OK
ADATA ADQPE1B16 2GB
V OK
(Adata AD20908A8A-3EC)
V OK
GOODRAM GR667D264L5/2G 2GB
V OK
(Elpida E1108ACBG-6E-E)
Supertalent T667UB2G/S 2GB
V OK
(SEC K4T1G084QD-ZCE6)
V OK
TakeMS TMS2GB264D081-665UY 2GB
东芝闪存芯片编号规则
东芝闪存芯片编号规则一、引言随着计算机技术的不断发展，存储器件也在不断更新换代。
闪存芯片作为一种常见的存储器件，其编号规则也是我们需要了解的重要内容之一。
本文将详细介绍东芝闪存芯片编号规则。
二、东芝闪存芯片编号规则概述东芝闪存芯片的编号规则是由数字和字母构成的组合。
其中，数字表示容量大小，字母表示产品系列和工艺等信息。
下面将详细介绍这些内容。
三、容量大小东芝闪存芯片的容量大小以G为单位进行表示。
其中，1G=1024MB=1048576KB=1073741824Byte。
以下是常见容量大小和对应的编号：1. 2GB：TC58NVG0S3ETA002. 4GB：TC58NVG1S3ETA003. 8GB：TC58NVG2S0ETA004. 16GB：TC58NVG3S0ETA005. 32GB：TC58NVG4S0ETA006. 64GB：TC58NVG5S0ETA00四、产品系列东芝闪存芯片产品系列主要有以下几种：1. T：代表该产品系列为TLC（Triple Level Cell）型号。
2. M：代表该产品系列为MLC（Multi Level Cell）型号。
3. S：代表该产品系列为SLC（Single Level Cell）型号。
五、工艺等信息东芝闪存芯片的工艺等信息主要包括以下几种：1. NV：代表该芯片采用NAND Flash技术。
2. G：代表该芯片采用64Gbit NAND Flash技术。
3. 0：代表该芯片采用0.09μm工艺。
六、示例以TC58NVG2S0ETA00为例，其中“TC”表示东芝闪存芯片的产品系列为TLC型号，“58”表示容量大小为8GB，“NV”表示采用NAND Flash技术，“G”表示采用64Gbit NAND Flash技术，“2”表示该产品系列的第二代产品，“S”表示该产品系列为SLC型号，“0”表示采用0.09μm工艺，“ETA00”是东芝闪存芯片的生产批次信息。
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Toshiba
TC58512(A)FT
Toshiba
TC58DVM92A1FT
Toshiba
SLC SLC SLC MLC MLC MLC MLC SLC MLC SLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC SLC MLC MLC MLC SLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC SLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC SLC SLC SLC SLC SLC
HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX HYNIX Micron Micron Micron Micron Micron Micron Micron
容量 16MB 16MB 32MB 32MB 64MB 128MB 128MB 128MB 128MB 256MB 256MB 256MB 512MB 512MB 512MB 512MB 512MB 1GB 1GB 1GB 1GB 1GB 1GB 2GB 2GB 1GB 1GB 4GB 4GB 2GB 2GB 2GB 2GB 4GB 4GB 4GB 4GB 8GB 16GB 16MB 32MB
MLC SLC MLC SLC SLC MLC MLC MLC SLC SLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC
128MB 128MB 128MB 256MB 256MB 256MB 512MB 1GBB 512MB 512MB 1GB 1GB 1GB 2GB 2GB 2GB 4GB 4GB 4GB 8GB 8GB
Micron
MT29F32G08TAA
Micron
MT29F32G08FAA
Micron
MT29F32G08TAA1
Micron
MT29F64G08TAA
Micron
MT29F64G08MAA
Micron
JS29F02G08AAA
intel
JS29F04G08FANB3
intel
JS29F8G08CANCI
intel
JS29F32G08AAMDB
intel
JS29F32G08AAMD2
intel
JS29F64G08CAMDB
intel
JS29F64G08CAMD1
intel
JS29F128G08FAMC1
intel
TC58128(A)FT
Toshiba
TC58256(A)FT
Toshiba
TC58DVM82A1FT
Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba
32MB 32MB 64MB 64MB 128MB 128MB 128MB 256MB 256MB 256MB 256MB 512MB 512MB 512MB 512MB 512MB 512MB 1GB 1GB 1GB 512MB 1GB 1GB 1GB 2GB 4GB 2GB 2GB 4GB 2GB 4GB 2GB 4GB 8GB 8GB 256MB 256MB 256MB 256MB 256MB 512MB 512MB
TC58DVG02A1FT TC58NVG0S3BFT TC58NVG0D3BTG TC58NVG1S3BFT TC58DVG14B1FT00 TC58NVG1D4BTG00 TC58NVG2D4BFT00 TC58NG3D4BTG00 TH58NVG2S3BFT TH58NVG2D3BTG00 TC58NVG3D1DTG00 TC58NVG3D4CTGI0 TH58NVG3D4BTG00 TC58NVG4D4CTG00 TC58NVG4D1DTG00 TH58NVG4D4CTG00 TH58NVG5D4CTG20 TH58NVG4D4DTG00 TC58NVG5D1DTG00 TH58NVG6D1DTG20 TH58NVG6D1DTG80
HY27US08561A HY27US16562A HY27US08121B HY27US08121M HY27UF081G2A HY27UF081G2M HY27UA081G1M HY27UB082G4M HY27UF082G2A HY27UF082G2B HY27UF(G)082G2M HY27UU(T)084G2M HY27UT084G2A HY27UF084G2MW HY27UG(H)084G2A HY27UF(G)084G2M HY27UF084G2B HY27UG088G5M HY27UH088G2M HY27UG088G2M HY27UG084G2B HY27UG088G5B HY27UU088G5M HY27UT088G2M HY27UU08AG5M HY27UV08BGFM HY27UH08AG5M HY27UV08AG5M H27UBG8U5MTR H27UAG8T2MTR HY27UW08BGFM HY27UU08AG2M HY27UV08BG5M HY27UW08CGFM HY27UW08CGFA MT29F2G08AAC MT29F2G08AAA MT29F2G16AAB MT29F2G08X MT29F2G08AAB MT29F4G08MAA MT29F4G08AAA
intel
JS29F16G08CANCI
intel
JS29F16G08CANC2
intel
JS29F08G08CANC1
intel
JS29F08G08AAMB2
intel
JS29F16G08CAMB2
intel
JS29F16G08AAMC1
intel
JS29F32G08CAMC1
intel
JS29F32G08FAMB2
品 牌 类型 Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung SLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC Samsung MLC HYNIX SLC HYNIX SLC
Micron
MT29F8G08MAA
Micron
MT29F16G08FAA
Micron
MT29F16G08QAA
Micron
MT29F16G08MAA
Micron
MT29F16G08TAA
Micron
MT29F32G08QAA
Micron
MT29F32G08CBAAAWP icron
MT29F32G09CFAAA
型号 K9F2808U0C K9F2808U0B K9F5608U0B K9F5616U0C K9F1208U0M(A) K9F1G08UOC K9K(T)1G08U0M(A) K9F1G08U0B K9F1G08U0M(A) K9F(K)2G08U0M(A) K9F2G08U0A K9F2G08U0B K9K4G08U0M K9F4G08U0M K9G4G08UOA K9G4G08U0M K9G4G08UOB K9F8G08UOB K9F8G08U0M K9G8G08U0A K9G8G08U0B K9G8G08U0M K9L8G08U0A/M K9HAG08U1M K9WAG08U1A K9K8G08U0M K9K8G08U0A K9WBG08U1M K9LBG08UOD K9GAG08U0M K9LAG08U0M K9GAG08U0M K9GAG08U0D K9HBG08U1M K9HBG08U1A K9MBG08U5M K9LBG08U0M K9HCG08U1M K9MDG08U5M HY27US08281A/B HY27US08561M
MT29F4G08AAA(1)
Micron
MT29F8G08FAB
Micron
MT29F8G08DAA
Micron
MT29F8G08QAA
Micron
MT29F8G16MAA
Micron
MT29F128G08CJWAAAWC Micron
MT29F8G08MAD
Micron
MT29F8G08BAA
512MB 1GB 1GB 1GB 1GB 16GB 1GB 1GB 1GB 2GB 2GB 2GB 2GB 4GB 4GB 8GB 4GB 4GB 4GB 8GB 8GB 256MB 512MB 1GB 2GB 2GB 1GB 1GB 2GB 2GB 4GB 4GB 4GB 4GB 8GB 8GB 16GB 16MB 32MB 32MB 64MB 64MB