常见存储器芯片资料(简版)
FLASH芯片种类与区别
F L A S H芯片种类与区别 Hessen was revised in January 2021Flash芯片的种类与区别一、IIC EEPROMIICEEPROM，采用的是IIC通信协议。
IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)，一条串行时钟线(SCL)；串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写的理论值为100万次，常用芯片型号有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等；?二、SPI NorFlashSPINorFlash，采用的是SPI 通信协议。
有4线(时钟，两个数据线，片选线)或者3线(时钟，两个数据线)通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的 IIC EEPROM的读写速度上要快很多。
SPI NorFlash具有NOR技术Flash Memory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。
NorFlash在擦写次数上远远达不到IIC EEPROM，并且由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPI NorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM，所以在市场的占用率非常高。
存储器种类大全与简介
1.2 揮發性記憶體
3、快速頁面模式動態隨機存取記憶體（簡稱FPM DRAM）
Fast Page Mode DRAM
改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取 一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而 FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则 可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在 内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址 就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从 512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页 切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96 年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。
1.2 揮發性記憶體
5、雙倍數同步動態隨機存取記憶體
（Double Data Rate RAM，簡稱為DDR-SDRAM）
作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM 有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路） 提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。
1.3 Rambus DRAM
6、Rambus DRAM，簡稱為RDRAM
高频动态随机存取存储器
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到
500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要 作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视
游戏机的视频内存中。
Synchronous Graphics RAM
SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个
内存芯片分类
简称：Cache标准：CacheMemory中文：高速缓存高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种，其存取速度要比一般RAM来得快。
当中央处理器(CPU)处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就不需从内存中读取数据。
由于CPU的运行速度通常比主存储器快，CPU若要连续存取内存的话，必须等待数个机器周期造成浪费。
所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。
如Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称为L1高速缓存(Memory)。
L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。
简称：DDR标准：DoubleDateRate中文：双倍数据传输率DDR系统时脉为100或133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即200或266MHz，系统使用3.3或3.5V的电压。
因为DDRSDRAM的速度增加，因此它的传输效能比同步动态随机存取内存(SDRAM)好。
DDRistheacronymforDoubleDataRateSynchronousDRAM(SDRAM).DDRSDRAM memorytechnologyisanevolutionarytechnologyderivedfrommatureSDRAM technology.ThesecrettoDDRmemory'shighperformanceisitsabilityto performtwodataoperationsinoneclockcycle-providingtwicethethroughput ofSDRAM标准：DualinLineMemoryModule中文：双直列内存条DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块，它实际上是一种封装技术。
在PCB板的一边缘上，每面有64叫指状铜接触条，两面共有168条。
计算机存储器介绍
图表和图形 1
技术参数
1、容量 作为计算机系统的数据存储器，容量是硬盘最主要的参数。 硬盘的容量以兆字节（MB）或千兆字节（GB）为单位，1GB=1024MB，1TB=1024GB。但硬盘厂商在 标称硬盘容量时通常取1G=1000MB，因此我们在BIOS中或在格式化硬盘时看到的容量会比厂家的标 称值要小。 2、转速 转速是硬盘内电机主轴的旋转速度，也就是硬盘盘片在一分钟内所能完成转数的最大值。转速的快 慢是标示硬盘档次的重要参数之一，它是决定硬盘内部传输率的关键因素之一，在很大程度上直接 影响到硬盘的速度。硬盘的转速越快，硬盘寻找文件的速度也就越快，相对的硬盘的传输速度也就 得到了提高。硬盘转速以每分钟多少转来表示，单位表示为RPM，是转/每分钟。RPM值越大，内部 传输率就越快，访问时间就越短，硬盘的整体性能也就越好。 硬盘的主轴马达带动盘片高速旋转，产生浮力使磁头飘浮在盘片上方。要将所要存取资料的扇区带 到磁头下方，转速越快，则等待时间也就越短。因此转速在很大程度上决定了硬盘的读取速度。 家用的普通硬盘的转速一般有5400rpm、7200rpm几种；而对于笔记本用户则是4200rpm、5400rpm 为主，；服务器用户对硬盘性能要求最高，服务器中使用的SCSI硬盘转速基本都采用10000rpm，甚 至还有15000rpm的，性能要超出家用产品很多。较高的转速可缩短硬盘的平均寻道时间和实际读写 时间，但随着硬盘转速的不断提高也带来了温度升高、电机主轴磨损加大、工作噪音增大等负面影果，很多人都为自己电脑硬盘安装上了硬盘散热风扇，但是一些低档的风扇， 它的震动相当明显，可以把震动传递到硬盘上，长期以后，定会对硬盘寿命产生影响。 二、光驱：目前主流的光驱读盘速度已经达到了50倍速以上，当光盘在光驱总高速旋转时，光驱本身发出的震 动会带动机箱的共振，从而影响到硬盘的工作。而且这种高速转动发热量也是很多的，光驱离硬盘又是如此近， 从光驱中释放的热量定会使得硬盘的温度上升。 三、灰尘：灰尘对硬盘的损害是显而易见的，在沉积在硬盘的电路板的灰尘会严重影响电路板上芯片的热量散 发，使得电路板上的元器件温度上升，进而导致芯片过热而烧毁。另外灰尘如果吸收了水分，是很容易造成电 路短路的。 四、静电:在对电脑进行维修过程中，很多人都是用手拿硬盘，但是在干燥的天气中，人的手上可能会积累上万 伏的静电，手上的静电可能会击穿电路板上的芯片，导致硬盘出现故障。 五、低级格式化:如果电脑硬盘出现了坏道，很多网友都采取低级格式化的措施，其实低格对硬盘的损坏的很大 的，它可能会造成磁盘坏道的扩散，甚至会导致硬盘参数丢失，造成硬盘无法使用。 六、电源：一个低质量的电脑，会使硬盘受到电压波动的干扰，特别是硬盘在进行读写操作时，如果电源出现 问题，可以在一瞬间让一块硬盘报废。 七、磁场:因为硬盘是一种依靠磁介质来记录数据的设备，如果受到外界环境的磁场干扰，很可能导致磁盘数据 的丢失，所以应该尽量远离磁场环境。
芯片资料PPT
其他领域应用展望
物联网领域
物联网设备需要大量芯片支持， 如传感器芯片、RFID芯片等。
汽车电子领域
汽车智能化、电动化趋势加速， 对芯片需求不断增长，如自动驾 驶芯片、车载娱乐系统芯片等。
医疗器械领域
医疗器械对芯片精度和稳定性要 求极高，如心脏起搏器芯片、医
疗影像设备芯片等。
05
芯片产业链及竞争格局分析
产业链上游：原材料与设备供应商
原材料
主要包括硅片、光刻胶、化学气体、 靶材等，这些原材料的质量直接影响 到芯片的质量和性能。
设备供应商
芯片制造需要高精度的设备，如光刻 机、刻蚀机、离子注入机等，这些设 备的供应商在产业链上游占据重要地 位。
产业链中游：芯片设计与制造企业
芯片设计
芯片设计是芯片产业链的核心环节，需要专业的芯片设计人才和先进的EDA工 具。
行业标准制定
行业组织和企业积极参与芯片标准制定，推动产 业规范化发展。
知识产权保护
加强知识产权保护力度，保障创新者的合法权益 ，促进技术创新和产业发展。
THANKS
感谢观看
混合信号芯片
同时包含模拟和数字 电路的芯片，用于处 理复杂的信号和控制 任务。
芯片主要技术参数解析
封装形式
指芯片封装后的外观和尺寸， 如DIP、QFP、BGA等。
工作电压与电流
芯片正常工作所需的电压和电 流范围。
工艺制程
描述芯片制造过程中所使用的 技术，如纳米级别表示晶体管 尺寸大小。
引脚数
芯片上的引脚数量，决定了芯 片与外部电路的连接能力。
完善的质量检测体系
建立全面的质量检测体系，对பைடு நூலகம்个生 产环节进行严格把关，确保产品符合 质量要求。
24、25、93系列存储器介绍
93系列Microwire总线型Microwire总线采用时钟(CLK)、数据输入(DI)、数据输出(DO)三根线进行数据传输，接口简单。
Microchip公司的93XXX系列串行E2 PROM存储容量从1k bit(×8/×16)至16k bit(×8/×16)，采用Microwi re总线结构。
产品采用先进的CMOS技术，是理想的低功耗非易失性存储器器件。
1引脚93XX系列串行E2PROM的产品很多，附图是93AA46型1k 1.8V Microwire总线串行E2PROM的引脚图。
CS是片选输入，高电平有效。
CS端低电平，93AA46为休眠状态。
但若在一个编程周期启动后，CS由高变低，93AA46将在该编程周期完成后立即进入休眠状态。
在连续指令与连续指令之间，CS必须有不小于250ns（TCSL)的低电平保持时间，使之复位(RESET)，芯片在CS为低电平期间，保持复位状态。
CLK是同步时钟输入，数据读写与CLK上升沿同步。
对于自动定时写周期不需要CLK信号。
DI是串行数据输入，接受来自单片机的命令、地址和数据。
DO是串行数据输出，在DO端需加上拉电阻。
ORG是数据结构选择输入，当ORG为高电平时选×16结构，ORG为低电平时选×8结构。
2工作模式根据单片机的不同命令，93AA46有7种不同的工作模式，附表给出在ORG=1(×16结构)时的命令集(表中“S”为Start位)。
ORG=0(×8结构)，除在地址前加A6位或在地址后加一位“X”外，其余与附表相同。
除了读数据或编程操作期间检查READY/BUSY状态时外，DO脚均为高阻状。
在擦除/写入过程中，DO为高电平表示“忙”，低电平表示“准备好”。
在CS下降沿到来时，DO进入高阻态。
若在写入和擦除转换期间，CS保持高电平，则DO端的状态信号无效。
3功能START(起始)条件CS和DI均为高电平后CLK的第一个上升沿，确定为START。
am29LV160B芯片简介(共48张)
3.4 复位(fùwèi)
系统复位后,器件回到读数据模式下,复位可以 用硬件和软件两种方法实现,软件实现方法如前面 表格中所示,在后面指令中还要介绍,硬件实现通 过/RESET引脚实现.
当把器件的/RESET引脚置于低电平时,器件会立即 终止所有的操作,所有的数据输出成为高阻态,而且忽 略此期间内所有的读写操作请求.与备用模式类似的, 当/RESET引脚置于VSS±0.3V时,器件电流被拉至 CMOS备用电流,而当/RESET引脚置于VIL时,也将被 拉至备用电流,但是要比上述情况下大.
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3.5 扇区保护 /解除保护 (bǎohù)
(bǎohù)
出厂时,所有扇区都是未加保护的.保护 的建立和解除可以用两种方法实现.基本 方法就是将/RESET引脚置于VID,这可以 在系统或用编程器件实现. 具体的操作方 法见操作流程图3-1.图3-2显示的是其时 序图.
另外一种方法必须用编程器件实现,需 要将A9和/OE两引脚均置于VID.
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3.3 自动睡眠 模式 (shuìmián)
自动睡眠模式最小化了Flash器件的 功耗,当地址稳定时间超过tACC+30ns (tACC为器件的典型访问时间,概述中已 经介绍过)时,器件自动进入该模式,在该 模式下,输出数据被锁存在外总线上,可 以被系统使用.
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从自由选择模式下退出或者当器件处于 DQ5=‘1’的状态下时,必须使用复位命令使器件 返回读数据状态.
图4-3为其时序图.
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图4-3
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4.3 自动选择命令 序列 (mìng lìng)
该命令序列是使器件进入自动选 择工作模式的软件方法.该序列应该 跟在解锁(解除扇区保护)操作之后.进 入自动选择模式后,系统就可以依据 不同地址获取想要的信息了.自动选 择模式在前面已经介绍过.
笔记本常用芯片(IC)
笔记本常用芯片(IC)千兆网卡芯片：88E8001、RTL8101L\笔记本电脑温度传感器芯片：ADM1032、DS1620、LM26笔记本电脑指纹传感器: AES2501笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片：BA9741F、BD9766FV、BD9882F、BD9883FV、MAX1522/MAX1523/MAX1524 、OZ960、L1451、TL5001、笔记本电脑开机控制芯片：BD4175KV、BD4176KVT、IPC47N253、PC87551、TB62506、笔记本电脑I／O芯片：FDC37N97、IT8716FCX、IT8705F 、IT8712F 、IT8712G 、IT8702 、W83627HF 、W8671F笔记本电脑CPU散热风扇转速控制芯片：G781、笔记本电脑主板时钟芯片：ICS950810、ICS954302、ICS954310、ICS954309、SLG84420、3 J" L& |6 l( O/ O2 Z7 l笔记本电脑系统供电控制芯片：LTC1628 、LTC3728L 、MAx1632、MAx1901、MAX1977、MAx8734、SC1403、SC1404、SC2450、SI786LG、笔记本电脑内存供电控制芯片：ISL6224 、ISL6225 、ISL6227、ISL6537、G2996、MAx1540、MAxl541、MAx1623、MAX1644、MAx1809、MAx1844、MAX1992/MAX1993、MAX1858、MAX8505、MAX8632、MAx8743、MAx8794、SC470、SC1485、SC1486/SC1486A 、TPS51117、TPS51124、TPS54610、TPS54672笔记本电脑CPU供电控制芯片：ADP3181 、ADP3203 、ADP3421 、APW7057、IPM6220A 、ISL6217、ISL6223、ISL6262、LTC3716、LTC3735、LTC1709 、MAX1830/MAX1831 、MAx1907、MAx1987、MAx8760、MAx8770、SC1474、SC1476、SC451、SC452、笔记本电脑充电控制芯片：AAT3680 、BQ24700 、BQ24701 、BQ24702/BQ24703 、DS2770 、LT1505、LTC4008 、MAX1645B 、MAX1736 、MAX745、MAX1873 、MAx8724、MAx8725、MAx8765、MB3887、MB39A126PFV、TL594低压差稳压器：AAT3200、AME8824、AMS1505、AP15912、G9338、LPL1084、MAX8863、MIC5205 、SCl565、SC4215、SI9183、低压差稳压器：LP2951、笔记本主板声卡芯片: ALC200 、ALC201A 、ALC262、ALC655 、ALC658、ALC660、ALC86l、ALC880、ALC883、ALC202、AD1986、CS4205、CS20468、CS20549、Esl92l、PT2353、笔记本主板音频功率放大芯片: AN12943、APA2020/TPA0202、G1420、LM4835、LM4838、LM4882、LM4861 、LM4863、LM4880/LM4881 、LM4911 、MAX9710、MAx9750、MAx9751、MAX9755、MAx9789、MAx9790、TPA0142、TPA0142、TPA0312、TPA6017、主板内存供电芯片：AP1250、APW7060 、CM8501/CM8501A 、CM8562 、ISL6520 、NCP5201 、RT9202、RT9214、APW7120、RT9203 、RT9173、RT9218、SC2595、SC2614、SC411、SC2616、AP1250主板内存供电芯片AP15912大电流低压差稳压器APW7057笔记本电脑芯片组供电控制芯片NBA9741F笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片KBD4175KV笔记本电脑开机控制芯片BD9766FV笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片BD9882F笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片HBD9883FV笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片CS4205笔记本电脑声卡芯片QCS20468笔记本电脑声卡芯片CS20549笔记本电脑声卡芯片ICS952606主板时钟芯片Esl92l笔记本电脑声卡芯片FAN5019主板CPU供电控制芯片FAN5090主板CPU供电控制芯片FDC37N972笔记本电脑I／O芯片1 _)G1420笔记本电脑音频功放芯片G2996笔记本电脑内存供电控制芯片G781笔记本电脑CPU散热风扇转速控制芯片G9338低压差线性稳压控制器ICS950810笔记本电脑主板时钟芯片ICS954302笔记本电脑主板时钟芯片ICS954309笔记本电脑主板时钟芯片ICS954310笔记本电脑主板时钟芯片ISL6227笔记本电脑内存供电控制芯片)ISL6262笔记本电脑CPU供电控制芯片ISL6559主板CPU供电控制芯片ISL6566主板CPU供电控制芯片IT8716FCX主板I／O芯片ZLPL1084低压差稳压器L6711主板CPU供电控制芯片L6917主板CPU供电控制芯片LM13700M双运算放大器LM26笔记本电脑温度传感器LM324四电压比较器LM4835／LM4838笔记本电脑音频功放芯片LM4882笔记本电脑音频功放芯片LP2951 100mA低压差稳压器IPC47N253笔记本电脑开机芯片LTC3716笔记本电脑CPU供电控制芯片LTC3735笔记本电脑cPu供电控制电路MAMAxl541笔记本电脑内存／芯片组供电控制芯片MAx1558双路可编程电流LJSB开关MAx1623笔记本电脑内存供电电路MAx1626／MAxl627主板供电控制芯片MAx1632笔记本电脑系统供电控制芯片MAx1809笔记本电脑内存供电电路MAx1844笔记本电脑芯片组／显卡供电控制芯片MAx1901笔记本电脑系统供电控制芯片MAx1907笔记本电脑cPu供电控制芯片MAx1987笔记本电脑cPu供电控制芯片MAX3243 3～5V多通道RS-232线性驱动／接收器MAX4490满摆幅输入／输出运算放大器MAX8505笔记本电脑芯片组控制芯片MAX8632笔记本电脑内存供电控制芯片MAx8724笔记本电脑充电控制芯片MAx8725笔记本电脑充电控制芯片MAx8734笔记本电脑系统供电控制芯片MAx8743笔记本电脑显卡／芯片组供电控制芯片MAx8760笔记本电脑cPu供电控制芯片MAx8765笔记本电脑电池充电控制芯片MAx8770笔记本电脑CPU供电控制芯片MAx8794笔记本电脑DDR内存供电控制芯片MAX8863低压差稳压芯片MAX9710笔记本电脑音频功放芯片MAx9750／MAx9751／MAX9755笔记本电脑音频功放芯片MAx9790笔记本电脑音频功放芯片MB3887笔记本电脑充电控制电路。
存储器分类及功能大全
RAM/ROM存储器ROM和RAM指的都是半导体存储器，RAM是Random Access Memory的缩写，ROM是Read Only Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
一、 RAM有两大类：1、静态RAM（Static RAM，SRAM），静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失；而且，一般不是行列地址复用的。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，而SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
2、动态RAM（Dynamic RAM，DRAM），动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。
而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。
由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快；DRAM存储单元的结构非常简单，所以从价格上来说它比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/ FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等 I.SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。
MEMORY存储芯片HT66F018中文规格书
Rev. 1.502016-07-01概述该单片机是8位高性能精简指令集的Flash 型单片机，具有一系列功能和特性，其Flash 存储器可多次编程的特性给用户提供了极大的方便。
存储器方面，还包含了一个RAM 数据存储器和一个可用于存储序列号、校准数据等非易失性数据的EEPROM 存储器。
在模拟特性方面，该单片机包含一个多通道12位A/D 转换器和比较器功能。
还带有多个使用灵活的定时器模块，可提供定时功能、脉冲产生功能及PWM 产生等功能。
内部看门狗定时器、低电压复位和低电压检测等内部保护特性，外加优秀的抗干扰和ESD 保护性能，确保单片机在恶劣的电磁干扰环境下可靠地运行。
该单片机提供了丰富的HXT 、LXT 、HIRC 和LIRC 振荡器功能选项，且内建完整的系统振荡器，无需外接元件。
其在不同工作模式之间动态切换的能力，为用户提供了一个优化单片机操作和减少功耗的手段。
外加时基功能、I/O 使用灵活等其它特性，使这款单片机可以广泛应用于各种产品中，例如电子测量仪器、环境监控、手持式测量工具、家庭应用、电子控制工具、马达控制等方面。
方框图Rev. 1.50HT66F018内置EEPROM 增强A/D 型单片机2016-07-01引脚图VSS&AVSS PC0/OSC1PC1/OSC2PC2PA0/TP0/ICPDA/OCDSDAPA1PA2/ICPCK/OCDSCKPA3/CXVDD&AVDD PB0/INT0/AN0/XT1PB1/INT1/AN1/XT2PB2/TCK0/AN2PA4/TCK1/AN3PA5/AN4/VREF PA6/TCK2/AN5PA7/TP1/AN6HT66F01816 NSOP-A16151413121110912345678HT66F01820 SOP-A/SSOP-AVSS&AVSS PC0/OSC1PC1/OSC2PC2PA0/TP0/ICPDA/OCDSDAPA1PA2/ICPCK/OCDSCKPA3/CX PB6/C+PB5/C-VDD&AVDD PB0/INT0/AN0/XT1PB1/INT1/AN1/XT2PB2/TCK0/AN2PA4/TCK1/AN3PA5/AN4/VREF PA6/TCK2/AN5PA7/TP1/AN6PB3/TP2/AN7PB4/CLO2019181716151413121112345678910注：1.若共用引脚同时有多种输出，“/”号右侧的引脚名具有更高的优先级。
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引脚功能：
A0~A12:地址线
WE写允许
OE读允许
CS片选
NC—Noconnection
I/O1~I/O8数据输入输出
操作模式
模式
CS1
CS2
OE
WE
I/O1~8
备用
H
X
X
X
高阻
X
L
X
X
高阻
禁止输出
L
H
H
H
高阻
读
L
H
L
H
DOUT
写
L
H
X
L
DIN
常见存储器型号规格
封装：24线双列直插式封装.
引脚功能:
A0-A10为地址线;
CE是片选线;
OE是读允许线;
WE是写允许线.
操作方式：
CE
OE
WE
方式
D0-D7
H
--
--
未选中
高阻
L
L
H
读
Dout
L
H
L
写
Din
L
L
L
写
Din
RAM—6264
6264是8K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,最大功耗450mW,典型存取时间70/100/120ns,
2716
2716指的是Intel2716芯片，Intel2716是一种可编程可擦写存储器芯片
封装：双列直插式封装，24个引脚
基本结构：带有浮动栅的MOS管
封装：直插24脚，
引脚功能：
Al0~A0：地址信号
O7~O0： 双向数据信号输入输出引脚；
CE：片选
OE：数据输出允许；
Vcc：+5v电源，
VPP：+25v电源；
GND：地
2716读时序：
2732
相较于2716：
Intel2716存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的MOS管构成，共可保存4K×8位二进制信息
封装：直插24脚
引脚功能：
A0~A11地址
E片选
G/VPP输出允许/+25v电源
DQ0~7数据双向
VSS地
VCC+5v电源
2732读时序
2764、27128、27256、27512等与之类似
27020
存储空间：256kx8
读写时间：55/70ns
封装：直插/贴片32脚
引脚功能：
A0~A17地址线
I/O0~7数据输入输出
CE片选
OE输出允许
PGM编程选通
VCC+5v电源
VPP+源
GND地
27020读时序：
27040与之类似
RAM--6116
6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间90/120ns,