硅材料及衬底制备
碳化硅mosfet工艺制备过程
碳化硅MOSFET工艺制备过程1. 碳化硅简介碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种半导体材料，具有优异的物理和化学性质，被广泛应用于各种高温、高电压和高频率的电子器件中。
碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅材料制备的金属-氧化物-半导体场效应晶体管。
2. 制备过程概述碳化硅MOSFET的制备过程可以概括为以下几个步骤：1.硅衬底制备：选择高质量的硅衬底（Substrate），通常采用氮化硅或者氮化铝作衬底材料。
2.基底表面处理：对硅衬底进行化学处理，去除表面的氧化物和杂质，使基底表面变得干净平整。
3.硅衬底清洗：采用酸碱处理方法对硅衬底进行清洗，去除表面的有机和无机杂质，并提高衬底的电学性能。
4.硅衬底极柱制备：在硅衬底表面通过光刻和化学腐蚀等工艺步骤制备出硅衬底极柱（epi layer），用于形成MOSFET的源极和漏极。
5.氧化层形成：在硅衬底表面形成一层氧化层（Oxide Layer），通常采用湿法或干法氧化方法。
6.金属栅极制备：在氧化层表面通过物理气相沉积（PECVD）或热蒸发等方法，沉积金属薄膜，形成金属栅极（Gate Electrode）。
7.掩膜形成：通过光刻和蒸发等技术，制备出用于定义源极和漏极等结构的金属掩膜。
8.掺杂处理：采用离子注入或物理气相沉积等方法，向硅衬底中引入杂质，形成源极、漏极和通道区域，从而改变材料的导电性质。
9.金属电极制备：沉积金属薄膜并通过光刻和蒸发等工艺步骤制备源极和漏极等电极结构。
10.金属化层制备：通过蒸发和光刻等工艺，制备出金属化层，用于连接MOSFET的各个电极。
3. 制备过程详解3.1 硅衬底制备碳化硅MOSFET的制备过程通常从硅衬底的选择开始。
硅衬底材料应具有良好的晶体质量和电学性能，以确保器件的稳定性和性能。
目前常用的硅衬底材料有氮化硅和氮化铝。
选择合适的硅衬底材料是确保碳化硅MOSFET制备成功的关键。
3.2 基底表面处理硅衬底经过切割和打磨等工艺后，表面可能存在一些氧化物和杂质。
sic衬底的生产工艺
sic衬底的生产工艺SIC（碳化硅）衬底是一种高温、高压下制造出来的半导体材料，由于其良好的热性能和机械性能而成为微电子器件中应用广泛的衬底材料之一。
SIC衬底的生产工艺是一个非常复杂的过程，需要经过多个步骤才能制造出符合标准的SIC衬底材料。
第一步，是挑选合适的原料。
制造SIC衬底材料需要的原材料是碳和高纯度的硅。
两者必须都是高纯度的，否则会对制造出的衬底产生负面的影响。
碳和硅的配比也至关重要，通常要求SiC的摩尔比例达到1:1。
第二步是混合原料。
将碳和硅混合后放入高温炉中进行热处理。
在热处理的过程中，碳和硅分子发生反应，生成SiC晶粒。
此时，产生的SiC晶粒非常细小，无法用于制造衬底材料。
第三步是晶化。
晶化是SIC衬底材料制造的关键步骤。
需要将前面制造出来的SiC晶粒进行再结晶，让它们靠近，形成更大的SiC颗粒，这个过程也叫做粉末冶金。
一般情况下，这个过程是在高温下进行的，为此需要使用特殊的热处理炉。
第四步是生长单晶。
生长单晶也是制造SIC衬底材料的关键过程之一。
这个过程需要在非常高的温度下，将前面产生的SiC晶粒进行进一步生长，形成单晶。
通常，这个过程是通过置于高温反应炉中，在热周期中进行。
这个过程需要花费几天到几周不等的时间。
第五步是切割。
将生长出的单晶进行切割，成为所需的形状。
在切割的过程中，需要严格控制温度和压力，以避免对SIC衬底材料的质量造成不利影响。
对于切割这一步骤，人工切割和机械自动化切割两种方式均有所应用。
第六步是在单晶上研磨和抛光。
由于使用机器工作的精度和效率更高，但人工操作可以更好地控制质量，很多制造商都将两种方式同时采用。
在研磨和抛光的过程中，必须控制它们的深度、平整度和平衡性，以免对制造出的SIC衬底材料的性能产生不良影响。
最后一步是对SIC衬底进行表面处理。
SIC衬底的表面必须要制造得足够平整，以提供更好的光学反射性能。
这个过程通常是在超高真空状态下进行的，完成后就可以取出制造好的SIC衬底，进行下一步的微电子器件生产。
硅基micro oled工艺流程
硅基micro oled工艺流程随着科技的不断发展，微型oled技术逐渐成为显示技术的热门研究领域。
硅基micro oled作为oled技术的一种重要类型，其制备工艺流程显得尤为关键。
下面，我们将针对硅基micro oled的工艺流程做一详细介绍。
一、基础材料准备1. 硅基衬底材料硅基衬底通常选用具有良好晶体质量和平整度的硅衬底材料，例如硅衬底晶圆。
2. 光刻胶材料光刻胶是用于制备图案的关键材料之一，通常选择适合硅基材料的光刻胶。
3. 金属蒸发材料金属蒸发材料通常用于制备电极材料和金属反射层，例如铝、银、金等金属材料。
4. 有机发光材料有机发光材料是硅基micro oled的发光材料，通常需要选择发光效率高、色彩纯净的有机材料。
二、制备工艺流程1. 硅基衬底预处理将硅基衬底进行清洗、去氧化处理等表面处理工艺，以提高衬底的平整度和附着性。
2. 光刻胶涂布将光刻胶均匀涂布在硅基衬底表面，并通过特定工艺进行旋转和烘烤，形成一定厚度且平整的光刻胶层。
3. 光刻胶图案制备利用光刻技术，将所需的图案图形转移到光刻胶上，形成光刻胶图案。
4. 金属蒸发在光刻胶图案上，进行金属蒸发工艺，形成相应的金属电极结构和金属反射层。
5. 有机材料沉积利用有机分子沉积技术，在金属电极结构上沉积有机发光材料，并通过热蒸发或溅射等工艺使其形成均匀的有机薄膜。
6. 电极制备在有机发光材料上进行金属蒸发或其他工艺，形成另一层金属电极，完成电极制备。
7. 封装工艺将制备好的硅基micro oled芯片与玻璃基板进行粘接、密封和灌封等封装工艺，形成成品硅基micro oled器件。
三、性能测试与品质保障在制备完成的硅基micro oled器件上，需要进行发光均匀性、亮度、寿命等性能测试，并进行严格的品质保障，保证器件的稳定性和可靠性。
通过以上对硅基micro oled工艺流程的介绍，相信大家对硅基micro oled的制备工艺有了更清晰的了解。
1第一章-硅的晶体结构、环境与衬底制备
Ⅰ、缺陷密度
由于大直径单晶生长过程中热场控制、生长过程控制更加复杂,以 及装料量的增加,晶体生长时固-液界面扰动、杂质分凝等造成的微区不 匀现象更为严重,从而使晶体缺陷产生的几率增大。 芯片面积的增大,对缺陷密度的要求更加严格。另外,器件尺寸的缩 小,使微缺陷的影响已成为一个不可忽略的重要因素。
Ⅱ、参数的均匀性
大直径单晶生长过程中,掺杂杂质在固-液界面分凝的微区波动 及生长速度的瞬间起伏,将产生单晶电阻率径向和轴向分布的不均 匀性。随着芯片面积的增大和器件图形尺寸的缩小,微区电阻率不 均匀对IC性能的影响更为显著, 影响IC正常工作。
Ⅲ、晶片整度
由于器件尺寸的缩小及芯片面积的增大，在微细加工过程中， 晶片的翘曲将对图形加工质量产生影响，使加工图形畸变变得严重， 即使微小的畸变，只要与加工图形尺寸接近,也会引起器件失效。 晶片的翘曲是影响大直径单晶平整度的主要因素,理论分析表明,晶 片直径愈大、愈容易产生翘曲现象。欲减少翘曲，必须增加晶片厚 度、减小晶片所受的加工应力。
内圆切割法是利用金刚砂的机械磨削作用,将金刚砂粘贴 在刀口,经磨削将单晶棒切割成所需厚度的晶片。磨削过程会 给晶片表面带来不同程度的损伤。损伤层的厚度一般在40－ 80μm范围。对于(111)晶面的硅片,为了防止电路制作中埋层 图形畸变,切片时要向最近的〈110〉方向偏3－50。从单晶尾开 始切片,棒尾上翘3－50。主参考面朝外。
1.6.4
超纯气体及化学试剂
（1）超纯气体
气体中的有害杂质除污染晶片外,更为严重的是会破坏器件 结构。例如,氧化过程中,氧气中氮含量过高,将导致在预定时间 内生成的氧化层偏薄,使氧化层耐压下降等现象产生。 微电子加工最常用的化学气体有氧、氮、氢、氩四种气体。 还使用一些特殊气体，例如硅烷、磷烷、四氟化碳、氨气、氯 化氢等,在这些气体中的有害杂质含量只能在10-6数量级。 气体纯度： 气体纯度：VLSI加工中,外延用氢气纯度高达99.99999%。 在使用前，化学气体还需就地进一步提纯。 提纯方法：分子筛、催化剂、玻璃滤球等对气体过滤、去 提纯方法 杂；气体管道、连接附件采用不锈钢管、氟橡胶密封圈等。
碳化硅衬底工艺流程
碳化硅衬底工艺流程一、碳化硅衬底制备工艺流程1. 原料准备碳化硅衬底的主要原料是硅和碳。
硅可以通过高纯度的硅片、粉末等形式使用，而碳则可以采用石墨、聚苯乙烯等物质。
此外，还需要准备用于制备碳化硅衬底的气体、溶剂等辅助物质。
2. 原料预处理硅及碳原料需要进行预处理，包括打磨、清洗、干燥等步骤，以确保原料的表面光洁度和纯度。
预处理可以通过机械方法、化学方法等手段完成。
3. 原料混合将经过预处理的硅和碳原料按照一定比例混合，保证成分均匀。
混合过程可以采用机械搅拌、溶液溶解等方法。
4. 原料烧结混合好的硅碳原料经过高温烧结处理，使其形成块状或坯状材料。
烧结温度通常在2000摄氏度以上，时间约几小时至数十小时。
5. 反应烧结将烧结好的硅碳坯料置于高温反应炉内，进行碳化反应。
在高温气氛中碳化硅材料，生成碳化硅单晶衬底。
反应烧结温度通常在2000摄氏度以上，时间约几小时至数十小时。
6. 脱模碳化硅衬底成型后，需要将模具脱除，使其成为独立的单晶衬底。
7. 衬底后处理脱模后的碳化硅衬底需要进行后处理，包括打磨、清洗、检测等环节，以确保其表面光洁度和品质。
8. 成品包装经过后处理的碳化硅衬底进行包装，以便于存储和运输。
包装可以采用防潮、防震的方式，保护衬底不受损坏。
以上是碳化硅衬底的制备工艺流程，通过上述步骤可以获得高品质、高性能的碳化硅衬底，为后续器件制备提供优良基础。
二、碳化硅衬底的应用领域碳化硅衬底具有优良的性能，被广泛应用于多个领域，主要包括以下几个方面：1. 电力电子领域碳化硅衬底作为半导体器件的基础材料，在功率器件（如逆变器、整流器、变频器等）中有着重要作用。
碳化硅功率器件具有低导通损耗、高反转速度、高温稳定性等特点，适用于高频高压、高温环境下的电力电子应用。
2. 光电子领域碳化硅衬底可用于制备光电器件，如光伏电池、LED芯片等。
碳化硅材料具有较高的光电转换效率、热稳定性和耐腐蚀性，适用于光电器件的高性能制备。
硅基材料的制备与性能研究
硅基材料的制备与性能研究硅基材料是一类广泛应用在电子、光电子、能源等众多领域的重要材料。
其制备与性能研究对于开发新型材料、提升器件性能以及推动科技进步具有重要意义。
本文将从不同角度探讨硅基材料的制备方法以及其性能研究，为读者提供对该领域的全面了解。
一、硅基材料的制备方法硅基材料的制备方法多种多样，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、溶胶-凝胶法、磁控溅射等。
其中，CVD是最常用的制备方法之一。
CVD通过将反应气体传递到加热的衬底上，在高温下进行热解反应，使得硅原子在衬底表面上沉积形成硅基材料。
不同的CVD方法可以在不同的条件下控制硅基材料的形貌和性能，如低压CVD、热氧化法和PECVD等。
除了CVD，溶胶-凝胶法也是硅基材料制备的重要方法。
该方法通过将硅源和溶剂进行混合，并添加催化剂、表面活性剂等辅助物质，在适当的温度下生成溶胶体系。
随后，通过加热使溶胶液体发生凝胶化反应，生成凝胶体。
经过干燥和热处理后，最终获得硅基材料。
溶胶-凝胶法制备的硅基材料具有较高的纯度和较好的成膜性能，可以制备出纳米级的硅材料。
二、硅基材料的性能研究硅基材料具有优异的电子、光学和机械性能，对于其性能研究是推动材料应用和开发的关键。
在电子学领域，硅基材料常用于集成电路的制备。
通过改变硅材料的掺杂浓度、薄膜厚度和衬底结构等参数，可以调控其导电性能和载流子浓度。
此外，硅材料还广泛应用于太阳能电池、发光二极管等器件的制备。
对于硅基材料的能带结构和光学性质的研究，可以提高器件的光电转换效率。
另一方面，硅基材料在生物医学领域也展现出重要的应用前景。
硅基材料可以作为药物载体、生物传感器和组织工程支架等，在药物控释、生物检测和组织修复等方面发挥作用。
对于硅基材料的生物相容性和生物降解性的研究，可以优化其在生物医学领域的应用效果。
此外，硅基材料的力学性能也备受关注。
通过改变硅基材料的微观结构和纳米尺寸效应，可以调控其力学性能。
VDMOS基本工艺流程
VDMOS基本工艺流程1.衬底制备：选择衬底材料，通常使用N型硅衬底。
首先对硅衬底进行清洗和化学处理，去除表面的污染物和氧化层。
然后进行蓝光热膨胀法或粒子嵌入法，制备高质量的衬底。
2.掺杂：在衬底上通过离子注入技术掺入杂质，以改变衬底的电性质。
常用的杂质有硼、磷等。
掺杂的目的是形成P型浓度的因子区和N型浓度的沟道区。
3.管芯生长：在衬底上生长氧化硅薄膜（SiO2）。
氧化硅薄膜作为绝缘层和通道层，在后续步骤中起关键作用。
通常通过湿法氧化或化学气相沉积（CVD）方法生长氧化硅薄膜。
4.四个金属线通道的掺杂：通过离子注入技术，在氧化硅薄膜上刻蚀开沟槽，然后在沟槽中注入掺杂杂质，形成四个金属线通道。
这些金属线通道是导电的，用于控制器件的电流流动。
5. 介电层的形成：在金属线通道上方制备一层介电材料，用于隔离金属线通道和栅极。
常用的介电材料是多晶硅（Polysilicon）或LPCVD SiO26.栅极的形成：通过化学气相沉积或物理气相沉积的方法，在介电层上沉积金属薄膜，例如铝或铜。
然后使用光刻和蚀刻技术，将金属薄膜形成栅极结构。
7.开窗：使用光刻技术，在栅极上方开出源极和漏极的掩膜。
然后使用化学蚀刻等方法，将介电层和金属线通道暴露出来，形成源极和漏极。
8.金属的沉积：在开窗区域内，使用物理气相沉积或化学气相沉积的方法，沉积金属膜用作源极和漏极的接触电极。
常用的金属材料有铝或铜。
9.接触孔的开孔和金属的沉积：使用光刻和蚀刻技术，在栅极和金属线通道之间开孔形成接触孔。
然后通过物理气相沉积或化学气相沉积的方法，在接触孔内沉积金属薄膜，与金属线通道形成电性接触。
10.热处理：在制程的后期，对器件进行热处理，以消除应力和提高电气性能。
热处理可以通过退火或快速热退火等方法进行。
以上是VDMOS的基本工艺流程。
在实际制程中，还会包括掩膜设计、光刻、蚀刻、清洗等步骤。
VDMOS工艺流程的关键在于掺杂和金属结构的形成，通过精确的步骤和工艺参数，可以制备出高性能的VDMOS器件。
集成电路制造技术(原理与工艺)--硅衬底之一
集成电路制造技术（原理与工艺）--硅衬底之一现在集成电路使用的最基本的本征材料有：硅（Si)，锗（Ge），砷化镓（GaAs)，室温下硅的晶格电子迁移率为1350，较锗3900，砷化镓8600要小得多，说到晶格下面会有介绍，而电子迁移率表征着器件的运行速度，所以硅一般会用在频率相对较低的集成电路生产中，而高频器件，高速，微波微电子产品的衬底材料领域由砷化镓占领。
硅作为地球最普遍的材料，所以让我们先来了解生产一颗常用的硅基IC需要的工艺流程，产品的生产过程示意图如下：如图所示，从单晶硅锭切割加工成硅片，然后从硅片通过20～30的工艺步骤制成集成电路芯片，然后调试好后，就划分为小单元的芯片，然后进行封装，测试后，就可以出品做生意了。
看到这里我们应该多问几个How，Why，When了。
单晶硅是怎样制成的（How)？切割加工的芯片的厚度（为什么是这个厚度，Why)？20～30个工艺步骤（为什么需要这些工序Why,在什么时候做When)?且听下面分解。
对于以上的几个问题，让我们先了解下原始硅片变成集成芯片的步骤，就拿硅基双极型NPN晶体管芯片（即普通的NPN型三极管）为例，制造的主要工艺流程如下所示步骤（1）--外延工艺，是在重掺杂的单晶硅片上通过物理（或化学)的方法生长轻掺杂的单晶硅层，晶体管的两个PN结就是做在这层轻掺杂的外延层上。
步骤（2）--氧化工艺，是在硅片表面用氧化方法或物理(或化学）薄膜积淀的方法得到一层二氧化硅薄膜，作为后续定域掺杂的掩蔽膜。
步骤（3）--一次光刻工艺，是在二氧化硅掩膜上光刻出基区窗口图形来，以进行下一步的基区掺杂。
步骤（4）--硼掺杂工艺，是用热扩散或离子注入等方法在N型硅上掺入P型杂质硼，目的是获得晶体管的集电极。
步骤（5）--二次光刻工艺，是晶体管制作的第二次光刻，和步骤3一样，目的是在二氧化硅掩膜上光刻出发射区窗口图形来，以进行下一步的发射区掺杂。
二次光刻是在一次光刻基础上进行的，必须与一次光刻图形对准。
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0.2 Ωcm
2x105
2.负电阻温度系数
Si：T=300K ρ=2 x 105 Ωcm
T=320K ρ=2 x 104Ωcm 3.具有整流效应
Ea exp( ) K BT
9
4.光电导效应
在光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度， 就激发 出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增 加，阻值减低，这种现象称为光电导效应。光敏电阻就 是基于这种效应的光电器件。
3
硅的共价键结构
+4
+4表示除 去价电子 后的原子
+4
共价键共 用电子对
+4
+4
4
形成共价键后，每个原子的最外层电 子是八个，构成稳定结构。
+4 +4
+4
+4
共价键有很强的结合力， 使原子规则排列，形成晶体。
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共 价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子 很难脱离共价键成为自由电子，因此本征 半导体中的自由电子很少，所以本征半导 体的导电能力很弱。
13
硅的晶体结构：金刚石结构
金刚石结构 每个原子周围有四个最邻 近的原子，这四个原子处 于正四面体的顶角上，任 一顶角上的原子和中心原 子各贡献一个价电子为该 两个原子所共有，并形成 稳定的共价键结构。 共价键夹角：109˚28’
14
<100>,<111>平面是单晶晶圆中最常用的方 向。<100>的晶圆较常用来作金属氧化物半 导体集成电路，而<111>方向的晶圆则通常 用来制造双极型晶体管和集成电路，因为 <111>方向的原子表面密度高，故该面较为 坚固且比较适合高功率的元件。
N型硅表示
+
7
P型半导体
硅原子 空穴
Si B
Si
Si
硼原子
P型硅表示
空穴被认为带一个单位的正电荷，并且可以移动
8
1.1、 半导体的主要特征
⒈ 电阻率ρ:电阻率可在很大范围内变化
绝缘体
1012—1022 Ω.cm
半导体
10-6—10105
Ωcm
B
10-5
P 10-5
10
5.具有光生 伏特效应
1839年，法国科学家贝克雷尔(Becqurel)就发现，光照能使半导体 材料的不同部位之间产生电位差。这种现象后来被称为“光生伏打 效应”，简称“光伏效应”。
11
1.2半导体材料硅的结构特征
物质分为晶体(单晶，多晶)和非晶体
单晶体:由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列
15
晶体的缺陷
点缺陷 线缺陷（位错） 面缺陷（层错）
16
1.5半导体硅材料及硅衬底晶片的制 制备原材料－－多晶硅（polysilicon） 备
多晶硅按纯度分类可以分为冶金级（工业 硅）、太阳能级、电子级。
1、冶金级硅（MG）：是硅的氧化物在电弧炉中被碳 还原而成。一般含Si 为90 - 95% 以上，高达 99.8% 以上。 2、太阳级硅 (SG)：纯度介于冶金级硅与电子级硅之 间，至今未有明确界定。一般认为含Si在 99.99 %– 99.9999%（4～6个9）。主要用于太阳能电池芯片的 生产制造 3、电子级硅（EG）：一般要求含Si > 99.9999 %以 上，超高纯达到99.9999999%～99.999999999%（9～ 11个9）。其导电性介于 10-4 – 1010 欧厘米。主要用 于半导体芯片制造。
第一章 硅材料及衬底制备
1
本章重点：
1.半导体材料的主要特点 2.硅的晶体结构 3.硅单晶材料的加工制造过程 4.直拉法生长单晶过程 5. 集成电路的发展对硅片的要求
2
半导体材料
目前用于制造半导体器件的材料有： 元素半导体（Si Ge） 化合物半导体（GaAs InSb锑化铟） 本征半导体： 不含任何杂质的纯净半导体，其纯度在99.999999% （8~10个9）。 掺杂半导体： 半导体材料对杂质的敏感性非常强，例如在Si中掺 入千万分之一的磷( P )或者硼（B），就会使电阻 率降低20万倍。
20
四氯化硅还原法 （从砂到硅）
加熱 (2000° C)
SiO2 砂
+
C 碳
Si + 冶金級矽
CO2 二氧化碳
21
制备TCS（三氯硅烷）
氯化氫
Si + HCl 冷凝器
反應器, 300 C 矽粉末
TCS
過濾器 99.9999999%純 度的三氯矽烷
22
純化器
电子级硅材料
加熱 (1100 ° C) SiHCl3 + H2 Si + 3HCl
三氯矽烷
氫氣
電子級矽材料
氯化氫
23
反应室
製程反 應室
氫和三氯矽 烷 液態三 氯矽烷 TCS+H2EGS+HCl
H2
電子級 矽材料
載送氣體 的氣泡
24
电子级硅材料
資料來源: /semiconductors/_polysilicon.html
5
杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量的杂质， 就会使半导体的导电性能发生显著变化。
其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度 大大增加。载流子：电子，空穴
N型半导体（主要载流子为电子[+]，电子半导 体） P型半导体（主要载流子为空穴[-]，空穴半导 体）
6
N型半导体 硅原子
磷原子
Si
Si
多余电子
P
Si
17
多晶硅的制备 单晶硅制备
单晶硅性能测试
单晶硅加工，形成晶圆
18
多晶硅的制备方法
四氯化硅还原法 三氯氢硅氢还原法 硅烷热分解法
19
四氯化硅还原法 （从砂到硅）
石英砂的主要成份是二氧化硅 从沙到冶金级硅 (MGSmetallurgical grade(MG) silicon纯度98％～99％) MGS 粉末放进反应炉和氯化氢反应生三氯硅烷(TCS) 经由气化和凝结过程纯化三氯硅烷 三氯硅烷和氢气反应生成电子级硅材料(EGS) EGS熔化和晶体提拉制备单晶硅 直拉法 悬浮区熔法
构成的固体物质。
（1）一种物质是否是晶体是由其内部结构决定的，而非由
外观判断；
（2）周期性是晶体结构最基本的特征 多晶体：小区域内原子周期性排列，整体不规则 非晶体：原子排列无序
12
晶体的特点
1）均匀性,原子周期性排列.
2）各向异性,也叫非均质性.(各个方向上物
理和化学性质不同) 3）有明显确定的熔点 4）有特定的对称性 5）使X射线产生衍射