一种相变存储器的驱动电路设计
PCRAM
BTG BTG
Block Decoder
BTG LBL BTG
Block Decoder
Block Decoder
Block Select Block Address
BLA
BTG<1:0>
Block Decoder
BBL
Block Decoder
Block Select Block Address
A
Time
B
Time
C
Time
D
Time
Slow Quench With Non-linear Ramp Down Edge
Slow Quench With Non-linear Ramp Down Edge
Slow Quench With Non-linear Ramp Down Edge
Slow Quench With Non-linear Ramp Down Edge
相变机理
• Umbrella-Flip 理论 • 多元换理论
• 共振键理论
Umbrella-Flip 理论
多元环理论
共振键理论
AutoIncz
AddrLatch
外围电路
A0 VDD A1
Y<0>
D Q
A0
Y<1>
D Q
逻辑控制模块
A1
Q
A2
Y<2>
D
A2
地址锁存译码模块
核心阵列
基准电压 模块
电流饥饿型压控振荡器电路
一级反相器充放电
N级反相器环形振荡器 频率为 f 1 I 0
相变存储器的原理和发展
相变存储器的原理和发展相变存储器，作为一种新型存储器，正在逐渐成为人们关注的热门话题。
相比于传统的存储器技术，相变存储器由于具有高密度、高可靠性、低功耗等特点，正在逐渐走向成熟。
在这篇文章中，我们将会探讨相变存储器的原理和发展。
一、相变存储器的原理相变存储器（Phase Change Memory，PCM）是一种通过将物质的状态从一个相转变到另一个相来实现存储和擦除信息的存储器。
它具有非易失性、快速读写、高密度、低功耗等优点，而且不会受到电磁干扰的影响。
相变存储器的基本原理是利用材料的相变来存储信息。
在相变存储器中，通过在材料中通入电流，可以将材料由非晶态（amorphous）转变为结晶态（crystalline），或者由结晶态转变为非晶态，从而实现信息的存储和擦除。
相变存储器由一个导电介质薄膜和一层相变材料薄膜组成。
当通入电流时，相变薄膜的温度会上升，从而引起相变。
相变后，材料的导电性和抗电性会发生明显变化，这种变化被采集和存储在导电介质薄膜中。
从而实现了信息的存储。
相变存储器的最大特点是它可以在非常短的时间内进行快速的写和读操作。
相变薄膜的相变速度很快，写入时间只需要几十纳秒，读取时间也只需要几纳秒。
同时，相变存储器还具有非常高的可靠性，因为相变材料可以进行无限次的相变。
二、相变存储器的发展相变存储器的历史可以追溯到上世纪60年代，但要真正进入实用化的阶段还有很长的路要走。
在过去的几十年中，相变存储器的研究一直处于实验室阶段。
直到近年来，随着存储技术的进一步发展，相变存储器才开始逐渐受到人们的关注。
在过去的几年中，相变存储器已经从实验室阶段进入了产品研发阶段。
英特尔公司已经推出了一款基于相变存储器的高速固态硬盘（SSD），号称可以提供比传统硬盘更快的读写速度和更高的可靠性。
同时，三星、东芝、半导体制造商Micron等公司也在积极推进相变存储器技术的研发。
相比于传统的NAND闪存存储器，相变存储器具有更高的存储密度和更快的访问速度。
一种灵活可靠的IGBT驱动电路设计
电气传动2024年第54卷第1期ELECTRIC DRIVE 2024Vol.54No.1摘要：在当今减碳排放背景下，全控型功率器件IGBT 以优异的性能广泛用于各种变流器中，有效可靠的驱动电路对IGBT 的安全工作至关重要，特别是大功率应用场合。
针对大功率IGBT 应用中对驱动电路灵活可靠的要求，设计了一种基于智能集成光耦驱动器ACPL -332J 的IGBT 驱动保护电路，分析了ACPL -332J 的各项参数，并以ACPL -332J 为核心设计了驱动电路。
以英飞凌FF600R12ME4为应用IGBT ，通过双脉冲试验、短路试验验证了设计电路驱动及保护的有效性。
关键词：智能集成光耦驱动器ACPL -332J ；光耦驱动器；驱动保护电路；灵活可靠中图分类号：TM46文献标识码：ADOI ：10.19457/j.1001-2095.dqcd25239A Design of Flexible and Reliable IGBT Driver CircuitHAN Song 1，2，YU Zhiqiang 1，2，WANG Mingyue 1，2，YU Hongze 1，2，JIA Pengfei 1，2（1.Tianjin Research Institute of Electric Science Co.，Ltd.，Tianjin 300180，China ；2.National Engineering Research Center for Electrical Transmission ，Tianjin 300180，China ）Abstract:Under the background of carbon emission reduction ，fully controlled power device IGBT is widely used in various of converters with its excellent performance ，effective and reliable drive circuit is crucial to the safe operation of IGBT ，especially for high-power applications.Aiming at the requirement of flexible and reliable of IGBT drive circuit in high-power applications ，an IGBT drive and protection circuit based on intelligent integrated optocoupler driver ACPL-332J was designed ，the parameters of ACPL-332J were analyzed ，and the driving circuit was designed with ACPL-332J as the core.With Infineon FF600R12ME4as the application IGBT ，the effectiveness of the designed drive and protect circuit was verified by double pulse test and short circuit test.Key words:intelligent integrated optocoupler driver ACPL-332J ；optocoupler driver ；drive and protect circuit ；flexible and reliable基金项目：天津电气科学研究院有限公司科研基金（YF2023ZL009）作者简介：韩松（1988—），男，硕士研究生，工程师，Email ：一种灵活可靠的IGBT 驱动电路设计韩松1，2，于志强1，2，王明玥1，2，于洪泽1，2，贾鹏飞1，2（1.天津电气科学研究院有限公司，天津300180；2.电气传动国家工程研究中心，天津300180）在节能减排的时代背景下，随着绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）的制造和应用技术日趋成熟，IGBT 以易于驱动、耐受电应力、热应力高的特点，被广泛应用于中高功率、中低频率变流器中[1]。
相变存储器
世 界 电 子 元 器 件 ２ ０． ｅｃ． ｃｎｃｏ ０］ １ ｇ ｅｃ ． ｒ ｎ
液 态 水 （ 相 ）以及 固 液
伸和扩 展 的网络 ； ，其用 户端延伸和 扩展到 了任何物 品 二
与物 品之间 ，进行信息交换和通讯。 物联 网把新一代 ｌ Ｔ技术充 分运 用在 各行 各业 之中 ，具 体地说 ， 就是把感 应器 嵌入和装 备到 电网 、 铁路 、 桥梁 、 隧道 、 公路 、建筑 、供水 系统 、大 坝 、油气管道 等各种 物体 中 ，
１ ０倍 ，是硬盘驱动器 的 １ ０ ０ ０ ０ ０倍左右 。Ｐ ０ ＣＭ的读取延
时仅为是 ５ ｎ － ０ ｎ ， ＳＬ Ａ ０ ｓ １０ ｓ是 Ｃ Ｎ ＮＤ闪存的 １ ０ ０ 倍左 右 ，
硬 盘 驱 动 器 的 １ ００， 达到 “ 智慧”
状态 ，提 高资 源利用率和生 产力水 平 ，改善人 与 自然 问的
关 系
３ Ｄ液 晶 电视
３ Ｄ液 晶 电视 ，顾 名思义 即能实 现 ３ Ｄ显 示效果 的 电 视设 备。３ Ｄ即三维立 体 图形 ，由于人 的双 眼观察物体 的
智 能 电 网
智能 电网就是 电网的智能化 ，也被 称为 “ 电网 ２ ” ． ， Ｏ
态水（ 固相 ） 物质从一种相变成 另外一种相的过程 叫做 “ 。 相 变” ，例如水从液态转化为固态 。 在很 多物 质 中相变 不是 大家 想象 的 只有气 、液 、固 三相那 么简单。在相变存储器 中 ，就 是利用特 殊材料在 晶
态和非 晶态之 间相互转化时所发生 的相变 来存储数据的 。
３ Ｄ液晶 电视 正是 利用这个 原理 ，把 左右 眼所看到 的影像
分离 ，实现立体 显示效果 。具体 即通过在 液晶面板上加上 特殊 的精密柱面透镜 屏 ，将经过 编码处理 的 ３ Ｄ视 频影像
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一种相变存储器的驱动电路设计
引言
相变存储器（PC2RAM）是一种新型半导体存储器，在研发下一代高性能不挥发存储技术的激烈竞争中，PC2RAM在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、功耗等方面的诸多优势显示了极大的竞争力，得到了较快的
发展。
相变存储器是利用加工到纳米尺寸的相变材料在晶态与非晶态时不同的
电阻状态来实现数据存储。
读、写操作是通过施加电压或电流脉冲信号在相变
存储单元上进行的。
相变存储单元对驱动电路产生的驱动电压或电流十分敏感，因此，设计一个性能优良的驱动电路成为实现芯片功能的关键。
本文介绍了一
种新型的、结构简单的相变存储器驱动电路设计，该电路采用电流驱动方式，
主要包括基准电压电路、偏置电流电路、电流镜电路及控制电路。
1电路设计与分析
1.1相变存储器芯片
图1为相变存储器内部结构框图，主要包括相变存储单元阵列
（1r1tarray）、地址解码器（rowdec和columndec）、读写驱动电路（drv8）、驱动控制电路（drvcon）和读出放大电路（sa8）。
相变存储单元阵列包括字线、位线和处在字线与位线的交叉区的相变存
储单元，每一个存储单元包括一条字线、一个选通管及一个相变电阻，并且每
一个相变电阻均可在非晶态与晶态之间进行编程；地址解码器解码输入行地址，以选择每个存储单元的字线，位选择电路根据输入的列地址，选择一条位线；
驱动电路生成将所选存储单元编程为非晶态或晶态的写电流，以及读出被编程
后的存储单元状态的读电流；驱动控制电路由控制逻辑与脉冲信号发生器组成，。