金属膜和氧化硅钝化膜
太阳能电池钝化的原理
太阳能电池钝化的原理太阳能电池是一种利用光的能量为电能转换的设备。
由于太阳能电池的光电转换机理是通过光照射来激发电子从价带到导带的过程来完成的，表面的光反射率和光吸收率发挥了决定性的作用。
当太阳光照射到太阳能电池表面时，一部分光线会被反射回来，这种反射会使得太阳能电池表面的光吸收率下降，从而导致电池的转换效率下降。
一部分反射的光线又会被太阳能电池吸收，产生额外的热量，影响太阳能电池的稳定性和使用寿命。
太阳能电池的钝化现象是指在太阳光照射下，电池表面形成了一层具有抗反射、保护、隔热等作用的氧化硅膜。
这种氧化硅膜可以防止入射太阳光的反射，增加光在太阳能电池中的吸收率，从而提高太阳能电池的转换效率。
氧化硅膜是由电池表面的硅原子与氧气分子结合而形成的，太阳能电池的钝化效应与电池表面的硅质、氧气状态、电压等因素密切相关。
当太阳能电池处于空气中时，氧气会与电池表面的硅原子结合，形成一个氧化硅膜。
如果氧气的浓度很低，就会导致氧化硅膜的形成速度较慢，从而影响太阳能电池的钝化效应。
电池表面的硅质也会影响电池的钝化效应。
硅的结晶度和纯度越高，太阳能电池的钝化效应就越好。
太阳能电池的工作电压也会影响钝化效应，当电压较低时，表面氧化物的形成速度较慢，从而会影响钝化效应。
由于太阳能电池的钝化效应可以提高太阳能电池的转换效率和使用寿命，因此在太阳能电池的研究和应用中具有重要的意义。
1. 化学钝化：在太阳能电池表面形成一层氧化物膜，从而抑制表面的光反射和提高光吸收率。
这种氧化物膜可以通过将太阳能电池浸泡在稀酸、碱或氧化剂等化学物质中，在适当条件下，表面会出现一层氧化物膜。
这种方法具有简单、易操作和成本低等优点，由于这种氧化物膜具有较弱的物理和化学稳定性，所以难以提高太阳能电池的长期稳定性。
2. 热钝化：通过加热太阳能电池来促进氧化物膜的形成，从而提高太阳能电池的钝化效果。
这种方法具有优点是较简单，效果较好，但是需要大量的热能，耗能较大。
半导体器件的钝化技术
精选文库半导体器件的钝化技术09023320 李子腾09023307 邹骞09023308 刘峥09023319 沈骜目录1 12 12.1 12.2 333 5 41绪论对于高性能高可靠性集成电路来说，表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一。
近二十年来，信息技术日新月异蓬勃发展。
二十一世纪，世界将全面进入信息时代，以信息技术为代表的高新技术形成的新经济模式，将在二十一世纪世界经济中起决定作用。
信息科技的发展在很大程度上依赖于微电子半导体技术的发展水平，其中（超）大规模集成电路技术（ ULSI）是半导体关键的技术。
一个国家占领了信息技术的制高点，它将在二十一世纪获得经济上的主导地位。
摩尔定律——即集成电路的集成度每 18个月翻一番，成本大幅下降，揭示了信息技术的指数发展规律，正在朝着高集成化、高速化和高质量化的方向发展。
表面钝化膜的种类很多，如氧化硅、氧化铝、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、半绝缘多晶硅等等，不同的介质薄膜具有不同的性质和用途。
总的来说，氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料，发展低温的热 CVD工艺来沉积氮化硅表面钝化膜是集成电路发展的必然趋势，而开发新的能满足低温沉积氮化硅薄膜的新的硅源、氮源前驱体是解决这一难题的有效方法。
接下来，我们小组将会在正文对于什么是钝化工艺，以及钝化层的制备两方面进行具体介绍。
2正文主体2.1 钝化工艺及其对半导体器件参数的影响钝化工艺就是在半导体器件表面覆盖保护介质膜，以防止表面污染的工艺。
下文将对各主流钝化工艺进行介绍，并讨论其对半导体器件的影响在集成电路中，在一块单晶基片上需要组装很多器件，这些器件之间需要互相布线连接，而且随着集成度的提高和特征尺寸的减小，布线密度必须增加，所以用于器件之间以及布线之间电气隔离的绝缘钝化膜是非常重要的。
此外，由于半导体表面与内部结构的差异（表面晶格原子终止而存在悬挂键，即未饱和的键），导致表面与内部性质的不同，而其表面状况对器件的性能有重要作用。
金属表面处理常见种类
金属表面处理常见种类
喷砂 喷砂是采用压缩空气为动力，以形成高速喷射束将喷料（铜矿砂、石英砂、金 刚砂、铁砂、海南砂）高速喷射到需要处理的工件表面，使工件表面的外表面 的外表或形状发生变化，由于磨料对工件表面的冲击和切削作用，使工件的表 面获得一定的清洁度和不同的粗糙度，使工件表面的机械性能得到改善，因此 提高了工件的抗疲劳性，增加了它和涂层之间的附着力，延长了涂膜的耐久性， 也有利于涂料的流平和装饰。
金属表面处理常见种类
电泳 电泳是电泳涂料在阴阳两极，施 加于电压作用下，带电荷之涂料 离子移动到阴极,并与阴极表面所 产生之碱性作用形成不溶解物， 沉积于工件表面。
电泳表面处理工艺的特点： 电泳漆膜具有涂层丰满、均匀、 平整、光滑的优点，电泳漆膜的 硬度、附着力、耐腐、冲击性能、 渗透性能明显优于其它涂装工艺。 用于铝材表面处理居多。
金属表面处理常见种类
真空电镀 真空电镀的特点编辑 1> 真空镀膜所获得的金属膜层很薄(一般为0.01~0.1um),能够严格 复制出啤件表面的形状 2> 工作电压不是很高(200V)﹐操作方便﹐但设备较昂贵﹒ 3> 蒸镀锅瓶容积小﹐电镀件出数少﹐生产效率较低﹒ 4> 只限于比钨丝熔点低的金属 (如铝﹑银﹑铜﹑金等)镀饰﹒ 5> 对镀件表面质量要求较高﹐ 通常电镀前需打底油来弥补工 件表面缺陷﹒ 6> 真空镀膜可以镀多种塑料如 ﹕ABS﹑PE﹑PP﹑PVC﹑PA﹑ PC﹑PMMA等
金属表面处理常见种类
静电喷涂 静电喷涂利用的是高压静电场作用，将带浮点的涂料微粒沿着电场 相反的方向定向运动，将涂料微粒吸附在工件表面。 静电喷涂一次涂装就可以得到较厚的涂层，粉末涂料无溶剂没有公 害，改善了劳动卫生条件。采用粉末静电喷涂等新工艺，效率较高， 对于自动流水线生产有很好的表现，而且可以回收使用。 开始应用于ห้องสมุดไป่ตู้护和电气缘方便，现在已经广泛应用于汽车工艺、电 气绝缘、耐腐蚀的阀门、化学泵以及铸件等等。
金属氧化处理及钝化处理
金属氧化处理及钝化处理一、氧化钝态膜机理1、金属表面的化学氧化转化膜，是指采用化学氧化处理剂，使金属表面与溶液界面上产生的化学氧化反应，生成稳定的氧化薄膜的处理技术。
2、化学氧化钝态转化膜是介质中阴离子与金属产生氧化反应，使之达成自身氧化转化的产物。
化学氧化处理过程较复杂，它是在不同程度上综合化学、电化学和物理化学等多个过程的结果。
3、金属与化学氧化介质间的界面反应发生二次产物的生成，成为金属膜层的主要组分，所得到膜层的主要组分就是由二次反应生成的产物。
4、化学氧化转化膜是金属表面与溶液界面发生化学氧化反应形成的的薄膜，其特点是与金属材料结合良好，膜层薄、结构细腻，能耐各种强腐蚀介质的侵蚀。
5、化学氧化转化膜主要是依靠降低金属本身的化学活性，以提高它在环境介质中的热力与稳定性，更是依靠金属表面上的转化产物对环境介质起到的隔离作用。
6、形成的化学氧化转化膜能较大地提高金属的耐腐蚀性。
对于其他类型的转化膜（钝化膜），在强酸性的介质中对钢铁的防护不如氧化转化膜优秀。
7、用氧化法处理316L不锈钢金属表面,主要来自于氧化剂和合金元素的阳极保护,达到金属的钝态,减缓腐蚀的一种方法。
它能使活化的腐蚀电位向钝态区转化，成为析氢状态化，导致Pd在表面富集，则形成基体金属钝态化的表现。
8、氧化转化法使合金表面形成电阻较大的抗腐蚀分子膜，将增大腐蚀体系的电阻，能够有效地阻滞腐蚀反应的进行，它是非晶态的FeOOH和羟基氢氧化物。
9、氧化膜的机理是金属表面吸附了分子层的氧原子，在金属表面形成了稳定的化合物膜层。
它主要是以氧化物的单分子层氧原子产生阳极双电层电位的隔离，形成了防护性的屏障，促使阳极区的双电层导电性降低。
10、化学氧化膜它是由氧化性的化学介质产生钝态反应，导致某种中间产物的生成。
11、氧化钝态膜它主要具有完整性和致密性，热力稳定性强，以及热膨胀系数，扩散系数和弹性模量较强等优点。
12、氧化钝态膜在热膨胀过程中不易开裂与剥落的性能。
氧化铝钝化硅片表面原理
氧化铝钝化硅片表面原理以氧化铝钝化硅片表面原理为标题，本文将从表面钝化的概念、氧化铝薄膜的制备方法、氧化铝薄膜的特性及其在硅片上的应用等方面展开阐述。
一、表面钝化的概念在微电子器件制造过程中，为了提高硅片的性能和稳定性，常常需要对硅片表面进行处理，从而达到钝化的目的。
钝化是指通过改变表面物理、化学性质，形成一层保护层，以减少与外界环境的接触，从而提高硅片的稳定性和可靠性。
二、氧化铝薄膜的制备方法氧化铝薄膜是常用的硅片表面钝化材料之一。
制备氧化铝薄膜的方法主要有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两种。
1. 物理气相沉积（PVD）物理气相沉积是通过蒸发或溅射的方式将氧化铝源材料沉积在硅片表面。
该方法具有沉积速率快、薄膜均匀性好的优点，但需要高真空环境和较高的沉积温度。
2. 化学气相沉积（CVD）化学气相沉积是利用化学反应在硅片表面沉积氧化铝薄膜。
该方法可以在较低的沉积温度下实现薄膜的生长，且可控性好，适用于大面积薄膜的制备，但沉积速率较慢。
三、氧化铝薄膜的特性氧化铝薄膜具有一系列良好的特性，使其成为理想的硅片表面钝化材料。
1. 高绝缘性能氧化铝薄膜具有很高的绝缘性能，可以有效隔离硅片与外界环境的接触，降低电流泄漏，提高器件的可靠性。
2. 良好的化学稳定性氧化铝薄膜在常见的酸碱等化学溶液中具有良好的稳定性，不易被腐蚀，保护硅片免受外界环境的损害。
3. 优异的热稳定性氧化铝薄膜具有较高的熔点和热稳定性，能够在高温环境下保持其结构和性能的稳定性。
4. 透明性氧化铝薄膜具有较高的透明性，可应用于光学器件等领域，不会对光的透射产生明显的影响。
四、氧化铝薄膜在硅片上的应用氧化铝薄膜在硅片上有广泛的应用，主要包括以下几个方面：1. 绝缘层氧化铝薄膜可用作硅片上的绝缘层，隔离不同电路之间的相互干扰，提高集成电路的性能和稳定性。
2. 电介质层氧化铝薄膜可作为电容器的电介质层，用于存储电荷和调节电流，常见于电子元件中。
半导体工艺基础 第九章续 表面钝化
2、金属功函数、氧化硅中电荷对C-V特性的影响
§9.3 主要的钝化方法
一、集成电路钝化的一般步骤 典型集成电路制造过程中至少包含三个钝化工序步骤：
1 、衬底氧化层（特别是 MOS 集成电路中的栅氧化层）生 长过程中的钝化。
通常采用含氯氧化，或 HCl 处理氧化石英管。 2、衬底和金属化层之间或多层金属化层之间绝缘隔离氧化 层的钝化工艺。 通常采用磷硅玻璃钝化工艺，为降低回流温度，有时采用 硼磷硅玻璃钝化。 3、芯片的最终钝化层。 常采用SiO2+Si3N4(或Al2O3) 或磷硅玻璃。其中，SiO2 主要 用作为Si3N4 应力缓解层。
3、氧化物固定正电荷Qf 固定正电荷存在于SiO2中离Si-SiO2界面约20Å范围内。 （1）来源：由氧化过程中过剩硅（或氧空位）引起，其密度 与氧化温度、氧化气氛、冷却条件和退火处理有关。 （ 2 ）影响：因 Qf 是正电荷，将使 P 沟 MOS 器件的阈值增加， N道MOS器件的阈值降低；减小沟道载流子迁移率，影响MOS 器件的跨导；增大双极晶体管的噪声和漏电，影响击穿特性。 （3）控制氧化物固定正电荷的方法 （ a）氧化物固定正电荷与晶向有关： (111)>(110)>(100)， 因此MOS集成电路多采用(100)晶向。 （b）氧化温度愈高，氧扩散愈快，氧空位愈少；氧化速率 愈大时，氧空位愈多，固定电荷面密度愈大。采用高温干氧氧 化有助于降低Qf 。 （c）采用含氯氧化可降低Qf 。
0 ox Cox 式中， 是单位面积的 d
1 1 1 C Cox CD
氧化层电容，d是氧化层厚度， Cox与栅压V无关。CD 是单位 面积的半导体势垒电容。对于 确定的衬底掺杂浓度和氧化层 厚度，CD 是表面势s（也是栅 压V）的函数。因此总电容C也 是s 的函数。
半导体工艺基础第九章续表面钝化
西南科技大学理学院 2013.4. 15
§9.1 概述
一、钝化膜及介质膜的重要性和作用 1、改善半导体器件和集成电路参数 2、增强器件的稳定性和可靠性 二次钝化可强化器件的密封性，屏蔽外界杂质、离子电荷、
水汽等对器件的有害影响。 3、提高器件的封装成品率
钝化层为划片、装架、键合等后道工艺处理提供表面的机械 保护。
（b）磷处理，形成PSG-SiO2以吸除、钝化SiO2中的Na+。 （c）采用掺氯氧化，以减小Na+ 沾污，并可起钝化Na+ 的 作用。
2、Si-SiO2 界面陷阱电荷Qit（界面态）
指存在于Si-SiO2界面，能带处于硅禁带中，可以与价带或 导带交换电荷的那些陷阱能级或能量状态。靠近禁带中心的界 面态可作为复合中心或产生中心，靠近价带或导带的可作为陷 阱。界面陷阱电荷可以带正电或负电，也可以呈中性。
4、氧化物陷阱电荷Qot 氧化物中被陷住的电子或空穴。
（1）来源：电离辐射（电子束蒸发、离子注入、溅射等工 艺引起）、热电子注入或雪崩注入。
（2）影响：对MOS器件的跨导和沟道电导产生较大的影响， 使阈值电压向负方向移动。
（3）控制氧化物陷阱电荷的方法
（a）选择适当的氧化工艺条件以改善SiO2结构，使Si-O-Si 键不易被打破。常用1000℃干氧氧化。
（b）氧化温度低于1050℃时，含氯氧化对可动离子的钝化、 收集作用消失；
（c）含氯氧化对可动离子的钝化作用仅在干氧氧化中存在， 湿氧氧化中不存在。
1 2HCl 2 O2 H 2O Cl2
（2）钝化Na+的机理 （a）高温过程中氯进入SiO2，在Si/SiO2界面处与三价硅和
过剩硅离子结合，以氯-硅-氧复合体结构形式存在。
金属常用表面处理工艺
金属常用表面处理工艺金属表面处理是指对金属表面进行加工、涂覆或改变其表面性质的一种工艺。
金属表面处理可以提高金属的耐腐蚀性、耐磨性、美观性和机械性能等。
下面介绍几种常用的金属表面处理工艺。
1. 镀层处理镀层处理是将金属表面涂上一层金属或非金属的薄膜，以改变其表面性质。
常见的镀层处理有电镀、热浸镀、喷涂等。
电镀是将金属放入电解液中，通过电流的作用，在金属表面上形成一层金属膜。
热浸镀是将金属放入熔融的金属中，使其表面形成一层金属膜。
喷涂是将涂料喷在金属表面上，形成一层保护膜。
2. 氧化处理氧化处理是将金属表面暴露在氧化剂中，使其表面形成一层氧化膜。
氧化膜可以提高金属的耐腐蚀性和耐磨性。
常见的氧化处理有阳极氧化和化学氧化。
阳极氧化是将金属放入电解液中，通过电流的作用，在金属表面上形成一层氧化膜。
化学氧化是将金属表面涂上一层氧化剂，使其表面形成一层氧化膜。
3. 喷砂处理喷砂处理是将金属表面喷上一种磨料，使其表面形成一层粗糙的表面。
喷砂处理可以提高金属的耐磨性和美观性。
常见的喷砂处理有压缩空气喷砂和水喷砂。
压缩空气喷砂是将磨料喷在金属表面上，形成一层粗糙的表面。
水喷砂是将水和磨料混合后喷在金属表面上，形成一层粗糙的表面。
4. 钝化处理钝化处理是将金属表面暴露在一种化学溶液中，使其表面形成一层钝化膜。
钝化膜可以提高金属的耐腐蚀性和耐磨性。
常见的钝化处理有酸洗和碱洗。
酸洗是将金属表面浸泡在一种酸性溶液中，使其表面形成一层钝化膜。
碱洗是将金属表面浸泡在一种碱性溶液中，使其表面形成一层钝化膜。
金属表面处理是一种重要的工艺，可以提高金属的性能和使用寿命。
不同的金属表面处理工艺适用于不同的金属和不同的使用环境。
在实际应用中，需要根据具体情况选择合适的金属表面处理工艺。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
1
*常用的金属膜及介质膜体系及应用:
半导体器件及集成电路中常用的薄膜包括金属膜 （单层和多层）及介质膜（钝化膜及光学膜）。金属膜 中如Au、Pt、TI、TIN、Cr、Al、AlCu、AuGeNi、 TiPtAu、ZnAu、AuSn等金属及合金，主要用于N型P 型半导体材料的肖特基接触、欧姆接触、阻挡层、金属 引线及键合金属。在硅器件中还常用到一些硅化物，如 TISi、AlSiCu、W5Si3等金属硅化物。 介质膜往往用作为钝化保护、多层布线的中间介 层.SiO2, Si3N4、 PI胶、多晶硅、AL2O3等。不同的介 质膜按照一定的光学厚度又可以组合成光学膜,例如 Ta2O5与SiO2多对组合等，可起到对某一波长的出射光 的增透（减反射Ar）或高反射(Hr)的作用。总之薄膜技 术在半导体技术中占有重要地位。
N-GaN的欧姆接触用Cr或TiAlTiAu（Ti/Al 的组分比决定了退火温度，第二层Ti是阻挡 层）.
4
值得一提的是在微电子和光电子技术中， Al和Au 很容易形成合金（称为紫斑），且 随温度的变化，Al和Au 组分变化，阻值变化， 影其稳定性，所以在Au层前要加一层Ti作为 阻挡层。 N-GaN的欧姆接触CrPtAu中的Pt也 是同样的道理。 此外，Al的使用一定要谨慎，一是它的 抗蚀性差，二是作欧姆接触的稳定性差。 从量产和良率角度来考虑，希望工艺制 程尽量简单，所以N-GaN的欧姆接触和P,N 电极均采用CrPtAu一次完成，而不采用分别
9
等离子体增强型 (PE) CVD
气体从顶部或盖进入 反应器. 磁感因加热器加热晶 片. 射频电路打击离子. (沉积膜)厚度根据时 间而定.
气体 反应器 活塞 面板
晶片 射频电源 灯丝
上极板加RF，下极板接地
10
一般来讲，在高功率密度下沉积速率增加。反应气体的流
量，腔室气压，温度等都会影响到膜的质量。过低的流量会引 起反应气体的耗尽，而且均匀性差。高的流量可提高沉积速度。 高温可增加膜的致密性。 氧化硅的折射率为1.46。 含氢量增 加，折射率增加。耐腐蚀性变差。
3
P-GaN:传统的LED P-GaN的欧姆接触一 般用NiAu（厚度决定了光的穿透率，即影响 亮度），在含有氧的气氛中退火。 目前，蓝光LED中P-GaN的欧姆接触用 ITO, N-GaN的欧姆接触用CrPtAu（也是P,N 电极引线）,同时与ITO形成良好的接触，工 艺要简单。Pt是防止Au扩散的阻挡层，从而 保持稳定的欧姆接触，然后再作金 属电极引线的办法。 另外，前面也提到欧姆接触金属体系的 反射率的问题，二者若能兼顾更好，但前者 更为重要（影响工作电压Vf值）。 对于照明用的LED来讲，Ag,Al是两 种反射率较高的金属，Ag>95%,Al在75%左右 。Ag的黏附性差，Al的黏附性还好，但抗蚀 性差。一般来讲，在正装结构中铝被用来背 镀（在芯片的背面的蓝宝石面上）作为反射 镜。Ag在垂直结构中有被采用。
6
Cr是一种黏附性好的金属，但氧化铬则 与金属的黏附性差。所以，在蒸镀 过程中要 注意予镀（Cr对气体有吸附性）和晶片的加 热温度（加热有利于增加黏附性）。 Cr的厚度一般是200-800A; Pt的厚度一般是200-500A; Au的厚度一般是1.2-1.5um; Cr的厚度调整主要是考虑其粘附性， Pt 的厚度主要是考虑其抗Au的向内的扩散， Au 的厚度决定了电极的可焊性，同时也影响到 LED的正向电压Vf值。
相关因素;
* 膜厚测量多采用石英膜厚控制器。最终厚度可用台阶仪校正. * EB蒸镀金属的过程是无损伤的过程。 * 合金的蒸镀要考虑其组分变化。 * 加热烘烤可提高粘附性，但要考虑温度对lift-off工艺的影响。 尤其是蒸镀厚膜时更要注意。
8
4.2 P-N结断面（台面断面）的钝化保护 LED的P-N结断面（台面断面）的钝化保 护一般采用氧化硅（或氮化硅），厚度10002000A. 氧化硅的生长采用PECVD（PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition ）方 法。值得注意的这种方法一起的射频损伤问 题。
12
PECVD的RF功率对GaN epi 的PL强度的影响
13
氧化硅的生长工艺 功率 15 w 温度 250 度 真空度 1000 mtorr SiH4 170 sccm N2O 710 sccm 沉积速率 650 A/min 时间 210 秒 厚度 2300A 氧化硅的腐蚀 BOE(HF:NH4F:H2O=3ml:6g:10ml) 时间 25s
w5 Si3
2
目前LED中常用的金属膜（电极）是 CrPtAu。 PN结断面的钝化保护用氧化硅. 4.1 欧姆接触及电极 N-GaN: CrPtAu金属膜系中的Cr属于功 函数较低的金属，容易与N-GaN形成欧姆接 触，除此之外，还有TiAlTiAu等。 欧姆接触的金属膜系的选择往往在考虑其 与P或N型GaN形成欧姆接触之外，还要兼顾 其反射率及金属膜系中温度对不同金属间互 扩散的影响，以保证欧姆接触的稳定性及可 靠性。
氧化硅除了作PN结的钝化保护之外，在LED中还常用作 为台面上P电极局部区域的电流阻挡层（CBL—current blocking layer，)即介质层也采用氧化硅（可画图再解释一 下）。 CBL的做法可在ITO蒸镀之前，也可在其后。氧化硅 的厚度不同一般是1000-2000A左右，要小于ITO的厚度。 此外,射频功率对有源器件的损伤应引起关注(见下页PL 谱测试结果).
7
进炉准备:
制作前基片的清洗，如去除基片的自然氧化层等； 清洗后的基片尽快进炉； 基片清洗不净不但污染腔室，而且薄膜粘附不牢； 粘附性能不好的材料一定要加过渡金属，常用的粘好附性材 料是Ni、Ti、Cr，Al等，但具体情况要根据它们的物理和化 学性质综合考虑。例如，Al任何酸碱都能被酸碱腐蚀，既是 显影液，去胶剂也能腐蚀，这就需要考虑工艺兼容性问题了。
11
PECVD生长氧化硅（SiH4,N2O）、氮化硅的反应气体 （SiH4,NH3）,由于在射频下的离子轰击而裂开的Si-H,N-H 键可使膜在小区内开裂。高频高温下氢解析速度加快，增加 了膜的致密性（一般情况下为250度或更高）。 NH3中含氢量较高，有时用N2代替NH3。膜中含H量高折 射率上升，所以，优化反应气体的流量比是必要的。
14