2018-华南理工大学模拟电子技术随堂练习答案
2009年华南理工大学期末考试 《 模拟电子技术 》试卷A及答案
2009年华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类07级，2009.07.06）一、选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。
A.D1导通，D2截止，0.7V OU =B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =-C.D1截止，D2截止，12V O U =D.D1导通，D2导通，0.7V OU =2． 图2所示共射放大电路，设静态时2mA CQ I =，晶体管饱和管压降0.6V CES U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。
A. 饱和；底部B. 饱和；顶部C. 截止；底部D. 截止；顶部3． 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=，bb'200r =Ω，正弦交流输入电压i t u ω=，则交流输出o u 为（ ）。
A．o )u t ωπ=+ B．o )u t ω= C．o )u t ωπ=+D．o )u t ω=4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（ ）可以构成复合管。
（A）（B）（C）（D ）5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时，下列描述正确的是（ ）。
A ．o U 滞后i U 45︒B ．o U 滞后iU ︒135 C ．o U 超前iU ︒45D ．o U 超前iU 135︒6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反馈系数10ui F k =Ω，开环输入电阻图15.0i R K '=Ω，可推算出其闭环输入电阻ifR '=（ ）。
A. 500k Ω；B. 50k Ω；C.50Ω；D. 5Ω7． 如下图4所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（ ）。
《 模拟电子技术 》试卷A-附答案(华南理工大学)
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04)1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上；选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分) ．二极管D 的正偏电压D 0.62V U =，电流D 1mA I =，其交流电阻d r = ( )。
A ．620ΩB ．13ΩC ．26ΩD ．310Ω．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。
A ．抑制温漂B ．增大放大倍数C ．展宽频带D ．降低输出电阻 ．已知图1所示电路中 V CC ＝12V ，R c ＝3kΩ，静态管压降 CEQ ＝6 V ；输出端负载电阻 R L =3 kΩ，若发现电路输出电( )。
A ．R W 减小 B ．R c 减小C ．V CC 减小D ．R b 减小．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ，将使电路的( )。
A ．差模放大倍数增大B ．对共模信号抑制能力增强C ．差模输入电阻增大D ．输出电阻降低．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放( ) 。
A ．耦合电容和旁路电容的存在B ．半导体管极间电容和分布电容的存在。
C ．半导体管的非线性特性D ．放大电路的静态工作点不合适图16．欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ( )。
A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈7．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( )；将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A ．积分运算电路B ．微分运算电路C ．反相比例运算电路D ．乘方运算电路8．如图2所示框图，要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡，其起振条件是( )。
(n 为整数)A. πA F n ϕϕ+=，1=F AB. 2πA F n ϕϕ+=，1>F AC. 2πA F n ϕϕ+=，1=F AD. πA F n ϕϕ+=，1>F A9．若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │， 则最大输出功率 P om ＝( )。
华南理工大学 电工与电子技术 随堂练习及参考答案
第1章电路的基本概念与基本定律??1.(单选题)? 如图所示电路中，电流实际方向为__A___。
A． e流向d B. d流向e C. 无法确定?2.(单选题)? 如图所示电路中，电流实际方向是由d流向e，大小为4A，电流I数值为__ C____。
A． 4A???????? B. 0A???????? C. ―4A?3.(单选题)? 电流与电压为关联参考方向是指??A????。
A. 电流参考方向与电压降参考方向一致B. 电流参考方向与电压升参考方向一致C. 电流实际方向与电压升实际方向一致D. 电流实际方向与电压降实际方向一致4.(单选题) 下面说法正确的是C。
A．电压源与电流源在电路中都是供能的。
B. 电压源提供能量，电流源吸取能量。
C. 电压源与电流源有时是耗能元件，有时是供能元件。
D. 以上说法都不正确。
5.(单选题) 计算元件功率时应注意和的正方向，当和的正方向一致时，计算公式＝，当和的正方向相反时，计算公式＝－，计算结果若＞0表示元件（吸收）功率，表明此元件起（负载）作用。
CA. 吸收，电源B. 发出，电源C. 吸收，负载D. 发出，负载6.(单选题) 额定值为110V，60W的一个白炽灯和额定值为110V，40W的一个白炽灯串联后接到220V的电源上，后果是（B）的白炽灯烧坏。
A. 40WB. 60WC. 40W和60W7.(单选题) 如图所示电路中，供出功率的电源是（A ）。
A. 理想电压源B. 理想电流源C. 理想电压源与理想电流源8.(单选题) 如图所示电路，电压源和电流源释放的功率分别为（ B ）A. 12W，-4WB.–12W，4WC. 12W，4WD.–12W，-4W9.(单选题) 电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路断开时，电路中的电流和电源端电压分为 A 。
A. 0A，3VB. 3A，1VC. 0A，0V10.(单选题) 电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路短路时，电路中的电流和电源端电压分为D。
华工2020模拟电子技术随堂练习
1. 自然界中的物质不是按照导电性能分类的是（）。
A．导体B．绝缘体C．半导体D．单向导电PN结展参考答案：D2.(单选题)2. 电子体温计是利用半导体的（）电子器件来测量体温。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.单向导电性参考答案：A3.(单选题)3. 太阳能电池是利用半导体的（）特性制造成器件。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.单向导电性参考答案：B4.(单选题)4. 各种半导体器件是利用半导体的（）特性制造成器件。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.单向导电性答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题)5. 半导体的导电能力( )。
A. 与导体相同B. 与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间D. 常温下非常高答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：6.(单选题)6. 将PN结加适当的正向电压时，空间电荷区将( )。
A. 变窄B.变宽C.基本不变D.不确定答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A7.(单选题)7. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A. 增大B.减小C.基本不变D.不确定答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题)8.二极管完全导通时在二极管两端存在正向导通压降，硅二极管正向导通压降为（）。
A.0.1~0.3VB.0.3~0.5VC. 0.6~0.7VD. 0.7~1V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：9.(单选题)9. 二极管电路如图1-1所示，二极管D1、D2为理想二极管，判断图中二极管工作状态（）。
A. D1和D2都导通B. D1和D2都截止C. D1导通，D2截止D. D1截止，D2导通答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：10.(单选题)10. 二极管电路如图1-2所示，二极管为硅二极管，二极管的工作状态是（）。
华南理工大学大二电类专业模拟电子技术考试试卷及答案4
华南理工大学期末考试模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（25分）1．二极管最主要的特性是 。
2．三极管是 控制型器件，而场效应管是 控制型器件。
3．射极输出器具有______________恒小于1、接近于1，______________ 和__________同相，并具有_____________高和_______________低的特点。
5．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V ，经过电容滤波后为________V 二极管所承受的最大反向电压为 V 。
6、在门电路中，最基本的三种门电路是 门 门和 门。
7．时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为 时序电路和 时序电路。
二、单项选择题 （每小题 2分，总共20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为，则这只三极管是（ ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。
A ．不用输出变压器B ．不用输出端大电容C ．效率高D ．无交越失真 5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。
(a) F =A B +A B(b) F =AB AB +(c) F =AB +A B8. 逻辑代数又称为 代数。
最基本的逻辑关系有 、 、 三种。
华工教育2020年《模拟电子技术》随堂练习参考答案
《模拟电子技术》随堂练习参考答案1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.(单选题) 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V 的电路是( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题) 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题) 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
华南理工大学 电工与电子技术 2018随堂练习及参考答案
第1章电路的基本概念与基本定律1.(单选题) 如图所示电路中，电流实际方向为__A___。
A． e流向d B. d流向e C. 无法确定2.(单选题) 如图所示电路中，电流实际方向是由d流向e，大小为4A，电流I数值为__ C____。
A． 4A B. 0A C. ―4A3.(单选题) 电流与电压为关联参考方向是指A。
A. 电流参考方向与电压降参考方向一致B. 电流参考方向与电压升参考方向一致C. 电流实际方向与电压升实际方向一致D. 电流实际方向与电压降实际方向一致4.(单选题) 下面说法正确的是C。
A．电压源与电流源在电路中都是供能的。
B. 电压源提供能量，电流源吸取能量。
C. 电压源与电流源有时是耗能元件，有时是供能元件。
D. 以上说法都不正确。
5.(单选题) 计算元件功率时应注意和的正方向，当和的正方向一致时，计算公式＝，当和的正方向相反时，计算公式＝－，计算结果若＞0表示元件（吸收）功率，表明此元件起（负载）作用。
CA. 吸收，电源B. 发出，电源C. 吸收，负载D. 发出，负载6.(单选题) 额定值为110V，60W的一个白炽灯和额定值为110V，40W的一个白炽灯串联后接到220V的电源上，后果是（B）的白炽灯烧坏。
A. 40WB. 60WC. 40W和60W7.(单选题) 如图所示电路中，供出功率的电源是（A ）。
A. 理想电压源B. 理想电流源C. 理想电压源与理想电流源8.(单选题) 如图所示电路，电压源和电流源释放的功率分别为（ B ）A. 12W，-4WB.–12W，4WC. 12W，4WD.–12W，-4W9.(单选题) 电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路断开时，电路中的电流和电源端电压分为 A 。
A. 0A，3VB. 3A，1VC. 0A，0V10.(单选题) 电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路短路时，电路中的电流和电源端电压分为D。
A. 10A，3VB. 3A，1VC. 0A ，0VD. 10A，0V11.(单选题) 电容电压与电流的正确关系式应为（B）。
华南理工网络教育电力电子技术模拟题答案完整版
1. 按照电力电子器件能够被控制电路所控制的程度，可以将电力电子器件分为：__半控 ___型器件，__ 全控___
器件，不可控器件等三类。
2. 晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向 导通 状态和反向 阻断 状态。
3. 单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 根号 2 倍的 U2 。三相半波可控整流电路中，
性___控制方式。
7. 逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为_
_电压型逆变_，
当直流侧为电流源时，称此电路为_ 电流型逆变
_____。
8. 提高变流置的功率因数的常用方法有 减少触发角
、 增加整流相数
等(只需列两种方
法) 。
9. 逆变器环流指的是只流经 两组反并联的逆变桥 ，而不流经 负载 的电流，环流可在电路中加 电抗器
逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类当直流侧是电压源时称此电路为电压型逆变当直流侧为电流源时称此电路为电流型逆变提高变流置的功率因数的常用方法有减少触发角逆变器环流指的是只流经两组反并联的逆变桥而不流经负载的电流环流可在电路中加电抗器来限制
华南理工大学网络教育学院
《电力电子技术 》模拟题
一. 单项选择题(每题 2 分, 共 10 分)
四. 计算题绘图(30 分) 1. 图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，波形最大值为 Im=100A，试计算波形的平均电流 Id 和有效值
I。 (8 分)
iT Im
0 /3
t
解:
∫ 平均值: 1
2π
π π 3
Im
sin
tdt
=
1.5 2π
Im
=23.89
∫ 有效值:
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2018-华南理工大学模拟电子技术随堂练习答案第1章常用半导体器件当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。
1.N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电参考答案：C2.将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变参考答案：B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小参考答案：C4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是()。
参考答案：C5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V参考答案：D6.稳压管的动态电阻rZ是指()。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案：B7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极8.参考答案：B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管参考答案：A第2章基本放大电路当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。
1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
A.反向B.近似等于零C.不变D.增大参考答案：B2.晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。
A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏参考答案：C3.晶体管的电流放大系数是指()。
A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案：B4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()。
A. B.C.参考答案：B5.某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在()。
A.截止状态B.放大状态C.饱和状态参考答案：B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为()。
A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管参考答案：B7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为()。
A.0VB.＋2VC.－2VD.－1V参考答案：C8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为()。
A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V参考答案：A9.如图示放大电路中接线有错误的元件是()。
A.RLB.RBC.C1D.C2参考答案：B10.放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是()。
A.适当增加RB2，减小RB1B.保持RB1不变，适当增加RB2C.适当增加RB1，减小RB2D.保持RB2不变，适当减小RB1参考答案：C第2章基本放大电路当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。
11.图示电路，已知晶体管，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取()。
A.480kWB.120kWC.240kWD.360kW参考答案：A12.电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于()。
A.6VB.0VC.0.6VD.5.3V参考答案：A13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q'需使()。
A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小参考答案：C14.单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的()。
参考答案：A15.对放大电路进行动态分析的主要任务是()。
A.确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数和输入，输出电阻ri，r0。
参考答案：C16. 某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示，其输入和输出电压波形如图2所示，造成这种失真的原因是()。
A.管子的值太小B.电路电源电压太高C.偏置电阻太小D.偏置电阻太大参考答案：C17.如图所示的放大电路()。
A.不能稳定静态工作点。
B.能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差。
C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好参考答案：C18.与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是( )。
A.输入电阻高，输出电阻低B.输入电阻低，输出电阻高C.输入，输出电阻都很高D.输入，输出电阻都很低参考答案：A19.27场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数()。
A.小于但近似等于1B.约几十倍C.为参考答案：A20.某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为50倍,则该电路总电压放大倍数为( )。
A.5000倍B.2500倍C.150倍D. 1000倍参考答案：B第2章基本放大电路当前页有3题，你已做3题，已提交3题，其中答对3题。
21.两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的( )。
A.输入电阻B.信号源内阻C.负载电阻参考答案：B22.两级阻容耦合放大电路中，若改变第一级静态基极电流IB1，则()。
A.第二级的基极电流随之而改变B.第二级的静态值(，，)均不改变C.第二级的静态电流不改变，但要改变参考答案：B23.直流放大器中的级间耦合通常采用（）A.阻容耦合（b）变压器耦合（c）直接耦合（d）电感抽头耦合参考答案：C第3章多级放大电路1.差分放大电路的作用是（）A.放大差模信号，抑制共模信号B.放大共模信号，抑制差模信号C.放大差模信号和共模信号D.差模信号和共模信号都不放大参考答案：A2.集成运放输入级一般采用的电路是（）。
A.差分放大电路（b）射极输出电路（c）共基极电路（d）电流串联负反馈电路参考答案：A3.集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡，则表示集成运放的（）。
A.闭环放大倍数越大（b）开环放大倍数越大（c）抑制漂移的能力越强（d）对放大倍数没有影响参考答案：B4.若集成运放的最大输出电压幅度为UOM，则在情况下，集成运放的输出电压为－UOM。
A.同相输入信号电压高于反相输入信号B.同相输入信号电压高于反相输入信号，并引入负反馈C.反相输入信号电压高于同相输入信号，并引入负反馈D.反相输入信号电压高于同相输入信号，并开环参考答案：D5.第一空电路的输入阻抗大，第二空电路的输入阻抗小。
第一空选择为（）A.反相比例B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案：B6.第一空电路的输入阻抗大，第二空电路的输入阻抗小。
第二空选择为（）A.反相比例B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案：A7.在第一空电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在第二空电路中，电容接在输入端，负反馈元件是电阻。
第一空选择为（）A.反相比B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案：C8.在第一空电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在第二空电路中，电容接在输入端，负反馈元件是电阻。
第二空选择为（）A.反相比B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案：D9.某一理想运算放大器开环工作，其所接电源电压为，当输入对地电压＞时的输出电压为()。
A.－2UB.－UC.+2UD.+U参考答案：D10.理想运算放大器的共模抑制比为( )。
A.零B.约120dBC.无穷大参考答案：C第3章多级放大电路11.理想运算放大器的开环电压放大倍数是()。
A.无穷大B.零C.约120dB参考答案：A12.理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是( )。
A.无穷大B.零C.约几百千欧D.约几十欧姆参考答案：A第4章集成运算放大电路当前页有4题，你已做4题，已提交4题，其中答对4题。
1.电路如下图所示，R1、R2支路引入的反馈为()。
A.串联电压负反馈B.正反馈C.并联电压负反馈参考答案：B2.在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。
A.工作在线性区，降低稳定性B.工作在非线性区，提高稳定性C.工作在线性区，提高稳定性参考答案：C3.放大电路如下图所示，当RF增加时，该电路的通频带()。
A.变宽B.变窄C.不变参考答案：B4.比例运算电路如下图所示，同相端平衡电阻R应等于()。
A.R1B.R1+RFC.R1与RF并联参考答案：C第5章放大电路的频率相应当前页有2题，你已做2题，已提交2题，其中答对1题。
1.比例运算电路如下图所示，该电路的输入电阻为( )。
A.零B.R1C.无穷大参考答案：B2.同相输入的运算放大器电路如下图所示，该电路的输入电阻为()。
A.零B.RC.无穷大参考答案：C第6章放大电路中的反馈当前页有4题，你已做4题，已提交4题，其中答对4题。
1.场效应管放大电路如下图所示，该电路的输入电阻应等于()。
A.无穷大B.C.参考答案：C2.共源场效应管放大电路中，若将源极旁路电容去掉，则该电路的电压放大倍数将()。
A.增大B.减小C.不变参考答案：B3.场效应管放大电路如下图所示，耦合电容约几十微法，则的取值通常()。
A.大于B.等于C.比小得多，约0.01~0.047参考答案：C4.场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数等于()。
A. B. C.参考答案：A第7章信号的运算和处理当前页有4题，你已做4题，已提交4题，其中答对4题。
1.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(第一空)，而低频作用时放大倍数数值下降的原因是(第二空)。
第一空选择为：（）A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管级间电容和分布电容的存在C. 半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适参考答案：B2.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(第一空)，而低频作用时放大倍数数值下降的原因是(第二空)。
第二空选择为：（）A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管级间电容和分布电容的存在C. 半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适参考答案：A3.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是( )。
A. 输入电压幅值不变，改变频率B. 输入电压频率不变，改变幅值C. 输入电压的幅值与频率同时变化D. 输入电压频率随机改变参考答案：A4.交流负反馈是指( )。